【課題】薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体素子を搭載する毎に加圧状態で加熱して仮接合を行い、全ての半導体素子を仮接合した後、一括して加圧状態で加熱して本接合を行うことにより、薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制して積層することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣｕまたはＣｕ合金からなる通電部材（電極端子）に、Ｃｕ成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材１上に、ピンホール７を有する置換Ｓｎめっき皮膜５と、電解Ｎｉめっき皮膜４と、電解Ｐｄめっき皮膜３と、電解Ａｕめっき皮膜２と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、コストに優れた、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子をフリップチップ実装する配線基板の最上層の導体回路上に、複数の金属ポスト形成用のソルダーレジスト開口を有するソルダーレジスト層を設け、シード層（無電解金属めっき）を形成し、ソルダーレジスト開口と対応する位置にレジスト開口が形成されたドライフィルムレジスト層を形成し、電解金属めっきで金属ポストを形成した後、前記開口内に前記ドライフィルムレジスト層の表面と同等の高さまではんだペーストを充填する工程を含む。はんだを形成する手法として採用されていた電解めっき工法に替わり、はんだペーストの充填（印刷）手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続されて構成される半導体装置などのように、はんだを用いた電極どうしの電気的接続が行われる電子装置においても、チップなどの電子部品の回路、又は、配線基板の回路を変更する以外の手法で、電子部品の電極の接続先を切り替える。
【解決手段】電子装置（例えば、半導体装置１００）は、複数の第１電極２１０を一方の面上に有する配線基板２００と、複数の第１電極２１０とそれぞれ対応して配置された複数の第２電極３１０を一方の面上に有する電子部品（例えば、チップ３００）を有する。第１電極２１０のうちの少なくとも１つ以上は、複数の分割部分２２１、２２２に分割された特定電極２２０であり、分割部分２２１、２２２が、各々異なる配線２５１、２５２に接続されている。分割部分２２１、２２２のうちの何れか１つ以上が、対応する第２電極３１０とはんだ１１０を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａをそれぞれ含む８つの内側トレイ１６ａを有し且つ各配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は全ての内側トレイ１６ａを収容し、複数の下部ステージ２８の各々はチャンバ２７内において複数の内側トレイ１６ａの各々を載置し、複数のチャック２９の各々は、チャンバ２７内において、配置面１６ａａに配置された積層チップ２１の各々と一対一で対応して配設され、各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９が各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９の間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、（B）硬化剤及び（C）無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ（D）硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数ｎ_１及びｎ_２（ｎ_１／ｎ_２＜０．５）で測定した粘度比η_１/η_２すなわちチキソトロピック指数が、０．８より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプ表面の酸化膜を良好に除去しつつ、半導体素子の反り等を防止し、はんだバンプの接続性向上を可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ５との間の隙間をスペーサ突起４により保持しつつ、第２の半導体チップ５のはんだバンプ３と第１の半導体チップ２の金属電極１とを仮固定する。次いで、仮固定された積層体を、荷重を負荷しながらギ酸等のカルボン酸ガス雰囲気で加熱し、はんだバンプ３表面の酸化膜を還元・除去しつつはんだバンプ３の接合を行う。 （もっと読む）

【課題】表面実装技術において、フラックスの洗浄工程を不要とし、製造コストの削減、生産性を向上させ、硬化後の塗布樹脂及びアンダーフィル樹脂等に気泡やボイド等が全く生じない活性樹脂組成物の提供。
【解決手段】プリント配線基板１表面の少なくとも一部に下記活性樹脂組成物３を塗布し、表面実装部品４をプリント配線基板１上に搭載し、リフロー半田付けを行い、アンダーフィル樹脂１１を充填し、その後、塗布樹脂３及びアンダーフィル樹脂１１を加熱硬化する表面実装技術であって、アンダーフィル樹脂１１の充填前及び／又は後に、真空操作及び／又は塗布樹脂３とアンダーフィル樹脂１１の何れの硬化温度よりも低い温度での加熱を行う。活性樹脂組成物３は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、ブロックカルボン酸化合物１〜５０重量部カルボン酸化合物１〜１０重量部、並びに硬化反応開始温度１５０℃以上の硬化剤１〜３０重量部を含有する。 （もっと読む）

【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ基板の製造方法は、接続パッド１０３を有するベース基板を準備する段階と、ベース基板上に、ポリイミドを含む保護層１０６および金属層を積層する段階と、金属層および保護層にオープン部を形成して接続パッドを露出させる段階と、オープン部にポストバンプ１１５を形成する段階と、金属層を除去する段階とを含んでなるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを実装基板から取り外すリペアが容易であって、半導体パッケージと実装基板との接続部の耐衝撃性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子４が接続された半導体パッケージ１と、実装基板２とがはんだバンプ３を介して電気的及び機械的に接続されてなり、半導体パッケージ１は、半導体素子４が接続されるとともに実装基板２と接続される半導体パッケージ用配線板５を有し、半導体パッケージ用配線板５に形成された電極パッド２２のコア層１１側には第１応力緩和層２１が配置されており、実装基板２に形成された電極パッド３３の層間絶縁層３１側には第２応力緩和層３４が配置されており、第１応力緩和層２１の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下であり、第２応力緩和層３４の２５℃の弾性率が３ＧＰａ以下かつ第２応力緩和層３４の平面方向の２５℃の熱膨張係数が８×１０^-6／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】従来の方法に比べて寿命予測精度が向上した電子装置の寿命予測方法およびそれに基づく電子装置の設計方法を確立することにある。
【解決手段】高温放置によるはんだ接合部の物性値の変化またははんだの疲労寿命の変化のどちらかを寿命予測に取り入れることによって寿命予測を行なうものである。前記はんだ接合部の物性値の変化またははんだの疲労寿命の変化は、熱処理温度及び熱処理時間との関係により求められるものである。そして、これらの変化を定式化して前記寿命予測に取り入れるものである。 （もっと読む）

【課題】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板において、ランド上へのはんだ塗布量のばらつきを抑制しつつ、はんだの接続信頼性を向上すること。
【解決手段】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板であって、絶縁基材の一面上に形成されたランドの側面と、ランドを外部に露出させる開口部を有して絶縁基材の一面上に形成されたソルダーレジストの開口部側壁面との対向領域に、ランドの側面及び開口部の側壁面に接しつつ絶縁基材の一面から所定の高さを有する固形状の充填部材を設けた。この充填部材は、はんだ付け時のリフローによって溶融され、且つ、ランドの表面に対する濡れ性が、はんだ付け時にランドの上面に配置されるはんだの溶融状態よりも低い樹脂材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】高周波回路チップ上の回路と、モジュールを構成する配線基板上の回路についてその相対位置を検出することによって、容易に実装状態が測定できる高周波モジュールおよび高周波モジュールの測定方法を提供する。
【解決手段】入出力端子６を備えた高周波回路チップ１と、高周波回路チップ１の入出力端子６を、バンプ５を介してフリップチップ接続する接続用パッド７を含む配線部を備えた配線基板２とを備えた高周波モジュールであって、入出力端子の２端子間に接続された、スパイラルインダクタ３ｓと、スパイラルインダクタ３ｓに対向する位置に配設され、接地電位に接続された検出用導体４ｄとを備え、接続用パッド間のインダクタンスを測定することによって、スパイラルインダクタ３ｓと検出用導体４ｄとの距離の変化に起因する入出力端子６と接続用パッド７間の距離の変化を測定可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、集積回路素子の電極パッドと、半田バンプとの接合強度の低下を防ぐ圧電装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の圧電装置１００は、素子搭載部材１１０と、素子搭載部材１１０に搭載されている圧電素子１２０と、素子搭載部材１１０の表面に形成されており、素子搭載領域１１８ａおよび引き回し領域１１８ｂを含んでいる金属パターン１１８と、半田バンプ１３２によって金属パターン１１８の素子搭載領域１１８ａに電気的に接続されている集積回路素子１３０とを備え、金属パターン１１８が素子搭載領域１１８ａと引き回し領域１１８ｂとの間に設けられた凸部１１９を有しており、凸部１１９の少なくとも表面部分が金属酸化物から成る。 （もっと読む）

【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ａｇ−Ｓｎ合金の焼結体よりなり、回路チップ２０側から基台１０側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が１以上の円錐形状をなす円錐部材４０であり、基台１０の一面１１に設けられたはんだ６０により、円錐部材４０の先端部４２側と基台１０とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体パッケージ基板及び半導体パッケージ基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によると、パッドが形成されたキャリア基板を準備する段階と、前記パッドの上部に絶縁層を形成する段階と、前記キャリア基板を除去する段階と、前記絶縁層及び前記パッドの上部に回路層を形成する段階と、前記パッドの一部をエッチングし、前記絶縁層の内部に開口部を形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低いリフロー温度で信頼性良く接合できる接合部を備えた半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子１１上に形成された第１電極１２と、基板２１上に形成された第２電極２２との上に、それぞれSn-Bi又はSn-Inを含むはんだ層１３、２３を形成し、これらのはんだ層１３、２３の間にSn-Ga合金ボール１４を、はんだ層１３、２３の融点よりも高く、且つSn-Ga合金ボール１４の融点よりも低い温度でリフロー接合する。リフロー接合の際にはんだ層１３、２３とSn-Ga合金ボール１４との界面にSn-Bi-Ga合金層１５又はSn-In-Ga合金層が形成され、Sn-Ga合金ボール１４からのGaを含む融液の拡散が阻止される。 （もっと読む）

【課題】対向する部材の端子間の接続および封止を同時に行うことができるダイシングテープ一体型接着シートを提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型接着シート１０は、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、前記支持体と前記被着体とを接着する接着フィルム３と、ダイシングテープ２とを含む積層構造を有し、前記接着フィルム３を前記支持体の第一の端子が形成された面に貼り付ける際の貼り付け温度をＴ［℃］、前記接着フィルム３に掛ける圧力をＰ［Ｐａ］、前記貼り付け温度における接着フィルム３の溶融粘度をη［Ｐａ・ｓ］としたとき、１．２×１０^３≦（Ｔ×Ｐ）／η≦１．５×１０^９の関係を満足し、前記貼り付け温度Ｔは、６０〜１５０℃、前記圧力Ｐは、０．２〜１．０ＭＰａ、前記貼り付け温度Ｔにおける接着フィルム３の溶融粘度ηは、０．１〜１００，０００Ｐａ・ｓである。 （もっと読む）

【課題】 低コストで製造でき且つ実装信頼性に優れたはんだ実装基板及びその製造方法、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】 はんだ実装基板１００は、銅を含む銅系金属層２０を備える配線２２及びはんだ実装部２１を少なくとも一方面に複数備え、配線２２及びはんだ実装部２１の銅系金属層２０が露出した領域に、銅と反応する官能基を少なくとも一つを有する有機化合物を反応させることにより、有機化合物からなる有機皮膜３０を形成する工程と、有機皮膜３０が形成されたはんだ実装部２１の該有機皮膜３０の一部を除去して開口３１を設けて、銅系金属層２０の一部を露出させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール３０は、セラミックス多層基板３００と、接合層３１０と、半導体素子３３０を備える。接合層３１０は、セラミックス多層基板１００側が平面状に形成されている薄膜層である。接合層３１０の絶縁接合部３１２は、半導体素子３３０側の端部からセラミックス多層基板３００側の端部に向けて先細な形状に形成されている。半導体素子１３０の実装時、半導体素子３３０の突状部３３５は窪み部３１６内に収められ、接合層３１０の導電接合部３１１と導通する。こうすれば、半導体素子３３０と接合層との接合面積を広く接合でき、多層基板と半導体素子との接合強度、絶縁性能を確保しつつ、半導体素子から多層基板への熱拡散性能を向上できる。 （もっと読む）