【課題】表面付近の電気抵抗が小さく、高周波回路用導体として用いた場合に伝送損失を小さくすることのできる高周波回路用銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔の少なくとも片面を粗化処理した高周波用銅箔であって、この高周波用銅箔と樹脂基材とを粗化処理面が樹脂基材と接するようにして積層成形して銅張積層板とし、ハーフエッチングにより高周波用銅箔を重量換算厚さで３μｍ厚の銅層としたときの銅層の抵抗率が２．２×１０^-8Ωｍ以下である高周波用銅箔。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性、接着性、高周波特性に優れたプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】樹脂との接着面となる銅箔の無粗化面に形成された耐熱処理層、該耐熱処理層上に形成されたクロメート皮膜層、該クロメート皮膜層上に形成されたシランカップリング剤層からなるプリント配線板用銅箔であって、シランカップリング剤層形成後の銅箔最表面のZn量が1.5Atomic%以下であり、Cr量が3.0〜12.0Atomic%とする。 （もっと読む）

【課題】表皮効果による高周波電流の損失を抑制することが可能な配線材、電子デバイス及びコンデンサを提供する。
【解決手段】本開示の配線材１は、任意の箔状の導体１１の端部における表面及び裏面に一対の分岐用の箔状の導体１２，１３が接続された分岐構造Ｂ１を備え、分岐構造が、少なくとも２つ連続して設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃（ヒートショック）や冷熱サイクル等によって生じる損傷に対して十分な耐久性があり、信頼性が高く、しかも電子部品と金属回路板との接続信頼性も高いセラミックス配線基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】開示されるセラミックス配線基板１は、セラミックス基板１１と、銅又は銅を主成分とする銅合金からなりセラミックス基板１１の一面に接合された金属回路板１２と、銅又は銅合金からなりセラミックス基板１１の他面に接合された金属放熱板１３とから構成されている。金属回路板１２の銅又は銅合金の平均再結晶粒子径は、金属放熱板１３の銅又は銅合金の平均再結晶粒子径と等しいか又はそれより小さい。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さいプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層及びＴｉ層で構成され、被覆層には、Ｔｉが１５〜１００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属チタンの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物チタンの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全チタンの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１５％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦２．５を満たす。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムからなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、セラミックス基板１１は、酸素又は窒素を含有しており、金属板１２、１３には、Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｇ及びＧｅから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、さらに、金属板１１、１２とセラミックス基板１１との界面部分には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ及びＭｏから選択される１種又は２種以上の活性元素が介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面に析出した微細粒子が表面から脱落し難い処理銅箔を得る。
【解決手段】 未処理銅箔と該未処理銅箔表面に析出し粗化処理層とを備えた処理銅箔において、粗化処理層に銅と、コバルト及びニッケルから選択される少なくとも一種と、硫黄、ゲルマニウム、リン及びすずから選択される少なくとも一種とを含有させることで、JISG4401-2006に規定されるSK２で作成された刃先角度22°±2°、厚み0.38mmの刃を備えたカッターナイフで粗化処理層を貫通する引き傷を１mm間隔で直交するように縦横11本並べることによって1mm×1mmの升目100個からなる碁盤目を形成し、碁盤目を覆うように配置したJISZ1522に規定される粘着力が3.88N/cmの粘着テープを圧力192kpaで30秒間圧着した後、粘着テープを180°方向に引っ張って引き剥がした際に未処理銅箔から剥がれ落ちる升目の数が30以下とする粗化処理層を形成する。 （もっと読む）

【課題】粗面化処理することなく、平坦な表面を有する導電性金属箔を用いてなる、有機基材や異方導電フィルムとの密着性を向上させた金属箔部材を提供する。
【解決手段】導電性金属箔１の片面に絶縁性機能膜２を有する金属箔１であって、前記絶縁性機能膜２が、ケイ素、チタン、ジルコニウムおよびアルミニウムの中から選ばれる金属原子を含む金属アルコキシド化合物を加水分解−縮合反応してなるＭ−Ｏの繰り返し単位を主骨格とする縮合物を含む塗工液を塗工して形成されてなり、かつ前記絶縁性機能膜２と、異方導電フィルム４との接着強度が、リフロー処理後で５．７Ｎ／ｃｍ以上であり、リフロー処理後、更に８０℃、９５％ＲＨで１０００時間の処理を行った後において３．５Ｎ／ｃｍ以上である絶縁性機能膜付き金属箔１である。 （もっと読む）

【課題】シワやオレを抑制した両面銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の銅箔４の片面に樹脂層２を形成し、片面銅張積層板を得る第１の工程と、片面銅張積層板の樹脂層側に第２の銅箔６を積層して加熱し両面銅張積層板を得る第２の工程とを有し、第１の銅箔の応力σ_Ａ＝Ｅ_Ａ×Ｅ_Ｂ／（Ｅ_Ａ＋Ｅ_Ｂ）×（ΔＬ_Ａ−ΔＬ_Ｂ）×１０００とし、第２の銅又箔の応力σ_Ｂ＝Ｅ_Ａ×Ｅ_Ｂ／（Ｅ_Ａ＋Ｅ_Ｂ）×（ΔＬ_Ｂ−ΔＬ_Ａ）×１０００とし、σ_Ａとσ_Ｂのうち負の方をσ_Ｙとしたとき、｜１０×σ_Ｙ｜≦ＹＳ_Ｙとなる、第１の銅箔及び第２の銅箔を用いる。但し、Ｅ_Ａ：第１の銅箔を３５０℃で３０分間保持して室温に冷却後，再度３５０℃で３０分間保持して室温に冷却したときの幅方向のヤング率、ΔＬ_Ａ：第１の銅箔の幅方向の寸法変化率 （もっと読む）

【課題】両面銅張積層板に用いたときにシワやオレを抑制することができる銅又は銅合金箔、及びそれを用いた両面銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】両面銅張積層板８に用いられ、σ_Ａ＝（Ｅ_Ａ×ΔＬ_Ｂ）／２×１０００としたとき、｜１００００×（Ｅ_Ａ×／２）｜≦ＹＳ_Ａとなり、屈曲回数が４０万回以上である銅又は銅合金箔４，６である。但し、Ｅ_Ａ：銅又は銅合金箔を３５０℃で３０分間保持して室温に冷却後の幅方向のヤング率(単位はGPa)、ΔＬ_Ａ：室温から３５０℃に昇温し、３０分間保持して室温に冷却した時の銅又は銅合金箔の幅方向の寸法変化率（単位はｐｐｍ、収縮を正の値とする）、ＹＳ_Ａ：引っ張り試験における銅又は銅合金箔の0.2%耐力(単位はMPa)、屈曲回数：IPC摺動屈曲試験機を使用し、電気抵抗が初期から20%上昇したときを終点とする （もっと読む）

【課題】金属回路板の熱伝導性および電気伝導性が良好であり、金属回路板としてのクラッド材とセラミックス基板との接合の信頼性が高く、且つ安価に製造することができる、金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
鋳型内においてセラミックス基板１０の一方の面に金属ベース板１２を直接接合するとともに他方の面に第１の金属板１４の一方の面を直接接合する際に、第１の金属板１４の他方の面に第２の金属板１６を直接接合することにより、第１の金属板１４と第２の金属板１６とからなるクラッド材をセラミックス基板１０に直接接合する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、難燃性及び寸法安定性等において優れると共に、高密度実装が可能であり、かつ、優れた接着性及び接着力保持性を備えた銅張り積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔上にポリイミド系樹脂からなる絶縁層を設けた銅張り積層板の製造方法であり、表面粗度Ｒｚが０．３〜１．０μｍの銅箔の表面が、少なくともニッケル、亜鉛、及びコバルトを析出させる金属析出処理と、カップリング剤による処理とが施されており、上記金属析出処理した銅箔の表面が、ニッケル５〜１５μｇ／ｃｍ²、亜鉛１〜５μｇ／ｃｍ²、及びコバルト０．１〜５μｇ／ｃｍ²を有し、かつ、ニッケルと亜鉛の含有割合を表すニッケル／（ニッケル＋亜鉛）が０．７０以上である銅箔を用意し、該銅箔のカップリング剤による処理を施した面に、ポリイミド前駆体の溶液を塗布し、乾燥後、熱処理により絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属配線の厚さが、ナノレベルであり、小デバイス化が可能であるとともに、導電性に優れ、かつその製造も簡便である、配線基板用積層体、及び配線基板を提供する。
【解決手段】基板１４の表面に、無電解めっきの触媒核を１μｍ以下の間隔で配置し、前記触媒核から金属を析出させることにより、基板１４と、前記基板１４上に形成された４０〜８００ｎｍの厚さの金属層１２とを含む配線基板用積層体１０。 （もっと読む）

【課題】薄板化することが可能な容量素子具有配線板を提供すること。
【解決手段】第１の方向に厚みを有し、該第１の方向に直交しかつ互いに直交する第２、第３の方向に広がりを有する絶縁層と、絶縁層を貫通して形成された、絶縁層の横断面における形状が線状である第１の電極と、第１の電極に対向するように絶縁層内に埋設された、絶縁層の比誘電率より大きな比誘電率を有する誘電体と、この誘電体の第１の電極に対向する側とは反対の側に対向して位置するように絶縁層を貫通して形成された、絶縁層の横断面における形状が線状である第２の電極と、第１の電極に電気的に導通するように絶縁層上に設けられた第１の金属箔パターンと、第２の電極に電気的に導通するように絶縁層上に設けられた第２の金属箔パターンとを具備する。 （もっと読む）

【課題】回路基板に形成された絶縁層の表面粗さが極めて小さいにもかかわらず、該絶縁層に対して高い密着強度で銅層が形成された多層プリント配線板を得ることを可能にする銅箔付き接着フィルムを提供することである。
【解決手段】銅合金めっき層が表面に形成された銅箔を、支持体上に形成された硬化性樹脂組成物層に、特定の方法で貼り合わせることにより、上記の課題が解決されることを見出した。 （もっと読む）

【課題】配線の形状や面積を変更することなく、伝送特性の良好な配線基板を提供する。
【解決手段】グランド電位が供給されるグランド層ＧＮＤと、グランド層ＧＮＤ上に配置された絶縁層Ｌ１と、絶縁層Ｌ１を介してグランド層ＧＮＤと対向するように配置され、差動伝送方式により信号を伝送する第１配線ＷＬおよび第２配線ＷＲと、を備え、グランド層ＧＮＤは、第１配線ＷＬおよび第２配線ＷＲよりも抵抗率の高い材料で形成されている配線基板。 （もっと読む）

【課題】優先配向面が（２００）面となる皮膜物性に優れためっき皮膜を得ることのできる銅めっき方法を提供すること。
【解決手段】硫酸銅を主成分とするめっき浴液に、少なくとも、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなる添加剤と、その他の必要な添加剤とを添加し、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に、あるいはＰＲパルス（極性反転パルス）による電解めっきを交互に、あるいは電解銅めっきと置換めっきを交互に、あるいは電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に、あるいは上記いずれかのめっき方法の２つ以上を組み合わせることにより、電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適したプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＣｕ−Ｎｉ合金層及びＣｒ層で構成され、該被覆層には、Ｎｉが１５〜４４０μｇ／ｄｍ²、Ｃｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、製造コストが良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、ＮｉとＶとを含むＮｉ−Ｖ合金層及びＣｒ層で構成され、前記Ｃｒ層にはＣｒが１５〜２１０μｇ／ｄｍ²、前記Ｎｉ−Ｖ合金層にはＮｉ及びＶの合計が２０〜４４０μｇ／ｄｍ²の被覆量でそれぞれ存在し、前記Ｎｉ−Ｖ合金層中にＶが３〜７０重量％存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適したプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、（１）該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＮｉ層及びＣｒ層で構成され、（２）該被覆層にはＣｒが１５〜２１０μｇ／ｄｍ²、Ｎｉが１５〜４４０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、（３）該被覆層の断面を透過型電子顕微鏡によって観察すると最大厚みが０．５〜５ｎｍであり、最小厚みが最大厚みの８０％以上であり、（４）金属クロムの原子濃度（％）、酸化物クロムの原子濃度（％）、全クロムの原子濃度（％）の関係とニッケルの原子濃度（％）、銅の原子濃度（％）、酸素の原子濃度（％）、炭素の原子濃度（％）の関係それぞれは、一定の式を満たす。 （もっと読む）