【課題】ヒロックに対して４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層を塩素系ガスでプラズマエッチングする場合、フェンスと呼ばれる反応生成物が堆積した領域が生じる。フェンスの存在により、ＡｌＮｄ層をゲート電極としてＴＦＴを形成した場合、ゲート電極脇に電気的に不安定な領域ができることから、ＴＦＴの電気的特性が不安定になる場合があるという課題がある。
【解決手段】ＡｌＮｄ層２０３を層厚０．４５μｍ以上０．８μｍ以下、Ｎｄの含有量を０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下に形成した。この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線や電極をペーストから焼成して製造する電子部品や、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、酸化による電気抵抗増大を抑制でき、あるいは、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能で、マイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ガラスまたはガラスセラミックス部材と接する配線・電極・コンタクト部材、あるいはガラスまたはガラスセラミックスと共にペーストを形成し焼成して成る配線・電極・コンタクト部材を有する電子部品であって、Ｃｕ及びＡｌを含む合金粉末粒子から構成され、かつ、Ｃｕ及びＡｌを含む合金粉末粒子の表面が８０ｎｍ未満の酸化Ａｌ皮膜（Ａｌ₂Ｏ₃）で覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】基板１上に形成される表示デバイス用の反射電極２であって、前記反射電極は、０．０５〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＮｄを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｎｄ合金層２ａとＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂと、を有している。上記Ａｌ酸化物層は透明画素電極３と直接接続しており、前記Ａｌ酸化物層中のＯ原子数とＡｌ原子数との比である［Ｏ］／［Ａｌ］が、０．３０以下であり、前記Ａｌ酸化物層の最も薄い部分の厚みが、１０ｎｍ以下である。上記反射電極は、前記Ａｌ酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、前記透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、シリサイドを構成する金属のサイドウォールの直下への潜り込みの影響を低減する。
【解決手段】 シリコン基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の側壁に、第１絶縁膜による第１サイドウォールと、第１サイドウォール上にあって、第１絶縁膜とはエッチング特性の異なる第２絶縁膜による第２サイドウォールを形成する工程と、シリコン基板および第２サイドウォールを含む表面に金属をスパッタリングにより堆積させ、金属の一部をシリコン基板に侵入させる工程と、シリコン基板上に堆積した金属を除去する工程と、金属の除去工程の後に熱処理を行って、スパッタリングによってシリコン基板に侵入した金属とシリコン基板中のシリコン原子とを反応させてシリサイド層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】下層金属膜上の絶縁性保護膜に貫通部を形成した後の残渣処理を簡単かつ確実に行い、下層金属膜の露出面を良好な状態に維持することによって上層金属膜の形成を確実に行うこと。
【解決手段】ウェハ表面の下層金属膜上に絶縁性保護膜を形成する。その絶縁性保護膜上にマスクを形成し、このマスクを用いて絶縁性保護膜を選択的に除去して下層金属膜の一部を露出させる。薬液によるウェット処理を行ってマスクを除去する。その後、その露出した下層金属膜の表面に存在する残渣を酸素系プラズマ処理により除去する。酸素系プラズマ処理によって下層金属膜の露出面にできたダメージを、水素系プラズマ処理を行って取り除く。そして、下層金属膜の露出面上に上層金属膜をメッキ等により積層する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。
【解決手段】 下地層上に形成された絶縁膜を備えた層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、実効誘電率が３以下である。配線構造は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された金属とを備え、前記絶縁膜は、前記下地層上に形成され、表面が窒化されたフルオロカーボン膜を備えている。 （もっと読む）

【課題】集積回路の配線間に空隙を形成することにより、容量成分が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０２上に第１の絶縁材が堆積され、この上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材２３２が堆積される。上記第１および第２の絶縁層内に、導電線２１０がダマシン法により形成される。犠牲部分となる第１の絶縁材を除去するために第２の絶縁材が処理され開口部２３８が形成される。そして第１の絶縁材が除去されて、導電線間に空隙２４２が形成される。第２の絶縁材は、堆積時には不透過性であるが、処理後により透過性とし、これを介して犠牲部分を除去する。第２の絶縁材の処理はエッチングによる開口、あるいは熱感受性成分のアニールによる除去である。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板１００は、表裏を貫通する貫通孔１０４を有する基板１０２と、貫通孔１０４内に充填される金属材料を含む導通部１０６と、を備え、導通部１０６の一端は、導通部１０６の他端より面積重み付けした平均結晶粒径が大きい金属材料を少なくとも含む。また、導通部１０６は、結晶粒径が１３μｍ以上の金属材料を含む。 （もっと読む）

本方法は、例えば相互接続ラインを形成するために、薄い結晶（８）のシートを、基板（１）のトレンチに堆積される、このシートと同一のタイプであるが、アモルファスであるか小さな粒径である金属（６）に固定することを含む。焼鈍しは、このラインにシートの結晶構造を徐々に与える。結晶（８）が除去されると、高度の導電結晶ラインが得られる。それは、その粒径が非常に拡大されているからである。金属は、銅、銀及びアルミニウムから選択される。
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【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子下の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上に形成された配線層のうちの最上の配線層ＭＨは、アルミニウムからなる導体パターン３によって形成されたパッドＰＤ１を有し、パッドＰＤ１の下面には、下層から順に積層された第１バリア導体膜ｂｍ１および第２バリア導体膜ｂｍ２からなるバリア導体膜ＢＭａが配置されている。最上の配線層ＭＨの一つ下の第５配線層Ｍ５のうち、パッドＰＤ１のプローブ接触領域ＰＡと平面的に重なる領域には導体パターン３は配置されていない。また、第１バリア導体膜ｂｍ１はチタン、第２バリア導体膜ｂｍ２は窒化チタンをそれぞれ主体とする導体膜であり、第１バリア導体膜ｂｍ１の方が、第２バリア導体膜ｂｍ２よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハを貫く貫通電極でウエハ上のデバイスを接続し、ウエハを貼り合わせて高集積で高機能の半導体装置を製造するとき、貫通電極とウエハを絶縁分離する工程とバンプを形成する工程、バンプを接続する工程があった。これらの工程を省きチップを積層した半導体装置の原価を低減することが課題であった。
【解決手段】ウエハを貫くリング状の孔にシリコン酸化膜を埋め込み、これの中の貫通電極を形成することでウエハと貫通電極を絶縁分離した。この方法で工程数が少なくなった。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極を各チップ領域に形成した半導体ウェハを個々の半導体チップに個片化する際、個片化された半導体チップにクラックが発生することを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷＦの主面に接着テープＡＴを貼り付けた状態で、半導体ウェハＷＦの裏面に溝ＤＴを形成する。半導体ウェハＷＦの裏面に溝ＤＴを形成するには、半導体ウェハＷＦの裏面にレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を使用することにより、レジスト膜をパターニングする。レジスト膜のパターニングは、溝ＤＴを形成する領域にレジスト膜が残らないように行なわれる。そして、パターニングしたレジスト膜をマスクにしたドライエッチング技術により、半導体ウェハＷＦの所定領域に溝ＤＴを形成する。具体的に、ダイシングラインＤＬの近傍領域に溝ＤＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体又はガラス基板の下地基板１と、下地基板１上に形成された酸素含有Ｃｕ合金層２と、酸素含有Ｃｕ合金層２上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有する酸化物層３と、酸化物層３上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有するＣｕ合金層４と、Ｃｕ合金層４上に形成された、Ｃｕ導電層５とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄型化されたウェハにめっき処理をする際にウェハ裏面への金属析出やウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハを薄型化する工程１、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３を備えた半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】６００℃〜７００℃の高温であっても高い耐酸化性と低抵抗を両立し、かつ低コストで形成可能な配線材料を提供する。
【解決手段】基板上に形成される銅配線と、銅配線上に５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚で形成される５０重量％以上のアルミニウムを含有する銅合金薄膜と、を具備する配線部材を用いる。上記銅配線の膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下である。基板と銅配線の間には下地層が配置されている。配線部材の電気抵抗率は、４×１０^-6Ωcm以下である。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン・ゲート電極作成のためのエッチング処理時に、クランプによって覆われていたポリサイド層上の層間絶縁膜の膜剥がれが起こりにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１０上に、ポリシリコン膜２２０及びタングステン・シリサイド膜２１０をこの順に積層してポリサイド・ゲート電極２３０を形成する。ポリサイド・ゲート電極２３０を含む半導体基板１１０上に、Ｂ濃度が高濃度の下層ＢＰＳＧ膜１４０を第１の成膜速度ｖ１で形成する。下層ＢＰＳＧ膜１４０の上に、Ｂ濃度が下層ＢＰＳＧ膜１４０より低い低濃度の上層ＢＰＳＧ膜１２０を第２の成膜速度ｖ２で形成する。第２の成膜速度は前記第１の成膜速度未満である。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での絶縁膜の腐食を抑制して、絶縁不良を回避した半導体装置及びその製造方法を提供することことを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１上にエピタキシャル成長により第１絶縁膜１２が積層形成され、この第１絶縁膜１２上には、耐熱性の電極１３が選択的に形成され、この電極１３の上部には、シリカガラスを主成分とする層間絶縁膜１４が形成され、この層間絶縁膜１４の表面には絶縁バリア膜１５が形成され、この絶縁バリア膜１５の上には、Ａｌの配線１６が形成され、絶縁バリア膜１５は、絶縁性の窒化物、炭化物、窒化炭化物の単層膜、多層膜、または混合膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の表面に対するダメージを防ぎ、配線膜厚を均一に制御することにより、配線間ショート及び信頼性劣化を防止できるようにする。
【解決手段】半導体基板１０１の上に絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２の内部にイオン注入法によりイオン注入層１０３を形成し、絶縁膜１０２に少なくともイオン注入層１０３に達する深さの配線溝１０４を形成し、配線溝１０４に導電膜１０７Ａを形成し、絶縁膜１０２及び導電膜１０７Ａにおけるイオン注入層１０３よりも上に形成されている領域を除去する。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴにおいては、アルミニウム系ソース電極下のアルミニウム拡散バリア・メタル膜として、チタンおよび窒化チタンからなるチタン系バリア・メタル膜が広く使用されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、チタン系バリア・メタル膜を使用すると、ウエハの反りが増大して、ウエハ・ハンドリングが困難となり、ウエハ割れやウエハ欠け等の問題が不可避となることが明らかとなった。この傾向は、最小寸法が０．３５マクロ・メートル以下の製品において特に顕著である。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系メタル層と下層のシリコン系半導体層の間のバリア・メタル層として、タングステン系バリア・メタル膜（ＴｉＷ等のタングステンを主要な成分とする合金膜）をスパッタリング成膜によって形成する際、スパッタリング成膜チャンバの気圧を１．２パスカル以下とするものである。 （もっと読む）