高アスペクト比のホールを備えて成る加工品を電気めっきするために、加工品及び少なくとも一つの陽極と金属めっき電解液とが接触する工程と、加工品と陽極間に電圧を印加することで、その結果、電流の流れが加工品に生じる工程とを備えて成る方法を明らかにする。電流の流れは、多くとも約６Ｈｚの周波数を有するパルス逆電流の流れである。周波数に従って、それぞれの周期時間は少なくとも一つの順電流パルスと少なくとも一つの逆電流パルスを備えて成る。
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【課題】 密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れ、しかも、繰り返しめっき処理を行った場合でも、めっきの初期段階に使用する銅めっき液の劣化を有効に防止することができ、密着性の高い保護膜を安定して形成可能な磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含む第１めっき液と、銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含み、前記第１めっき液とは別の第２めっき液と、を準備する工程と、希土類を含む磁石の表面に、前記第１めっき液を用いて電解めっきを行い、第１保護膜を成膜する工程と、前記第１保護膜が形成された前記磁石の表面に、前記第２めっき液を用いて電解めっきを行い、前記第１保護膜とは別の第２保護膜を成膜する工程とを有することを特徴とする磁石の製造方法。 （もっと読む）

電気めっき溶液は、非水性の非芳香族の有機溶媒、および可溶性金属塩および非水溶性または非芳香族の有機溶媒に溶融された有機添加剤を含む混合物を含む。電気めっき溶液からの金属の電着は、電気めっき溶液を準備するステップと、カソード電流で導電性基板の上に電気めっき溶液から金属を電着させるステップを含む。電気めっきシステムは、電気めっき溶液を入れためっきチャンバと、電気めっきシステムに対する入口点と、電気めっきされる部品を入口点からめっきチャンバまで運ぶ運搬システムとを備える。電気めっき溶液は、非水性の非芳香族の有機溶媒、および可溶性金属塩および有機添加剤を含む混合物であり、混合物は非水性の非芳香族の有機溶媒に溶融されている。 （もっと読む）

【解決課題】白金−コバルト合金膜を形成するためのめっき液であって、液の安定性に優れ、沈澱を生じさせることなく高品質な合金膜を形成できるものを提示する。
【解決手段】本発明は、白金塩とコバルト塩を含む白金−コバルト合金めっき液において、白金塩として、Ｎａ_２［Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２］、Ｋ_２［Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２］、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］Ｃｌ_２、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］ＳＯ_４、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］（ＮＯ_３）_２、［Ｐｔ（ＮＯ_３）_２（ＮＨ_３）_２］、Ｋ_２ＰｔＣｌ_４のいずれか１種の２価の白金塩を白金濃度で１〜３０ｇ／Ｌ含み、前記コバルト塩として２価のコバルト塩を含むことを特徴とする白金−コバルト合金めっき液である。このめっき液においては、緩衝剤として、無機酸又はこれらの塩、若しくは、有機カルボン酸又はこれらの塩、若しくは、ポリアミノカルボン酸の少なくともいずれかを合計で１〜２００ｇ／Ｌ含むものが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【目的】PPE樹脂含浸基材を代表とする高周波基板に対して強い引き剥がし強さを得ることができ、粗面粗度を超低粗度にする事でエッチングによる回路パターン形成後の回路ボトムラインの直線性を高め伝送損失の低減が可能な高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法を提供する。
【構成】銅箔の少なくとも一方の面に直径が0.05〜1.0μmである球状の微細な粗化粒子からなる粗化処理層を施し、更に該粗化処理層上にモリブデン、ニケッル、タングステン、リン、コバルト、ゲルマニウムの内の少なくとも一種類以上からなる耐熱・防錆層を施し、更に該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を施し、更に該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を施す事を特徴とする高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は垂直磁気特性を高め、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用において有益である。
【解決手段】９４−９８重量％のＣｏ，０−１重量％のＰｔ及び２−４重量％のＰの組成を有するコバルト（Ｃｏ），プラチナ（Ｐｔ）及びリン（Ｐ）から構成される材料。材料はセ氏１００乃至５００度の温度でアニーリングされる。材料は適当な電気化学浴中で基板を電気メッキすることにより形成される。電気メッキされたＣｏＰｔＰ材料は基板に層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート誘電体等の誘電体の上に直接ゲート金属または他の導体材料または半導体材料を電気めっきするための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、基板、誘電体の層、および電解液または溶融物を選択することを含み、基板、誘電体層、および電解液または溶融物の組み合わせによって、基板から誘電体層を介して電解液または溶融物へと電気化学電流を流すことができる。また、誘電体貫通電流を用いて誘電体の電気化学的な変更を行うための方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 粗面の平滑性及び耐折り曲げ性に優れた電解銅箔及びその好適な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成した銅箔は、１８０℃×１時間加熱後の引張り強さが５０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上、１８０℃×１時間加熱後の伸び率３．０％以上、粗面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下、であることを特徴とする電解銅箔等を採用する。また、このような電解銅箔を得るため、硫酸銅系電解液中のゼラチン又は膠濃度が０．６７ｐｐｍ〜１６．７ｐｐｍであり、塩素イオン濃度が０．２ｐｐｍ〜０．５ｐｐｍ、ゼラチン又は膠濃度と塩素イオン濃度の重量比が１：０．０３〜０．３であり、かつゼラチン又は膠の数平均分子量が１０００〜４００００であることを特徴とする電解銅箔の製造方法等を採用する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドを構成する非磁性膜等を形成する方法として好適に利用することができるNiP非磁性めっき膜の製造方法およびこの方法を用いた磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 電解めっき法によりNiP非磁性めっき膜を製造する方法であって、ニッケルイオンの供給源となる試薬とリンイオンの供給源となる試薬と、カルボキシル基を有する試薬を含有するNiPめっき液を使用してめっきすることを特徴とする。 （もっと読む）

耐食性に優れた希土類磁石の製造方法およびそれに用いるめっき浴を提供する。希土類元素を含む磁石素体に、ニッケルを含む第１保護膜と、ニッケルおよび硫黄を含む第２保護膜とを順に積層する。第１保護膜は、ニッケル源と、導電性塩と、ｐＨ安定剤とを含み、ニッケル源の濃度がニッケル原子単位で０．３ｍｏｌ／ｌ〜０．７ｍｏｌ／ｌであり、導電率が８０ｍＳ／ｃｍ以上の第１めっき浴を用い、電気めっきにより形成する。これにより希土類リッチ相の溶出が抑制され、ピンホールの生成が低減される。よって、耐食性が向上する。
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【課題】 銅のめっき工程で形成される導電層表面の高低差を少なくとも低減する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 絶縁膜に配線溝を形成し、電解めっきにより銅の導電層を成膜し、前記導電層の膜厚を減らす配線工程を有する半導体装置の製造方法が使用される。本方法では、銅よりイオン化傾向の大きい所定の金属イオンの濃度が５０乃至５００ｐｐｂの範囲内にあり、銅、塩素及び硫黄以外の無機金属イオンの濃度が１００ｐｐｂ以下である所定の硫酸銅基本浴を用いて前記電解めっきが行われる。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面への銀又は銅の置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、銀又は銅塩と、各種の酸を含有するスズ−銀系合金又はズ−銅系合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.２のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.０〜１０.４のトリスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが８.２〜１５.０のジスチレン化クレゾールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.７〜１３.９のトリスチレン化クレゾールポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面への銀又は銅の置換析出を防止して浴中の銀又は銅の消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

本発明は、基体のめっき性部分上におけるスズ又はスズ合金の沈着に関連して使用するための溶液に関する。この溶液は、水;基体のめっき性部分上にスズ沈着物を提供するのに十分な量のスズイオン;金属イオンを該溶液に可溶化させるのに十分な量で存在し、5.5より大きく10未満のpHで安定な酸の錯化剤又はその塩;及び該基体の該めっき性部分上へのスズの沈着を容易にするのに十分な量で存在するアルコキシル化ポリアルコールの界面活性剤を含む。 （もっと読む）

【課題】 クロムめっき用陽極として従来使用されている鉛または鉛合金電極に替えて白金族系不溶性電極を用いる場合に問題となる、めっき浴中の３価クロム濃度を適正範囲に維持する方法を提案する。
【解決手段】 クロムめっき浴中における陽極として、チタンを含む金属基体上に白金族金属を被覆した不溶性電極を使用し、めっき浴中に銀(I)イオンを添加することにより、めっき浴中の３価クロム濃度を適正範囲（1〜5 g/l）に維持できる。 （もっと読む）

【課題】フッ素樹脂基板、液晶ポリマー等の３００℃〜４００℃の高温加工プロセスを経て製造されるプリント配線板に適用出来る、高温加熱後の強度の劣化のないキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】 上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層に銅層の表面に異種金属層として硬質ニッケルメッキ層、コバルトメッキ層、ニッケル−コバルト合金メッキ層、２層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層、２層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層、３層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層、３層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層等を備える複合箔を採用する。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、めっき時における被めっき物の２個付き及び凝集現象がなく、また、電析めっき皮膜のはんだ付け性能の劣化のない錫又は錫合金めっき浴を提供することにある。
【解決手段】本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるジスルフィド化合物、及びカルボン酸又はその塩を含有する錫又は錫合金めっき浴であって、前記カルボン酸はモノカルボン酸、ジカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシ又はケトカルボン酸、アミノ酸及びアミノカルボン酸からなる群より選ばれ、かつ、ｐＨが２．０〜９．０である、前記錫又は錫合金めっき浴を提供する。
Ａ-Ｒ¹-Ｓ-Ｓ-Ｒ²-Ａ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ炭素数１〜２０個の炭化水素残基を表し、それらは同一であっても又は異なっていてもよく、ＡはＳＯ₃Ｎａ、ＳＯ₃Ｈ、ＯＨ、ＮＨ₂又はＮＯ₂を表す。） （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ｎｉ層の厚さが０．１〜１．０μｍ、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５〜７５ａｔ％、前記Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１〜０．１質量％のカーボンを含有する。Ｓｎ層の厚さが０．５μｍ以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Ｓｎ層の厚さが０．５μｍを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されＪＢのような非嵌合型接続部品用として適する。 （もっと読む）

【目的】水又はアルカリ金属塩化物水溶液の電気分解用途において水素過電圧が十分に低く、鉄イオンによる被毒の影響や基材と触媒層の密着性などの耐久性に優れた水素発生用電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基材上に、ニッケル、コバルト、銅、銀及び鉄の群から選ばれる一種の金属と白金からなる白金合金が担持され、白金合金中の白金含有量が、モル比で０．４０〜０．９９の範囲である水素発生用電極を用いる。当該電極は導電性基材上に、ニッケル、コバルト、銅、銀及び鉄の群からばれる一種の金属化合物溶液とアンミン錯体を形成する白金化合物溶液を塗布し、乾燥後、２００〜７００℃で熱分解した後、還元処理することによって得られる。 （もっと読む）