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Fターム[4K029BA64]の内容

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Fターム[4K029BA64]に分類される特許

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【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディア及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Alを主成分とし、Ta及びNbからなる群より選択される1又は2種の元素を1〜10at%、及び、Agを0.1〜10at%含む光メディア用スパッタリングターゲットである。基板10と、Alを主成分とし、Ta及びNbからなる群より選択される1又は2種の元素を1〜10at%、及び、Agを0.1〜10at%含む組成を有し基板10上に設けられた反射層20A,20Bと、を備える光メディア100である。 (もっと読む)


分散した金属原子を含む酸化セリウムの膜を形成するために、酸化セリウム及び金属物質は、共に、アルゴン大気下で少なくとも一つのターゲットから基板にスパッタされることを特徴とし、酸化セリウム及び、金、白金、パラジウム、スズ、ルテニウムまたはニッケルからなる群より選出される金属を有する酸化触媒を、酸化セリウム及び金属をターゲットから基板までスパッタリングすることによって、調製する方法。特定のAu−CeO及びPt−CeO触媒はこの方法を使用することにより調製される。 (もっと読む)


【課題】陽極電極層からのホ−ル注入時のエネルギ−障壁を低減する新しい構成のホ−ル注入層を陽極電極層に接する層に設け、低電圧駆動化と素子の駆動安定性を付与することを実現する。
【解決手段】陽極電極層と、陽極電極層と対向して配置された陰極電極層と、陽極電極層と陰極電極層との間に位置する、陽極電極層に接するホ−ル注入層及び少なくとも一層の発光層と、を有し、陽極電極層と陰極電極層の少なくとも一方は透明であり、ホ−ル注入層は、ダメージ低減層として機能し、金属酸化物と有機化合物との混合膜を含み、混合膜は共蒸着によって形成されている。 (もっと読む)


基材上に無機又はハイブリッド有機/無機バリア層を形成するための方法。この方法は、蒸発させた金属アルコキシドを基材上に凝縮させて基材の上に層を形成する工程と、この凝縮した金属アルコキシド層を水と接触させてこの層を硬化させる工程とを含む。
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【課題】固体酸化物燃料電池の緻密な電解質と多孔質の空気極を一回の製膜プロセスで作成が可能な製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー堆積法においては、結晶成長が2次元であるため、結晶の成長エネルギーが小さくて済むことから、従来の方法より低い600〜800℃での作製が可能であり、基板を真空チャンバーに入れた状態において、少なくとも一つの成膜条件を変更することにより、固体酸化物燃料電池の多孔質/緻密/多孔質構造の積み分けが一回の製膜プロセスで作製することを可能とした。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1つの固体リチウム系電解質及び無機カーボンフリー高分子を含むカソード性スパッタリング用ターゲット組成物、及びそのような組成物を使用するカソード性固体スパッタリング用ターゲットの製造方法に関する。また、本発明は、そのような方法により得られた固体スパッタリング用ターゲット及びスパッタリング物理的気相堆積法による固体薄膜の製造、特に薄膜電池内部の固体電解質薄膜の製造のためのそれらの使用に関する。 (もっと読む)


【課題】磁性粒子間の磁気的な分離を十分に行うことができ、しかも垂直磁気記録媒体を容易に製造することができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に、磁性粒子15aとこの磁性粒子15aを取り囲むMoCuO15bとからなるグラニュラー膜15を形成する。このグラニュラー膜15をアルカリ溶液または水を用いてウエットエッチングすることによりMoCuO15bを除去し、空隙とする。こうしてMoCuO15bを除去した膜を磁気記録層として用いる。 (もっと読む)


【課題】酸素バリア性と水素バリア性を有し、強誘電体キャパシタの構造が簡単で製造方法が容易な強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラグ電極24に接続された導電性バリア膜1と、導電性バリア膜1上に配置され、導電性バリア膜1を介してプラグ電極24に接続された下部電極2と、下部電極2上に配置された強誘電体膜3と、強誘電体膜3上に配置された上部電極4と、上部電極4上に配置された導電性水素バリア膜5と、導電性水素バリア膜5上に配置され、導電性水素バリア膜5を介して上部電極4に接続されたVIA電極26と、導電性水素バリア膜5上、および導電性バリア膜1,下部電極2、強誘電体膜3,上部電極4,および導電性水素バリア膜5の側壁上に配置された絶縁性水素バリア膜6とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板の両面に、反応性スパッタを用いてグラニュラ構造の磁性層を形成するに際して、スパッタチャンバ内の酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性膜中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層を形成することができる磁性層の形成方法と装置を提供する。
【解決手段】反応容器101内に、被成膜基板200を、その面方向が縦方向となるように配置し、スパッタ電極と該スパッタ電極の表面にターゲットが配設されてなる一対の電極ユニットを、各々、ターゲットを被成膜基板200側にして、被成膜基板200の両面と対向するように配置し、アルゴンおよび酸素を含む混合ガスを、一対の電極ユニットの各非成膜基板200側の表面付近に、外周部から中央部に向かって流れるように供給するとともに、排ガスを、前記反応容器101の両端部から排気し、反応性スパッタリングによって磁性層を形成する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない光記録媒体膜形成用Te系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(TePd(TeO(但し、原子%で30≦y≦60、x=100−y、50≦b≦70、a=100−b)からなる成分組成を有する光記録媒体膜形成用Te系スパッタリングターゲットにおいて、Te:30〜60原子%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有するTePd合金相とTeO相とからなる混合相からなり、前記TePd合金相の平均粒径が5〜15μm、前記TeO相の平均粒径が5〜15μmを有し、かつTePd合金相の平均粒径とTeO相の平均粒径との比:{(TePd合金相の平均粒径)/(TeO相の平均粒径)}が0.5〜1.5の範囲内にあることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】2層構造のRu下地層において第1の下地層の結晶粒のサイズを小さくすることで、記録層であるグラニュラ磁性層の磁性結晶粒をより微細化することのできる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてRu又はRu合金を軟磁性裏打ち層12上に堆積させることにより下部下地層14を形成する。不活性ガス雰囲気においてRu又はRu合金を下部下地層14上に堆積させることにより上部下地層15を形成する。上部下地層15上に、磁性結晶粒16aを含んだ磁性層16を形成する。 (もっと読む)


【課題】従来の撥水膜に対し、滑り性を向上させ、かつ耐久性、耐摩耗性の特性を向上させた薄膜を有する光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】特定のフッ素置換アルキル基含有有機ケイ素化合物と、特定のシラン化合物との混合物を含有する蒸着材料を光学部材上に蒸着して第1撥水層を形成し、その上に特定のパーフルオロポリエーテル−ポリシロキサン共重合体変性シランと溶媒を含有する浸漬材料に浸漬して第2撥水層を形成することにより、2層からなる撥水膜を形成する光学部材の製造方法。 (もっと読む)


第1の銀含有金属窒化物被覆を有する、ヒト体内組織と接触した状態で使用するための金属製生物医学的物品、好ましくは、整形外科用インプラント、器具または道具、およびそれらを作製するための方法を提供する。
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【課題】本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、媒体ノイズを低減することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板の上方に設けられた中間層上に記録層を構成するグラニュラ磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、Co合金からなる複数の磁性粒子及び前記複数の磁性粒子を磁気的に分離する酸化物からなるグラニュラ磁性層をターゲットを用いたスパッタリングにより形成する工程を含み、前記ターゲットは、Co合金と、Si,Ti,Ta,Cr,W,Nbの酸化物からなるグループから選択された1以上の第1の酸化物と、第2の酸化物を構成するCo酸化物を含むように構成する。 (もっと読む)


【課題】所望とする量のGaやAlが、均一にドープされた状態にZnO膜が形成できるようにする。
【解決手段】ECRプラズマ源102とターゲット103とからなるECRスパッタ源と、RFマグネトロンプラズマ発生部104とターゲット105とからなるRFマグネトロンスパッタ源とを備え、ターゲット105の表面(スパッタされる面)の法線と基板Wの表面の法線とのなす角度が、60°以上90°未満にされている。ECRプラズマ源102からのプラズマが流れる方向を基板Wの法線方向としており、ターゲット105の表面の法線と、ECRプラズマ源102からのプラズマが流れる方向とのなす角度がθであり、これが60°以上90°未満にされている。 (もっと読む)


【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットはCo−Cr二元系合金相1の一部または全表面が薄い非磁性酸化物相2により包囲されている複合相3がPt相素地4中に均一分散している組織を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材と、その表面に形成された15〜40at%の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 (もっと読む)


【課題】耐割れ性に優れた光記録媒体の保護膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】AをSi,Cr,Al,Ce,Ti,Snの内の1種または2種以上とすると、ZrIn100−a−b−c(ただし、5原子%<a<23原子%、12原子%<b<35原子%、0<c<30原子%)からなる成分組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットであって、前記光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットに含まれるZrの90%以上がZrとInの複合酸化物相となってターゲット素地中に分散しており、前記ZrとInの複合酸化物相は、ZrIn100−x−y(ただし、20原子%<x<30原子%、10原子%<y<16原子%)からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


【課題】従来のAlCrN膜よりも耐摩耗性を向上させることが可能な切削工具用硬質皮膜の提供。
【解決手段】基材上に形成される硬質皮膜であって、第一皮膜層と第二皮膜層とを交互に各2層以上積層して成る第一多層皮膜層を含み、前記第一皮膜層は金属及び半金属成分が原子%で、Al(100−x−y−z)Cr(x)(y)(z)(ただし、20≦x≦40,2≦y≦15,5≦z≦15)で表され、非金属元素としてNを含むと共に、不可避不純物を含むものであり、前記第二皮膜層は金属及び半金属成分が原子%で、Al(100−u−v−w)Cr(u)(v)(w)(ただし、20≦u≦40,0≦v≦5,0≦w≦5)で表され、非金属元素としてNを含むと共に、不可避不純物を含むものであり、yとvとがy≧vの関係を満たし、更に、zとwとがz−5≧wの関係を満たす硬質皮膜。 (もっと読む)


【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比(μ”/μ’)が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板12と、この基板12上に形成され、長手方向が基板12の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相14と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相16とから成る複合磁性膜18を備え、磁性相14が非晶質であり、基板12の表面に平行な面内の最小異方性磁界をHk1、最大異方性磁界をHk2とする場合に、Hk2/Hk1≧3、Hk2≧3.98×10A/mの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料10およびこれを用いたアンテナ装置。 (もっと読む)


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