【課題】効率良く、低コストで、六方晶チタン酸バリウムを含むチタン酸バリウムを製造することが可能なチタン酸バリウムの製造方法および誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明のチタン酸バリウムの製造方法は、ペロブスカイト型結晶構造を含むチタン酸バリウム原料に、マイクロ波を照射し、六方晶チタン酸バリウムを含むチタン酸バリウムを得ることを特徴とする。マイクロ波をチタン酸バリウム原料を加熱のためのエネルギー源として用い、マイクロ波の照射中に、チタン酸バリウム原料の反応温度の上昇速度が急激に上昇して熱暴走を発生することで、六方晶チタン酸バリウムを含むチタン酸バリウムを得ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度および比誘電率を向上させた誘電体セラミックスおよびフィルタとしてこの誘電体セラミックスを備える共振器を提供する。
【解決手段】 Ｌｎ，Ａｌ，Ｍｅ，Ｔｉ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる１種、Ｍｅ＝ＣａまたはＳｒ）の酸化物の多結晶体100質量％に対し、リンを五酸化二リン換算
で0.7質量％以下（０質量％を除く）含有する誘電体セラミックスである。この誘電体セ
ラミックスは、リンを五酸化二リン換算で0.7質量％以下（０質量％を除く）含有するこ
とにより、リンを含有しない、およびリンを五酸化二リン換算で0.7質量％を超えて含有
する、Ｌｎ，Ａｌ，Ｍｅ，Ｔｉの酸化物の同じモル比の多結晶体からなる誘電体セラミックスと比較して、機械的強度を向上させることができるとともに、比誘電率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】耐リチウム反応性に優れ、かつ、軽量の炉材を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯの含有率が３３〜９９．５質量％、ＭｇＯ と Ａｌ₂Ｏ₃ との合計含有率がＭｇＯ +Ａｌ₂Ｏ₃＝９５〜９９．９質量％、ＭｇＯ とＡｌ₂Ｏ₃との含有比率が、各質量％比で、Ａｌ₂Ｏ₃ / ＭｇＯ= ０．００３ 〜 ２．１、嵩比重が１．０〜２．５とする。 （もっと読む）

【課題】低温（例えば、１００〜３００℃）で硬化し、セラミックスハニカム焼成体の隔壁との優れた密着性が得られ、且つ、優れた耐熱性が得られる封口材を提供すること。
【解決手段】水系の無機接着剤と、チタン酸アルミニウム系セラミックス粒子と、を含有する封口材。無機接着剤とチタン酸アルミニウム系セラミックス粒子との固形分質量比は、９９：１〜２５：７５であることが好ましい。低温での硬化性、密着性及び耐熱性をより良好なものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス製転動体における焼結粒子が微細で、かつ焼結粒子が偏析するのを抑え、耐久性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】φ１ｍｍ以下のジルコニア系ビーズとともにビーズミル混合機に、平均粒度が１〜０．５μｍのジルコニア粒子または安定化ジルコニア原料粉末と、平均粒度が１〜０．５μｍのアルミナ原料粉末とを、アルミナ原料粉末が原料混合粉末全量の５〜５０質量％の割合となるように投入して粉砕混合し、粒度累積分布曲線においてｄ９０が０．３０μｍ以下、出現比率の最も大きい粒子径が０．１５μｍ以下、かつ、粒度頻度分布幅が０．０６μｍ以下である混合粉末を得る混合工程と、前記混合工程で得られた混合粉体を転動体の形状に成形する成形工程と、前記成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程とを経て転動体を作製する。 （もっと読む）

【課題】結晶配向セラミックスの成長のシードとして好適に用いられる鉛系圧電材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、粒子状の鉛系圧電材料であって、メジアン径が１μｍ未満であり、［算術偏差／平均］で表される粒度分布が１５％以下であり、全粒子のうち８５％以上が立方体形状を有する鉛系圧電材料によって解決される。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり機械的強度に優れ、残留吸着力の低い静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムアルミニウム結晶相（Ａ）又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相（Ｂ）と、イットリウムを除く希土類元素−アルミニウム酸化物結晶相（Ｃ）とを含む複合酸化物焼結体を含み、Ｘ線回折プロファイルに基づき所定の式で算出される結晶相（Ｃ）の含有率が０．０５％以上１０％以下である静電チャック及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】固体電解質膜用の如く両面に電極印刷等が施されるジルコニアシートを対象とし、その表面に電極印刷等を高密着性で強力に接合することのできる技術を確立すること。
【解決手段】シート状のジルコニア焼結体からなり、シート両面の表面粗さが、いずれも最大高さ（Ｒｙ）で０．３〜３μｍであり、且つ算術平均粗さ（Ｒａ）で０．０２〜０．３μｍであり、好ましくは、該シートの一方側面（上記Ｒｙ，Ｒａが小さい方の面）に対する他方側面（上記Ｒｙ，Ｒａが大きい方の面）の表面粗さ比が、最大高さ比（Ｒｙ比）で１〜５、算術平均粗さ比（Ｒａ比）で１〜１０であるジルコニアシートを開示すると共に、その様な表面性状のシートを確実に得るための製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な信頼性を得ることができるようにし、中高圧用途に適した積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】一般式｛１００（ＢａＴｉＯ_３＋ａＢａＺｒＯ_３）＋ｂＲＯ_3/2＋ｃＭｇＯ＋ｄＭｎＯ_ｘ＋ｅＳｉＯ_２｝（Ｒは特定の希土類元素、０≦ａ≦０．２、８．０≦ｂ≦１２．０、１.０≦ｃ≦１０．０、０．１≦ｄ≦３．０、１.０≦ｅ≦１０．０）で表わされる組成物を含有し、粒径が０．７μｍ以上の第１の粒子と０．６μｍ以下の第２の粒子を含み、第１の粒子の平均粒径Ａave、第２の粒子の平均粒径Ｂaveが、０．８μｍ≦Ａave≦２．０μｍ、０．１μｍ≦Ｂave≦０．５μｍ、Ａave／Ｂave≧３．０を満足し、第１の粒子が占有する面積比率ＳＡ、第２の粒子が占有する面積比率ＳＢが、０．３≦ＳＡ≦０．９、０．１≦ＳＢ≦０．７、０．８≦ＳＡ＋ＳＢ≦１．０を満足する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を高く維持しつつ、良好な温度特性を示す誘電体磁器組成物とその製造方法、および該誘電体磁器組成物が適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３（ＡはＢａ単独、または、ＢａとＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つとであり、ＢはＴｉ単独、または、ＴｉおよびＺｒである）で表され、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物と、Ｙの酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、化合物を主成分とする誘電体粒子を含んでおり、化合物の原料粉末の平均粒子径を示すｄ[ｎｍ]と、原料粉末のペロブスカイト型結晶構造におけるｃ軸の格子定数とａ軸の格子定数との比を示すｃ／ａと、を用いて、α＝１０００×（ｃ／ａ）／ｄと定義したときに、αが１１．０以下である。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率εｒと高いＱｆ値と良好な共振周波数の温度係数とを示す誘電体セラミックスを提供すること。
【解決手段】 ＢａＯ，Ｎｄ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３を含有する主結晶相と、主結晶以外の結晶相とを含んでなる誘電体セラミックスであって、主結晶相を一般式ａＢａＯ・ｂＮｄ_２Ｏ_３・ｃＴｉＯ_２・ｄＡｌ_２Ｏ_３と表したとき、モル比ａ，ｂ，ｃ，ｄがそれぞれ、１３．５０≦ａ≦１６．１０，１７．６０≦ｂ≦１９．４０，５９．８０≦ｃ≦６６．１０，１．７０≦ｄ≦５．８０，ａ+ｂ+ｃ+ｄ＝１００を満足する範囲にあると
ともに、主結晶相以外の結晶相は、Ｂａ−Ａｌ−Ｔｉ系酸化物，Ａｌ_２Ｏ_３,Ｎｄ_２Ｏ_３
またはこれらの混合物からなることを特徴とする誘電体セラミックス。 （もっと読む）

【課題】高い静電容量を有するとともに、優れた高温負荷寿命を有し、かつ誘電損失の低い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】複数の誘電体層５と複数の内部電極層７とが交互に積層されたコンデンサ本体１と、該コンデンサ本体１の前記内部電極層７が露出した端面に設けられた外部電極３とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層５がチタン酸バリウムを主結晶粒子として含有する誘電体磁器からなり、前記誘電体層５が、隣接する前記内部電極層７間において、粒径の大きい主結晶粒子を含む領域と粒径の小さい主結晶粒子を含む領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40〜48の範囲内において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域における共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＬａ_２Ｏ_ｘ・βＡｌ_２Ｏ_３・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）と表したとき、モル比α，β，γ，δが0.155≦α≦0.210，0.155≦β≦0.220，0.284≦γ≦0.360，0.284≦δ≦0.365、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足するとともに、前記組成式の成分100質量％に対してストロンチウムを酸化物換算で0.001モル部以上0.01モル部以下含んでなり、ＬａＡｌＯ_３−ＣａＴｉＯ_３のペロブスカイト相中に、ＣａＴｉＯ_３結晶が存在してなる誘電体セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む、または副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。 （もっと読む）

【課題】 室温抵抗率が小さく且つ経時変化率が小さい半導体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体磁器組成物の製造方法であって、前記半導体磁器組成物の組成は、組成式(Bi_0.5A_0.5)_W(Ba_1-XR_X)_1-W](Ti_1-YＭ_Y)O₃
で表され、かつ前記半導体磁器組成物の全体を100mol%としてCaを５mol％超30mol%以下含むものであり、BaCO₃相とTiO₂相の少なくとも一方を含む仮焼粉を製造する工程と、前記仮焼粉を成形して焼結する工程を有することを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高容量及び優れた信頼性を有する耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関し、本発明による耐還元性誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ_３系母材粉末、前記母材粉末１００モルに対して、遷移金属酸化物または炭酸塩０．１から１．０モル、及びＳｉＯ_２を含む焼結助剤０．１から３．０モルを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性を損なうこともなく、耐熱衝撃性が良好な誘電体セラミック、及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックが、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含有した結晶性酸化物が、二次相粒子として存在している。そして、誘電体層６ａ〜６ｇは上記誘電体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】焼成時における収縮率（焼成収縮率）を低く抑えることができるとともに、耐熱分解性に優れるチタン酸アルミニウム系セラミックスからなる焼成体を製造し得る方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム源粉末、チタニウム源粉末およびマグネシウム源粉末を含む原料混合物の成形体を焼成する工程を備え、該チタニウム源粉末が、レーザ回折法により測定される粒径分布において、体積基準で、下記式（１）および（２）：
（Ｖ_0.5-3＋Ｖ_15-75）／Ｖ_total≧０．７ （１）
１／２≦Ｖ_15-75／Ｖ_0.5-3≦３／２ （２）
を満たすチタン酸アルミニウム系焼成体の製造方法である。式中、Ｖ_0.5-3は粒径０．５〜３μｍの累積頻度、Ｖ_15-75は粒径１５〜７５μｍの累積頻度、Ｖ_totalは粒径０．１μｍ以上の累積頻度である。 （もっと読む）

【課題】強化ガラス基板からなるハードディスクよりも衝撃に強く剛性が高いハードディスクを形成することが可能な基板を提供する。
【解決手段】基板１０は、スピネルからなる、ハードディスク用の基板１０である。基板１０のヤング率は１５０ＧＰａ以上３５０ＧＰａ以下であることが好ましい。また、前記基板の一方の主表面１０ａの平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。基板１０を構成するスピネルの組成としてはたとえばＭｇＯ・ｎＡｌ２Ｏ３（１≦ｎ≦３）が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】圧電体粉末と、バインダと、溶媒とを含むペースト材料を、基板上に印刷した後、焼成することで、圧電素子を製造する方法において、圧電特性を向上する。
【解決手段】単一径の圧電体粉末を用いるのではなく、比較的大径の圧電体粉末と小径の圧電体粉末と混合したペーストを用いる。具体的には、メジアンが０．９μｍのＰＺＴ粉末と、０．３μｍのＰＺＴ−ＰＺＮ粉末とを１：１で混合した粉末を用いた。したがって、焼成前（ａ）と後（ｂ）とを比較すると、大径のＰＺＴ粉末は成長の核になり、小径のＰＺＴ−ＰＺＮ粉末は大径のＰＺＴ粉末に吸収されつつ、流動化が活発で緻密な膜を成膜する。これによって、圧電特性を向上することができる。また、本焼成の温度を１１５０℃から、８５０℃程度にまで下げることができ、基板へのダメージを小さくすることができる。 （もっと読む）