【課題】テラヘルツ波を伝播させるテラヘルツ波伝播装置において、複数の放物面鏡を用いてコリメート及び集光する際に、従来の技術より少ない数の放物面鏡を用いてテラヘルツ波の伝播が可能なテラヘルツ波伝播装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るテラヘルツ波伝播装置２００においては、テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８は、放物面鏡２０１によってコリメートされる。さらにコリメートされた入射テラヘルツ波１０８は放物面鏡２０３で集光され、被測定物１０９に入射する。被測定物１０９から出射された出射テラヘルツ波１１０は、放物面鏡２０３によってコリメートされる。コリメートされた出射テラヘルツ波１１０は放物面鏡２０２で集光され、テラヘルツ波検出部１１１に入射する。 （もっと読む）

【課題】試料を汚染することなく、試料の色の濃淡変化を短時間で高感度に検出することができる、コンパクトな還元気化水銀測定装置を提供する。
【解決手段】試料前処理装置１で試料Ｓの前処理を行ったのちに、還元気化法により各試料中の水銀を測定する還元気化水銀測定装置であって、試料前処理装置１は、試料Ｓが収容された複数の試料容器１０のそれぞれに少なくとも過マンガン酸カリウム溶液を含む複数の試薬を注入する試薬分注装置２と、発光素子として緑色ＬＥＤ７１を有し、試料容器１０に対して移動される反射型光センサ７とを備え、反射型光センサ７が、試料容器１０の開口部の直上で、試料容器１０内における試薬の過マンガン酸カリウム溶液の色の濃淡変化を非接触で検出するとともに、試料容器１０を非接触で検出する。 （もっと読む）

【課題】塗膜下における鋼材の腐食部分の体積を非破壊で測定することができるようにする。
【解決手段】周波数が１００〔ＧＨｚ〕〜１０〔ＴＨｚ〕の範囲の電磁波を用いて被検査物の塗膜層表面の２次元的な計測位置毎に塗膜層を介在させて電磁波測定を行って反射強度の２次元分布計測値を得て、当該２次元分布計測値における計測位置毎の反射光電界を用いて〔ア〕照射光電界反射係数ｌを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求めるか若しくは〔イ〕電界減衰率ｍを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求め（Ｓ５）、当該侵入光電界反射係数ｋを用いて計測位置毎に被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食層の厚さｄ_Rを求め（Ｓ６）、当該腐食層の厚さｄ_Rを用いて被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食部分の体積Ｖを求める（Ｓ７）ようにした。 （もっと読む）

【課題】 被測定物の複数個所のイメージングを同時に行う。
【解決手段】 被測定物に照射された検出用電磁波が、電気光学結晶に入射する。検出用電磁波の波面に対して、プローブ波の波面を傾斜させて、プローブ波を電気光学結晶に照射する。 電気光学結晶を透過したプローブ波を撮像装置が検出する。検出用電磁波の波面とプローブ波の波面とに直交する第１の仮想平面内において、検出用電磁波またはプローブ波のビーム断面が、光路長の異なる複数の第１の単位領域に区分される。電気光学結晶の表面と第１の仮想平面との交線方向の複数個所で、検出用電磁波の波面とプローブ波の波面との位相ずれが補償される。第１の仮想平面と直交し、プローブ波の進行方向と平行な第２の仮想平面内において、プローブ波のビーム断面が複数の第２の単位領域に区分される。さらに、第２の単位領域の各々が、プローブ波の波面の遅延時間が異なる複数の領域に区分される。 （もっと読む）

【課題】電磁波パルスを利用して取得される試料の情報の画像化を、効率良く行う技術を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波測定装置１００は、照射部１２を試料Ｗに対して相対的に移動させる移動機構１５と、検出部１３に入射するプローブ光ＬＰ１２の光路長が互いに相違する第１の測定用光路長、第２の測定用光路長および第３の測定用光路長のそれぞれに設定されるように遅延部１４を制御する制御部１７を備えている。また、テラヘルツ波測定装置１００は、検出部１３にて検出された電界強度を、ＲＧＢの階調特性を示す階調データに変換するデータ変換部２５と、検出部１３にて検出される電界強度に関する情報が前記階調データに応じた色調で表現された画像を生成する画像生成部２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】脱水試薬を使用することなく金属試料中における炭素成分及び硫黄成分の含有量を同時に、且つ、精度良く分析すること。
【解決手段】金属試料６を酸素中で燃焼させ、金属試料６中の炭素成分と硫黄成分とをガス化させることにより、金属試料６中の炭素成分及び硫黄成分の含有率を分析する分析装置１において、ガス化した炭素成分と硫黄成分とを含む分析ガスに赤外線を照射し、赤外線の吸収量を測定することによって、金属試料６中における炭素成分の含有量を測定する非分散型赤外線ガス分析計５と、分析ガスに紫外線を照射し、紫外線の照射に伴い発生する蛍光の強度を測定することによって、金属試料６中における硫黄成分の含有量を測定する紫外蛍光ガス分析計４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】効率良く安価に電磁波パルスの測定精度を向上する技術を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波測定装置１００は、テラヘルツ波を試料Ｗに照射する照射部１２と、試料Ｗを透過したテラヘルツ波の電界強度を検出する検出部１３と、レーザ光源１１から検出部１３までの光路長を段階的に変更することによって、検出部が前記電磁波パルスの電界強度を検出するタイミングを段階的に変更する遅延部１４と、光路長を変更する変更範囲を設定する変更範囲設定部２３とを備えている。変更範囲設定部２３は、遅延部１４が、光路長を第１の変更範囲で段階的に変更した場合に、前記試料を透過または反射した前記電磁波パルスが前記検出部で検出されるときの前記光路長を含む前記光路長の範囲を、第２の変更範囲に設定する、前記遅延部１４は、光路長を変更範囲Ｒ２で段階的に変更する際に、光路長を変更範囲Ｒ１で段階的に変更する場合よりも細かく変更する。 （もっと読む）

【課題】高速現象を精度よく測定できる、ポンププローブ測定装置を提供する。
【解決手段】ポンププローブ測定装置１は、ポンプ光３ａとなる第１の超短光パルス列とプローブ光となる第２及び第３の超短光パルス列３ｂ，３ｃとを発生させる超短光パルスレーザー発生部２と、第２及び第３の超短光パルス列３ｂ，３ｃが入射される光シャッタ部６と、ポンプ光３ａ及びプローブ光３ｂ，３ｃを試料７に照射する照射光学系８と、試料７からのプローブ信号を検出するセンサー１１と、センサー１１に接続される位相敏感検出手段１２と、を含む検出部２０とを備え、光シャッタ制御部１０によってポンプ光３ａに対するプローブ光３ｂ，３ｃの遅延時間が周期的に変調されて交互にプローブ光３ｂ，３ｃとして試料７に照射され、プローブ信号を遅延時間の周期的変調信号に同期して位相敏感検出手段１２で検出する。 （もっと読む）

【課題】測定時間の短縮化及び測定精度の向上を図ると共に装置の小型化が可能な光学遅延装置を提供する。
【解決手段】回転型の光学遅延装置１０は、入射された光を反射して出射する反射体１１０〜１４０と、反射体から出射された光を反射して、この反射体とは異なる他の反射体に入射させるミラー群２１０〜２３０と、を備える。反射体１１０〜１４０に入射される入力光の光路長を、反射体１１０〜１４０の回転によって変動させることにより、入力光に対して遅延された遅延光を出力する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波を変調し検出するにあたって機械的振動や高電界の変調による影響を防止する。
【解決手段】励起光を発生する励起光源１０と、前記励起光の偏波方向を変調する偏波制御器２０と、前記偏波変調された励起光が照射され、該励起光の偏波方向に応じた発生効率でテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナ３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】イメージング画像を簡易な装置構成で高速に取得することができ、透過方式および反射方式のいずれにも適用できるテラヘルツ波イメージング装置を提供する。
【解決手段】サンプル５にテラヘルツ波１０１を照射する照射手段１０と、複数のマイクロミラー７を有し、マイクロミラー７のそれぞれがサンプル５からのテラヘルツ波１０３を反射するマイクロミラーアレイ６と、単一の受光素子から構成され、マイクロミラーアレイ６からのテラヘルツ波１０５を検出して電気信号に変換する検出手段２０と、電気信号を処理して、サンプル５のイメージング画像を得る画像処理部７２と、複数のマイクロミラー７を制御する制御部７１を備える。複数のマイクロミラー７は、それぞれの傾斜角度が独立して制御可能である。制御部７１は、傾斜角度を変えるマイクロミラー７を特定するための走査アドレス情報７１ａを保持し、マイクロミラー７のそれぞれの傾斜角度を変える。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子を用いた雨滴検出装置において、外部光成分を効果的に低減して高精度に雨滴を検出できるとともに、安価な構成とする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１１からの受光信号が電流ハイパスフィルタ回路２０、電流−電圧変換回路３０、電圧ハイパスフィルタ回路４０、ピークホールド回路５０、非反転増幅回路６０を経て雨滴情報を生成する制御部７０に入力される。電圧ハイパスフィルタ回路のオフセット部４１はフィルタリングにより発生するアンダーシュートがピークホールド回路に入力可能な最低入力電圧以上になるように受光信号をオフセットさせるので、アンダーシュートの入力を阻止するための高価なアナログスイッチが不要である。非反転増幅回路は出力バッファの機能も兼ねるので出力バッファも不要となる。電流ハイパスフィルタ回路により電流−電圧変換回路の変換効率が高く、高精度に検出ができる。 （もっと読む）

【課題】
複合混合物に含まれる検体を迅速かつ正確に特定し、そして定量化する装置及び方法が開示される。
【解決手段】
本装置は、データ収集／分析装置に接続される超高感度キャビティ増幅分光計を備える。本方法では、種々の検体の吸収率断面積を含むデータベースを使用して、サンプルの組成を数値的に特定する。 （もっと読む）

【課題】濃度センサの取り付け誤差の影響を正反射成分及び乱反射成分の２つに分けて取り除けるようにすると共に、画像の濃度を高精度に検知できるようにする。
【解決手段】ベルト素面に測定光Ｌ０を照射して正反射成分の反射光Ｌｐ及び乱反射成分の反射光Ｌｓを受光し、反射光Ｌｐ，Ｌｓを各々光電変換して２成分のＰ波検知信号Ｓｐ及びＳ波検知信号Ｓｓを出力する濃度センサ７１と、ベルト素面と濃度センサ７１の取り付け面との間の離隔距離を測定して測距検知信号Ｓ８２を出力する測距センサ８２と、この測距検知信号Ｓ８２に基づいてベルト素面に対する濃度センサ７１の取り付け誤差を算出し、ベルト素面の濃度値に対する濃度検知電圧をプロットした正反射及び乱反射成分の電圧検知特性を各々作成する演算部７０７とを備える。濃度センサ７１の取り付け誤差に基づいて各々の電圧検知特性を補正し、第１及び第２のオフセット除去特性を作成するものである。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の周波数分布を調整することができるテラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波発生装置１は、パルス光を発生する第１の光源および第２の光源と、前記第１の光源および前記第２の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナ２とを備え、前記アンテナ２は、ギャップ２３を介して対向配置された１対の電極２２を有しており、前記第１の光源および前記第２の光源は、前記１対の電極２２間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されている。また、前記第１の光源および前記第２の光源は、それぞれ半導体レーザーである。 （もっと読む）

【課題】波面の分解能を改善した波面測定装置の提供。
【解決手段】電磁波パルス１の電場強度に関する信号を検出する検出部３と、電磁波パルスの伝搬経路として第一の伝搬経路と前記第一の伝搬経路と異なる領域に前記第一の伝搬経路と異なる長さの第二の伝搬経路とを備えるように前記検出部に到達する電磁波パルスを遅延させる遅延光学部と、前記検出部により検出された電場強度に関する信号を用いて電磁波パルスの時間波形を構成する波形構成部４ａと、前記電磁波パルスの時間波形と前記遅延光学部における前記第一、前記第二の伝搬経路の長さに関する情報とに基づき電磁波パルスの波面を取得する波面取得部４ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】キャリア寿命を短縮（制御）することで、テラヘルツ電磁波の発生または検出を効率良く行うことのできる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置１は、基板３と、基板３上に成長させたバッファ層４と、バッファ層４上に成長させた半導体層５と、を備え、半導体層５は、光電効果が生じる領域内に転位を有した光伝導基板２を備え、半導体層５上に形成されたアンテナ６を備えている。 （もっと読む）

【課題】生体組織に含まれる被測定成分の濃度を、測定環境の温度変動に影響されることなく、高精度に、かつ迅速に測定を可能にする。
【解決手段】第一測定領域１１３ａには、液体タンク（担持体）１１４の内面側に測定面が露呈するように、第一の温度センサー１１５ａが形成されている。この第一の温度センサー１１５ａは、液体タンク１１４内に注入される液体Ｑの温度Ｔ１を検出可能にする。また、第一測定領域１１３ａには、液体タンク１１４の内面に出射面１１６ａが露呈されるように、第一の入射部１１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出または発生が効率良く行われ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】基板３と、基板３上に積層された半導体積層群５と、を備え、半導体積層群５は、第１化合物半導体層５１と、第１化合物半導体層５１上に、第１化合物半導体層５１と屈折率が異なると共に励起光の表面反射を低減できる層厚で成長させた第２化合物半導体層５２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 簡易な測定によってアモルファス有機半導体等の物質のキャリア挙動を測定する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、試験片１の被測定物質１Ｓのうち電界が印加されているある領域に励起光パルスを照射する光励起工程と、ＴＢＣ用プローブ光を試験片１の領域に対し照射する工程と、変形ＨＴＯＦ強度を測定する工程と、ＴＢＣ強度を測定する工程とを含む被測定物質１Ｓのキャリア挙動の測定方法が提供される。励起光パルスは、互いに可干渉な２光束の所定の短時間照射の光パルスであり、ＴＢＣ用プローブ光は、励起光パルスと同一波長の互いに可干渉な２光束の光である。励起光パルスとＴＢＣ用プローブ光は、ともに光路の組１４および１６により照射される。変形ＨＴＯＦ強度は、回折強度測定用プローブ光の回折強度の時間変化として測定され、ＴＢＣ強度はＴＢＣ用プローブ光の時間変化として測定される。 （もっと読む）