【課題】従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．３≦ａ≦０．７、０．３≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｄＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．０５≦ａ≦０．４、０．１≦ｄ≦０．８５、０≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｄ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２満たすことを特徴とする硬質皮膜（ａ，ｄ，ｂ，ｃはＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの原子比を示し、ｘはＯの原子比を示す）。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れ、苛酷な使用環境でも硼化物皮膜が剥離しないよう、高い密着強度を有した状態で被覆した被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、前記硬質皮膜は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒから選択される１種以上の元素の硼化物であって、六方晶の結晶構造であり、前記中間皮膜は、ＡｌｘＭｙからなる窒化物又は炭窒化物（但し、ｘ、ｙは原子比を示し、ｘ＋ｙ＝１００、かつ、４０≦ｘ≦９５、かつ、５≦ｙ≦６０、ＭはＴｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂから選択される１種以上）であり、前記基材側が立方晶の結晶構造、前記硬質皮膜側が六方晶の結晶構造である耐摩耗性に優れる被覆工具。硬質皮膜は、Ｔｉの硼化物であることが好ましい。中間皮膜は、基材側から硬質皮膜側に向けてＡｌの含有量が増加することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れたペロブスカイト構造の中間薄膜を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に直接あるいは下地層を介し積層された中間薄膜と酸化物超電導層とを具備する酸化物超電導導体であって、前記中間薄膜が、粒子堆積により基材上にあるいは基材上に下地層を介し中間薄膜を形成する際、基材上方の成膜面に対し斜め方向からアシストイオンビームを照射しつつ成膜するイオンビームアシスト成膜法により形成されたペロブスカイト型酸化物の中間薄膜であって、該中間薄膜を構成する複数の結晶の結晶軸のうち２軸が配向され、これら結晶の配向度を示す正極点図において４回対称性を示す中間薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子の電気的特性を安定的に得ることができ、金属箔と金属箔上に配置される電気抵抗層との間の剥離を抑制可能で、且つ高いシート抵抗値を実現可能な電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さＲｚが１μｍ以下であり、イオンビーム強度が０．７０〜２．１０ｓｅｃ・Ｗ／ｃｍ²のイオンビーム照射により処理された表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜材料であるＤｙ、Ｔｂを有効に利用しつつ、所定形状鉄−ホウ素−希土類系の磁石の表面に高速で成膜させて生産性が向上し、低コストで永久磁石を製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能な処理室２と、前記処理室内を加熱する加熱手段２３と、前記処理室内でバルク体たる金属蒸発材料と被処理物とをそれぞれ保持する保持手段６とを備え、前記処理室の減圧下で前記加熱手段を作動させ、少なくとも金属蒸発材料が蒸発する温度まで処理室を加熱して処理室内に金属蒸気雰囲気を形成し、前記金属蒸気雰囲気中の金属原子が、加熱されている被処理物表面に付着するように構成した。 （もっと読む）

【課題】切削性能、耐熱亀裂性、および寸法精度に優れた刃先交換型切削チップを提供する。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、少なくとも基材を含むものであって、該基材は、８．５〜１２．５質量％の鉄系金属と、０．２８〜１．１３質量％のＴａと、不可避不純物とを含み、かつ残部がＷＣである超硬合金からなり、該超硬合金の組織中のＷＣ粒子は、０．８〜２μｍの平均粒子径であり、基材の抗磁力をＨＣ（ｋＡ／ｍ）とし、基材に含まれるＣｏの質量％をＭ_Ｃｏ（質量％）とすると、下記式（Ｉ）を満たし、かつ超硬合金の組織中にＴａを主成分とする相が析出していないことを特徴とする。
−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋３１．７≧ＨＣ≧−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋２７．２ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムをチャネル材料とする金属／ゲルマニウムからなるソース／ドレイン構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体と金属とが接合してソース／ドレイン構造を形成する半導体素子において、ゲルマニウム（Ｇｅ）を３価元素（又は５価元素）でドーピングしたｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）をチャネル２の材料とし、当該ｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）の任意の結晶面における原子配置と同一の原子配置である結晶面を有する金属３を、前記同一の原子配置である結晶面で接合して界面を形成し、当該形成された界面を用いたソース／ドレイン構造を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ系合金などの硬質難削材の湿式切削加工において硬質被覆層が耐剥離性と耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の最表面に０．５〜３．４μｍの平均層厚を有するＴｉとＡｌの酸窒化物層、下部層に０．８〜４．０μｍの平均層厚を有するＴｉとＡｌの窒化物層を被覆してなる切削工具であって、酸窒化物層は表面から深さ方向に蛇行経路を持って分布する微細孔を有する多孔質形状を備え、酸窒化物層を表面から観察した際の微細孔に内接する円の直径を微細孔の孔径とした場合、微細孔の孔径は０．１〜１．５μｍであり、酸窒化物層の比表面積が０．４〜１．０ｍ^２／ｇであり、酸窒化物層を表面から観察した場合の基材上面積に対する前記微細孔開口部の面積比が０．０５〜０．３であることを特徴とする表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料の利用効率が高く、かつ大面積の基板に均一な厚みの薄膜を成膜できる真空蒸着装置及び薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
薄膜材料の蒸気を生成する蒸発源３１〜３６と、成膜対象物５１が配置される真空槽１１と、真空槽１１内を真空排気する真空排気装置１２と、蒸発源３１〜３６から蒸気が供給され、真空槽１１内に蒸気を放出させる放出装置２１とを有し、放出装置２１を移動させながら成膜対象物５１に蒸気を到達させ、成膜対象物５１の表面に薄膜を形成する真空蒸着装置１０ａであって、蒸発源３１〜３６を放出装置２１と一緒に移動させる移動装置１５を有する真空蒸着装置１０ａである。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、ＣＰＵ、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、ＣＰＵを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性および潤滑性を高度に両立した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、２以上の層を含み、該２以上の層のうち少なくとも一層は、ＭｏＮからなる第１化合物層であり、該第１化合物層は、基材側から厚み方向に非晶質領域と結晶質領域とをこの順に有し、非晶質領域は、非晶質からなり、結晶質領域は、六方晶構造からなり、第１化合物層の直下の層は、Ｍ_1-xＭｏ_xＮ_y（０．０１≦ｘ≦０．３、０．９５≦ｙ≦１．０５）からなる第２化合物層であり、Ｍは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、およびＶからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、第２化合物層は、立方晶構造を含む結晶構造からなり、かつ４２００ｍｇｆ／μｍ²以上の硬度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を精度良く蒸着させるとともに、蒸着材料のロスを抑制する。
【解決手段】真空処理室２０１内において、基板１００に対して蒸着材料を蒸着させて薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、内部に収容された蒸着材料を加熱し、発生した蒸着材料の蒸気を放出口２０４ａから基板１００へ向けて放出する第２蒸着源２０４と、第２蒸着源２０４に連結され、第２蒸着源２０４の内部で発生した蒸着材料の蒸気を導く導管２２０と、導管２２０を流れる蒸着材料の蒸気の流量を制御する流量制御バルブ２２１と、導管２２０を介して第２蒸着源２０４に連結されて、第２蒸着源２０４の内部で発生した蒸着材料の蒸気を回収する回収容器２３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等の工具において、耐摩耗性と摺動特性に優れる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でＳｉよりもＣが多く、組織に六方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ膜であり、該中間皮膜は、ＡｌｘＭｙからなる窒化物又は炭窒化物（但し、ｘ、ｙは原子比を示し、ｘ＋ｙ＝１００、かつ、４０≦ｘ≦９５、かつ、５≦ｙ≦６０、ＭはＴｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂから選択される１種以上）であり、該基材側が立方晶の結晶構造、該硬質皮膜側が六方晶の結晶構造である耐摩耗性と摺動特性に優れる被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板に対して、均一に共蒸着することのできる蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で基板Ｋ上に薄膜を蒸着形成する蒸着装置１０において、真空容器１内に、基板Ｋを搬送する搬送手段２と、基板Ｋの搬送方向と直交する直交方向に延在するよう搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して成膜材料を蒸気として噴出する線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、搬送方向に沿って並んで配され、基板Ｋに対して線状蒸着源３Ａ，３Ｂから噴出される成膜材料より低濃度な成膜材料を蒸気として噴出する複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、を備え、線状蒸着源３Ａ，３Ｂと、複数の点状蒸着源部４Ａ，４Ｂと、から噴出された蒸気により共蒸着が行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性及び耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、組成式：（Ｔｉ_1−αＡｌ_α）Ｎで表されるＴｉとＡｌの複合窒化物層、あるいは、組成式：（Ｔｉ_1−α−βＡｌ_αＭ_β）Ｎで表されるＴｉとＡｌとＭの複合窒化物層からなるＡ層（但し、Ｍは、Ｔｉを除く周期律表４ａ，５ａ，６ａ族の元素、Ｓｉ、Ｂ、Ｙのうちから選ばれた１種又は２種以上の添加成分を示し、原子比で、０．４５≦α≦０．７５、０．０１≦β≦０．２５）と組成式：（Ｃｒ_{１−ｘ―γ}Ｗ_ｘＡｇ_γ）Ｎ（但し、原子比で、０．０１≦Ｘ≦０．３０、０．０１≦Ｙ≦０．２０）を満足するＣｒとＷとＡｇの複合窒化物層からなるＢ層との２層構造または、Ａ層とＢ層との交互積層として構成する。 （もっと読む）

【課題】軟質難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＴｉ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ｔｉ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、１０〜１５ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径４０〜７０ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径３００〜６００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】耐付着性に優れる被覆金型およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に硬質皮膜を被覆した金型であって硬質皮膜はその金型基材側に被覆したＴｉまたはＴｉの窒化物、炭化物、炭窒化物の何れかからなるａ層と、金型表面側に被覆したＡｌ_ｘＣｒ_ｙＳｉ_ｚの窒化物（但し、ｘ、ｙ、ｚは原子比、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、ｘ＞ｙ、３≦ｚ＜２０）からなり硬度が３５ＧＰａ以上であるｂ層と、ａ層とｂ層の間に配置され、ａ層側からｂ層側に向かってＴｉ比率が減少するＴｉと、前記ａ層側から前記ｂ層側に向かって前記ｂ層のＳｉ比率に近づくように増加するＳｉとを含むＡｌ_ｖＣｒ_ｗの窒化物（但し、ｖ、ｗは原子比、ｖ＞ｗ）からなる中間層とを有し、
表面粗さがＲａ０．１μｍ以下、Ｒｚ０．８μｍ以下、ロックウエルを用いて押圧した場合に、圧痕の外周から径方向に生ずる剥離における最大サイズが５０μｍ以下である耐付着性に優れる被覆金型。 （もっと読む）