【課題】ユーザが鏡面上の状態を把握することなく、露点を検知する場合と霜点を検知する場合とで、自動的に適切な制御パラメータへの切り替えが行われるようにする。
【解決手段】鏡面温度が−５℃以上であれば、高露点領域用の制御パラメータを選択して、第１の熱電冷却素子（鏡面冷却用のペルチェ）への供給電流の制御を行う。鏡面温度が−５℃を下回っていれば、低露点領域用の制御パラメータを選択して、第１の熱電冷却素子（鏡面冷却用のペルチェ）への供給電流の制御を行う。高露点領域用の制御パラメータにおける比例ゲインは、低露点領域用の制御パラメータにおける比例ゲインよりも高くし、高露点領域用の制御パラメータにおける積分時間は、低露点領域用の制御パラメータにおける積分時間よりも短くする。 （もっと読む）

【課題】鏡面の汚れや検出系の劣化を知ることができるようにする。
【解決手段】第１の熱電冷却素子（鏡面冷却用のペルチェ）への供給電流の制御を中断し、露点計測を休止する。所定時間の経過を待つことによって、鏡面に結露が生じていない状態を作り出し、この時の鏡面からの反射光の光量（受光量）Ｒｐｖを求め、この求めた受光量Ｒｐｖが予め定められている受光量基準範囲から外れていた場合、アラーム表示を行う。 （もっと読む）

【課題】応答性を犠牲にすることなく、簡単かつ小型な構成で、低露点の測定を可能とする。
【解決手段】熱伝導体１７（センサボディ１３、冷却ブロック１５、冷却板１６）の一端に鏡面冷却用の熱電冷却素子（第１の熱電冷却素子）２を取り付ける。熱伝導体１７の他端に補助冷却器として冷却能力の大きい熱電冷却素子（第２の熱電冷却素子）１８を取り付ける。第１の熱電冷却素子２への供給電流の制御はメインコントローラ２４で行い、第２の熱電冷却素子１８への供給電流の制御はサブコントローラ２５で行う。 （もっと読む）

【課題】被測定物に対し電流を流して検査する検査装置を被測定物の製造ラインに投入する場合において、被測定物の検査のための待ち時間の大幅な短縮を図り、全体としての検査時間（タクトタイム）を短縮することを可能とする検査装置用の給電装置を提供する。
【解決手段】被測定物２００に電流を流すことで検査を行う検査装置において使用する給電装置を、検査装置側に給電手段を設け、被測定物側に集電手段を設けることにより、被測定物２００が検査装置に搬入される際に、給電手段と集電手段を電気的に接続させる構成とした。 （もっと読む）

【課題】短時間での検査が可能な、ハニカムフィルタの欠陥を検査する方法、及び、ハニカムフィルタの欠陥の検査装置を提供する。
【解決手段】一端面１００ｂから他端面１００ｔに向かう複数の流路１１０を形成する隔壁１１２、及び、複数の流路１１０のいずれか一端を閉鎖する封口部１１４を有するハニカムフィルタ１００の一端面１００ｂにガスを供給する工程と、ハニカムフィルタ１００の他端面１００ｔから排出されるガスを、他端面１００ｔと対向するように配置され、かつ、加熱された、ガス受け部材１０に供給する工程と、ガス受け部材１０の温度分布を測定する工程と、を備えるハニカムフィルタの欠陥の検査方法である。 （もっと読む）

【課題】導電性を有する異物の検出に要するコストの低減を図りつつ、極く小さな異物であっても確実に検出する。
【解決手段】非導電性材料で形成された樹脂フィルム２０にマイクロ波Ｗｍを照射して樹脂フィルム２０に含まれている導電性を有する異物Ｘを選択的に発熱させる発熱処理を実行するマイクロ波照射部３と、樹脂フィルム２０を撮像して樹脂フィルム２０における各部の温度を検出するサーモカメラ４と、マイクロ波照射部３による発熱処理およびサーモカメラによる樹脂フィルム２０の撮像（樹脂フィルム２０における各部の温度の検出）を制御すると共に、サーモカメラ４の撮像結果を温度検出結果として分析して、発熱処理によって発熱した発熱部位に異物Ｘが存在すると検出する処理部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高温域において、簡易にかつ精度良く熱間変位量を測定することができる熱間変位測定装置及び熱間変位測定方法を得る。
【解決手段】試料１０が設置される測定室１と、試料１０を加熱する加熱手段と、試料１０の測定部における温度を測定するための温度測定手段と、試料１０の測定部を拡大して投射する投射レンズ２２と、投射レンズ２２により拡大された試料１０の測定部の像における両端部１０ａ及び１０ｂのそれぞれを撮像する一対の撮像手段２３及び２４とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】被測定物に成膜された金属膜の光浸透深さが不明であっても、当該被測定物についての熱物性を精度よく解析・評価できる熱物性解析方法、この方法を用いた熱物性解析装置、及びこの装置に用いられるプログラムを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、被測定物１１上に膜厚の異なる第１金属膜１２ａと第２金属膜１２ｂとを成膜し、第１及び第２金属膜１２ａ，１２ｂに加熱光Ｂ１と検出光Ｂ２とをそれぞれ照射し、反射した検出光Ｂ２ａの第１反射光強度変化と第２反射光強度変化とをそれぞれ検出し、第１及び第２反射光強度変化の比較から求めた特定の時刻ｔ１に基づき第１反射光強度変化に対して所定の規格化を行い、解析モデルに基づく演算結果が前記規格化された第１反射光強度変化と所定範囲で一致するような解析モデルを探索し、これに基づき被測定物１１の熱物性値を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露点を正確に計測可能な露点計測システムを提供する。
【解決手段】励起光を発する発光体２と、励起光を照射される蛍光体１と、蛍光体１の蛍光を受光し、蛍光強度及び蛍光寿命の値を測定する蛍光測定器４と、蛍光寿命及び蛍光体の雰囲気温度の関係を保存する関係記憶部４０１と、蛍光寿命及び蛍光体の雰囲気温度の関係と、蛍光寿命の測定値と、に基づき、蛍光体１の雰囲気温度の値を算出する温度算出部３０１と、蛍光強度の測定値が低下から上昇に転じた際の蛍光体１の雰囲気温度を露点として特定する露点特定部３０２と、を備える露点計測システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】 設備の過熱異常の原因を推定することを可能にする過熱診断システムおよび過熱診断プログラムを提供する。
【解決手段】 診断対象物Ｆｍの熱画像Ｐ１を撮影するサーモカメラ２と、診断対象物Ｆｍの温度上昇の要因である温度上昇要因の大きさを示す上昇要因量と、診断対象物Ｆｍの温度との関係を示す温度特性を記憶した温度特性データベース３５と、サーモカメラ２によって撮影された熱画像Ｐ１上の測定温度と、温度特性データベース３５に記憶されている温度特性とに基づいて、診断対象物Ｆｍの温度が熱画像Ｐ１上の測定温度になる上昇要因量を推定する要因量推定タスク３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表面に黒化膜を形成することなく、金属／セラミックス接合基板の熱特性の面内分布を測定することを可能とする。
【解決手段】出力１００Ｗ以上、パルス長１０〜５００ミリ秒の高出力レーザーパルスを被検体の一つの主面全体にあたるように照射することで生じた、過渡的な温度の時間変化の面分布をサンプリングレート０．０１秒以下の高速赤外線カメラにより計測することで、金属／セラミックス接合基板の熱特性の面分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】固体試料中の成分の活性化エネルギーの値を得ることを容易にする。
【解決手段】昇温脱離分析装置は、固体試料２０２を昇温する昇温手段となる赤外線ランプ２０３と、赤外線ランプ２０３に流す電流値を制御して固体試料２０２の温度を制御する温度コントローラ２０７とを備える。昇温中の固体試料２０２の温度を、時間を変数とする第一の関数とし、ある正数を基数とし第一の関数の逆数を指数とする第二の関数が時間により積分可能であって、かつ第二の関数の原始関数が初等関数となるように、第一の関数を与える。 （もっと読む）

【課題】非破壊で物品内部のマイクロクラックやボイド、異物混入、接合状態等の内部構造を評価することができる、シリコンウエハや金属接合構造物等の物品の内部構造観察方法及び観察装置を提供することを課題とする。
【解決手段】観察対象物品の表面の多点をスポット的に加熱する加熱用レーザー１と、加熱点より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う２波長赤外放射温度計２と、２波長赤外放射温度計２による測定結果をレーザーの吸収率に関して補正し、その補正後の温度変移を等時間間隔での平面画像として構築する熱画像構築部４と、物品を測定位置に位置決めし且つ移動させるための移動手段とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】鋼床版の破断部位又は亀裂部位を容易に高精度に検査すること。
【解決手段】電磁磁誘導によって鋼床版デッキプレート１１０を直接加熱する。Ｕリブ１４０は電磁誘導加熱されにくいが、鋼床版デッキプレート１１０から、Ｕリブ１４０に熱伝導によって、加熱される。しかし、溶接部位に破断や亀裂がある場合、その破断又は亀裂の箇所からはＵリブ１４０に熱が伝導されない。これにより、破断又は亀裂がある場合と、破断又は亀裂がない場合とで、検査部位の温度分布に違いが発生する。この温度分布の違いによって、破断又は亀裂１４５を発見することがきる。 （もっと読む）

【課題】鋼板等の材料が搬送されている、或いは移動している場合でも、精度良く材料の表面欠陥及び表層欠陥を検出できるようにする。
【解決手段】材料を薄板鋼板とした場合を例にすると、薄板鋼板１００の表面欠陥及び表層欠陥１０１を検出する鋼板の欠陥検出システムであって、薄板鋼板１００の表面を加熱する加熱装置１と、加熱装置１により加熱中もしくは加熱した直後の表面領域（検査エリアＳ）の熱画像データを取得する赤外線サーモグラフィカメラ２と、赤外線サーモグラフィカメラ２により取得された熱画像データが表す表面温度から放射率の変化量Δε（ｘ，ｙ）を求め、欠陥の有無を検出する検出装置３とを備え、赤外線サーモグラフィカメラ２により検査エリアＳの熱画像データを取得する際に、加熱装置１により放射される熱エネルギーが鋼板１００での反射等により赤外線サーモグラフィカメラ２に入射しないようにされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの発熱解析画像における撮像位置ずれの影響を抑制することが可能な半導体故障解析装置及び方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳにバイアス電圧を印加する電圧印加部１４と、画像を取得する撮像装置１８と、画像処理を行う画像処理部３０とを備えて故障解析装置１Ａを構成し、撮像装置１８は、電圧印加状態での発熱像をそれぞれ含む複数の解析画像と、電圧未印加状態での複数の背景画像とを取得する。画像処理部３０は、解析画像及び背景画像のそれぞれでの撮像位置を算出する撮像位置算出部３２と、撮像位置に対して用意された領域分割単位に基づいて解析画像及び背景画像をＮ個の画像グループに分類する画像分類部３３と、Ｎ個の画像グループについて個別に解析画像と背景画像との差分画像を生成する差分画像生成部３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を効果的に向上させる。
【解決手段】本発明の光熱変換測定装置は、所定の周波数で光強度が変化する励起光Ｌ１１を試料Ｓに照射する第１光照射部１１と、試料Ｓに測定光Ｌ２１を照射する第２光照射部１２と、試料Ｓを通った測定光Ｌ２１を検出する光検出器１３と、光検出器１３と第２光照射部１２との間の光路に設けられ、所定の偏光状態の光を光検出器１３へ向かう光路から遮断する偏光素子１４と、偏光素子１４に入射する測定光Ｌ２１の偏光状態を調整する偏光調整部１５と、励起光Ｌ１１の光強度が極小である期間に偏光調整部１５に入射した測定光Ｌ２１が所定の偏光状態になるように偏光調整部１５と第１光照射部１１とを所定の周波数で同期制御する制御部１６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】流動層の粉塵爆発性を評価することが可能な粉塵爆発試験装置および粉塵爆発試験方法を提供する。
【解決手段】粉塵爆発試験装置１は、その下部にガス導入口１１が設けられ、その上部にガス排出口１２が設けられた縦型円筒状の流動層容器１と、前記ガス導入口１１と配管で接続され、流動層容器１０内に被検ガスを供給するガス供給手段４０と、被検粉体と被検ガスとからなる流動層に着火する点火電極２１と、前記流動層容器１０に設けられた覗き窓１７から粉塵爆発の有無を確認するためのデジタルカメラ２２と、を有し、前記流動層容器１０内には、前記ガス導入口１１の上部に設けられ、被検粉体を載置し被検ガスを通気するガス分散板Ｚ、を有することを特徴とする粉塵爆発試験装置。該粉塵爆発試験装置１を使用することによって、流動層における粉塵爆発性を評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高温における粉塵爆発性を評価することが可能な粉塵爆発試験装置を提供する。
【解決手段】粉塵爆発試験装置１は、その下部にガス導入口１１が設けられ、その上部にガス排出口１２が設けられた縦型円筒状の耐熱耐圧容器１０と、前記耐熱耐圧容器１０を所定の温度に加熱する電気炉２０と、前記ガス導入口１１と配管で接続され、耐熱耐圧容器１０内に圧縮した被検ガスを供給するガス供給手段４０と、被検粉体と被検ガスとからなる粉塵雲に着火する点火電極２１と、前記耐熱耐圧容器１０に設けられた覗き窓１７から粉塵爆発の有無を確認するためのデジタルカメラ２２と、を有し、前記耐熱耐圧容器１０内には、前記ガス導入口１１の上部に設けられ、被検粉体を載置し被検ガスを通気する支持台Ｚ、を有する。該粉塵爆発試験装置１を使用することによって、高温における粉塵爆発性を評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱光と検出光との位置関係の変動、環境要因変化に依存して生じる前記加熱光の高周波成分に基づく測定結果の変動を極力防止し、これにより前記熱物性測定の再現性、信頼性を高く保つことが可能な熱物性測定装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる熱物性測定装置Ａは、加熱用レーザ光源１からレーザ光を音響光学変調器１７で所定の設定周波数に従って強度変調して加熱光として試料７の測定部に照射し、検出用レーザ光源９からのレーザ光を検出光として試料７の測定部に照射し、試料７から反射した前記検出光の強度を光測定器１５で測定するものである。ここで、この熱物性測定装置Ａでは、試料７の測定部に照射される前の前記加熱光の強度が加熱光測定器２４で検出され、その検出結果に基づいて、前記設定周波数以外の強度変調における周波数成分が除去される。 （もっと読む）