【課題】認識パターンの位置の誤検出を抑制することで、製造効率の低下を抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】位置検出を行うための認識パターンＰ１，Ｐ２が形成された複数の半導体メモリチップ３を、回路パターンが形成された回路基板２上に、認識パターンが露出するように階段状に積層し、認識パターンの位置として予め登録された登録位置情報に基づいて認識パターンの位置を検出し、認識パターンの検出位置に基づいて回路基板と半導体メモリチップとにワイヤボンディングを行い、認識パターンの位置の検出は、１の認識パターンを検出して次の認識パターンを検出する場合に、１の認識パターンの検出位置情報と、次の認識パターンの登録位置情報との差分から検出基準位置を設定し、設定された検出基準位置に基づいて次の認識パターンを検出することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの接続構造の信頼性を確保し、かつワイヤ接続用の構造体に汎用性を持たせる。
【解決手段】中継部材１００は、少なくとも一部が平面視で半導体チップ２０とリード１４の間に位置しており、表面に複数の金属が互いに絶縁した状態で設けられている。第１ワイヤ４０及び第２ワイヤ３０の少なくとも一方は、他端３４，４４が中継部材１００の表面に位置する金属の少なくとも一つに接合している。また第１ワイヤ４０の他端４４と第２ワイヤ３０の他端３４は、中継部材１００のうち半導体チップ２０とリード１４の間に位置する部分で、互いに接合している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とパッケージとの線膨張係数差に起因して半導体素子の機能部に生じる応力を低減でき、且つ、アウトガスの発生を防止できる半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】シリコン基板の主表面側に機能部１２を形成した半導体素子１が、シリコン基板の裏面側をパッケージ２の実装面２２側として配置され、シリコン基板の裏面に直接接合されたＡｕバンプ３を介してパッケージ２の実装面２２に接合され、シリコン基板の主表面側のパッド１４がボンディングワイヤ４を介してパッケージ２の導体パターン２３と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子１３の特性が安定している撮像装置１を提供する。
【解決手段】第１の主面１１に形成された固体撮像素子１３と第２の主面１２に形成された固体撮像素子１３の外部端子１７とを有するデバイスチップ１０と、接続パッド３６を有する先端部３１と、９０度以上の角度に折り曲げられた屈曲部３２と、延設部３３と、からなり、先端部３１から屈曲部３２を介して延設部３３まで延設された配線層３５を有する配線板３０と、第２の主面１２に先端部３１を接着する接着層１６と、外部端子１７と接続パッド３６とを電気的に接続するワイヤボンディング配線４０と、を具備し、配線板３０がデバイスチップ１０の第２の主面の直上空間１０Ｓ内にある。 （もっと読む）

【課題】電源端子及びグランド端子をより少なくして、信号端子をより多く備えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の第１電極パッド１１を第１面に有する半導体チップ１０と、第１面上で、複数の第１電極パッド１１の各々と接触し、複数の第１電極パッド１１の各々を電気的に接続する第１配線テープ２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】電源・信号間の干渉および結合の抑制と、電源ノイズの抑制と、信号間の干渉・クロストークの抑制と、インピーダンス不連続による信号反射の抑制とを、全てバランスよく満たす低コストな高速デバイスを提供する。
【解決手段】信号用ボンディングワイヤ３１d、３１eと、グランド用ボンディングワイヤ３１b、３１gと、電源用ボンディングワイヤ３２a、３２c、３２f]とを、次のように配置する。すなわち、グランド用ボンディングワイヤまたは電源用ボンディングワイヤの一方が、信号用ボンディングワイヤと同じ第１の包絡面に含まれ、他方は別の第２の包絡面に含まれる。ここで、第２の包絡面に含まれるボンディングワイヤおよび信号用ボンディングワイヤの間の電磁結合が、第１の包絡面に含まれる２本のボンディングワイヤの間の電磁結合よりも小さくなるようにする配線構造。 （もっと読む）

マイクロ電子アセンブリ１００は、第１の面において露出するチップコンタクト１１２を有する半導体チップ１１０、１１１０と、チップ１１０、１１１０の面１２８、１２９と並置される基板１３０、１１３０とを含む。導電性結合素子１４４が第１のチップコンタクト１１２を基板の第１の基板コンタクト１３２、１１３２と電気的に接続することができ、第２の導電性結合素子１４６が第１のチップコンタクト１１２、１３２を第２の基板コンタクトと電気的に接続することができる。第１の結合素子１４４は第１のチップコンタクト１１２、２１２Ａに冶金学的に接合される第１の端部２４４Ａ、３４４Ａと、第１の基板コンタクトに冶金学的に接合される第２の端部２４４Ｂ、３４４Ｂとを有することができる。第２の結合素子の第１の端部２４６Ａ、３４６Ａは第１の結合素子２１２Ａに冶金学的に接合することができる。第２の結合素子は、第１のチップコンタクト１１２、２１２Ａ、１２１２又は基板コンタクト１３２、１１３２と接触する場合も、接触しない場合もある。第３の結合素子９４８を、基板コンタクト又はチップコンタクトに接合される第１の結合素子及び第２の結合素子の端部に接合することができる。一実施形態では、結合素子７４０は、第１のコンタクト７３２Ａにおいて接合される第１の端部７４２及び第２の端部７４６と、第２のコンタクト７１２Ａに接合される中央部７４４とを有する、ループ状接続を有することができる。 （もっと読む）

【課題】平置きタイプの半導体装置において、ワイヤボンディング不良の発生を抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２を、配線基板４０が有する複数のチップ搭載領域２０ａ上にそれぞれ液状の接着材ペースト１１ａを介して搭載する半導体装置の製造方法であって、配線基板４０を以下のようにする。すなわち、各デバイス領域４０ａ内で、並べて配置される複数のチップ搭載領域２０ａの間には、端子（ボンディングリード）２２を配置せず、配線基板４０を覆う絶縁膜２６に形成された溝部（ダム部）２６ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで適切にワイヤを被接合用パッドに接合できるワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】ボール形成工程の後、ツール１００の先端部から引き出されているボール形状の引き出し部４０ａを、表面が粗化された粗化部材２００に押し付けて、引き出し部４０ａが粗化部材２００に押し付けられた部位から潰れるように塑性変形させることにより、引き出し部４０ａの表面のうち粗化部材２００に押し付けられた部位を粗化する粗化工程を行い、その後、引き出し部４０ａの表面のうち粗化された部位を、被接合用パッド２１に押し当ててボンディング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの経路が所望の経路から外れてしまうことにより、隣り合うワイヤどうしが接触することを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、電極上に形成されたバンプ１０と、バンプ１０に一端が接続されたワイヤ１と、を有している。バンプ１０は、本体部１１と、本体部１１上に形成された複数の突起部１２と、を有している。ワイヤ１と、複数の突起部１２どうしの間に形成される谷間１３とが、平面視において重なっている。複数の突起部１２どうしの間に形成される谷間からのワイヤ１の脱落を抑制することができる。よって、ワイヤ１の経路が所望の経路から外れてしまうことにより隣り合うワイヤ１どうしが接触してしまうことを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】キャピラリーとワイヤーとの干渉・接触を避けながらボンディングパッドとフィンガーが接合される半導体素子及びそのワイヤーボンディング方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子１０は、ボンディングパッド１２を備えた矩形の半導体チップ１４とフィンガー１６を備えた矩形のリードフレームよりなる。ワイヤー２０により、それぞれのボンディングパッド１２とそれぞれのフィンガー１６は接合される。ワイヤーは、比較的短い第１のワイヤー群２０と、比較的長い第２のワイヤー群（図示せず）に振り分けられる。第１のワイヤー群２０のボンディングパッド側接合点は、半導体チップ１４の外縁に近い位置に、第２のワイヤー群のボンディングパッド側接合点は、半導体チップ１４の外縁から離れた位置にずれている。これにより、先行形成されたワイヤーとキャピラリーの干渉を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のフィルタ回路に高調波成分の周波数帯域に対応する共振回路部を設けて、所望周波数成分以外の高調波成分を、半導体装置を実装する実装基板を介して、ＧＮＤに落とす。このとき、高調波成分は、実装基板の寄生インダクタンス成分と、別の共振回路部とを介して、フィルタ回路に戻ってしまう。その結果、高調波成分において、設計値からリジェクション量が減少してしまう。
【解決手段】実装基板の寄生インダクタンスのうち、半導体装置の共振回路部のＧＮＤと別の共振回路部のＧＮＤとの間の寄生インダクタンス成分を大きく設けることによって、高調波成分のリジェクション量の低下を抑制し、寄生インダクタンスを含まない理想的な場合と同等のリジェクション量を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】銅からなるワイヤを用いたワイヤボンディングを行う半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置が有する半導体チップ１０の主面（第１主面）１０ａ上に形成されるパッド（電極パッド）１１上に、銅製のワイヤ３０の一方の端部（幅広部３０ｂ）を、バンプ３１を介して接合した構造とする。バンプ３１は、銅よりも硬度が低い金属材料である金からなり、バンプ３１の幅Ｗｃは、ワイヤ３０の幅広部３０ｂの幅Ｗｂよりも狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性に大きく影響をおよぼさず、かつ、ボールのつぶれ形状を一定形状に保つことができる半導体装置の製造方法、ボンディング装置を提供する。
【解決手段】ボンディング装置１は、ボール１２のボンディング条件を記憶した記憶部１３と、半導体素子Ｓに対して接触させキャピラリ１１のＺ軸における第一の位置を検出するとともに、キャピラリ１１先端のボール１２に対してボンディングした際のキャピラリ１１のＺ軸における第二の位置を検出する検出部１４と、検出部１４で検出した第一の位置と、第二の位置との差であるボール１２のつぶれ量およびボンディング時間を算出し、一定時間あたりのボール１２のつぶれ量を算出する算出部１５と、一定時間あたりのボール１２のつぶれ量が、所定の数値範囲外である場合にはボンディング条件を調整する第一調整部１６を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を大容量化しても、小型軽量且つ安価で耐久性・信頼性が十分確保可能なワイヤボンディング構造が得られるようにする。
【解決手段】ベース体Ｂ上に半導体素子Ｓとこれに電気的に接続すべき回路部品Ｃとが間隔をおいて設置、固定され、その半導体素子Ｓの電極部と回路部品Ｃとの間が、その間に渡って延びる導電性の金属ワイヤＷで結線された半導体装置におけるワイヤボンディング構造であって、ワイヤＷが、半導体素子Ｓの電極部表面に接合される一端部Ｗａと、回路部品Ｃの、前記電極部表面と高低差ΔＬのある表面に接合される他端部Ｗａ′と、その一端部Ｗａ及び他端部Ｗａ′間を一体に接続し少なくとも中間部が上方に凸に彎曲したループ部Ｗｍとを備え、前記高低差ΔＬが１〜５ｍｍの設定範囲内に、また前記ループ部Ｗｍのループ高さｈが２〜７ｍｍの設定範囲内にそれぞれ設定される。 （もっと読む）

【課題】パラジウムめっきされたリードフレームであっても良好なウェッジ接合性を確保でき、耐酸化性に優れた、銅又は銅合金を芯線とする半導体用ボンディングワイヤーを提供する。
【解決手段】銅又は銅合金から成る芯線と、該芯線の表面に、10〜200nmの厚さで形成されたパラジウムを含む被覆層と、該被覆層の表面に、3〜30nmの厚さで形成された銀とパラジウムとの合金層と、を有し、前記銀とパラジウムとの合金層中の銀の濃度が10体積%以上70体積%以下であることを特徴とする半導体用ボンディングワイヤー。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置においてスイッチング素子のオンオフ動作によって発生するコモンモードノイズを低減できるようにする。
【解決手段】上アーム側スイッチング素子（130）が搭載され、搭載された上アーム側スイッチング素子（130）の一方のドレイン（131）が接する上アーム側パターン配線（40）と、下アーム側スイッチング素子（140）のみが１つ搭載され、搭載された下アーム側スイッチング素子（140）の一方のソース（142）が接する複数の下アーム側パターン配線（50）とを設ける。また、各上アーム側スイッチング素子（130）のもう一方のソース（132）と複数の下アーム側パターン配線（50）とを上アーム側ワイヤ配線（70）で１対１に接続する。そして、下アーム側パターン配線（50）と電力出力端子（20）とを出力端子側ワイヤ配線（80）で１対１に接続する。 （もっと読む）

【課題】トランスファ・モールド法において、ボイドの発生を防止した半導体装置と製造方法を提供する。
【解決手段】以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：（ａ）チップ搭載面２０Ｘと、チップ搭載面に形成された複数の接続部３と、チップ搭載面とは反対側の裏面と、裏面に形成された複数の電極パッド５とを有する基板２０を準備する工程；（ｂ）主面と、主面に形成された複数のボンディングパッド１１と、複数のボンディングパッドと電気的に接続された集積回路と、主面とは反対側の裏面とを有する半導体チップ１０を、基板のチップ搭載面に搭載する工程；（ｃ）（ｂ）工程の後、基板のチップ搭載面および半導体チップを樹脂で封止する工程；ここで、（ｂ）工程の後、かつ、（ｃ）工程の前に、基板のチップ搭載面および半導体チップを、プラズマにより処理する。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体装置における信頼性の向上を図る。
【解決手段】多ピンのＢＧＡ９において、半導体チップ１と配線基板２とを電気的に接続する複数のワイヤ７が、短くかつ細くて内側に配置される複数の第１のワイヤ７ａと、第１のワイヤ７ａより長くかつ太い複数の第２のワイヤ７ｂとを有することで、樹脂モールディング時のレジンが細い第１のワイヤ７ａ間から流れ込むため、レジンによって空気が押し出されてボイドの形成を抑えることができ、多ピンのＢＧＡ９の信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）