【課題】急冷処理過程に発生するクエンチステインを防止し、クエンチステインの発生をより減少させる電気めっき鋼板設備のクエンチタンクの温度制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】連続的に搬送される錫めっき鋼板１１を電力によって錫の融点以上に所定時間加熱する工程と、加熱された錫めっき鋼板１１を、調整バルブ３３を介して流量制御される冷却水と熱交換器３２で熱交換されて温度制御されているクエンチタンク１２を通過させて急冷する工程とを有する電気めっき鋼板設備のクエンチタンクの温度制御方法において、錫めっき鋼板１１によって搬入される熱量に対する、クエンチタンク１２の温度が定常的に適正温度になる調整バルブ３３の予測弁開度を予め求めておき、錫めっき鋼板１１の通板条件が変わった場合には、直ちに錫めっき鋼板１１が搬入される熱量に応じて、調整バルブ３３の弁開度を、予測弁開度とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材２０上に下地めっき層２１を形成し、当該下地めっき層２１の上に金属結合性を有する有機被膜２２を介して最表めっき層２３を積層することで、リードフレーム２ａ、２ｂを構成する。有機被膜２２は、主鎖部Ｂ１の両末端に金属結合性の官能基Ａ１、Ａ１を持つ機能性有機分子１１を自己組織化させた単分子膜として構成する。 （もっと読む）

【課題】ゴムとの接着に要する時間が短縮されたゴム補強用線条体の製造方法、ゴム補強用線条体およびそれを用いたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対して、シアン化合物を含まない銅−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき処理を施した後、伸線加工を施すゴム補強用線条体の製造方法において、伸線加工を施した後に、ゴム補強用線条体をコバルト塩溶液にて表面処理をする。コバルト塩溶液のｐＨは５．０〜７．０、コバルト塩濃度は０．０１〜０．１０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ゴムとの接着に要する時間が短縮されたゴム補強用線条体の製造方法、ゴム補強用線条体およびそれを用いたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対して、シアン化合物を含まない銅−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき処理を施した後、伸線加工を施すゴム補強用線条体の製造方法において、伸線加工を施した後に、ゴム補強用線条体を有機溶媒にて洗浄する。有機溶媒は水溶性有機溶媒であることが好ましく、また、ゴム補強用線条体はスチールワイヤであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ゴムとの接着に要する時間が短縮されたゴム補強用線条体の製造方法、ゴム補強用線条体およびそれを用いたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対して、シアン化合物を含まない銅−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき処理を施した後、伸線加工を施すゴム補強用線条体の製造方法において、伸線加工を施した後に、ゴム補強用線条体を酸性金属塩水溶液にて洗浄する。酸性金属塩水溶液のｐＨは５〜７、酸性金属塩の濃度が０．０１〜０．１０が好ましく、酸としては酢酸を好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が１２．６：８７．４〜０．５：９９．５の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドなどの絶縁樹脂との密着性、耐熱密着性、耐薬品性、ソフトエッチング性を満足し、工業的に優れた表面処理銅箔を提供する。更に、絶縁樹脂と銅箔との接着強度が強く、回路形成にあたっては耐薬品性を有し、レーザー加工によるビア形成後にも良好なソフトエッチング性を有する表面処理銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】母材銅箔に対して、表面粗さＲｚが１．１μｍ以下となる粗化処理が施され、該粗化処理表面にＮｉ−Ｚｎ合金層が施され、前記粗化処理は、粗化処理面における幅が０．３〜０．８μｍ、高さが０．６〜１．８μｍで、アスペクト比が１．２〜３．５で、先端が尖った凸部形状となる粗化処理で、前記母材銅箔の表面粗さＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する範囲で施され、前記Ｎｉ−Ｚｎ合金層は、Ｚｎ含有率（ｗｔ％）が６〜３０％、Ｚｎ付着量が０．０８ｍｇ／ｄｍ^２以上である表面処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数が小さく、接触抵抗の経時変化が小さい嵌合型端子用錫めっき付き銅合金板を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金板上に、Ｎｉ被覆層（必要に応じて）、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Ｓｎ被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。Ｎｉ被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の平均厚さは０．１〜１．０μｍ、Ｓｎ被覆層の平均厚さは０．１〜２．５μｍとされている。黒鉛粒子は前記Ｓｎ被覆層の表面を面積比率３〜３０％で被い、黒鉛粒子のうち粒径２μｍ以上の黒鉛粒子の平均粒径が３〜３０μｍで、そのうち粒径１０μｍ以上の粒子の個数の割合が３％以上である。銅又は銅合金板上にＮｉめっき（必要に応じて）、Ｃｕめっき及びＳｎめっきを行い、表面に黒鉛粒子を付着させた後、リフロー処理することで製造する。 （もっと読む）

【課題】溶接性、フィルムとの密着性、および、耐食性に優れ、果汁などの酸性飲料を高品質に貯蔵できる3ピースリシール缶を提供する。
【解決手段】ネジ加工を施された缶体の缶底部に、Snめっきを片面に2〜15g/m²施した無塗装、無フィルムの鋼板を使用し、缶胴部に、Niめっきを片面に200〜1000mg/m²施し、次いで、クロメート皮膜を金属Cr換算で2〜10mg/m²施し、更に、PETフィルムをラミネートした鋼板を使用することを特徴とする酸性飲料用3ピースリシール缶。 （もっと読む）

【課題】筋ムラの発生、外観の劣化、塗料密着性の低下、糸状錆の発生を防止でき、皮膜付着量の管理が容易で安価にりん酸系化成処理が可能な錫めっき鋼板の製造方法および錫めっき鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面に、Sn付着量が片面あたり0.05〜20g/m²となるようにSnを含むめっき層を形成後、りん酸とアルミニウムを含み、塩化物濃度が0.4g/L以下(0g/Lを含む)、鉄イオン濃度が0.1g/L以下(0g/Lを含む)の水溶液を、リバース式ロールコーターを用いてアプリケーターロールの周速度が鋼板の移動速度未満となる条件で塗布し、乾燥することにより、付着量がP換算で片面あたり1.5mg/m²超え10mg/m²以下、AlとPの質量比が0.20〜0.87である化成処理皮膜を形成する錫めっき鋼板の製造方法。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】厳しい成形加工時においても加工密着性に優れた樹脂被覆鋼板用の表面処理鋼板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
硫酸及び硫酸錫を含む硫酸錫めっき浴中のＳｎ濃度を３０〜１２０ｇ／Ｌ、
該硫酸錫めっき浴の温度を２０〜６０℃、
該硫酸錫めっきにおける電流密度を２〜５０Ａ／ｄｍ^２、
の範囲で調整して、鋼板表面上に占める錫面積率を５〜９５％とし、
鋼板表面の鉄の一部を露出させるように鋼板表面に金属錫を被覆することを特徴とする表面処理鋼板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰの処理時間を短縮する。
【解決手段】基板製造方法は、基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを介して絶縁層をエッチングすることにより絶縁層に溝を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、絶縁層上及び溝の表面に第１の金属層を形成する工程と、溝の内部及び上方に第２のマスクを形成する工程と、第１の金属層上及び第２のマスクの表面に第２の金属層を形成する工程と、第２のマスク及び第２のマスクの表面に形成された第２の金属層を除去する工程と、溝の上方が開口された第３のマスクを第２の金属層上に形成する工程と、溝の内部及び上方に第３の金属層を電界めっきにより形成する工程と、第３のマスクを除去する工程と、第３の金属層を化学機械研磨により平坦化する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐錆性、耐食性に優れ、さらに皮膜の経時安定性（黄変性、塗料密着性）にも優れる表面処理鋼板およびその製造方法を提供する。また、ＴＦＳ代替のＣｒフリー鋼板として食品缶用途にも使用できる表面処理鋼板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面にＦｅ−Ｓｎ合金層を有し、該Ｆｅ−Ｓｎ合金層上の非合金化Ｓｎ量が０．１ｍｇ／ｍ^２未満である。また鋼板の少なくとも片面にＦｅ−Ｎｉ合金層を有し、該Ｆｅ−Ｎｉ合金層上にＦｅ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層を有し、該Ｆｅ−Ｎｉ−Ｓｎ合金層上の非合金化Ｓｎ量が０．１ｍｇ／ｍ^２未満である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品のめっきを行った後、搬送用テープから分離させた場合、電子部品の表面に搬送用テープの接着剤が残ってしまうということがない電子部品のめっき方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、電子部品１５を複数個搬送用テープ２３に接着剤により第１の接着力で接着させる接着工程Ａと、搬送用テープをヒーター２４で加熱すると同時に、加圧手段２５で電子部品を加圧することにより電子部品を搬送用テープに第１の接着力で接着させる加熱・加圧工程Ｂと、複数個の電子部品が接着された搬送用テープをめっき槽１６内のめっき液１７中に搬送し、このめっき液中において給電電極２１と電子部品を当接させて連続的に電子部品の電極にめっき層を形成するめっき層形成工程Ｃとを備え、めっき層形成工程Ｃより後に、搬送用テープと電子部品との接着力を第１の接着力より低い第２の接着力に低減させる接着力低減工程Ｄを設けたものである。 （もっと読む）

【課題】置換めっき層を剥離する際に、電解めっき層も同時に剥離する従来の置換めっき層の剥離方法の課題を解決できる方法を提供する。
【解決手段】ステム１２の表面を形成する金属と電気的に絶縁されてリード線１８，１８が装着された半導体装置用部材１０に、リード線１８，１８のみに給電する電解めっきによって、リード線１８，１８の露出面に電解めっき層を形成した後、前記電解めっきの際に、非通電状態のステム１２の表面に析出した置換めっき層を除去すべく、半導体装置用部材１０を、前記電解めっき層を形成するめっき金属を剥離する剥離性能を有し、且つ電解質が添加された剥離液４０に浸漬して、リード線１８，１８に給電しつつ、前記置換めっき層を剥離液４０によって選択的に剥離する。 （もっと読む）

銅層での亜鉛ダイカストの電気メッキにおいて、電解液が、亜鉛ダイカストの孔中に浸透する。温度が後に上昇される場合に、これは、孔における電解液の気化及び銅層のブリスター又は剥離を導く。２つの工程において実施されるメッキを目的とする。第一の工程において、１μｍ未満の薄い銅層のみが適用され、そしてメッキした部品は、電解液の気化を導く温度で処理される。前記薄い銅層は、まだ、避けることができる気化のために十分に多孔性である。電解液の固体の構成成分のみが残る。そして銅層は、約２０〜３０μｍの最終の厚さまで薄くされる。このメッキ工程において、電解液は、もはや、亜鉛ダイカストの孔中に浸透しない。この方法で被覆される部品は、１５０℃の温度での保管後に、銅層のブリスター又は剥離を示さない。 （もっと読む）

【課題】基材表面に形成するＡｕめっき層の厚みが薄くても耐食性に優れた燃料電池用セパレータ材料、それを用いた燃料電池スタックを提供する。
【解決手段】金属基材の表面に、厚み２〜２０ｎｍで、かつ前記金属基材の結晶粒内において原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ｒａ）が０．５〜１．５ｎｍであるＡｕめっき層が形成されている燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）