【課題】燃料電池用プロトン伝導膜を製造するのに有用な、ホスホン酸基やスルホン酸基を有する化学修飾フラーレンを安価に製造する。
【解決手段】スルホン酸化試薬Ｋ_２ＳＯ_３の場合は（ジメチルアセトアミド＋水）、ホスホン酸化試薬ＬｉＰＯ（ＯＲ）_２（Ｒは、Ｃ_１〜Ｃ_５のアルキル基又はフェニル基）の場合はジオキサンという特定の反応溶媒を選択し、該溶媒中にフラーレンとＫ_２ＳＯ_３又はＬｉＰＯ（ＯＲ）_２とを分散させ、常圧又は加圧下で、２０〜２００℃の反応温度を用いて１０〜２００時間反応させて、下記の部分構造を１〜１２個含む化学修飾フラーレンを製造する方法において、原料のフラーレンがＣ_６０とＣ_７０の混合物を含むことを特徴とする製造方法。
【化１】
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【課題】フォスファゼン塩基は、有害な重金属類を用いることなく、環境に対してより害の少ない有機触媒として、さらに、効率よく医薬品の合成中間体などを製造するための触媒として有用であり、その非常に特徴的な反応性を持つフォスファゼンP₄の更なる利用のため、多様な置換基を導入した誘導体を簡便で効率良く合成する技術の開発が求められている。
【解決手段】トリスジアルキルアミノホスフィンを出発物質として使用し、有機アジドを反応させることにより製造されたフォスファジドP₄(I)は、高い熱安定性を有し、強い塩
基性を持っており、機能性触媒として有用であり、有機合成に利用できる。さらに高分子への固定化も容易に可能であり、回収再利用が可能な環境調和型の触媒として有望である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、保存安定性及び歯との色調適合性が改善された、歯科用接着剤に有用な重合性基を有する有機リン酸化合物の高純度・高効率な製造方法を提供することである。
【解決手段】ラジカル重合可能な二重結合、及び１又は２基のヒドロキシル基を有するリン酸残基をそれぞれ少なくとも１個有し、かつ分子内に炭素数４以上の炭化水素基を少なくとも一つ有する、特定の電気伝導度及び／又は特定の光透過率を有する有機リン酸化合物及び原料の反応率を制御して反応を行い、得られた反応混合物に対して酸の水溶液による洗浄及び電解質水溶液による洗浄を行う工程を含む、その製造方法。 （もっと読む）

本発明は、モノフルオロアルキルテトラフルオロホスホラン、ビス（フルオロアルキル）トリフルオロホスホランまたはトリス（フルオロアルキル）ジフルオロホスホランと水との反応による、ビス（フルオロアルキル）ホスフィン酸および／またはフルオロアルキルホスホン酸の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、リン化合物の一種であるホスホロアミダイト化合物を、より簡便に且つ安全に製造でき、且つ工業的に有利なホスホロアミダイト化合物の合成法を提供することである。
【解決手段】 有機溶媒中で、ハロゲン化リン化合物、フェノール類、及び塩基を混合した後、得られた混合溶液に、アミン類を添加して、一般式（Ｉ）で表されるリン化合物を生成し、一般式（Ｉ）で表されるリン化合物を含有する反応液から、貧溶媒を用いて、一般式（Ｉ）で表されるリン化合物を取り出すリン化合物の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ビス（パーフルオロアルキル）亜ホスフィン酸、ビス（パーフルオロアルキル）チオ亜ホスフィン酸および誘導体、その合成ならびに特に触媒工程のための空気中で安定な金属錯体の合成のためのその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】難燃性と衝撃強度とを向上させることができ、さらに樹脂の加工や燃焼時に環境汚染をもたらすハロゲン化水素ガスを排出しない,環境に優しい難燃及び衝撃改質剤を提供する。
【解決手段】下式１で表される難燃及び衝撃改質剤。及びオキシ塩化リンと２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとを反応させて２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジクロロホスフェートを製造し；次いで前記２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジクロロホスフェートにフェノールを反応させる；段階を含んでなる下式１で表される難燃及び衝撃改質剤の製造方法。
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【課題】発光性の高いイオン性化合物を高い収率で製造する。
【解決手段】有機溶媒中で、式：(ＮＰＲ¹₂)_n［Ｒ¹はハロゲン元素又は一価の置換基で、少なくとも一つのＲ¹は式：−Ｎ⁺Ｒ²₃Ｃｌ^-（Ｒ²は一価の置換基又は水素で、少なくとも一つのＲ²は水素ではない）のイオン性置換基であり；ｎは３〜１５を表す］で表されるイオン性化合物と式：Ａ⁺Ｘ^-［Ａ⁺は一価の陽イオンを表し、Ｘ^-は一価の陰イオンを表す］で表される塩とを反応させて式：(ＮＰＲ³₂)_n［Ｒ³はハロゲン元素又は一価の置換基で、少なくとも一つのＲ³は式：−Ｎ⁺Ｒ²₃Ｘ^-で表されるイオン性置換基である］で表されるイオン性化合物を生成させ、工程（Ａ）からの反応混合物を濾過してＡ⁺Ｃｌ^-を除去し、工程（Ｂ）からの濾液を遠心分離して上澄み液を採取し、工程（Ｃ）からの上澄み液に活性炭を加えて反応副生物を除去する。 （もっと読む）

【課題】リポソームの寿命を延ばし、同時に正確に示し得る組成を有する化合物を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）で示され、式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、ｎ、ｘ、ｍが明細書に記載のものである化合物により解決される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、炎症応答に対する抑制活性を有する、ホスファチジルーミオーイノシトールマンノシドの合成類似体に関する。
【解決手段】 本発明のホスファチジルーミオーイノシトールマンノシドの合成類似体は、次の一般式（I）で表される。
【化２７】

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【課題】新規リン化合物、並びにπ−π^*遷移を実現可能なケイ素−リン二重結合含有化合物の提供。
【解決手段】例えば、下式により合成されるリン化合物、並びに下式(II)で表される有化合物。




（Ａｒ¹はアリール基、Ａ²¹、Ａ²²はリン化合物の有機残基を表す。） （もっと読む）

【課題】セフジニルの製造に有効に使用可能な新規な中間体化合物、及びこれを用いてセフジニルを効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、（ａ）一般式（４）の化合物を一般式（５）の活性化剤と反応させて、一般式（１）の化合物を製造し、（ｂ）工程（ａ）で製造された一般式（１）の化合物を一般式（６）の化合物とカップリング反応させ、次いで塩基として、第２級または第３級アミンを添加して一般式（２）の化合物を製造し、そして（ｃ）工程（ｂ）で製造された一般式（２）の化合物を弱塩基の条件下で反応させることを特徴として、一般式（７）のセフジニルを製造する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒の配位子として有用な軸不斉リン化合物及びその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】ロジウム金属と光学活性ビスホスフィンとを含む触媒を用いて、三重結合を有する化合物を付加環化反応させる一般式（１）で表される軸不斉リン化合物の製造方法。
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本発明の対象は、不飽和ジホスフィンモノオキシド、その製造方法、及び難燃剤としてのその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、アンモニアとアミド−ジクロリドとからトリアミドを製造する方法に関する。 （もっと読む）

三塩化リン（ＰＣｌ₃）を２，２’−ビフェノールのような芳香族ジオールと、固体形態の一部の芳香族ジオールを含み且つ芳香族ジオールの残りの部分及び有機溶媒を含む溶液相を含んでなるスラリー中で、ホスホロモノクロリダイトを生成させるのに充分な反応条件下で接触させることによる、ホスホロモノクロリダイトを高収率で製造する方法。このスラリーは、芳香族ジオールの総モルに基づいて計算して、５モル％未満の窒素塩基を含み、有機溶媒は、その塩化水素溶解度が低いという基準で選ばれる。 （もっと読む）

本発明は、三塩化リン（ＰＣｌ₃）を、１種又はそれ以上の有機溶媒の溶液中の芳香族ジオールと、ホスホロモノクロリダイトを製造するために充分な反応条件下で、接触させることによる高収率でのホスホロモノクロリダイトの製造プロセスに関する。この反応は、第一の有機溶媒中に溶解された芳香族ジオールを含有する供給溶液を、ＰＣｌ₃及び任意的に１種又はそれ以上の第二の有機溶媒を含有する反応ゾーンの中に添加することによって実施し、前記添加は、実質的に等温のプロセス条件を維持するように実施する。この反応溶液は、５モル％よりも少ない窒素塩基を含有する。（式Ｉ、ＩＩ）
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【課題】１分子で複数の金属へ配位できるような１つの配位性基の両隣接位にホスフィン部位を有する新規配位子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】例えば（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンスルホン酸に類する化合物と塩基性化合物とを反応させた後、ハロゲン化ホスフィンを反応させて得られる下記一般式ＩＩＩで表される化合物またはその塩の製造方法。


（ＩＩＩ中、Ｒ^１は、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２ＮＨ（Ｒ^２）、−ＣＯ_２Ｈ、−ＰＯ_３Ｈ、−ＡｓＯ_３Ｈ、−ＳｉＯ_２Ｈ、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨから選択される基を表す。Ｒ^２は置換基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、及びＸ^４は、炭素数１〜２０の置換または無置換の炭化水素基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】様々な置換基を有する３−オキソ−λ⁵−ホスホール化合物の製造方法の提供。
【解決手段】下記式で表されるホスホール化合物（１）の製造方法。


［Ｒ¹、Ｒ²およびＲ⁵は、Ｃ_6-12アリール基等を、Ｒ³およびＲ⁴は、アリール基等、Ｒ⁶はＣ_1-6アルキル基を、Ｈａｌはハロゲン原子基を示す。］或いは、式（１５）と（１６）で表される化合物の付加環化反応からホスホール化合物（１）が製造される。


［Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹⁵は、Ｈ、Ｃ_6-12アリール基等を、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、アリール基等を、Ｘは脱離基を示す。］ （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１ａ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ａ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式（３ａ）及び一般式（４ａ）で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法；一般式（１ｂ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ｂ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式（３ｂ）及び一般式（４ｂ）で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法。 （もっと読む）