【課題】温度変化などの環境の変化に伴う弾性波の伝播特性の変動の少ない弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、圧電基板１と、前記圧電基板上に設けられた櫛形電極２と、前記櫛形電極を覆い、アルゴンを含有する酸化ケイ素膜３と、前記酸化ケイ素膜上に設けられた酸化窒化ケイ素膜４と、を備え、前記酸化ケイ素膜の膜厚Ｈと前記圧電基板を伝播する弾性波の波長λはＨ／λ≧０．１５の関係を満たし、前記酸化窒化ケイ素膜の膜厚は３ｎｍ以上である構成を有する。 （もっと読む）

【課題】小型で、帯域内特性に優れる弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と複数の反射器電極と、前記複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続された第１の配線電極及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１の配線電極、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であって、前記第１の配線電極または前記第２の配線電極の少なくとも一方は、前記圧電基板の上に形成された電極パッドに接続され、前記圧電基板の上において、前記反射器電極を構成するストリップラインが前記ＩＤＴ電極の交差幅よりも短くなることで前記反射器電極が削除された領域を有し、前記電極パッドの一部は前記領域に配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波装置の耐電力性の向上を図ること。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電性単結晶基板１０と、上記圧電性単結晶基板上に形成された導電性材料からなる下地電極層２１と、この下地電極層上にエピタキシャル成長により形成されたアルミニウムを含有する主電極層２２と、により構成された交差指状の電極２０と、を備える。そして、上記電極２０は、上記主電極層２２上に形成された、当該主電極層及び上記下地電極層とは異なりアルミニウムよりも比重の大きい導電性材料からなる上部層２３を有する。 （もっと読む）

【課題】送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する弾性波分波器において、アイソレーション特性の改善を図る。
【解決手段】弾性波分波器１は、送信側フィルタチップ３０及び受信側フィルタチップ２０を備えている。受信側フィルタチップ２０は、受信側圧電基板２１と、受信側圧電基板２１上に形成されている受信側弾性波フィルタ部２３とを有する。送信側フィルタチップ３０は、送信側圧電基板３１と、送信側圧電基板３１上に形成されている送信側弾性波フィルタ部３３とを有する。受信側圧電基板２１の厚みＴ_Ｒｘが、送信側圧電基板３１の厚みＴ_Ｔｘよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスにおける横モードによる不要振動を低減する
【解決手段】弾性波デバイス１は、基板２と、基板２上に形成された誘電体膜４と、基板２と誘電体膜４との間に設けられるＩＤＴ電極３ａ、３ｂとを備える。基板２および誘電体膜４の少なくとも一方が圧電体であり、ＩＤＴ電極３ａ、３ｂは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指３ａ−２、３ｂ−２を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するＩＤＴ電極までの間のギャップ部において、誘電体膜４の膜厚が変化している。 （もっと読む）

【課題】フィルタの低損失化及び広帯域化を行う。
【解決手段】入力側の並列共振器Ｐ１１に対して並列にインダクタＬ１１が接続され、出力側の直列共振器Ｓ１２に対して並列にインダクタＬ１２が接続されている。インダクタＬ１１及びＬ１２は、それぞれ異なる経路上（直列共振器と並列共振器との間の経路上）に接続されている。このような構成とすることにより、入出力間においてインピーダンス整合を行うことができるので、低損失かつ広帯域のラダー型フィルタを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】所定の回路が構成された小型の半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上に形成された絶縁膜１０３ａ〜１０３ｃと、絶縁膜１０３ａ上に島状に形成され、トランジスタＴｒが形成されたシリコン層であるシリコン島領域１０３と、シリコン島領域１０３外に形成されたキャパシターＣを有する受動回路領域と、シリコン島領域１０３外かつ受動回路領域外に形成された電極パッドＰ１〜Ｐ５と、電極パッドＰ１〜Ｐ５上に搭載されたＳＡＷフィルターＳＡＷと、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ及び電極パッドＰ１〜Ｐ５を接続するための第２配線層１０４とを備え、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ、ＳＡＷフィルターＳＡＷ及び第２配線層１０４は、所定の回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の分割共振子の熱的ストレスを相対的に調整可能な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、第１、第２の分割共振子１３Ｅ、１３Ｆを含む共振子１１を有する。第１、第２の分割共振子１３Ｅ、１３Ｆは、それぞれＳＡＷ共振子により構成され、両者の間に分岐回路を有しない状態で互いに直列に接続されている。第２の分割共振子１３Ｆは第１の分割共振子１３Ｅよりも静電容量が大きい。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスチップ間のアイソレーション特性を向上させること。
【解決手段】基板１０と、前記基板上にフリップチップ実装された複数の弾性波デバイスチップ２０、２２と、前記複数の弾性波デバイスチップの一部の側面から前記基板までを金属を用い封止する封止部１８と、を具備し、前記複数の弾性波デバイスチップの内少なくとも１つにおいて、前記封止部に接する少なくとも１つの側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ２が、前記封止部に接しない側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ１より長いことを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】小型で、アイソレーションが良好なデュープレクサを実現する。
【解決手段】不平衡型の送信フィルタ３１と、平衡型の受信フィルタ３２と、送信フィルタ３１に接続されている送信ポート３３と、受信フィルタ３２に接続されている主受信ポート３４ａ及び副受信ポート３４ｂとを備えたデュープレクサにおいて、送信ポート３３と主受信ポート３４ａ及び副受信ポート３４ｂとの間に接続されている静電結合部３６を備えている。静電結合部３６は、送信ポート３３から主受信ポート３４ａへ流れる電力と、送信ポート３３から副受信ポート３４ｂへ流れる電力との位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器１１内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットＴをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットＴに対向して真空容器１１内に配置された基板ホルダ１５に取り付けられた基板Ｓに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ１５と真空容器１１の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Ｓの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性を改善することができる弾性波デュプレクサを提供する。
【解決手段】基板１２の主面１２ｓにフリップチップ実装された送信用弾性波フィルタ素子１４及び受信用弾性波フィルタ素子１４が、封止部１５ａで封止されている。封止部１５ａは、（ｉ）第１の誘電材料を用いて、基板１２の主面１２ｓに接するように形成された基部１６ａと、（ii）第１の誘電材料の誘電率よりも低い誘電率を有する第２の誘電材料を用いて、少なくとも、封止部１５ａのうち送信用弾性波フィルタ素子１４に関して基板１２とは反対側において送信用弾性波フィルタ素子１４に対向する領域と、封止部１５ａのうち受信用弾性波フィルタ素子１４に関して基板１２とは反対側において受信用弾性波フィルタ素子１４に対向する領域との一方の一部に形成された低誘電率部１８ａを含む。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性を改善することができる弾性波デュプレクサを提供する。
【解決手段】基板１２の主面１２ｓに、受信用弾性波フィルタ素子１４と送信用弾性波フィルタ素子１５とがフリップチップ実装される。基板１２の主面１２ｓ上に少なくとも一方の素子１４，１５を覆い、封止する封止部１６が設けられる。封止部１６は、受信用弾性波フィルタ素子１４に関して基板１２とは反対側において受信用弾性波フィルタ素子１４に対向する受信素子上領域１４ｋと、送信用弾性波フィルタ素子１５に関して基板とは反対側において送信用弾性波フィルタ素子１５に対向する送信素子上領域１５ｋとにおいて、厚みが異なる。 （もっと読む）

【課題】 コモンモードアイソレーションの高減衰量が確保されて、コモンモードアイソレーション特性に優れたデュプレクサを提供する。
【解決手段】 デュプレクサ１０は、第１ＳＡＷフィルタ部７を有し、且つアンテナ端子１と第１，第２平衡信号端子３ａ，３ｂとの間に配置される第２フィルタ６を備える。第１ＳＡＷフィルタ部７の中央ＩＤＴ電極７１は、基準接地端子４に接続される第１櫛歯状電極７１１と、第１平衡信号端子３ａに接続される第２櫛歯状電極７１２と、第２平衡信号端子３ｂに接続される第３櫛歯状電極７１３とを含む。第１ＳＡＷフィルタ部７の中央ＩＤＴ電極７１は、基準接地端子４に接続されることにより接地されている。 （もっと読む）

【課題】 回路基板と、回路基板に実装される弾性波素子とを備える弾性波装置であって、回路基板におけるインダクタパターンのインダクタンス値を安定にすることができ、安定した周波数特性を有する弾性波装置を提供する。
【解決手段】 弾性波装置１０は、回路基板１と、回路基板１に実装される弾性波素子２とを備える。そして、回路基板１において、回路基板内層１１Ｂに形成されるインダクタパターン１２１は、平面透視したときに、回路基板裏面１１Ｃに形成される第１接地パターン１１４ａの平行な２辺を横切って第１接地パターン１１４ａからはみ出すように形成された横断部１２１ａを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧電基板のクラックの発生を抑制し、弾性波デバイス及びこれを用いたフィルタ、デュプレクサの信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、圧電基板９と、圧電基板９の上に設けられたＩＤＴ電極１０と、圧電基板９の上にＩＤＴ電極１０を覆うように設けられた誘電体層１１と、誘電体層１１の上に設けられた応力緩和層１２と、ＩＤＴ電極１０と接続されると共に応力緩和層１２の上に引き出された引き出し電極１３と、引き出し電極１３の上に設けられたバンプ１４と、を備え、応力緩和層１２の弾性率は誘電体層１１の弾性率よりも小さい構成とする。 （もっと読む）

【課題】平衡型端子を有する弾性表面波フィルタに関して、バランス特性が劣化するという課題があった。
【解決手段】圧電基板（１０１）上に形成された複数のインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）とを備えた弾性表面波フィルタ素子であって、前記複数のＩＤＴ電極の内、少なくとも一つのＩＤＴ電極は平衡型端子に接続され、他のＩＤＴ電極は平衡型端子または不平衡型端子または接地電極に接続され、前記少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続された第１の配線電極手段は、前記他のＩＤＴ電極に接続された第２の配線電極手段と異なる平面上に配置されており、前記弾性表面波フィルタ素子は、前記第１の配線電極手段と前記第２の配線電極手段との間に保護膜（１９０２）を備えると共に、前記弾性表面波フィルタ素子の上方からみて、前記第１及び第２の配線電極手段は交差する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】銅（Ｃｕ）と同レベルの電気機械結合係数ｋ²及び反射率が得られる、アルミニウム（Ａｌ）電極を備えた弾性波素子を実現する。また、弾性波素子の製造プロセスを簡略化する。
【解決手段】圧電基板１１と、圧電基板１１上に配され、アルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金を含むＩＤＴ電極１２と、ＩＤＴ電極１２の電極間または電極間の上部に配され、アルミニウムよりも音速が遅い音速調整部材１４と、ＩＤＴ電極１２及び音速調整部材１４を被覆する絶縁膜１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】送信フィルタ、受信フィルタともに減衰域を確保し、且つ、十分な急峻性を実現する。
【解決手段】少なくとも一つの直列共振器と複数の並列共振器とを備えたフィルタであって、直列共振器及び並列共振器は励振電極と反射器とを備え、複数の並列共振器の共振周波数が互いに異なる場合、複数の並列共振器のうち最も高い共振周波数を有する並列共振器以外の並列共振器のうち少なくとも一つの並列共振器は、励振電極のピッチより狭いピッチを有する反射器を備えている。 （もっと読む）

【課題】直列分割型のＩＤＴ電極を用いた弾性表面波装置におけるフィルタ特性の改善を図る。
【解決手段】ＳＡＷ素子１２，１３がＩＤＴ電極１〜５を備えており、各ＩＤＴ電極は、中心バスバー電極と、一方の長辺に対して一端が接続され互いに間隔を空けて配置される複数の第１浮き電極と、他方の長辺に対して一端が接続され互いに間隔を空けて配列される複数の第２浮き電極と、第１浮き電極の間に位置するように配置された第１電極と、第２浮き電極の間に位置するように配置された第２電極とを備える。中心バスバー電極の中心線を境に第１浮き電極及び第１電極が配置された領域と、第２浮き電極及び第２電極が配置された領域において、ＩＤＴ電極の一方端から他方端にかけての電極指ピッチの変化の仕方を異ならせた構成とする。 （もっと読む）