【課題】層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】他の物体によって損傷、剥離、または亀裂を生じることなく、より粗野な処理、運送、および使用を可能にするよりよい緩衝を、半導体デバイスの金属化層に配置された低k誘電体層、ELK誘電体層、および／またはULK誘電体層の半導体ダイのコンタクトを形成するシステム、方法を提供する。
【解決手段】複数の誘電体層および導電層を含む基板１０１、複数の導電層の最上層１１５の１つと電気的に接続し、約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト１０５、および金属コンタクトと電気的に接続したコネクタを含む半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。
【解決手段】ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０重量ｐｐｂ以下である半導体用シール組成物に、２以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が２０００〜１０００００である樹脂を含有せしめ、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が１０ｎｍ以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させることが可能な成膜方法である。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内で被処理体Ｗの表面に対して薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスを用いて処理容器内でプラズマＣＶＤ法により薄膜としてチタンを含む金属膜８を形成する金属膜形成工程と、処理容器内で金属膜に対してアニール処理を行うアニール工程とを有する。これにより、シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのゲート電極上に第１の誘電体層を形成し、かつ金属層と接合したダマシン構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート電極上に第１の誘電体層を形成し、第１の誘電体層上にエッチストップ層を形成し、第１の誘電体層およびエッチストップ層を貫通する開口を形成し、トランジスタのソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）領域を露出し、開口内に、エッチストップ層の第１の上面と少なくとも部分的に実質的に同じ高さである表面を有する金属層を形成して、トランジスタのＳ／Ｄ領域に接触させ、さらに金属層と接合したダマシン構造を形成する。 （もっと読む）

半導体素子（例えば、フリップチップ）は、介在層によってドレインコンタクトから分離されたサブストレートを含む。前記介在層を通じて延びる前記素子の動作時において、トレンチ状のフィードスルー要素を用いて、前記ドレインコンタクトおよび前記サブストレートを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】素子の特性の変動を抑えること。
【解決手段】面方位が（１００）面のシリコン基板１の表面に、１ｎｍ以下の酸化膜１０を形成する。そして、この酸化膜１０の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が（１１１）面のアルミニウム膜２を形成する。そして、アルミニウム膜２の表面に、無電解めっき処理によりニッケルめっき層を形成する。また、アルミニウム膜２を形成した後、シリコン基板１とアルミニウム膜２とをシンタリングする際に、酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極周辺の寄生容量を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上に、その上部に絶縁膜を有するゲート電極を形成する。ゲート電極を形成した後、半導体基板とゲート電極を覆う第１シリコン酸化膜を形成する。第１シリコン酸化膜を形成した後、第１シリコン酸化膜を覆う第１シリコン窒化膜を形成する。第１シリコン窒化膜を形成した後、第１シリコン窒化膜を覆う第２シリコン酸化膜を形成する。第２シリコン酸化膜を形成した後、第２シリコン酸化膜をエッチングして、第２シリコン酸化膜をゲート電極の側壁部に残す。第２シリコン酸化膜をゲート電極の側壁部に残す工程の後、半導体基板に不純物拡散層を形成する。不純物拡散層を形成した後、第２シリコン酸化膜を除去する。第２シリコン酸化膜を除去した後、半導体基板を覆う第２シリコン窒化膜を形成する。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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半導体基板に集積された回路と、基板と、ヒートシンクとしての支持体と、基板および支持体をはんだ付けにより接続する熱伝導性接続部とを備えた電子モジュールを提案する。ここでは、基板で用いられる後面金属化部として、まず第１の厚いＡｕ層（２３）、ついでバリア層（２４）、最後に第２の薄いＡｕ層（２５）が堆積される。バリア層の材料は、はんだ付け過程において、第２のＡｕ層の領域のＡｕＳｎ液相のＳｎないしＡｕＳｎが第１のＡｕ層（２３）へ浸入することを阻止するように選定される。また、基板の貫通孔にも、後面金属化部の積層体が堆積される。ここで、第２のＡｕ層の表面は、バリア層から拡散する材料によって、はんだ付け材料に対する低減された濡れ性を有する。
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【課題】保護膜の亀裂や膜剥がれを防止する。
【解決手段】化合物半導体基板１上に少なくとも一層からなる下層配線２を形成し、化合物半導体基板１上に有機材料からなる層間膜３を堆積し、層間膜３上に金からなる上層配線５を形成し、層間膜３中に下層配線２と上層配線５とを接続するヴィア４を形成し、上層配線５の表面および層間膜３の表面の上にシリコン窒化膜からなる密着性向上用膜６を形成し、密着性向上用膜６上にシリコン酸化膜からなる熱膨張抑制膜７を形成し、熱膨張抑制膜７上にシリコン窒化膜からなる保護膜８を形成する。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスメカニカルおよび半導体デバイス特徴の前面側を保護する、耐傷性コーティングを、その使用方法とともに提供する。上記コーティングは、非感光性で、除去可能であり、高い処理温度に耐える。また、これらのコーティングは、デバイス設計において、別個のエッチング停止層を不要とする。上記コーティングは、溶媒系に溶解または分散した成分を含有する組成物から形成される。上記成分は、スチレンアクリロニトリル共重合体および芳香族スルホンポリマーからなる群から選択される。
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【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の欠けや割れが抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面１ａに、外周端部から内側に向かって所定の幅を有して外周端部に沿って延在するパッシベーション膜３を形成する。半導体基板１の外周端部を研削することにより、表面１ａおよび裏面１ｂと直交する外周端面１ｃを形成する。裏面１ｂを研削することにより、半導体基板１の厚みを所定の厚みにまで薄くする。研削された裏面を上方に向けた状態で、半導体基板１を回転させながら裏面上に混酸を吐出することにより、裏面にエッチング処理を施して破砕層を除去する。 （もっと読む）

【課題】薄膜であっても銅（Ｃｕ）原子の金属シリサイド膜などへの拡散を充分に安定して抑止でき、尚且つ、小さな接触抵抗をもたらす比抵抗の小さな銅（Ｃｕ）からコンタクトプラグを形成できるようにする。
【解決手段】 本発明のコンタクトプラグ１００は、半導体装置の絶縁膜１０４に設けられたコンタクトホール１０５に形成され、コンタクトホール１０５の底部に形成された金属シリサイド膜１０３と、コンタクトホール１０５内で金属シリサイド膜１０３上に形成された酸化マンガン膜１０６と、酸化マンガン膜１０６上に、コンタクトホール１０５を埋め込むように形成された銅プラグ層１０７と、を備え、酸化マンガン膜は非晶質からなる膜である、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。
【解決手段】極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。この前駆体を450℃以下で熱処理することで、Ti系バリア膜を有するCu系電極を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヒューズのカットばらつきを防ぐとともに腐食（酸化等も含む）を良好に防ぐ。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成されたヒューズ配線１１６と、少なくともヒューズ配線１１６の側壁を保護するように形成された耐湿性絶縁膜１２０と、を含む。耐湿性絶縁膜１２０は、ヒューズ配線１１６の上面には形成されていないか、またはヒューズ配線１１６の上面における積層方向の膜厚ｄ１がヒューズ配線１１６の側壁における積層方向に垂直な方向の膜厚ｄ２よりも薄くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン領域のＰＮ接合部とコンタクト間のリーク電流を抑制する。
【解決手段】半導体基板（１）と、半導体基板（１）に形成されたＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）構造（２）と、半導体基板（１）に形成され、ＳＴＩ構造（２）に隣接する拡散領域（１２）と、層間絶縁膜（１５）を貫通して拡散領域（１２）とＳＴＩ構造（２）とに到達する接続コンタクト（２０）と、拡散領域（１２）の側面と拡散領域（１２）の下の半導体基板（１）の側面に形成され、接続コンタクト（２０）と拡散領域（１２）の側面とを電気的に絶縁し、かつ、接続コンタクト（２０）と半導体基板（１）の側面とを電気的に絶縁する酸化膜（１９）とを具備する半導体装置を構成する。その半導体装置では、ＳＴＩ素子分離とソース／ドレイン領域のＰＮ接合部分の間のみに選択的に絶縁膜（酸化膜）を形成している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハが反るのを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）