【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】使用状況に応じてヒートクリーニング期間を調整することで使い勝手を向上させた呼気成分測定装置を提供する。
【解決手段】ガスセンサ２は、金属酸化物半導体からなる感ガス体２０及び感ガス体２０内に埋設されたヒータ兼用電極２１を具備し、呼気吹込口から吹き込まれた呼気が感ガス体２０に接触するように測定器本体内に収納される。マイコン７は、ヒータ兼用電極２１への通電を制御し、測定開始操作が行われると感ガス体２０の温度を高温にしてヒートクリーニングを行った後、感ガス体２０の温度を低温状態とし、この測定期間に呼気が吹き込まれると、感ガス体２０の抵抗値から呼気中の検知対象ガス成分のガス濃度を測定する。マイコン７は、ヒートクリーニングの開始時から所定時間が経過するまで感ガス体２０の抵抗値の二次微分値を求め、二次微分値が大きいほどヒートクリーニング時間が短くなるように、ヒートクリーニング時間を設定する。 （もっと読む）

【課題】被測定者のごまかし行為を抑制し、飲酒状態を正確に判定することが可能な飲酒状態判定装置、及び飲酒運転を効果的に防止できる飲酒運転防止システムを提供する。
【解決手段】飲酒運転防止システム２は、被測定者の呼気に含まれるエタノールの濃度を検知するアルコールセンサ６と、アルコールセンサ６に向かって呼気が吹き掛けられたことを、温度変化に基づいて検出する吹き掛け検出手段７と、吹き掛け検出手段７によって呼気の吹き掛けが検出された場合、アルコールセンサ６の出力に基づき、呼気に含まれるエタノールの濃度が基準値以上か否かを判定する濃度判定手段４６とを備える。特に、吹き掛け検出手段７は、加熱コイルと、加熱コイルに一定電流を流す定電流回路とを備え、呼気の吹き掛けによる温度低下を、加熱コイルの電気抵抗の変化によって検出する。 （もっと読む）

【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子において、応答時間短縮を実現した酸素分圧検出部を有する抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 耐熱性の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の主面側に形成された一対の電極と、前記主面側に前記一対の電極に接するように形成された酸素分圧検出膜とを備えた、内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子であって、前記酸素分圧検出膜として、４５０℃〜９００℃において酸素イオン伝導性を有する酸化物粒子と４５０℃〜９００℃において電子伝導性を有する酸化物粒子とを含む多孔質焼結体層を用いることにより、応答時間が短縮された抵抗型酸素センサ素子が得られる。 （もっと読む）

【構成】 Si基板に設けたキャビティ上に絶縁膜からなる架橋部を設け、架橋部にヒータと感ガス膜とを設ける。架橋部を貫通するホールを設け、感ガス膜が架橋部の表面とホールの少なくとも一部、及び架橋部の周縁を覆い、ヒータがホールを取り巻くようにする。
【効果】 感ガス膜の周囲雰囲気への接触面積を増すことができる。 （もっと読む）

【課題】 通電により加熱された状態で検知対象ガスに感応するガス感応素子を有するガスセンサを具えてなるものにおいて、電源投入後、ガス濃度測定を行うことのできる状態を早期に得ることのできるガス検知器を提供すること。
【解決手段】 前記ガスセンサを具えたガス検知器において、ガスセンサの起動時にゼロガスが導入されている状態において、センサ出力値が対数関数的に経時的に変化する特定の時間範囲内で選ばれた２つの測定時の各々においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値に基づいて、前記特定の時間範囲内におけるいずれかの測定時を出力補正対象測定時として当該出力補正対象測定時におけるセンサ出力値を予測して、これを補正用出力値として取得し、この補正用出力値に基づいて、前記出力補正対象測定時においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値を補正する機能を有する出力補正機構を具えてなる。 （もっと読む）

【課題】シロキサン被毒や水分吸着が生じている状態を判定することができながら、ＣＯガス等の検出対象ガスの濃度を適正に検出する。
【解決手段】高温状態と低温状態とに切り換えるように加熱部４の作動を制御して低温状態のガス検出部３の電気抵抗値に基づいて検出対象ガスを検出する制御部５と、ガス検出部３の電気抵抗値に基づいて、ガス検出部３の周囲が清浄空気であるか否かを判定する清浄空気判定処理を行い、その清浄空気判定処理にて清浄空気であると判定した場合に、高温状態におけるガス検出部３の電気抵抗値が正常範囲よりも低下していることを検出するとシロキサン被毒状態であると判定するシロキサン被毒判定処理、及び、高温状態におけるガス検出部３の電気抵抗値が正常範囲よりも増大していることを検出すると水分吸着状態であると判定する水分吸着判定処理の少なくとも一方を行う判定部１４を備えている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を含有した多孔性ナノ繊維を用いてガスセンサーを製造する方法及びこれによって製造されたガスセンサーを提供する。
【解決手段】（１）ポリマー前駆体と溶媒とを混合するステップと、（２）上記第１ステップの過程を通じて得られた混合物に金属酸化物を分散させるステップと、（３）上記第２ステップの過程を通じて得られた混合物を電気放射してナノ繊維を製造するステップと、（４）上記第３ステップの過程を通じて得られたナノ繊維を酸化させるステップと、（５）上記第４ステップの過程を通じて酸化されたナノ繊維を炭化させるステップと、（６）上記第５ステップの過程を通じて炭化されたナノ繊維を活性化させるステップと、（７）上記第６ステップの過程を通じて活性化されたナノ繊維をシリコンウエーハ電極の間に蒸着させてガスセンサーを製造するステップと、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上することができるガスセンサ用基板、ガスセンサ用パッケージ、およびガスセンサを提供する。
【解決手段】触媒５と検出対象ガスとの接触に起因する触媒反応により発熱反応が生じ、この発熱反応により発生する熱によって発熱抵抗体８の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて検出対象ガスを検知するガスセンサ１に用いられるガスセンサ用基板７であって、触媒５を担持するための担持部７１が設けられた基板７２を備え、発熱抵抗体８は、担持部７１の近傍の基板７２に設けられており、基板７２には、触媒５の発熱反応により発生した熱によって発熱抵抗体８の温度を上昇させるための切欠部Ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】アルコール濃度検出装置に搭載される各種センサをその装置本来の用途であるアルコール濃度の検出以外にも使用することで車両におけるセンサ搭載状況を最適化する。
【解決手段】アルコール濃度検出装置１０は、乗員の呼気に含まれるアルコール成分を検出するアルコールセンサ１７ａと、その呼気に含まれるアルコール成分以外のガス成分を検出するガスセンサ１７ｂ〜１７ｅとを含んで構成されるガスセンサ群１７と、アルコールセンサ１７ａの検出値に基づいてアルコール濃度を算出し、その算出したアルコール濃度をガスセンサ１７ｂ〜１７ｅの検出値に基づいて補正するマイクロコンピュータ２１（制御手段）を有するアルコール検出ＥＣＵ２０とを備える。ガスセンサ群１７は、アルコール濃度を算出することに加えて、車室内の空気状態を検知するために利用される。 （もっと読む）

【課題】高感度・高安定で高選択性を有し、さらに低消費電力なガスセンサを提供する。
【解決手段】雰囲気ガスを検出するガスセンサは、ヘテロ構造層２０と、２次元電子ガス層３０と、センサ部４０と、検出部５０とからなる。２次元電子ガス層３０は、ヘテロ構造層２０の界面に設けられる。センサ部４０は、ヘテロ構造層２０上に形成されるものであり、半導体ナノワイヤを有するものである。検出部５０は、２次元電子ガス層３０の抵抗値を用いて雰囲気ガスを検出するものである。 （もっと読む）

【課題】高感度、長寿命という優れた特徴を有するガス感知体を、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体を、容易に製造することができるガス感知体の製造方法及びガス感知体並びにガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体の製造方法は、半導体微粒子を含む分散液から分散媒を除去することにより、未焼結状態の半導体微粒子堆積物を生成し、次いで、この半導体微粒子堆積物に絶縁性物質形成成分を含む溶液を浸透させて絶縁性物質形成成分から絶縁性物質を生成させ、半導体微粒子及び絶縁性物質を含むガス感知体を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】応力による感応部の変形を低減することができるガスセンサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部５を有する空洞部７を備えた支持体３の表面３Ａに、ヒータ配線パターン１９を内蔵して支持体３の表面３Ａに固定される固定部１５と開口部上に位置する非固定部１７を有するベース絶縁層９とを設ける。ベース絶縁層９の非固定部１７の中央部２１に電極配線パターン２７と感応膜３１を形成する。非固定部１７が、中央部２１及び中央部２１と固定部１５とを連結する複数本の連結部２３を構成する。４本の連結部２３を基部３３と延伸部３５とから構成する。連結部２３の基部３３は、開口部５の縁部５Ａに沿って延びるように構成する。延伸部３５は、基部３３から中央部２１に向かって延びて中央部２１に連結するように構成する。連結部２３は、基部３３の最大幅寸法Ｗ１が、延伸部３５の最大幅寸法Ｗ２よりも大きくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】数ｐｐｂレベルの低濃度ＮＯ_２を高感度に検出することが可能なガスセンサを提供する。
【解決手段】内部にサンプルガスが通過可能な間隙が形成されており、少なくとも前記間隙の表面に銀が表出している銀触媒部材４と、ｎ型酸化物半導体からなるガス感応膜が形成されている第１の半導体式ガスセンサ素子５と、前記銀触媒部材と前記第１の半導体式ガスセンサ素子とを連通して、前記銀触媒部材から前記第１の半導体式ガスセンサ素子に向かう方向へサンプルガスを流通させる主流路２とを少なくとも備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】使用状況下での時間経過に伴いガス検出素子の特性変化（劣化）が生じる場合であっても、検出対象ガスのガス検出精度の低下を抑制するガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１５０は、劣化判定処理（Ｓ１４０）にてＤ素子３が劣化状態であると判定された場合には、ガス検知性能設定処理（Ｓ１５０）において、ガス検知判定処理（Ｓ１６０）でのガス検出感度を上げるための補正処理を行う。このようにしてガス検出感度（酸化性ガス検知閾値Ｔｄ）の補正処理を行うことで、Ｄ素子３が劣化して酸化性ガス検出時における電気的特性の正方向への変化量が減少した場合であっても、ガス検知判定処理（Ｓ１６０）での判定精度が低下するのを抑制できる。ガス検出装置１５０によれば、使用状況下での時間経過に伴い酸化性ガス用ガスセンサ素子３の特性変化（劣化）が生じる場合であっても、検出対象ガスの検出精度が低下するのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】吸着燃焼式ガスセンサの感応素子及び補償素子における温度上昇特性の差異によって生じる誤差電位差を小さくして、検出対象ガスの検出感度を向上できるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１は、吸着燃焼式ガスセンサ回路部１０、並びに、複数の比較回路部２０、を含むブリッジ回路２を備える。ブリッジ回路２には、複数の比較回路部２０のうち１つの比較回路部２０を増幅器６に接続する比較回路部切換器５０が設けられ、そして、吸着燃焼式ガスセンサ回路部１０が備える感応素子及び補償素子の温度が上昇する過渡期間において、所定の比較回路部切換情報に基づき、複数の比較回路部２０のうち、感応素子と補償素子との温度上昇特性の差異により生じるブリッジ回路２の誤差電位差が最も小さくなる比較回路部２０が増幅器６に接続されるように、比較回路部切換器５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】室温で動作し水素ガスに対する応答速度が速い水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素ガスの検知部となる酸化タングステン膜２と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に設けられた一対の電極３と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に間隔をあけて設けられ前記水素ガスを解離する触媒となる金属微粒子４とを有する水素ガスセンサとする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）