【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電性層と有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法に関する。本発明は、導電性層と有機層のいずれも１５ｎｍ程度以上の厚さである場合においても、導電性層と有機層との界面の、化学状態または電子状態の評価が可能となる方法を提供する。
【解決手段】評価対象の試料が導電性層と有機層を有し、該導電性層と該有機層の界面に硬Ｘ線を照射することにより発生する光電子のエネルギーを測定することによる該導電性層と該有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折装置において異なる波長のＸ線に基づいた測定データを１回の測定によって同時に取得できるようにする。異なる波長の回折線のデータを２次元検出器の受光面の全領域を使って取得することを可能とする。
【解決手段】Ｘ線発生源２から発生した特性Ｘ線を試料３に照射し、試料３で回折した特性Ｘ線をＸ線検出部器６のＸ線検出部１３によって検出する波長分別型Ｘ線回折装置１である。Ｘ線発生源２は、原子番号が異なる複数の金属によって構成され、それぞれの金属から互いに波長が異なる複数の特性Ｘ線を発生する。Ｘ線検出部１３は、それぞれがＸ線を受光してＸ線の波長に対応したパルス信号を出力する複数のピクセル１２で構成される。ピクセル１２のそれぞれに付設されておりピクセル１２の出力信号を特性Ｘ線の波長ごとに分別して出力する分別回路が設けられている。個々のピクセル１２において波長別にＸ線強度を検出する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線測定における割込み測定を簡単に行えるようにし、複数の試料に対する主測定及び割込み測定の両方の信頼性を高く維持する。
【解決手段】試料支持台１２を含むＸ線測定系４を防Ｘ線カバー２で包囲して成るＸ線測定装置１である。主測定の対象である複数のウエハを収容したカセット４３ａを載せるカセット台４１ａと、割込み測定の対象である複数のウエハを収容したカセット４３ｂを載せるカセット台４１ｂとが防Ｘ線カバー２の外側にある。試料室シャッタ５２を開けることによりカセット４３ａ，４３ｂ内のウエハをカバー２の内部のＸ線測定系４へ搬送できる。Ｘ線測定系４によってウエハの主測定又は割込み測定を行っている間、カバー８ａ，８ｂによってカセット４３ａ，４３ｂを覆い、ロック装置４２ａ，４２ｂでカバー８ａ，８ｂを開かないようにして、カセット４３ａ,４３ｂ内のウエハが測定者の意に反して交換されてしまうことを防止する。 （もっと読む）

【課題】測定精度の向上が図られるＸ線回折装置、を提供する。
【解決手段】Ｘ線回折装置１０は、Ｘ線発生部２２と、２次元検出器５０と、スリット板４０とを備える。Ｘ線発生部２２は、Ｘ線を発生し、試料３０に向けて照射する。２次元検出器５０は、試料３０により回折されたＸ線を２次元的に受光し、その受光領域内の各点においてＸ線を検出する。スリット板４０は、試料３０と２次元検出器５０との間のＸ線の光路上に配置され、試料３０により回折されたＸ線を部分的に遮蔽する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線回折測定により、結晶構造または分子構造が特定方向に配向した周期構造を有した基材表面に形成された薄膜由来のＸ線回折プロファイルを確実に得る。
【解決手段】 基材５の表面に薄膜７が形成された薄膜材料３を、Ｘ線の照射面積を超える中空を有する試料台１に固定して、薄膜７の回折Ｘ線を測定するＸ線回折測定方法において、薄膜材料３の初期設定面に対して入射されるＸ線の薄膜７への正射影線９を回転軸として薄膜材料３を回転させ、薄膜７にＸ線が入射される測定面を該薄膜の初期設定面に対して傾斜させた状態でＸ線を薄膜７に入射させ、薄膜７の回折Ｘ線を測定する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線吸収部に対し試料部を相対的に移動することのできる明瞭なイメージ画像を得る。
【解決手段】干渉性Ｘ線が発せられるＸ線源と、Ｘ線源からのＸ線をコリメートするコリメータと、Ｘ線を吸収又は反射する材料により形成されており、Ｘ線の可干渉となる位置に設けられた参照穴及び透過窓とを有し、コリメートされたＸ線が照射されるＸ線吸収部と、透過窓を透過したＸ線が照射される位置の支持膜に試料が設置された試料部と、試料により生じる散乱Ｘ線と、参照穴を通過したＸ線との干渉により生じたホログラムを検出する検出器と、検出器により得られたホログラムに基づき試料の内部構造のイメージ画像を得るためフーリエ変換を行う処理部と、を有し、試料部は、Ｘ線吸収部に対し相対的に移動させることができるものであって、試料部とＸ線吸収部とが接触、または、試料部とＸ線吸収部との間隔が４０μｍ以下となるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】より高分解能で、かつ、正確に、原子の内部構造の観測ができるようにする。
【解決手段】標的としての物質Ｍにパルスレーザを照射することにより発生する光電子が電子検出器３３で検出され、演算装置２７に供給される。また、発生した光電子の運動量の大きさｐと直線偏光方位角θが演算装置２７に供給される。演算装置２７は、光電子が発生する直前（再散乱直前）の光電子の運動量（ｐ_ｒ，θ_ｒ）を動径方向成分と円周方向成分で離散化した離散化運動量（ｐ_ｉ，θ_ｊ）のうちの所定の離散化運動量の円周方向成分θ_０で規格化した弾性散乱断面積の比Ｅ_ｉｊと、所定の離散化運動量の円周方向成分θ_０で規格化した理論値の弾性散乱断面積の比Ｔ_ｉｊの誤差が最小となるパラメータΞを探索して検出する。本発明は、例えば、原子を観測する超高精度・実時間顕微鏡に適用できる。 （もっと読む）

【課題】多層ＣＮＴの集合構造全体での構造評価をする。
【解決手段】多層ＣＮＴの集合構造に対して所定の入射角度でＸ線を入射するステップと、上記集合構造から出射する回折Ｘ線の検出位置を集合構造回りに走査しつつ変えていき、各検出位置で回折Ｘ線強度を測定するステップと、上記集合構造のＸ線入射位置を高さ方向に走査しつつ変えていき、各走査位置で透過Ｘ線の強度を測定するステップと、上記回折Ｘ線強度の測定データからピーク面積を、また、上記透過Ｘ線強度の測定データから減衰量を、それぞれ、演算するステップと、上記ピーク面積と減衰量とから上記集合構造の配向性を解析するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】試料の表面における特定の結晶方位を有する結晶粒子の面内分布を迅速且つ簡便に評価できる結晶方位評価装置を得ること。
【解決手段】結晶方位評価装置は、入射する放射線の中心軸に対して垂直な面に沿った方向へ移動可能であり、試料が載置された状態で放射線を透過するステージと、前記試料において特定の回折角で回折された放射線を選択的に通過させるように、前記放射線の中心軸の周辺を環状に延びた開口部を有する絞りと、前記放射線の中心軸に沿った方向へ移動可能であり、前記絞りを通過した放射線を検出する検出器と、前記検出器により検出された結果から前記試料の表面における結晶方位の分布を判定する判定部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 材料や複合電子部品などに含まれる有害物質の検査において、Ｘ線マッピング分析された画像から、正常か異常かを視覚的に判断することを可能とする、Ｘ線分析装置及びＸ線分析のマッピング方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線分析装置にて、予め正常であることが確認されている試料のＸ線マッピング像を参照マッピング像として取得しておく。検査する試料のマッピング分析を行い参照マッピング像と画素毎に差分を求め差分マッピング像を表示する。指定元素を基準より多く含まれる場所が、高輝度で表示されるため、異常個所を簡単に見つけることができる。 （もっと読む）

【課題】試料３の幅方向位置の測定精度を向上させ、試料測定範囲（厚さの範囲や材質など）の広範囲化を図った放射線測定装置を提供する。
【解決手段】被測定物（試料）を搬送させながら放射線を用いて前記試料の物理量の測定を行う放射線測定装置において、前記試料の搬送方向に略直角に配置されたラインセンサと、前記試料の上方に配置され前記試料を介して前記放射線を前記ラインセンサに照射する複数の放射線源からなり、前記複数の放射線源からの放射線は前記試料の搬送方向に略直角方向に扇状に出射されると共に前記ラインセンサの同一線上を照射するように構成した。 （もっと読む）

【課題】窓フーリエ変換法を用いた解析において、解像度の更なる向上を図ることが可能となる位相情報の解析方法等を提供する。
【解決手段】光あるいはＸ線を含む波長の波の干渉によるモアレ像の周期的パターンを解析し、位相波面を含む位相情報を取得する位相情報の解析方法であって、
前記モアレ像の周期的なパターンの少なくとも一部を、窓関数によって窓フーリエ変換する工程と、
前記窓フーリエ変換されたモアレ像における、位相情報を担うスペクトルの情報と、前記位相情報を担うスペクトルの情報に重畳している位相情報を担っていないスペクトルの情報とを解析的に計算する工程と、
前記位相情報を担っていないスペクトルの情報を、前記位相情報を担うスペクトルの情報から分離し、前記位相波面を含む位相情報を取得する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】固体試料中における低濃度の水素を二次イオン質量分析法によって正確に分析する手法を提供することを課題とする。
【解決手段】質量数１の水素同位体と物理的な挙動が酷似し、単体または化合物として大気中での存在量が極めて少ない質量数２の水素同位体をイオン注入によって分析対象とする固体試料中に導入する。そして、固体試料を加熱処理し、固体試料中に含まれる質量数１及び質量数２の水素同位体の濃度を減少させ、二次イオン質量分析法を用いて固体試料中における質量数２の水素同位体の濃度を分析し、その数値を固体試料中に残留する質量数１の水素同位体の濃度として同定する。 （もっと読む）

【課題】４以上の多数の元素の中から相解析を行う３元素を簡便に且つ的確に選択できるようにする。
【解決手段】分析者により指定された６元素をｘ、ｙ、ｚ軸の原点を中心とする＋ｘ、＋ｙ、＋ｚ、−ｘ、−ｙ、−ｚの各方向に割り当て、８個の象限の各空間に、分析した各微小領域の３元素のＸ線強度データをプロットした３次元散布図（ＸＹＺ表示）を表示部の画面上に表示させる。３次元散布図上で分析者が任意の位置をクリック操作すると、その位置に応じた３元素が選択され、３次元散布図は、選択された３元素の３元散布図を底面としそれに直交する方向に３元素の強度和をとった三角柱状のグラフ（トライアングル表示）に変更される。同時に、相解析画面には選択された３元素の３元散布図が表示され、該散布図を用いて相解析が可能となる。これにより、簡便な操作で６元素中の任意の３元素の組み合わせを選択することができる。 （もっと読む）

【課題】規則構造を有する材料の規則構造を評価する方法を提供する。
【解決手段】被撮像物の原子配列を認識可能な画像データを用いる規則構造評価方法において、前記画像データに対し、フーリエ変換処理、空間周波数フィルタリング処理、及び逆フーリエ変換処理を行い、評価対象の規則構造の像強度の分布を示すデータを生成する工程と、前記画像データから前記規則構造を有する領域の境界の画素位置を得る工程と、前記像強度の分布を示すデータから、前記工程で得られた画像位置に対応する像強度を得る工程とを有することを特徴とする規則構造評価方法。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの高分解能画像を得る。
【解決手段】１以上の試料を特徴付けるための超高速システム（および方法）である。特徴付けられる試料を有するステージ組立部を含む。持続時間が１ピコ秒未満の光パルスを放射することができるレーザー源を有する。レーザー源に接続されたカソードを有し、特定の実施例において、カソードは１ピコ秒未満の電子パルスを放射することができる。ステージ上の試料に電子パルスの焦点を合わせられる電子レンズ組立部を有する。試料を通過する電子を捕らえる検出部を有する。検出部はプロセッサを有し、試料の構造を代表する試料を通過する電子に関連付けられた信号（たとえば、データ信号）を供給する。プロセッサは、試料の構造に関連付けられた情報を出力するために、試料を通過する関連付けられたデータ信号を処理し、出力デバイスに出力する。 （もっと読む）

【課題】性能指標が向上したスピン検出器、及び当該スピン検出器を用いた表面分析装置を提供する。
【解決手段】スピン検出器５は、電子線が照射される面に、面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部５２が形成されたターゲット５１と、突起部５２の傾斜面で電子線が電子線のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出器ＤＲｙ，ＤＬｙと、を有する。また、表面分析装置１は、試料Ｓ表面に１次電子線を照射する電子線鏡筒３と、上記スピン検出器５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】測定値からノイズの影響を除去する。
【解決手段】測定対象物上に複数の測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nを設定し、測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nの並ぶ方向に沿って振動させながら測定ビームを照射する。測定ビームの振幅Ｗの範囲にＭ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈が含まれているとすると、Ｍ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈から得られる２Ｍ個の測定値ｆ₁〜ｆ_2Mから、下記(７ａ）（７ｂ)式、


に従って、フーリエ係数ｂ₁(振幅が測定ビーム径の１／２の場合)、又はｂ₂(振幅が測定ビーム径と等しい場合)を求め各測定点のフーリエ係数ｂ₁又はｂ₂の推移を求め、微小領域の分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）