【課題】高い加熱効率を図ることができると共に、被加熱物の温度分布の均一化を図ることができる加熱処理制御装置および加熱処理制御方法を提供する。
【解決手段】オフラインＰＣ１０は、シミュレーションに必要な被加熱物Ｗのデータと電気炉１のデータとにより、被加熱物Ｗの内部を含む全体を均熱加熱するためのシミュレーションを行って、時間ごとの加熱温度を示す加熱温度データとして算出する。次に、制御用ＰＣ２０は、加熱温度データに応じて加熱手段の出力を制御する。このとき、温度センサからの測定温度データに基づいて推定変動温度データを算出し、この推定変動温度データに応じてヒーターＫを制御する。 （もっと読む）

【課題】工業炉における金属材料または金属ワークピースの熱処理に使用されるプロセスガスの調製方法であって、処理チャンバと調製チャンバ間に導かれたガスの分解反応が生じることなく、出力／入力モニターを介して、調製チャンバ内でこれらガスの最適調製を監視する方法および装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ１．１での熱処理後に、前記熱処理で消費された使用済みプロセスガスを調製チャンバ２．２へ供給するステップと、前記調製チャンバ2.2において、前記処理チャンバ１．１の温度とは独立した最大で約１２５０°Ｃまでの温度で、前記使用済みプロセスガスを再利用してプロセスガス３を調製するステップと、前記調製チャンバ２．２で調製された調製済みプロセスガスを、前記処理チャンバ１．１へ供給するステップと、前記処理チャンバ１．１で熱処理を行う前に、随意的に前記調製チャンバ２．２で反応ガスを生成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の面分布をより均一化できる加熱装置を提供する。
【解決手段】支持部３により支持されたウェハと対向して平面状に配設された複数の熱源が熱源部２に設けられており、前記熱源が配設される平面と平行な方向において熱源部２と支持部３とが相対的に変位するように、前記熱源部２を旋回運動させる機構部４を有する、前記熱源部２を前記支持部３に対して旋回させることで、各熱源の放射熱がウェハの面上において分散されるため、前記熱源部２と前記支持部３との相対位置が固定されている通常の加熱装置に比べて、ウェハ上における放射熱の面分布のばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材を処理するのに用いられるインライン設備に関する。
【解決手段】幾つかの用途では、当該設備は、ＰＶ電池又はモジュールのインライン製造において用いられる。幾つかの実施態様では、基材の熱処理のための複数の加熱技術を含む加熱システムが提供され、第１の加熱システムが基材の温度を所望の設定値に急速に上昇させるのに用いられ、第２の加熱システムが熱処理プロセス全体を通して基材を設定値の温度に維持するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】触媒活性化用の加熱器を熱処理用のもので共用でき、装置の大型化およびコスト増を抑制し得る熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理装置１Ａは、ワークＷが収容される熱処理炉２０、加熱器３２および送風機３３が設けられる空調部２３、並びに熱処理炉２０および空調部２３を連通する連通路２４，２５を有する断熱室２を備えている。この熱処理装置１Ａは、還流経路５および触媒６を備える。還流経路５は、空調部２３から流出した空気を、空調部２３における加熱器３２の設けられた位置よりも上流側の部分に戻すように構成される。触媒６は、ワークＷを熱処理する際にワークＷから発生する昇華物を分解するものである。触媒６は、空調部２３における加熱器３２の設けられた位置よりも下流側の部分に設けられる。 （もっと読む）

【課題】炉芯管内へ供給する雰囲気ガスで回転するガス流束を形成して雰囲気ガスに直進性を誘導させ、それにより、被処理物の近傍における雰囲気ガスの滞留を抑制するばかりでなく、乱流の発生を防止し、雰囲気ガス、発生ガスを炉芯管内に沿って排気口へ向け安定した流れで直進させて処理ムラの発生を防止する熱処理炉を提供する。
【解決手段】加熱手段３を有する炉本体１内に円筒状の炉芯管２を配置し、その炉芯管の一端部に雰囲気ガスの供給口５ａを、他端部に排気口７ａを設けた熱処理炉Ａにおいて、前記ガス供給口５ａの前位置に、供給されるガス流の乱流を抑制しながら雰囲気ガスを排気口方向へ誘導させる整流ファン１４を配設した。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の分布の均一性を確保しつつ、より高い温度で加熱できる加熱装置を提供する。
【解決手段】複数の棒状の赤外線ランプ１１が平面上に平行に配置され、この赤外線ランプ１１が配置される平面と対向する平面上に複数の棒状の赤外線ランプ１２が平行に配置されており、各赤外線ランプ１１，１２には、長手方向に等間隔に配置され、電気的に直列に接続された複数の同一長さの発熱部が含まれ、当該赤外線ランプ１１，１２が配置される平面に対して垂直な向から見た平面視において、当該赤外線ランプ１１，１２に含まれる複数の発熱部が規則的なパターンを構成し、平面上に均一に分布する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハ等の基板の熱処理工程の処理時間を短縮する。
【解決手段】 本願に係る熱処理方法は、加熱した上輻射板を熱処理炉外のサセプタに平置した基板の上面側に対向する位置まで移動させるとともに、加熱した下輻射板を熱処理炉外のサセプタに平置した基板の下面側に対向する位置まで移動させる工程と、上輻射板および下輻射板がそれぞれ基板の上下面側に対向した状態を維持して、上輻射板、下輻射板、サセプタおよび基板を一体に熱処理炉内に搬入する工程と、上輻射板および下輻射板がそれぞれ基板の上下面側に対向した状態を維持して、上輻射板、下輻射板、サセプタおよび基板を一体に熱処理炉内から搬出する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】直線状の連続式熱処理炉は、長手方向に広いスペースを必要とし、場所を確保する必要がある。また、断熱材の性能および構造に関して検討されたものはあるが、さらに熱効率の高い、省エネルギー炉を提供する。
【解決手段】ワークが炉内空間において搬送され連続的に処理される連続式熱処理炉１００であって、前記炉内空間には、前記ワークの搬送方向が略１８０度変わる折り返しが含まれている。また、前記折り返しより前の炉内空間１における側壁９と、前記折り返しより後の炉内空間２の側壁９が共有されているのがよい。 （もっと読む）

【課題】炉ハウジング（Ｉ．２，ＩＩ．２，ＩＩＩ．２）によって取り囲まれた筒状レトルト（Ｉ．３，ＩＩ．３，ＩＩＩ．３）を用いる金属加工品の熱処理のためのレトルト炉（Ｉ．１，ＩＩ．１，ＩＩＩ．１）の実際的な価値を増加させ、かつ使用可能性を増加させる。
【解決手段】第１の変形形態に従って装入物の重量がレトルト（Ｉ．３）に加わらないようにし、第２の変形形態に従って第２の循環装置（ＩＩ．１８．２）をレトルト（ＩＩ．３）の加熱素子（ＩＩ．６）に対して配置し、第３の変形形態に従ってレトルト（ＩＩＩ．３）の底部（ＩＩＩ．９）に第２の底部（ＩＩＩ．９．１）及び／または調整弁（ＩＩＩ．２０，ＩＩＩ．２１）を設ける。 （もっと読む）

【課題】安価で効率よく熱処理雰囲気ガスを発生させることができる方法及び装置並びに金属酸化物の熱処理方法を提供する。
【解決手段】炭化水素と空気とを混合して燃焼させることにより発生させた８００〜１３００℃の燃焼ガス中にアルコールを添加して熱分解させることにより、一酸化炭素及び水素を含む還元性熱処理雰囲気ガスを発生させる。発生した還元性熱処理雰囲気ガスは、ニッケル、コバルト、銅、鉄のいずれか一種の酸化物又は二種以上の酸化物が混合した混合酸化物の熱処理に使用する。 （もっと読む）

【課題】炉ハウジング（Ｉ．２，ＩＩ．２，ＩＩＩ．２）によって取り囲まれた筒状レトルト（Ｉ．３，ＩＩ．３，ＩＩＩ．３）を用いる金属加工品の熱処理のためのレトルト炉（Ｉ．１，ＩＩ．１，ＩＩＩ．１）の実際的な価値を増加させ、かつ使用可能性を増加させる。
【解決手段】第１の変形形態に従って装入物の重量がレトルト（Ｉ．３）に加わらないようにし、第２の変形形態に従って第２の循環装置（ＩＩ．１８．２）をレトルト（ＩＩ．３）の加熱素子（ＩＩ．６）に対して配置し、第３の変形形態に従ってレトルト（ＩＩＩ．３）の底部（ＩＩＩ．９）に第２の底部（ＩＩＩ．９．１）及び／または調整弁（ＩＩＩ．２０，ＩＩＩ．２１）を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の被接合部材相互をろう付接合して得た接合部材に対して、曲げ加工を施す場合に、接合部品のろう付部の割れを抑える。
【解決手段】 二枚の被接合板をろう付接合して接合部品を作製し（Ｓ２１）、この接合部品に対して一次曲げ加工（Ｓ２３）及び二次曲げ加工（Ｓ２４）を施して、曲げ加工品を製造する。一次曲げ加工（Ｓ２３）後で、二次曲げ加工（Ｓ２４）前には、接合部品に対して、ろう付部の拡散処理を行う熱処理（Ｓ２４）を実行する。 （もっと読む）

【課題】高価な触媒を用いない簡便かつ安価な構成や方法によって、酸化性ガスをほとんど含まず還元性ガスを少量含んだ無酸化性、還元性の雰囲気ガスを作製し、熱処理炉に供給する熱処理雰囲気ガスの供給装置および供給方法を提供する。
【解決手段】窒素発生装置１と、窒素供給量制御手段と、炭化水素供給装置２と、第１炭化水素供給量制御手段と、低温反応槽３と、を備え、１次処理として、窒素の供給量，炭化水素ガスの供給量および低温反応槽における反応温度が制御されるとともに、第２炭化水素供給量制御手段を備え、２次処理として、炭化水素ガスの供給量が制御される。 （もっと読む）

【解決手段】半導体基板の熱処理工程に用いる熱処理炉であって、両側端面に半導体基板の挿入及び取り出し可能な大きさの開口部を有する円筒状の炉心管を具備することを特徴とする熱処理炉。
【効果】本発明によれば、半導体の連続熱処理時の各バッチ間の待機時間を減少させ、生産性を向上することが可能となった。また、炉芯管の構造を単純な円筒状形状としたことで、ガス導入管部分の破損頻度が低下し、熱処理工程のランニングコストを削減することができた。 （もっと読む）

【課題】冷却室以外の他の処理室が冷却液で汚染されることを防止可能とする多室型熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理室を含む複数の処理室を備える多室型熱処理装置Ｓ１であって、液体粒子の潜熱により被処理物の冷却を行う前記熱処理室である冷却室３と、前記冷却室３と異なる他の処理室１，２と、前記冷却室３の乾燥を行う乾燥手段１１，１９とを備えており、前記乾燥手段１１，１９は、前記冷却室３内に熱風を供給する熱風供給装置１９を備える。 （もっと読む）

【課題】 加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体２０を備えた加熱装置である。側壁内層５０、側壁中層６０及び側壁外層７０で区切られた二つの空間が形成される。発熱体２０を取り付ける側壁内層５０と側壁中層６０との間の第一の空間Ｓ１には冷却媒体流通通路１４が形成される。側壁中層６０と側壁外層７０との間の第二の空間Ｓ２には断熱材６３が封入されている。 （もっと読む）

【課題】浸炭品質のバラつき度合の判定を容易にして浸炭品質の管理を容易に行うことができる真空浸炭の品質管理方法及び真空浸炭炉であり、また、浸炭品質の再現性を向上させ、浸炭品質のバラつきを少なくしてその均一性を確保できる真空浸炭炉を提供する。
【解決手段】処理品に要求される浸炭深さと表面炭素濃度に応じて、被処理品内部への炭素の拡散に基づいて、浸炭処理に必要な浸炭ガスの理論流量の時間変化を求め、該理論流量の時間変化に基づいて、この理論流量における浸炭反応により生じる水素の処理室内の全圧力に対する分圧比を理論水素分圧比とし、この理論水素分圧比の時間変化を求め、この理論水素分圧比の時間変化と、実際の浸炭処理時における処理室内の全圧力に対する水素分圧比の時間変化とを比較し、その近似度合に基づいて、同一操業バッチ内における浸炭品質のバラつき度合を判定する。 （もっと読む）

【課題】鋼板を部分的に異なる温度に加熱する際に、部分的に異なる温度に１回の加熱処理で同時に加熱できるようにする。
【解決手段】ブランク材に密着させられる平坦な加熱面（上面１２ｆ）を有するとともに、多数のシーズヒータ１８ａ〜１８ｍによってその加熱面が複数の加熱領域２０ａ、２０ｂ、・・・に区分して異なる加熱温度に加熱されるホットプレート１２により、その加熱面の複数の加熱領域２０ａ、２０ｂ、・・・の加熱温度に応じてブランク材を部分的に異なる温度に１回の加熱処理で同時に加熱することができる。これにより、例えばセンターピラー用の補強部材のように、ブランク材を部分的に焼き入れ硬化させるために部分的に異なる温度に加熱する場合に、その加熱処理を容易に且つ短時間で行うことができるとともに、一度に加熱するため温度管理が容易であり、高い精度で目的とする温度分布が得られる。 （もっと読む）

【課題】保持用ピースの破損、ピースホルダからの乖離、天井部付近での断熱不良を防止し、温度特性の均一化や寿命の向上を図る半導体製造装置用ヒータ支持装置を提供する。
【解決手段】被加熱体の周りにコイル状に形成された発熱体３１が配設され、鉛直方向に保持用ピース３２が多数連設され、該保持用ピース間に径方向に長い長円形状の空洞部３８が形成され、前記発熱体が前記空洞部を挿通し、前記保持用ピースを介して支持され、該保持用ピースの上面と下面のいずれか一方に、前記発熱体と交わる方向に嵌合凹部が形成されると共に、他方に前記嵌合凹部と嵌合可能な嵌合凸部が形成され、前記保持用ピースは前記嵌合凹部と前記嵌合凸部との嵌合を介して連設された。 （もっと読む）