【課題】レーザ溶接と接着剤による接合とを併用することを前提として、ポロシティの発生をなくして接合強度の向上を図った金属板の接合方法を提供する。
【解決手段】車体パネル１，２のフランジ部３，４同士を接合するにあたり、フランジ部３の根元部に棚状の補助パネル５を予め添設し、フランジ部３と補助パネル５とのなすコーナー部に発泡性熱硬化型接着剤８を塗布する。フランジ部３，４同士を重ね合わせた上でレーザ溶接部位６にレーザ溶接を施して接合する。同時にレーザ溶接に伴って発生する熱により接着剤８を発泡・硬化させて接合する。
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気体格納容器（２４０）は、居住可能な建造物から材料を取り除くために、建造物の相互作用領域にレーザ光を供給するように適合されている。気体格納容器（２４０）は、レーザ光供給源に連結されるように適合させた気体格納ハウジング（２４２）を含む。気体格納容器（２４０）は、レーザ光に実質的に透明な窓（２４３）をさらに備える。窓（２４３）は、気体格納ハウジング（２４２）内に、下流方向にレーザ光を伝達するように、かつレーザ光と建造物との相互作用により生成される粒子状物質の上流への移動に対するバリヤを提供するように装着される。気体格納容器（２４０）は、圧縮ガス供給源に流体連結されたノズル（２４４）をさらに含む。ノズル（２４４）は、窓（２４３）の下流に装着されて、それにより、レーザ光と圧縮ガスとが、建造物の相互作用領域に下流方向にノズル（２４４）を通って伝達される。気体格納容器（２４０）は、気体格納ハウジング（２４２）に連結されており、建造物と弾性接触しかつ実質的に相互作用領域を囲むように適合されて、それにより、材料を閉じ込め相互作用領域から材料を取り除く弾性インターフェース（２４６）をさらに備える。
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【課題】 レーザビーム照射による加熱と冷却液噴射による冷却によって熱応力を惹起し、脆性材料の全厚さにわたるスクライブを発生させ、同スクライブのみにより材料割断を行うこと。
【解決手段】 脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御し、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。吸収係数制御は、レーザ波長を材料の電子遷移あるいは格子振動吸収帯の範囲内において最適吸収強度に選択するか、あるいは低吸収帯を選択し、材料にレーザ光を吸収発熱し、かつ可視域の透過特性に影響せず、表示器用ガラスの表示特性を悪化させない照射レーザ光吸収用不純物を、添加することによって実現する。蛍光発光防止のためには消光用不純物を添加する。 （もっと読む）

【課題】先ダイシングによって分割された個々の半導体チップにダメージを与えることなく、その裏面にダイボンディング用の接着フィルムを容易に装着することができる半導体チップの製造方法。
【解決手段】半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割し、半導体チップの裏面に接着フィルムを６装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハ２の表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝２３を形成する分割溝形成工程と、裏面を研削して裏面に分割溝２３を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、半導体ウエーハ２の裏面に接着フィルム６を貼着する接着フィルム貼着工程と、接着フィルム６に裏面側から分割溝２３に沿ってレーザー光線を照射７２２し接着フィルム６に分割溝２３に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、接着フィルムに張力を付与し接着フィルムを変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 溝幅が80μｍ以下の狭いパターン溝であっても容易に溝形成が可能なパターン溝の形成方法及びそれを用いたガラス導波路型光回路の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明に係るパターン溝の形成方法は、
石英ガラス基板１１上にメタル層１２を形成する工程、
そのメタル層１２に幅がW1のギャップパターン１３を形成し、石英ガラス基板１１の一部をギャップパターン１３から露出させる工程、
ビームスポット径がW2（≧W1）のCO₂レーザビームＬをギャップパターン１３に沿って照射、走査し、石英ガラス基板１１の表面に溝幅W1のパターン溝２３を形成する工程、
を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】インゴットから切り屑なしに薄い基板を得ること。
【解決手段】柱状インゴット１の側面に側方からレーザ光１０を照射することにより胴巻き状に切り欠き９を形成し、この切り欠き９に沿ってインゴット１の長手方向からレーザ光４の集光点を合わせることによりインゴット１の切り欠き９から内部に向かって多光子吸収による加工面領域を形成し、この加工面領域を剥離面としてインゴット１の一部を剥離し基板を得ることよりなる基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子チップのチップ分割面を傾斜面とする。
【解決手段】サファイア基板１０上にIII族窒化物系化合物半導体層から成る素子層３０を形成し、素子層が形成されている側の第２の面１２に第２の分離溝２２が形成される。基板１０の垂直面に対して傾斜した方向に分離予定面４６を設定し、基板１０の上から、レーザの照射による加工変質部が断続的に形成された破断線５１〜５ｎが多段的に形成される。第１の面１１上の分割線上に第１の分離溝２１がスクライビングで形成される。各段の加工変質部分の破断線間の間隔を６０μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】 補剛材の溶接品質の向上を図り且つ疲労強度の向上を図った補剛板及び補剛板の製造方法を提供する。
【解決手段】 鋼板(10)の面上に補剛材(20)を単数または複数溶接してなる補剛板において、鋼板と当接する補剛材の縁部(22)にレ型またはＪ型開先(24)を形成し、該レ型またはＪ型開先のルート部(26)にレーザー溶接を施工するとともに、拡開部(28)にアーク溶接を施工するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂被覆鋼管の接続部を包囲するように樹脂被覆鋼管の被覆層の外周面に樹脂膜を接合し、接続部を被覆するにあたり、接続部が密閉されるように樹脂膜を被覆層に接合できるとともに被覆層と樹脂膜との接合強度を更に高めることができる樹脂被覆鋼管の接続部の被覆装置および被覆方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の一態様は、一方向にレーザ光を照射するレーザ照射部を備えたレーザ照射手段と、前記樹脂膜の表面を前記レーザ光が照射可能な状態で前記レーザ照射部を前記樹脂被覆鋼管の軸心廻りに回転させる回転手段と、前記樹脂膜の表面において前記レーザ光が投影されてなる照射領域に含まれる前記樹脂膜を被覆層に対し所定の力で押圧する押圧手段とを有する被覆装置である。 （もっと読む）

ダイシング装置に、ダイシング部と、ダイシングシートを伸張してダイシングされた個々のチップ同士の間隔を拡張するエキスパンド部と、ウェーハのダイシング状態及びエキスパンド状態を確認する検査手段とを設けた。これにより、ダイシング開始からエキスパンド終了までの処理を短時間で行うことができると共に、既にダイシングされたウェーハの状態を確認しながら次のウェーハをダイシングすることができる。
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【課題】 パルスレーザによる微小構造の加工において、微小構造に生じたテーパーの発生を抑えて、深さ方向についてよりストレートな微小構造を形成すること。
【解決手段】 シリカガラス１にパルスレーザ３の集光照射を行ってパルスレーザ３の焦点３ｃ近傍の該シリカガラス１を改質させ、該パルスレーザ３または該シリカガラス１を走査させながら改質させて該シリカガラス１の表面を１ヶ所以上含んだレーザ改質領域４を形成し、該レーザ改質領域４をエッチングにより除去して該被加工物に微小構造を形成する方法において、該エッチングの工程で水酸化カリウム水溶液をエッチャントとして用いることを特徴とするシリカガラスへの微小構造の形成方法。 （もっと読む）

【課題】実機のサンプル採取部位を機械的な手段によって切削するために、微小なサンプルを採取することが困難であり、比較的に大きなサンプルならざるをえない。このため、サンプルの採取によって実機の受ける損傷も比較的大きく、採取後の補修も困難である。
【解決手段】評価対象の機器４からサンプル３９を取出すために、機器表面にレーザービームを照射してサンプル取出し用の環状溝を加工し、かつ、サンプル取出し後に形成された母材の掘孔Ｈをレーザービームの照射により溶接補修するレーザー加工装置２と、レーザービームによって溝加工および堀孔の溶接補修を行う際、照射部位の周囲に冷却媒体を噴射する冷却装置と３、加工された環状溝内に挿入される形状に形成され、かつ先端部にサンプルの根元部分を溶解し母材から根切るための放電部を有する支持体３４と、母材から根切りされたサンプル３９を環状溝から取出す取出部３６とを有するサンプル取出装置５とを備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】母基板には、複数のセルが隣り合うセルの端部から所定の距離を隔てて並べられて備えるため、セルとセルの間の端切れ部分が無駄であるとともに、母基板上にセルを多く配置できず、生産効率が悪かった。さらに、超硬ホイールによる割断方法では、割断後にマイクロチップ（微少な欠けや微少な割れ）等の多くの不具合がある。
【解決手段】本発明では、母基板に隣り合うセルのシール部材を共有することで、以前より同サイズの母基板から、より多くのセルをとることができる。また、レーザ割断手段により、共有するシール部材の真上を割断するため、割断本数を減少することができ、これにより割断工程にかかる時間を短縮することができる。さらに割断部分に塑性変形領域が生じたり、マイクロチップ（微少な欠けや微少な割れ）が生じたりせず、製品歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板が種々の積層構造を有する場合においても加工対象物を高精度に切断することのできるレーザ加工による半導体基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１５の裏面２１をレーザ光入射面としてレーザ光を照射することにより、半導体基板１５の内部に溶融処理領域１３を形成し、この溶融処理領域１３によって、半導体基板１５の切断予定ラインに沿って切断起点領域を形成する工程と、切断起点領域を起点として半導体基板１５を複数の部分に切断する工程を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

内部キャビティ（５５）を有する弁部品内に孔を設ける方法であって、該方法は、上記キャビティ内に流体（５９）を充填しシールするステップと、部品を貫通して内部キャビティ内に孔をレーザ孔明け加工するステップと、を含む。上記方法は、弁棒（５４）に横穴を設けるために特に有利である。また、本発明は、弁棒を製造する方法に関し、該方法は、ａ）出口（５７）とともに通路を有する弁棒ワークを提供するステップと、ｂ）通路に流体を充填するステップと、ｃ）出口をシールするステップと、ｄ）ワークを貫通して通路内に横穴をレーザ孔明け加工するステップと、ｅ）出口のシールを解除するステップと、を含む。
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本発明では、多層構成の被加工品（１５０，２５０）にレーザによって孔（１５３，２５３）をあける以下のような方法を提供する。すなわち、第１のレーザ出力（１１１）によって、形成すべき孔（１５３，２５２）の断面の部分領域（３９０）内で第１の層（１５２，２５２）を切削し、該断面内に第１の層（１５２，２５２）の一部が残るようにする。第２のレーザ出力によって、形成すべき孔（１５３，２５３）の断面（３９５）全体で第２の層（１５１，２５２）を切削し、該第２の層（１５１，２５１）の切削時に、第１の層（１５２，２５１）の残った一部も同時に切削する。定義された境界線（３７０）に沿って第１の層（１５２，２５２）のきれいな材料切削を行うためには、孔周縁に沿って部分的に材料切削を行う。有利には、第１の金属層（１５２，２５２）を切削するためにＵＶレーザビーム（１１１）を使用し、誘電体の第２の層（１５１，２５１）を切削するためにＩＲレーザビームを使用する。
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【課題】加工精度と加工速度の向上を実現できるガラスを切断する方法であって、超短パルスレーザの照射を切断線に沿って行い改質する第１のレーザ照射と、改質部分に第２のレーザ照射を行って割断を行うレーザ切断方法を提供する。
【解決手段】
ガラスの加工物に設けられた加工始点を起点として、亀裂を熱源により発生させ、さらに割断予定線に沿って進展させる、ガラスの割断加工方法である。前記加工始点を第１のレーザを照射してガラスの主要成分であるＳiＯ_２をＳiやＳi_ｘＯ_ｙに、またはＢ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、ＣａＯ、Ｂ_２Ｏ_２、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＰｂＯなどのガラス成分のうちの少なくとも１つが第１のレーザによりＢ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｐｂの遊離基を含んだ改質部が生成され、この改質部にそれが第２のレーザの照射により改質部に光エネルギー吸収を起し、局部的な熱膨張に伴う熱応力エネルギーを放出することにより、ガラスを割断する。 （もっと読む）

【課題】 微細パターンの欠陥を短時間で修正することができ、装置価格が低く、装置設置面積が小さく、修正の品質が高い微細パターン修正装置を提供する。
【解決手段】 この微細パターン修正装置は、レーザビームを照射して黒欠陥を除去するレーザ装置１、欠陥を観察する観察光学系２、インクを塗布して色抜け欠陥を修正するインク塗布ユニット３、および突起欠陥を研磨して修正するテープ研磨ユニット５を含む修正ヘッド部６と、修正ヘッド部６を位置決めするＸＹＺテーブル７〜９と、被修正ガラス基板１０を搭載するガラス定盤１１とを備える。したがって、１台の装置で色抜け欠陥、黒欠陥および突起欠陥を修正することができる。 （もっと読む）

工作物の環状の部分（１２）を破断分離するための装置であって、加工中に工作物（１０）を配置させておくための受容体（３４）と、レーザエネルギーによって工作物を融解させて、向かい合う２つの切り込みを環状の部分（１２）の内周面（１６）に形成するためのレーザ装置（３０）と、工作物（１０）の環状の部分（１２）を破断分離する、切り込みによって得られる破断面（Ｓ）に沿って２つの部分に破断分離するための破断分離装置（３２）とを備えている装置が、レーザ装置（３０）および破断分離装置（３２）が、単一の加工ステーションを形成し、切り込みの形成および工作物（１０）の破断分離を、工作物（１０）の両側から実施するように構成されていることを特徴とする。
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本発明は、金属材料、層状金属材料、及び少なくとも１層のセラミック層を含む材料中において、ボアホールの深さに関連して当該ボアホールの半径に要求される調整に従ってレーザー光線の強度が調節されるレーザー輻射により、高アスペクト比のボアホールを製造する方法に関する。本発明は、レーザー光線軸からの距離ｗにおいてセグメントｗ_０内での強度ＩがΔＩだけ単調に減少し、ボアホールの半径ｒ_Ｂがレーザー光線の半径である前記セグメントｗ_０よりも大きく（ｒ_Ｂ＞ｗ_０）なるよう、強度Ｉの空間変化ΔＩとセグメントｗ_０に対する数値が高く設定されるように、ボアホールの変化する底に関して、レーザー光線の強度の空間分布が調節されることを特徴とする。 （もっと読む）