【課題】キャパシタを用いたサンプルホールド回路において、サンプリング時におけるキャパシタの充電状態をホールド状態とするためにオフされるべきスイッチにリーク電流が生じる。
【解決手段】サンプルホールド回路１０は、オペアンプ１２の反転入力端子ＩＮ₋に一方端を接続されたキャパシタＣ_１にサンプリング電圧に応じた電荷を蓄積する。その際、Ｃ_１のＩＮ₋側の端子はスイッチ回路１４を介して出力端子Ｖ_ＯＵＴに接続し、所定電位に設定する。ホールド状態ではスイッチ回路１４はオフされ、それが接続されたＣ_１の端子をフローティング状態とする。スイッチ回路１４は、ＩＮ₋とＶ_ＯＵＴとの間に直列に接続され同相でオン・オフされるＭＯＳトランジスタスイッチＳ_１１，Ｓ_１２と、それら相互の接続点と接地電位との間に接続されたキャパシタＣ_２とからなる。 （もっと読む）

【課題】高速なデータパターンの時のみ周波数特性を改善して、所望の振幅を得ることが可能な送信側ドライバ回路を提供する。
【解決手段】第１のプルアップ抵抗回路Ｐ４１、第３のプルアップ抵抗回路Ｐ４３、第１のプルダウン抵抗回路Ｎ４１、第３のプルダウン抵抗回路Ｎ４３の抵抗値を第１の制御信号（ＳＤＡＴＡＰ、ＳＤＡＴＡＭ、ＤＥＭＰＨＰＰ、ＤＥＭＰＨＭＮ、ＤＥＭＰＨＰＮ、ＤＥＭＰＨＭＰ）に応じて変化させ、第２のプルアップ抵抗回路Ｐ４２、第４のプルアップ抵抗回路Ｐ４４、第２のプルダウン抵抗回路Ｎ４２、第４のプルダウン抵抗回路Ｎ４４の抵抗値を第２の制御信号（ＥＭＰＨＰＰ、ＥＭＰＨＰＭＮ、ＥＭＰＨＰＮ、ＥＭＰＨＭＰ）に応じて変化させる （もっと読む）

【課題】 異常が発生した際に速やかに異常状態を知らせることができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】 電源１とリレースイッチ２との間に設けられリレースイッチ２に印加される電源１の電圧をオン／オフする第１のスイッチ手段３と、第１のスイッチ手段３を駆動する制御手段７とを備えた負荷駆動回路であって、第１のスイッチ手段３が所定温度に達した際に検出信号を出力する温度検出手段４と、制御手段７と第１のスイッチ手段３との間に設けられ、前記検出信号に基づいて第１のスイッチ手段３のオン／オフを切り替える第２のスイッチ手段５と、を備え、制御手段７は、前記検出信号を入力し、この検出信号に基づいて異常状態を判定処理し、異常状態であると判定した場合に、警報状態を伝達するように促す制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドＦＥＴスイッチとローサイドＦＥＴスイッチを備えたハーフブリッジ回路において、ゲート容量によるエネルギーロスを低減する。
【解決手段】ハーフブリッジ回路１０は、直列接続されたハイサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ１及びローサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ２と、両ＦＥＴスイッチの各ゲート容量を充放電して交互にオンオフするためのハーフブリッジドライバ１２とを備え、両ＦＥＴスイッチの接続点１１１に出力を発生する。ハーフブリッジドライバ１２は、ＦＥＴスイッチのゲート容量を充電するための電源ＶＧと、ＦＥＴスイッチがターンオフするとき、そのＦＥＴスイッチのゲート容量に充電されている電荷を放電し、そのエネルギーを電源ＶＧに回生するためのトランスＴＲ２、ＴＲ３とを備えた。これにより、ゲート容量によるエネルギーロスが低減され、ＦＥＴスイッチのスイッチング周波数が高周波であっても、発熱が防止され高効率となる。 （もっと読む）

【課題】使い勝手の良い単一チャネル型のバッファ回路を提案する。
【解決手段】単一チャネルの薄膜トランジスタで形成されるバッファ回路を、（ａ）第１及び第２の薄膜トランジスタの直列接続で構成される第１の出力段と、（ｂ）一方の主電極が第１の薄膜トランジスタの制御配線（第１の制御配線）に接続され、他方の主電極が第２の薄膜トランジスタの電源に接続され、制御電極が第２の制御配線に接続される第７の薄膜トランジスタと、（ｃ）一方の主電極が第２の薄膜トランジスタの制御配線（第２の制御配線）に接続され、他方の主電極が第２の薄膜トランジスタの電源に接続され、制御電極が第１の制御配線に接続される第８の薄膜トランジスタと、（ｄ）第１の出力段と並列に接続される第２の出力段の出力端が制御電極に接続され、一方の主電極が第１の制御配線に接続される第１１の薄膜トランジスタで構成される。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドＦＥＴスイッチとローサイドＦＥＴスイッチを備えたハーフブリッジ回路において、ゲート容量によるエネルギーロスを低減する。
【解決手段】ハーフブリッジ回路１０は、直列接続されたハイサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ１及びローサイドＦＥＴスイッチＦＥＴ２と、両ＦＥＴスイッチの各ゲート容量を充放電して交互にオンオフするためのハーフブリッジドライバ１２とを備え、両ＦＥＴスイッチの接続点１１１に出力を発生する。ハーフブリッジドライバ１２は、一方のＦＥＴ１がターンオフするとき、ＦＥＴ１のゲート容量に充電されている電荷を、トランスＴＲ３を介して、ターンオンする他方のＦＥＴ２のゲート容量に回生する。これにより、ゲート容量によるエネルギーロスが低減され、ＦＥＴスイッチのスイッチング周波数が高周波であっても、発熱が防止され高効率となる。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ保護回路を共通化してチップ面積を低減し且つＥＳＤ保護回路が故障しても保護される複数の被保護回路が同時に動作不能となることを回避する。
【解決手段】点火回路４とダイアグ回路５の各ノードを同一極性のダイオード１０〜１２を通して共通ノード３１に接続し、共通ノード３１とＥＳＤ保護回路６との間に切り離し回路２３を備える。ＥＳＤ保護回路６が短絡故障していないときには、ダイオード４１は非導通、分圧電圧Ｖｂ＞基準電圧Ｖｒとなり、ＦＥＴ３５がオフ、ＦＥＴ３４がオン可能となる。ＥＳＤ保護回路６が短絡故障すると、ダイオード４１は導通、分圧電圧Ｖｂ＜基準電圧Ｖｒとなり、ＦＥＴ３５がオン、ＦＥＴ３４がオフとなり、共通ノード３１とＥＳＤ保護回路６とを電気的に切り離す。 （もっと読む）

【課題】負荷短絡状態を検出することで、負荷短絡に起因する焼損を回避する。
【解決手段】半導体集積回路２０は、負荷２４に接続され、かつ負荷２４を介して電源Ｖｃｃを受ける端子Ｔ３と、電源Ｖｓｓを受ける端子Ｔ４と、電源Ｖｃｃを用いて、電源Ｖｒｅｇを生成するレギュレータ３０と、電源Ｖｒｅｇが供給されるセンサ２１からの検知信号に基づいて、電源Ｖｃｃを降下電圧Ｖｄｅｓ以下に設定するシャント回路３２と、シャント回路３２によるシャント動作時に、負荷２４が短絡したか否かを判定し、かつ負荷２４が短絡したと判定した場合に負荷２４が短絡したことを示す出力信号ＳＴＰを出力する保護回路３３とを含む。 （もっと読む）

電力モジュレータは複数の切換パルスジェネレータ部（２２）と、電源装置（１０）と、変圧器装置（３０）を含む。スイッチ制御部（２４）が上記複数の切換パルスジェネレータ部（２２）に接続され、それ等をターンオン及び／又はターンオフするための制御信号を供給する。スイッチ制御部（２４）は第１のサブセットの切換パルスジェネレータ部を第１の瞬時にターンオン及び／又はターンオフするための制御信号を供給し、第２のサブセットの切換パルスジェネレータ部を、第１の瞬時とは異なる第２の瞬時にターンオン及び／又はターンオフするための制御信号を供給するようになっている。第２のサブセットは第１のサブセットとは異なるものとする。
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【課題】信号遅延や不十分なノイズ除去の問題点の解決やコストを低減できる絶縁通信回路を提供する。
【解決手段】第１及び第２回路を有する第１絶縁回路６２＃１１と、第３及び第４回路を有する第２絶縁回路６２＃１２と、第１グランドに接続され、外部制御装置からの通信信号及びクロック信号に基づき、第１回路に信号を伝達する通信インターフェイスと、第２グランドに接続され、第１回路の出力に基づく第２回路の出力から通信信号を検出する二次側信号検出回路１０８＃１，１１０＃１と、第３及び第４回路間のコモンモード電流を検出する一次側ノイズ検出回路Ｒ２と、第２グランドに接続され、コモンモード電流に基づく第４回路の出力からコモンモードノイズを検出し信号を出力する二次側ノイズ検出回路１０８＃２，１１０＃２と、遅延時間調整回路１１２＃１，１１２＃２と、調整された通信信号をラッチする信号ラッチ回路１１６を備える。 （もっと読む）

【課題】高安全な鉄道信号制御システムに用いられるデジタル出力回路において、簡易な構成で、負荷に対して誤出力することがなく、任意のタイミングで実行可能な故障検知機能を提供する。
【解決手段】 本発明のデジタル出力回路は、２個の直列に接続されたスイッチ素子２及び３と、スイッチ素子２の出力端に接続された電圧検知回路４、スイッチ素子３の出力端に接続された電圧検知回路５及び直流電源６、スイッチ素子２、３の中間に接続されたダイオード７、負荷への逆電圧印加防止用ダイオード８とから成る。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を有する半導体集積回路装置において、プルダウン用半導体素子を確実に動作させてパワー半導体素子をオフ状態にすること。
【解決手段】プルダウン用トランジスタ２６のゲート端子と、ゲート信号を入力とするしきい値回路２５の間に、バッファ回路２９が設けられる。バッファ回路２９には、外部のバッテリー電源２３からパワー半導体素子２４の出力端子に印加される電圧が抵抗型素子２８を介して供給される。しきい値回路２５から出力されるオン信号のレベルがバッファ回路２９でプルダウン用トランジスタ２６のしきい値よりも高い電圧に変換されることによって、ゲート信号のレベルが低くても、プルダウン用トランジスタ２６が確実に動作し、パワー半導体素子２４がオフ状態となる。 （もっと読む）

【課題】送信バッファが出力をラッチすることによる処理の遅れを防止するとともに、シリアル通信を用いて必要なデータを確実に送信するハイサイドドライバを提供する。
【解決手段】直流電源５からリニアソレノイド７への電力供給経路に直列に接続されオン／オフ動作によりリニアソレノイド７に流れる電流を制御する半導体素子Ｑ１を有するハイサイドドライバ１０において、リニアソレノイド７に流れる電流を検出する電流検出回路１６と、半導体素子Ｑ１のオン／オフを制御する制御回路１４と、当該ハイサイドドライバ１０の状態又はリニアソレノイド７の状態を検出して状態信号を出力する状態検出回路１８と、状態信号をラッチして出力する第１送信バッファと、状態信号をラッチせずに出力する第２送信バッファと、状態信号をシリアルデータに変換して所定のタイミングで外部機器９に送信する送信シフトレジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外付け部品を要することなく、出力トランジスタのゲート電圧を適切にクランプすることが可能なゲート駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート駆動装置は、出力トランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを駆動するものであって、ゲート電圧ＶＧ（図１ではゲート電圧ＶＧの分圧電圧Ｖａ）と所定の閾値電圧Ｖｂとの高低関係を検出する電圧検出回路４１と、電圧検出回路４１の検出結果に基づいて出力トランジスタＴｒのゲートと電源電圧ＶＣＣの印加端との間を導通／遮断するスイッチ５１と、を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】異常高温の原因がスイッチング素子であっても、スイッチング素子ではなくても、スイッチング素子を異常な高温から保護することができる負荷駆動装置及び半導体素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子であるＦＥＴ３１〜３３の近傍の温度を検出する素子温度センサ４１の検出結果が所定温度を超えており、且つ、例えばＦＥＴ３１に対応する電流センサ５１の検出結果が所定電流値を超えているときは、異常高温の原因がＦＥＴ３１であるため、ＦＥＴ３１をオフにする。全てのＦＥＴ３１〜３３に対応する電流センサ５１〜５３の検出結果が所定電流値を超えていないときは、異常高温の原因がＦＥＴ３１〜３３ではないため、車両における重要度が低いリアフォグランプ６１に接続されているＦＥＴ３１をオフにする。ただし、既にＦＥＴ３１がオフにされている場合は、２番目に重要度が低いフォグランプ６２に接続されているＦＥＴ３２をオフにする。 （もっと読む）

【課題】使い勝手の良い単一チャネル型のバッファ回路を提案する。
【解決手段】絶縁基板上に単一チャネルの薄膜トランジスタで形成されるバッファ回路を、（ａ）第１及び第２の薄膜トランジスタが直列に接続された回路構成を有し、第１及び第２の薄膜トランジスタの接続中点を出力端とする第１の出力段と、（ｂ）第１の制御配線に制御電極が接続される第７の薄膜トランジスタと、第２の制御配線に制御電極が接続される第８の薄膜トランジスタが直列に接続された回路構成を有し、第７及び第８の薄膜トランジスタの接続中点に現れる電位を第３の制御配線に与える第２の出力段と、（ｃ）一方の主電極が第１の制御配線に接続され、制御電極が第３の制御配線に接続される回路構成を有し、出力端に出力パルスが現われている期間、セットパルスと同じ論理レベルの電位を第１の制御配線に印加する第９の薄膜トランジスタとで構成される。 （もっと読む）

【課題】従来の電源電圧監視回路は、電源電圧監視用のトランジスタのバイアス電流が常に流れるため、消費電力が大きかった。
【解決手段】本発明は、電源電圧を供給される定電圧生成回路と、一方の端子に定電圧生成回路からの出力を入力し、他方の端子に電源電圧を第1抵抗素子と第２抵抗素子とで分圧した電圧を入力するコンパレータを有する電源電圧監視回路であって、電源電圧端子とコンパレータの一方の端子間に設けられた第１スイッチと、電源電圧端子と第１抵抗素子と第２抵抗素子間のコンパレータの他方の端子と接続された第１ノード間に設けられた第２スイッチと、電源電圧が定電圧生成回路の最低動作電圧より低い低電圧期間に含まれる第１期間において、第１スイッチをオンにし、低電圧期間に含まれる第２期間において、第２スイッチをオフにする制御回路を有する電源電圧監視回路である。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、スイッチング素子の駆動回路及び電力変換装置の発熱抑制及びスイッチング時の信頼性の両立を実現することである。
【解決手段】
電圧駆動型のスイッチング素子用駆動装置であって、前記スイッチング素子のゲート電極に電気的に接続され、かつ該ゲート電極にゲート電圧を印加するための駆動回路部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧を検出する電圧検出部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧の変化率を検出する電圧変化率検出部と、前記電圧検出部の検出結果及び前記電圧変化率検出部による検出結果に基づいて、前記駆動回路部を制御し、前記ゲート電極に印加されるゲート電圧を変化させるように前記駆動回路部を制御する制御回路部と、を備えるスイッチング素子用駆動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を強制的に遮断する際、誘導負荷の大きさによらず所望のクランプ電圧で、精度よく誘導起電力の大きさを抑制する技術を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１（スイッチング素子）のゲート−コレクタ間に第１クランプ素子３が、ゲートに放電抵抗部１６が接続される。タイマー回路７は、ＩＧＢＴ１をオン状態に駆動するオン信号の入力が所定時間以上継続すると、Ｈレベルの信号をＮＭＯＳトランジスタ２６及びゲート駆動回路９に出力する。ゲート駆動回路９は、タイマー回路７からの信号に基づいてＩＧＢＴ１をオフ状態に駆動する。ＮＭＯＳトランジスタ２６は、タイマー回路７からの信号に応答して、選択的に第２クランプ素子２８をＩＧＢＴ１のゲート−コレクタ間に接続する。 （もっと読む）