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Fターム[2G041EA01]の内容

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【課題】捕獲化合物およびその収集物、ならびに生体分子の分析にその化合物を用いる方法を提供すること。
【解決手段】捕獲化合物およびその収集物、および生体分子の分析にその化合物を用いる方法を提供し、該収集物、化合物および方法を、プロテオームのような複合体タンパク質混合物の分析に供する。その化合物は、複合体タンパク質混合物の分離および単離に供される多機能試薬である。その方法を行うための自動化システムも提供する。該捕獲化合物および収集物により、生体分子の複合混合物の選別が可能となり、さらに、それらにより疾病状態などの特定の表現型を予測するかまたはその指標であるタンパク質構造を同定することができ、それによってランダムSNP分析、発現プロファイリングおよびタンパク質分析法の必要性がなくなる。 (もっと読む)


【課題】広範囲な分子量の物質を高精度で簡単に質量分析することができる質量分析用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー脱離イオン化質量分析に用いる質量分析用の基板であって、基板上に配列したワイヤ状の金属からなるワイヤ状金属層を有する質量分析用基板。基板上に、チューブ状のメソ細孔が実質的に一方向に配向して設けられているメソポーラスシリカ薄膜を形成する工程と、該チューブ状の細孔内に金属を導入する工程と、金属を導入しら後にシリカを除去する工程とを有する質量分析用基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本願発明の目的は、これら表面プラズモンによる表面増強効果をイオン化に利用することにより、高感度(電磁効果)でソフト(化学効果)なイオン化を行うことである。
【解決手段】本願発明においては、試料に金のコロイドを混合し、乾燥させ、その状態において、レーザー光を照射し、金の粒子の表面にプラズモンを励起し、そこに生じた電場により、金に付着した試料をイオン化して、質量分析を行うものである。また、用いる基板は、金コロイドを用いているため、平滑基板である必要はなく、どんな角度でも一様に表面プラズモンを励起できる。入射レーザーの条件は、レーザーを当てることが出来ればどんな入射でも問題はない。金コロイドの場合、520nm付近に表面プラズモン吸収波長があるが、その付近(本件では532nm)のレーザー光を当てさえすれば励起可能である。 (もっと読む)


【課題】マトリックスに依存することなく、高感度かつ高精度のレーザーイオン化質量分析を可能にする質量分析用標識剤を提供すること。
【解決手段】レーザー照射によってイオン対に開裂するイオン開裂部分および他の物質と結合を形成しうる結合基を有する化合物(好ましくは中性分子)からなる質量分析用イオン化標識剤、および該標識剤を用いる質量分析法。 (もっと読む)


【課題】 PCBのような有機物質の分析は、従来のカラムクロマトグラフ法では分離するのに手間を要し、分析結果を得るまでに長時間を要していた。また、従来の飛行時間型二次イオン質量分析法を用いた分析では、短時間での測定が可能であるが、発生する二次イオンが少ないため、微量の有機物質の分析には感度が十分でなかった。
【解決手段】 本発明は、有機物質を付着させた試料台の表面に一次イオンを照射して放出される二次イオンを飛行時間型二次イオン質量分析法により検出する有機物質の分析方法であって、試料台の表面はCsを含有させたAg、Au、CuおよびPdのいずれかの金属からなることを特徴とする。Csを含有させた金属を試料台に使用することにより、発生する二次イオンが顕著に増加するため、PCBのような有機物質を短時間で高感度に分析することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 従来の飛行時間型二次イオン質量分析を利用した表面構造の解析方法では、試料が固体表面の有機化合物や分子結合性化合物の単層膜の場合に、試料表面から削っていくことが困難なために、厚さ方向の組成プロファイルを求めることが困難である。
【解決手段】 試料表面にサイズの異なる少なくとも2種類のイオンをそれぞれ照射する手段、前記試料表面から放出されるイオンの質量スペクトルを飛行時間型二次イオン質量分析器により計測する計測器、および計測された質量スペクトルから異なる種類のイオン照射で計測された2つの質量スペクトルの差を出力する情報処理装置を有することを特徴とする表面解析装置。 (もっと読む)


【課題】夾雑物による誤検出を防ぐ為に選択性及び検出感度を向上させた質量分析装置を提供する。
【解決手段】複数の探知対象物質のイオン成分に対応するドリフト電圧を変化させて印加し、探知対象物質であるイオン成分の固有のm/zの検出の有無を判定する。さらに、探知対象であるイオン成分の固有のm/zが検出された場合、その探知対象物質であるイオン成分を解離させるドリフト電圧に変化させて固有のm/zのフラグメントイオンの検出の有無を判定する。このフラグメントイオンのm/zのイオンピークがあった場合、探知対象物質が存在すると判断して警報を鳴らす。 (もっと読む)


【課題】ある物質に結合するリガンドを質量分析により分析する操作を、簡便かつ高感度に、さらに高い再現性をもって行なうことができる、リガンドの分析方法及びそのためのセンサー素子を提供すること。
【解決手段】リガンドの分析方法は、基板と、該基板上に設けられた、複数のナノサイズ金属領域と、該ナノサイズ金属領域上に固定化された選択結合性物質とを具備するセンサー素子上の、前記選択結合性物質と、被検試料中の、前記選択結合性物質と選択的に結合するリガンドとを接触させる工程と、前記選択結合性物質と前記リガンドとの結合を局在表面プラズモン共鳴法により測定する工程と、次いで、前記センサー素子をそのまま質量分析法にかけて前記リガンドを質量分析する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】試料と検出器とにおける所望の検出条件を変えることなく、試料に対する一次イオンの入射角度を変更することが可能となる二次イオン質量分析装置を提供する。
【解決手段】本二次イオン質量分析装置は、照射方向可変イオン照射装置と試料台と質量分析器とを含んでなる。この照射方向可変イオン照射装置は、固定されたイオン銃と、照射されるイオンの進行方向の変化を制御可能な偏向板であって、照射経路においてイオン銃に近い方の第一の偏向板と、照射されるイオンの進行方向の変化を制御可能な偏向板であって、照射経路においてイオン銃から遠い方の第二の偏向板とを含んでなり、第一の偏向板と第二の偏向板とが、それぞれ独立に、ある点を中心にして回転し得る機構を有する。 (もっと読む)


【課題】高精度で再現性に優れ、信頼性の高い研磨スラリーの分析方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウェーハを研磨することによって得られた研磨スラリー中の汚染物を分析する方法において、前記研磨スラリー中のシリコン成分を溶解してシリコン溶液とする溶解工程と、前記シリコン溶液2を蒸発乾固させる乾燥工程と、前記蒸発乾固させた前記残留物4中のシリコン成分を除去する除去工程と、前記除去工程後の残渣5を回収する回収工程とを備えるシリコンウェーハの研磨スラリーの分析方法とする。 (もっと読む)


【課題】 微量RNA分子を同定する、特にそのRNA分子量情報からインシリコでRNA分子をゲノム配列上に同定する装置、その方法等の提供。
【解決手段】 任意の生物種の任意のゲノム配列、および、当該配列を切断することができるDNA分解酵素またはRNA分解酵素もしくはその両方の切断メカニズムに関するデータを格納する記憶手段(10)、前記分解酵素と同様な分解酵素で切断されることが可能な少なくとも1つの対象RNA断片を測定して得たその対象RNA断片分子量を読み込む入力手段(20)と、読み込まれた少なくとも1つの対象RNA断片分子量を記憶手段(10)にある配列データおよび切断メカニズムに関するデータと照合させ、当該対象RNA断片が記憶手段(10)の配列の上に存在する候補領域を算出する算出手段(30)と、からなる当該少なくとも1つの対象RNA断片を含む任意のRNA分子を任意のゲノム配列上で標記し同定するRNA分子検索装置。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりを低下させることなく,化合物半導体ウエハの評価を行うことができる,化合物半導体ウエハの評価方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば,半導体基板上方に化合物半導体積層体を有する化合物半導体ウエハの特定部位の周縁部分をエッチングして前記特定部位を柱状に加工し,この柱状の特定部位に一次イオンビームを照射して二次イオンを放出させ,放出された二次イオンの質量分析を行い,前記質量分析の結果に基づいて化合物半導体ウエハの評価を行う工程を含む化合物半導体ウエハの評価方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】 試料のレーザアブレーション量を求めることができるレーザアブレーション装置及びレーザアブレーション量算出方法を提供する。
【解決手段】 レーザアブレーション装置2においては、試料Sに対するレーザアブレーションが開始されると、演算部50によって、光検出器45により測定されたレーザ光のエネルギから、光検出器43,44により測定されたレーザ光のエネルギが減ぜられて、試料Sに照射されたレーザ光のうち試料Sに吸収されたレーザ光のエネルギが算出される。更に、演算部50によって、試料Sに吸収されるレーザ光のエネルギと試料Sのレーザアブレーション量との相関関係についての情報に基づいて、試料Sに吸収されたレーザ光のエネルギから、試料Sのレーザアブレーション量が算出される。 (もっと読む)


【課題】デバイス等の不良原因となる数μmの微小異物を採取し、コンタミレスで質量分析を行うことを課題とする。
【解決手段】数μmの微小異物の採取用プローブ先端部に局所加熱機構を持たせることにより、微小異物の採取と異物の加熱が同一のプローブで行うことが可能となる。該プローブは直接質量分析装置に装着することができるためコンタミレスで分析を行うことができる。またプローブ先端部の異物のみを加熱することにより、仮にプローブの先端部以外にコンタミ物質が付着したとしても先端部以外は加熱されずS/Nの良好なマススペクトルが得られる。 (もっと読む)


【課題】小型の光脱離分析装置を提供すること。
【解決手段】
発生部(1a)内の希ガスにレーザー光(L)を照射してプラズマを発生させて真空紫外域から可視域の光を発生させるレーザー光源装置(6)と、前記光発生部(1a)内に配置され且つ発生した光を分光する分光系(12)、前記光発生部(1a)内に配置され且つ発生した光を反射して前記分光系(12)に集光する反射光学系(11)および前記光発生部(1a)内に配置され且つ前記分光系(12)により分光された単一波長の光を集光して前記試料(S)に照射する集光光学系(13)が一体的に構成された発光分光集光系(11〜17)と、を有する光源装置(D1)と、前記真空チャンバ(D2)内に配置され、光が照射された前記試料(S)から脱離する物質を検出する質量分析計(26)と、を備えた光脱離分析装置(D)。 (もっと読む)


【課題】本発明はプロダクトイオンスペクトル作成方法及び装置に関し、イオンゲートにて各同位体ピークを選択し、MS/MS測定をすることができ、主要な同位体ピークを選択したMS/MSスペクトルを再構成し、1つのプロダクトイオンスペクトルを作成することにより、モノアイソトピックイオンのみを選択する場合と比較して、質量精度を落とすことなく、感度のよいスペクトルを得ることができるプロダクトイオンスペクトル作成方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】サンプルをイオン化するイオン源40と、イオンをパルス的に加速するための加速手段と、飛行時間型質量分析計と、特定の質量をもつイオンを選択するイオンゲート46と、選択したイオンを開裂させる手段47と、反射電場を含む反射型飛行時間型質量分析計と、反射型飛行時間型質量分析計を通過したイオンを検出する検出器49とを含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】放電部の煤を焼失させるようにヒータを設けてなる煤センサにおいて、放電部との関係でヒータを設ける位置に工夫を凝らし、放電部にて煤以外の導電性に寄与する粒子の影響を受けることなく放電するように構成する。
【解決手段】煤センサは、金具部材100、電気絶縁材料からなる筒部材200及びロッド部材300を備えている。筒部材200は、金具部材100の主体金具110内に同軸的に支持されている。ロッド部材300は、筒部材200内に嵌装されて、中心電極320にて、当該筒部材200の先端から延出している。ここで、中心電極320は、電極部321にて、金具部材100の外側電極120の電極部122に対向している。ヒータ400は、筒部材200の先端側部位630の外周面にその先端側にて貼着されている。ヒータ400の発熱抵抗部431の下縁部435と中心電極320の電極部321の先端部との間には、25(mm)が設けられている。 (もっと読む)


【課題】良好な精度で、かつ容易に石英部材の分析を行う分析方法を提供する。
【解決手段】石英部材にエッチング液を供給してエッチングする第1の工程と、前記第1の工程で用いた前記エッチング液中の金属を分析する第2の工程と、を有する石英部材の分析方法であって、前記第1の工程の前記エッチング液の供給は、前記石英部材に形成された凹状のエッチング液保持部にされることを特徴とする石英部材の分析方法。 (もっと読む)


【課題】試料の表面荒れを防止しつつ、試料中の測定対象領域における元素を正確に測定することができる、二次イオン質量分析装置を用いる元素測定技術を提供する。
【解決手段】二次イオン質量分析装置を用いる、試料の深さ方向における元素の測定方法において、試料に対し、一次イオンとして、反応性ガスから得られるイオンを使用し、更に不活性ガスイオンを、当該一次イオンとは独立に照射する。 (もっと読む)


【課題】 導出されるキャリアガス中の微粉体物又はガス化物の元素組成比を時間の経過に対して安定化させることができる試料室、レーザアブレーション装置及びレーザアブレーション方法を提供する。
【解決手段】 試料室40は、レーザアブレーションの対象となる試料Sが配置されると共に、試料Sに対するレーザアブレーションによって生じる微粉体物又はガス化物を搬送するためのキャリアガスGが流通する内部空間42を有している。内部空間42を画定する側壁面43には、試料Sが配置される位置に対して一方の側Aに位置する複数のキャリアガス導入口44、及び試料Sが配置される位置に対して他方の側Bに位置するキャリアガス導出口45が形成されている。 (もっと読む)


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