【課題】イオンビームを用いるエッチングにより断面観察試料を作製するときに、イオンビームの遮蔽に用いられる遮蔽板であって、使用を繰り返し、エッジ面として使用できる箇所がなくなった場合でも、側面の平坦化加工を必要とせず、再利用が容易で寿命が長い遮蔽板を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射による断面観察試料の作製において、試料の上面をイオンビームから遮蔽するために用いられる遮蔽板であって、角柱状であり、イオンビーム照射による前記試料の鏡面研磨を可能にするエッジをその側面に有し、かつ前記側面に直交する方向の厚さがイオンビーム照射径以上である遮蔽用部材の複数を、下面が平坦な板状を形成するように並列させて一体化してなること、又は遮蔽用部材とそれを保持する保持用部材を一体化してなることを特徴とする断面観察試料作製用の遮蔽板。 （もっと読む）

【課題】ラメラを作製するための方法およびシステムを開示する。
【解決手段】方法は、マスクおよび試料のアラインメントをマニピュレータによって実行するステップ、マスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置するステップ、試料の第１露出部分を、ラメラの第１側壁が露出するまでミリングするステップ、マスクが試料の第２マスキング部分を遮蔽するように、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置するステップ、ラメラの第２側壁が露出するまで試料の第２露出部分をイオンミリング装置によってミリングするステップ、ミリング装置によってラメラの両側から物質を除去するステップ；および試料からラメラを切り離すステップを含む。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により一連の回転像を撮影して画像処理を行うＴＥＭトモグラフィーにおいて、位置合わせの目印のために用いる金微粒子は、直径が数ｎｍであり、試料上に分散して載せることが困難であった。針状試料に金微粒子を載せる方法を提供する。
【解決手段】試料を集束イオンビームで針状に加工する際に、同時にマスク１０を加工形成する。次に、マスク１０を近傍に有する針状試料に対して、所定の角度を持たせて金微粒子を蒸着させると、針状試料の特定の領域には金微粒子が付着し、他の領域にはマスクにより金微粒子が付着しないので、蒸着装置内で金微粒子を付着させる領域と付着させない領域を分離することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いて試料を鏡面研磨する断面観察試料の作製方法であって、複数の試料について、分析に充分な研磨面積を得るために要する時間が短縮された方法を提供する。
【解決手段】被加工物の上部を遮蔽板で覆い、非遮蔽部をイオンビーム照射によりエッチングして鏡面研磨部を形成する断面観察試料の作製方法であって、前記被加工物が、２個の試料からなる対を１対以上含み、前記対を構成する２個の試料のイオンビーム照射される部分が、それぞれ、イオンビームの中心線を含む平面の両側に、前記平面に対向して配置されていることを特徴とする断面観察試料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム・システムを用いてスライス・アンド・ビュー技法を実行するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】試料の画像内の着目フィーチャの位置がマシン・ビジョンによって突き止められ、後続のスライス・アンド・ビューの繰返しにおいてミリングし、画像化する領域が、少なくとも部分的に、マシン・ビジョンによって集められたデータの分析によって決定される。決定されたミリング領域を、フィーチャの周囲の境界ボックスとして表現することができ、境界ボックスの寸法は、分析ステップに基づいて変更することができる。デュアル・ビーム・システムでは、次いで、これに応じてＦＩＢを調整して、後続のスライス・アンド・ビューの繰返しにおいて新しいフェースをスライシングし、ミリングし、ＳＥＭが、この新しいフェースを画像化する。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】周期構造を有する試料でも観察対象の構造の断面を観察可能な断面加工観察を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料５上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器７ａと、異なる断面間隔の断面を作成する集束イオンビーム３の照射信号を集束イオンビーム照射系１に送信する処理を行う処理機構１１と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プローブとの接触が維持され正確に測定を行うことのできる電気特性測定用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、イオンビームを試料に照射して試料を加工する加工装置において、前記イオンビームに対し、試料を回転傾斜させる試料傾斜回転機構を備え、当該試料回転機構は、試料をイオンビームに対し回転させる回転軸と、当該回転軸に対して直行し、前記試料をイオンビームに対して傾斜させる傾斜軸を備え、前記試料の回転と傾斜を同時に行うことを特徴とする加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある。
【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】表面が絶縁層で覆われた金属試料やセラミックス試料の断面研磨を、最表面近傍にダレを生ずることなく行う。
【解決手段】試料の最表層近傍の断面観察に適した断面研磨方法であって、試料表面に金属蒸着層を形成した後金属めっき層を形成し、しかる後、断面研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】微小試料を加工する際のユーザの負担を効果的に低減できる微小試料の加工方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る微小試料の加工方法は、微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の一部の領域を指定するステップと、指定した領域の濃淡度を指定するステップと、集束イオンビームを照射して、微小試料を加工するステップと、加工した微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の指定した領域の濃淡度を算出するステップと、算出した濃淡度が、指定した濃淡度を満たすかどうかを判定するステップとを具備し、算出した濃淡度が指定した濃淡度を満たすまで、微小試料を加工するステップから濃淡度を算出するステップまでを繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】清浄な検査断面を簡単かつ迅速に形成することができる、断面観察用試料製造装置及び断面観察用試料の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造装置１０は、試料１の一部を遮蔽する遮蔽材２０と、前記遮蔽材２０の端縁部に沿って、前記試料１の表面にイオンビームを照射して、遮蔽材２０で覆われた部分と遮蔽材２０で覆われていない部分との境界に沿って前記試料１の表面に切欠溝を形成する切欠溝形成手段（イオン銃１３）と、前記切欠溝に沿って試料１に圧力を加えて、前記試料１を切欠溝に沿って劈開する劈開手段２３と、劈開された試料１の検査すべき断面にイオンビームを照射して検査断面を加工研磨する加工研磨手段（イオン銃１３）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡便な操作で、迅速に菌体に吸着したポリフェノールを検出できるポリフェノールの検出法の提供。
【解決手段】ポリフェノールを含有する試料と菌体とを反応させた後、該反応液にセリウム化合物を作用させ、次いで菌体表層部に形成されたセリウムの結晶物を電子顕微鏡により観察する菌体に吸着したポリフェノールの検出法。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡における試料の検査方法を提供する。
【解決手段】試料キャリア500は、パッド505,508と接続する電極504,507を有する。領域A上に試料は設けられる。前記試料を前記試料キャリア上に設けた後、前記試料上に伝導性パターンが堆積される。それにより前記試料の特定部分に電圧又は電流を印加することが可能となる。前記試料上への前記パターンの堆積は、たとえばビーム誘起堆積又はインクジェットプリントによって行われて良い。前記試料内での電子部品-たとえばレジスタ、キャパシタ、インダクタ、及びFETのような能動素子-の構成についても教示する。 （もっと読む）