【課題】ウェハの表面近傍欠陥を容易に解析できる試料作製方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面近傍欠陥を容易に解析できる試料作製方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 （もっと読む）

集束イオンビーム３１２のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム３１４の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム３１２による加工を終了する。
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【課題】 観察に適した良好な試料を簡単に作製できる試料ホルダおよびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】 試料セット部９は試料貼付け面１０を有している。遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９の上に配置されており、遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９に固定されている。遮蔽材ガイド部１２は遮蔽材ガイド面１３を有している。試料貼付け面１０は遮蔽材ガイド面１３より所定量Ｄ＝４０μｍだけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面１０が遮蔽材ガイド面１３より４０μｍだけ下がった位置に形成されているため、厚さ１００μｍの試料７を試料貼付け面１０に取り付けると、図２（ｄ）に示すように、試料７が遮蔽材ガイド面１３より６０μｍだけ前に出た状態となる。そして、厚さ２０μｍ程度の遮蔽材１６が遮蔽材ガイド面１３にセットされる。 （もっと読む）

【課題】
ＦＩＢを利用して元試料から微小試料を摘出して微小領域の分析や観察を可能にする試料作製装置において、ＥＤＸ分析時に高い信頼性を有し、高倍率の観察に耐えられる試料作製を可能とすること。
【解決手段】
集束イオンビーム照射手段と、該集束イオンビーム照射手段からの集束イオンビームを照射する試料を固定するための試料台と、を備えた集束イオンビーム加工装置であって、前記試料台の、少なくとも表面が炭素からなる集束イオンビーム加工装置。また、集束イオンビームを照射する試料を固定するための試料台の少なくとも表面が、炭素，導電性高分子材料，炭素繊維，ガラス状炭素，高分子材料，炭素細棒の中から選ばれた少なくとも１種からなる集束イオンビーム加工装置の試料台。 （もっと読む）

【課題】 作業者の熟練を必要とせずに、試験対象となる弾性体に対して分析に適した所望の破断面を迅速かつ確実に形成することができる、弾性体破断面の形成方法及び形成装置、弾性体の分析方法を提供する。
【解決手段】 試験対象となる弾性体を所定条件に基いて短冊状の弾性体ピース１に加工する加工工程と、弾性体ピース１を液体窒素中に所定時間保存する保存工程と、保存工程後の弾性体ピース１における長辺方向の両端を固定部５にて所定条件に基いて固定する固定工程と、固定工程後の弾性体ピース１における固定端間の少なくとも１箇所に一軸荷重６を印加して弾性体ピース１を破断する破断工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は、ウェーハをプロセスに問題となるＧａのような元素で汚染することなく、ウェーハから解析用サンプルを分離方法および装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は、真空容器４１を有しており、真空容器内には、デュオプラズマトロン８１、イオンビームレンズ８２、対物絞り８３、などから構成されており、酸素イオンビーム照射とシリコンプローブ３により基板からマイクロサンプル６を摘出する。
【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウェーハを割ることなく実施でき、さらにウェーハをプロセスに問題となるような元素で汚染することなく、解析用サンプルを分離する試料作製方法およびイオンビーム加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】例えばワイヤボンディング等に用いられる極細の線材の残留応力を確実に測定できる線材の残留応力測定方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム加工により極細線１の端面１ａから長手方向に沿って該極細線１から部分１３ａ，１３ｂを順次除去する。端面１ａを含む残存した部分１５が生じる反り量をｈとし極細線１のヤング率をＥとし極細線１の外径をＤとし残存した部分１５の長さをｌとして、極細線１の残留応力σを、σ＝０．２８７８×Ｅ×Ｄ×２ｈ／ｌ²と推定する。 （もっと読む）

【課題】 簡単に目的とする分析エリアについてのみ分析を行うことができ、最適な分析条件を決定することができる生体組織中の微量元素分析装置、試料台及びこれを用いた分析方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線マイクロアナライザーで分析する生体組織の分析エリアを決定する分析エリア決定手段21を備えた。また、分析エリア決定手段21で決定された生体組織の分析エリアにおける分析条件を決定する分析条件決定手段31を備えた。さらに、生体組織の染色画像を取得する染色画像取得手段51と、染色画像取得手段51で得られた生体組織の染色画像とＸ線マイクロアナライザーで得られた微量元素分布画像とを合成する画像合成手段41とを備えた。
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【課題】 試料表面の平滑性が求められる分析において、粉体であっても容易に測定用試料を製造することができ、測定効率の向上を可能とする粉体ホルダ、測定用試料製造方法及び試料分析方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の粉体ホルダは、基台部と、基台部上に設けられた粉体保持部と、を備え、粉体保持部が、粉体保持部の基台部と反対側に粉体を収容する粉体収容孔を少なくとも１つ有し、粉体保持部の硬度が、基台部の硬度よりも小さい。 （もっと読む）

【解決手段】
顕微鏡で使用するためのサンプルコンテナアッセンブリ（１００、１０２）は、サンプルエンクロージャと、該サンプルエンクロージャ（１０８）を該サンプルエンクロージャ（１０８）の外部の体積から密封する電子ビーム透過性で流体不透過性の膜（１１０）と、前記サンプルエンクロージャと該サンプルエンクロージャの外部の体積との間を連通させる圧力コントローラアッセンブリ（１３０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
包埋材料に包埋する前の試料の状態を正確に分析することができる被検査物の断面分析方法を提供する。
【解決手段】
下記の（１）〜（３）の工程を含む被検査物の断面分析方法。
（１）試料表面に不活性層を形成する工程
（２）不活性層を形成した試料を包埋材料に包埋して被検査物を作製する工程
（３）被検査物を切断して断面を形成し、該断面を分析する工程 （もっと読む）

【目的】本発明は、円板の一部を切り欠いて切り欠いた部分に微小な試料を接着して試料を観察するための試料支持板に関し、円板の一部を切り欠いた試料支持板に接着した試料をエッチングで極表層を除去して綺麗な面にすると共に試料支持板に付着した物質あるいは試料支持板自身が当該エッチングで試料へ再付着あるいは付着することを無くすことを目的とする。
【構成】 円板の一部を切り欠いた中央の試料を接着する部分の周囲を凹状に切り欠き、試料の極表層を除去するエッチング時の試料への再付着あるいは円板の物質の試料への付着を防止する形状としたことを特徴とする試料支持板である。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に適した試料を、容易に作製することの可能な方法を提供する。
【解決手段】 積層膜１０Ｚに対してＦＩＢ１５Ａ，１５Ｂを照射することにより、可溶膜１２に達するエッチング溝１６を、解析対象領域１０Ｒを取り囲むように形成したのち、ウェハ１１、可溶膜１２および中間膜１３Ｚのうち、可溶膜１２のみを溶解可能な酸性溶液を用いて中間膜パターン１３と接する部分である底部１２Ｂを溶解除去することにより、解析用試料１０を形成する。得られた解析用試料１０を、その側面１０Ｗを把持することにより取り出す。これにより解析対象膜パターン１４の表面を汚すことなく、ＳＥＭやＴＥＭなどを用いた表面状態および表面と平行な面内における状態の解析に好適な解析用試料１０を、高精度かつ容易に形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、核燃料棒上のクラッドの分析を遂行する方法及び道具を提供する。該方法は、核燃料棒の外面上にクラッドの層を有する核燃料棒を用意し、この燃料棒から該クラッドをクラッド掻取り道具で掻き取り、そしてこのクラッド掻取り道具からクラッドフレークを採集すると述べられる。該方法はまた、該クラッドフレークを粒子画分に分別し、そして走査電子顕微鏡で該クラッドを分析することを備え、しかも該掻取り道具は、クラッド付着物の予想剪断強さに合っている剛性を備えたブレードを有する。 （もっと読む）

基板の特徴を測定する、または分析のために基板を準備する方法およびシステムが提供される。基板の特徴を測定する１つの方法は、電子ビームを使用して基板上のフィーチャの一部を除去し、フィーチャの残りの部分の断面プロファイルを暴露させることを含む。フィーチャは、フォトレジスト・フィーチャとすることが可能である。本方法は、断面プロファイルの特徴を測定することをも含む。分析のために基板を準備する方法は、電子ビームと組み合わせて化学エッチングを使用して、欠陥に近接する基板上の材料の一部を除去することを含む。欠陥は、表面下欠陥または部分的表面下欠陥である可能性がある。分析のために基板を準備する他の方法は、電子ビームや光ビームと組み合わせて化学エッチングを使用して、欠陥に近接する基板上の材料の一部を除去することを含む。
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【課題】確実で直接的な試料の取り扱いを可能とする。
【解決手段】電子顕微鏡、特に透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた検査用試料を調製する方法であって、（ａ）試料位置に、調製すべき試料を含む基板１０を真空チャンバ内に配置する工程と、（ｂ）保護層２１を試料位置の表面上に設ける工程と、（ｃ）保護層２１をマスクとして、保護層２１下に位置する試料をイオンビーム１９によって基板１０から分離し、（ｄ）分離した試料１２を、真空チャンバ３２内で基板１０から取り去る工程を備える。 （もっと読む）

【解決手段】 一実施形態において、集束イオンビーム（ＦＩＢ）で基板を切断することにより、前記基板から少なくとも部分的に試料を切断する工程と、把持要素を作動させることにより前記基板試料を捕持する工程と、前記捕持済み試料を前記基板から分離させる工程とを含む方法。前記捕持済み試料は、前記基板から分離して検査用に電子顕微鏡へ移送することもできる。 （もっと読む）

本発明は、（Ｉ）化学的硬化性インプリント材料を使用して
（１.１）物品の損傷されない表面
（１.２）機械的作用および／または化学的作用によりおよび／または放射線および／または熱の作用により損傷された物品の表面および／または
（１.３）機械的作用および／または化学的作用によりおよび／または放射線および／または熱の作用により損傷された、物品の表面に取り付けられた試験体の表面
の少なくとも１つの位置のインプリントを取り、
（ＩＩ）インプリント材料を硬化し、損傷の画像のネガを形成し、
（ＩＩＩ）表面構造の％での面積割合および／または損傷の画像中の表面の損傷の％での面積割合をネガの光学顕微鏡写真により画像分析により決定する
ことにより表面構造を特性決定する方法に関する。本発明は更に材料を変性、開発および／または製造するための前記方法の使用に関する。 （もっと読む）