説明

ダイボンダ及びボンディング方法

【課題】
本発明は、ダイが割れなかった場合、撓みの発生を判別できる信頼性の高いダイボンダを提供することである。
【解決手段】
本発明は、コレットでダイを吸着する吸着し、ダイが粘着されたダイシングテープを突き上げ、前記コレットで吸着され前記突き上げられた前記ダイを前記ダイシングテープから剥離して基板に装着し、剥離された前記ダイを基板にボンディングするダイボンダ又はボンディング方法において、前記突き上げ時の前記コレットと前記ダイとの隙間によるエアリーク流量の減少が正常の剥離と比べて所定量小さいことでダイの撓みを判別する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ダイボンダ及びボンディング方法に係わり、特に信頼性の高いダイボンダ及びボンディング方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ダイ(半導体チップ)(以下、単にダイという)を配線基板やリードフレームなどの基板に搭載してパッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウエハ(以下、単にウエハという)からダイを分割する工程と、分割したダイを基板上に搭載するダイボンディング工程とがある。
【0003】
ボンディング工程の中にはウエハから分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、これらダイをピックアップ装置に保持されたダイシングテープから1個ずつ剥離し、コレットと呼ばれる吸着治具を使って基板上に搬送する。
【0004】
剥離工程を実施する従来技術としては、例えば、特許文献1及び特許文献2に記載する技術がある。特許文献1では、ダイの4コーナーに設けた第1の突き上げピン群と、先端が第1の突き上げピンより低く、ダイの中央部または周辺部に設けた第2の突き上げピン群とをピンホルダーに装着し、ピンホルダーを上昇させることで剥離する技術が開示されている。
また、特許文献2では、ダイの中心部に行く程突き上げ高さを高くできる3つのブロックを設け、最も外側の外側ブロックの4コーナーに一体形成されダイのコーナー方向に突き出た突起を設け、3つのブロックを順次突き上げていく技術が開示されている。
【0005】
このような従来技術において、ダイをピックアップする際に、コレットへのエアリーク流量を監視してダイが割れたか割れていないのかを判断していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2002−184836号公報
【特許文献2】特開2007− 42996号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
近年、半導体装置の高密度実装を推進する目的で、パッケージの薄型化が進められている。特に、メモリカードの配線基板上に複数枚のダイを三次元的に実装する積層パッケージが実用化されている。このような積層パッケージを組み立てる際には、パッケージ厚の増加を防ぐために、ダイの厚さを20μm以下まで薄くすることが要求される。
【0008】
ダイが薄くなると、ダイシングテープの粘着力に比べてダイの剛性が極めて低くなり、ダイが割れる確率も従来に比べ高くなる虞があり、ダイが割れたかどうかを監視することは、特許文献1の第1、第2の高さの異なる多段突き上げピン方式にしろ、特許文献2の突起を有する多段ブロック方式にしろ、更に重要となる。
【0009】
しかしながら、従来技術では、ダイが割れなかった場合、撓みの発生を判別できず、特に撓み量が大きく製品として問題があっても検出できなかった。
【0010】
従って、本発明の目的は、ダイが割れなかった場合、撓みの発生を判別できる信頼性の高いダイボンダを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明は、上記の目的を達成するために、少なくとも下記の特徴を有する。
本発明は、コレットでダイを吸着する吸着し、ダイが粘着されたダイシングテープを突き上げ、前記コレットで吸着され前記突き上げられた前記ダイを前記ダイシングテープから剥離して基板に装着し、剥離された前記ダイを基板にボンディングするダイボンダ又はボンディング方法において、前記突き上げ時の前記コレットと前記ダイとの隙間によるエアリーク流量の減少が正常の剥離と比べて所定量小さいことでダイの撓みを判別する第1の判定を行うことを第1の特徴とする。
【0012】
また、本発明は、前記第1の判定は前記エアリーク流量の減少を微分値で見ることを第2の特徴とする。
さらに、本発明は、前記エアリーク流量が一定又はほぼ一定になることでダイの割れを判別する第2の判定を行うことを第3の特徴とする。
また、本発明は、前記第1の判定は、所定時間に前記エアリーク流量が第1の所定以下になるか、或いは前記エアリーク流量の減少が第2の所定以下であれば、前記たわみを前記正常の剥離と判別することを第4の特徴とする。
さらに、本発明は、前記突き上げは、前記ダイの周辺部のうちの所定部におけるダイシングテープを突き上げて剥離起点を形成し、前記剥離起点の形成時に前記撓みを判別することを第5の特徴とする。
【0013】
また、本発明は、前記ダイの4コーナー部分のうち少なくとも1つのコーナー部分に設けられた前記所定部で、前記剥離起点を形成することを第6の特徴とする。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、ダイをピックアップする際にダイが割れなかった場合、撓みの発生を判別できる信頼性の高いダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の一実施形態であるダイボンダを上から見た概念図である。
【図2】本発明の一実施形態であるピックアップ装置の外観斜視図を示す図である。
【図3】本発明の一実施形態であるピックアップ装置の主要部を示す概略断面図である。
【図4】本発明の第1の実施形態である突き上げユニットとボンドヘッドユニットのうちコレット部との構成を示した図である。
【図5】突き上げユニットの突き上げブロック部及び剥離起点形成ピンが存在する部分を上部から見た図である。
【図6】突き上げユニットによるピックアップ動作を示した図である。
【図7】本実施形態の突き上げ動作時における、ダイの正常な剥離、割れ及び撓みを弁別する原理を説明する図である。
【図8】本実施形態におけるピックアップ処理フローを示す図である。
【図9】図7に示す原理に基づき、ダイを突上げたときの正常な剥離、割れ、撓みを判別する処理フローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。
図1は本発明の実施形態であるダイボンダ10を上から見た概念図である。ダイボンダは大別してウエハ供給部1と、ワーク供給・搬送部2と、ダイボンディング部3とを有する。
【0017】
ワーク供給・搬送部2はスタックローダ21と、フレームフィーダ22と、アンローダ23とを有する。スタックローダ21によりフレームフィーダ22に供給されたワーク(リードフレーム等の基板或いは基板上に既に載置されたダイ)は、フレームフィーダ22上の2箇所の処理位置を介してアンローダ23に搬送される。
ダイボンディング部3は、プリフォーム部31とボンディングヘッド部32とを有する。プリフォーム部31は、フレームフィーダ22により搬送されてきたワークにダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部32は、ピックアップ装置12からダイをピックアップして上昇し、ダイを平行移動してフレームフィーダ22上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部32は、ダイを下降させダイ接着剤が塗布されたワーク上にボンディングする。
【0018】
ウエハ供給部1は、ウエハカセットリフタ11とピックアップ装置12とを有する。ウエハカセットリフタ11は、ウエハリングが充填されたウエハカセット(図示せず)を有し,順次ウエハリングをピックアップ装置12に供給する。
【0019】
上記実施形態では、ボンディングヘッド部32の図ボンディングヘッド35がダイをピックアップするタイプであるが、ボンディングヘッド35とは別にピックアップ専用のピックアップヘッドを設け、ピックアップヘッドでピックアップしたダイを所定に位置に載置し、載置したダイをボンディングヘッドでピックアップするタイプの実施形態でもよい。
【0020】
次に、図2および図3を用いてピックアップ装置12の構成を説明する。図2は、ピックアップ装置12の外観斜視図を示す図である。図3は、ピックアップ装置12の主要部を示す概略断面図である。図2、図3に示すように、ピックアップ装置12はウエハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウエハリング14に保持され複数のダイ(チップ)4が粘着されたダイシングテープ16を水平に位置決めする支持リング17と、支持リング17の内側に配置されダイ4を上方に突き上げるための突き上げユニット50とを有する。突き上げユニット50は、図示しない駆動機構によって、上下方向に移動するようになっており、水平方向にはピックアップ装置12が移動するようになっている。
【0021】
ピックアップ装置12は、ダイ4の突き上げ時に、ウエハリング14を保持しているエキスパンドリング15を下降させる。その結果、ウエハリング14に保持されているダイシングテープ16が引き伸ばされダイ4の間隔が広がり、突き上げユニット50によりダイ下方よりダイ4を突き上げ、ダイ4のピックアップ性を向上させている。なお、薄型化に伴い接着剤は液状からフィルム状となり、ウエハとダイシングテープ16との間にダイアタッチフィルム18と呼ばれるフィルム状の粘着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム18を有するウエハでは、ダイシングはウエハとダイアタッチフィルム18に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウエハとダイアタッチフィルム18をダイシングテープ16から剥離する。
【0022】
図4は、本発明の実施形態である突き上げユニット50と、ボンドヘッドユニット(図示せず)のうちコレット部40との構成を示した図である。図5は、突き上げユニットの突き上げブロック部及び剥離起点形成ピンが存在する部分を上部から見た図である。
【0023】
図4に示すようにコレット部40は、コレット42と、コレット42を保持するコレットホルダー41と、それぞれに設けられダイ4を吸着する為の吸引孔41v、42vとがある。
【0024】
一方、突き上げユニット50は、大別して、突き上げブロック部と、剥離起点形成ピン部と、突き上げブロック部と剥離起点形成ピン部を駆動する駆動部と、それらを保持するドーム本体58とを有する。突き上げブロック部はブロック本体59と、ブロック本体59に直結した内側ブロック54、1/2切替えバネ52bを介して内側ブロックの周囲に設けられ、ダイ4の外形より小さい外形を有する外側ブロック52とを有している。
剥離起点形成ピン部は、図5に示すように、外側ブロック52の4つのコーナーの外側、即ちダイの4隅にそれぞれ設けられた4本の剥離起点形成ピン51と、剥離起点形成ピンを保持し、上下に移動可能なピン上下リンク55と、56aを支点に回転しピン上下リンク55を上下させるピン駆動リンク56とを有する。
【0025】
駆動部は、モータによって上下に移動する駆動軸57と、駆動軸57の上下に伴い上下移動する作動体53とを有する。作動体53が下降すると、左右のピン駆動リンク56が回転し、ピン上下リンク55が上昇し、剥離起点形成ピン51を突き上げる。作動体53が上昇すると、ブロック本体を上昇させ、外側、内側ブロックを押し上げる。なお、ピン上下リンク55とピン駆動リンク56は、上述の説明によれば、作動体53の下降する動きを剥離起点形成ピン51の突き上げ(上昇)の動きに変える反転部を構成する。
【0026】
ドーム本体58の上部には、ダイ4を吸着し保持する多くの吸着孔58aを具備するドームヘッド58bを有する。図5ではブロック部の周囲に一列のみ示しているが、ピックアップ対象でないダイ4dを安定し保持するために複数列設けている。また、図5に示すように、内側ブロック54と外側ブック52との隙間54v、並びに外側ブロック52とドームヘッド58bとの隙間52vを吸引しダイシングテープ16をブッロク部に側に保持している。
【0027】
なお、以上説明した突き上げユニット50は、剥離起点形成ピン51を上昇後下降させたが、必ずしも下降させる必要はない。例えば、上昇して後述するように剥離起点形成後その位置を維持し、その後外側ブロック、内側ブロックを上昇させてもよい。
【0028】
次に、上述した構成よる突き上げユニット50によるピックアップ動作を図6を用いて説明する。図6は、ピックアップ動作におけるドームヘッド58b付近部とコレット部40の動作を示した図である。
まず、図6Aは、コレット40が下降し、突き上げユニット50のドームヘッド58bに着地した状態を示す。このとき、剥離起点形成ピン51、外側ブロック52、内側ブロック54がドームヘッド58bの表面と同一平面を形成している。ダイシングテープ16及びダイ4は前記平面上に安定した姿勢で載置されている。コレット42は、着地後、ドームヘッド58bの吸着孔58aと、ブロック間の隙間52v、54vとによってダイ4を吸着する。
【0029】
図6Bは、外側ブロック52の4コーナーに設けた剥離起点形成ピン51のみを数十μmから数百μm上昇させた状態を示す。剥離起点形成ピン51の上昇は、作動体53の下降によって、56aを支点にピン上下リンク56が回転し、その回転によってピン上下リンク55が上昇して行われる。剥離起点形成ピン51を上昇させると、剥離起点形成ピン51の周辺においてダイシングテープ16が盛り上がった突き上げ部分が形成され、ダイシングテープ16とダイアタッチフィルム18の間に微小な空間、即ち、即ち剥離起点51aができる。この空間によりダイシングテープ16をドームヘッド58bに維持しようとするアンカー効果、即ちダイ4にかかるストレスが大幅に低減し、次のステップにおける剥離動作を確実にできるようにする。剥離起点形成ピン51は上述したように微小な区間を形成できればよいので、突き上げピンは、例えば、径が700μm以下で先端が丸い形状でもフラット形状でもよい。なお、コレット42の鍔42tは、ダイの変形に合わせて、若干変形し、空気の流入を防いでいる。
【0030】
図6Cは、作動体53を上昇させ、剥離起点形成ピン51の位置を元の位置に戻し、外側ブロック52及び内側ブッロク54を共に上昇させた状態を示す。外側ブロック52及び内側ブッロク54の上昇は、作動体53をピン駆動リンク56から離間し更に上昇させることによって行われる。作動体53がピン駆動リンク56から離間すると、剥離起点形成ピン51は元の位置に戻り、その後の剥離動作に寄与しない。なお、剥離起点形成ピン51の位置を元の位置に戻らせずに、その状態を維持してもよい。
【0031】
図6Dは、更に作動体53を上昇させ、1/2切替えバネ52bの作用によって内側ブッロク54のみを上昇させた状態を示す。この状態では、ダイシングテープ16とダイ4との接触面積はコレットの上昇により剥離できる面積となり、コレット42の上昇によりダイ4を剥離する。
【0032】
以上説明したように、実施形態によれば、ダイ4の四隅に相当する位置に剥離起点形成ピン51を設け、剥離処理の当初に剥離起点形成ピン51を上昇させ、剥離の起点となる空間を形成することで、ダイ4にかかるストレスを低減でき、その後の外側ブロック52及び内側ブッロク54による剥離処理を確実に行なうことができる。
この結果、ピックアップミスを低減でき、信頼性の高いダイボンダまたはピックアップ方法を提供できる
以上説明した図6A乃至図6Dのダイの剥離処理では、剥離起点形成ピン51によってダイの剥離処理が確実できるようになったとはいえ、ダイの薄型化によって、図6B、図6C及び図6Dの突き上げ動作時にダイ4が割れたり、撓みが許容以上になったりしてダイを剥離できない場合がある。
【0033】
図7は、本実施形態の突き上げ動作時における、ダイの正常な剥離、割れ及び撓みを判別する原理を説明する図である。本実施形態における突き上げ動作は、剥離起点形成ピン51、外側ブロック52及び内側ブッロク54の上昇、及び内側ブッロク54の上昇の3段階で行なわれる。図7の上図は、剥離起点形成ピン51によるときにエアリーク流量の変化を示した図である。図7の下図は、剥離起点形成ピン51の上昇させている時間と、後述するダイの状態を1次判定、2次判定する時間範囲を示す。
【0034】
また、エアリーク流量値は異なるが、外側ブロック52及び内側ブッロク54の上昇、及び内側ブッロク54の上昇時においても同様な変化曲線を描き、剥離起点形成ピン51のときと同様に判別できる。
【0035】
図7の上図において、図6Aに示すように、コレット42をダイ上に着地させ、その後吸着を開始すると、コレット42がダイと密着しエアリーク流量Lは小さな流量に落ち着く。その後、図6Bに示すように、剥離起点形成ピン51を上昇させると、始めはコレット42の鍔42tの変形でエアリーク量Lは抑えられるが、その後ダイ4の端部の変形が進み、コレット42とダイ4の間に隙間ができ、剥離起点形成時間tdまで徐々にエアリーク流量Lは増える。
【0036】
その後、ダイシングテープの粘着力によりエアリーク流量Lは減少していく。このとき、ダイ4に割れもなく、撓みもなく或いは撓みが小さい正常な剥離が行なわれていれば、エアリーク量Lは破線で示すように、徐々に減少して、収束に向かう。
一方、エアリーク流量Lは減少していく過程で、割れが発生すると、一点鎖線で示すように、エアリーク量Lは、割れが発生した時点からあまり変化せず一定又はほぼ一定になる。発生確率は小さいが剥離起点形成される前に割れが発生した場合も、その時点からエアリーク量Lは一定又はほぼ一定になる。
さらにまた、ダイ4に撓みが発生すると、実線で示すように、その撓み量に応じてエアリーク流量Lの減少が緩和され、その減少が所定の以下であれば、正常なエアリーク流量Lに戻る。
【0037】
以上の現象解析から、エアリーク流量Lが上昇から減少に反転したときに、所定以上の減少曲線又は傾きを持って減少していけば、正常な剥離又は割れの可能性ありと判定し、所定以下の減少曲線又は傾きを持って減少していけば、撓みの発生と判定する。撓みが発生したとしても撓み量が所定の範囲に戻るまで監視し、戻ったならば、或いは撓み量の減少が所定以下の範囲であれば正常な状態に戻るとして、正常な剥離と判定する。前者は監視時間が長くなりピックアップ処理時間が長くなるが、正常に戻るダイ4を確実に補足できる利点がある。一方、後者は逆に、正常に戻るダイ4を見逃す可能性はあるが、ピックアップ処理時間は短くなる利点がある。この判定を一次判定という。一次判定を行なう期間は、図7では、剥離起点形成ピンの上昇開始時間から剥離起点形成後の所定時間後とする。
【0038】
次に、一次判定期間終了後、図7に示す2次判定期間内に、エアリーク量Lが一定又はほぼ一定になる、即ち割れが発生しているかの2次判定を行なう。そして、割れが発生していなければ、正常に剥離が行なわれたと判断する。また、仮に、剥離起点形成ピン51の上昇中に割れが発生したとしても、二次判定開始直後に割れを判定できる。
【0039】
一次、2次判定を行なうデータを処理する方法としては、エアリーク流量Lの微分値、或いは、微分値と意味合いは似ているが、多少時間を長くとって傾き値を、又は一定時間後の減少量或いは流量値を見るなどがある。要は、上述した現象を把握できるデータ処理であればよい。
【0040】
以下、微分値を例にとり説明する。ここで、微分値をΔBL(=ΔL/Δt)と表し、添え字jが実測値、添え字kが許容値、そして添え字1は一次判定許容値、添え字2はニ次判定許容値とすると、判定は以下となる。
一次判定
ΔBLj ≧ ΔBLk1:正常剥離又は割れ
ΔBLj < ΔBLk1:撓み
ニ次判定
ΔBLj ≧ ΔBLk2:正常剥離
ΔBLj < ΔBLk2:割れ
なお、従来はエアリーク流量の閾値をタイマー管理し割れを判別していたが、タイマー待ち分処理時間が長くなる。本実施形態によれば、早く、しかも割れ、撓みを判別できる。早く判別できることで、処理時間短くでき、スループットを向上できる。
【0041】
図8は、ピックアップ処理フローを示す図である。図9は、図7に示す原理に基づき、ダイを突上げたときの正常剥離、割れ、撓みを判別する処理フローを示す図で、図8に用いるサブルーチンである。
【0042】
まず、ダイシングテープ16をドームヘッド58bに吸着する(ステップ1)。次に、コレット42をダイ4上に着地させ、ダイ4を吸着する(ステップ2)。その後、剥離起点形成ピン51を上昇させ、剥離起点を形成する(ステップ3)。剥離起点を形成する処理と並行してステップ4では、正常剥離、割れ、撓みを判別する判定処理を行なう(ステップ4)。図9に示す判定処理では、まず、図7で説明した一次判定処理を行なう(ステップS1)。一次判定処理結果に基づき撓みと判別すれば(ステップS2)、その撓みが許容範囲かを判定する(ステップS3)。許容範囲であれば正常に剥離できるとして正常フラグを立てる(ステップS6)。許容範囲でなければあれば異常フラグを立てる(ステップS7)。
【0043】
ステップS2において、正常剥離又は割れと判別したならば、二次判定処理を行なう(ステップS4)。二次判定処理結果に基づき正常剥離と判別すれば(ステップS5)、正常フラグを立て(ステップS6)、メインルーティンに戻る。割れ判別すれば異常フラグを立て(ステップS7)、メインルーティンに戻る。
【0044】
メインルーティンに戻ると、正常フラグ、異常フラグに基づいて処理を継続できるかを判断する(ステップ5)。異常フラグであれば、装置を停止する(ステップ17)。正常であれば、外側ブロック52及び内側ブロック54共に上昇させ((ステップ6)、剥離起点を形成したときのステップ4、5及び17処理と同様にステップ7、8及び17を行なう。
【0045】
ステップ8において正常だと判断すれば、次に内側ブロック54を上昇させ(ステップ9)、剥離起点を形成したときのステップ4、5及び17処理と同様にステップ10、11及び17を行なう。
【0046】
ステップ11において正常だと判断すれば、コレット42を上昇させてダイ4をピックアップする(ステップ12)。その後、ダイシングテープの吸着を解除し(ステップ13)、外側ブロック及び内側ブロックを原点高さに戻す(ステップ14)。そして、次のダイの突き上げ位置に突き上げユニット50を移動させる(ステップ15)。そして、最後に所定数のダイを処理したかを判定し(ステップ16)、処理を終了させる。
【0047】
以上説明した本実施形態によれば、ダイをピックアップする際にダイが割れなかった場合、撓みの発生を判別できる信頼性の高いダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【0048】
また、以上説明し本実施形態によれば、撓みが発生しても、正常に状態に戻るダイを判別でき、歩留まり高いダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【0049】
さらに、以上説明し本実施形態によれば、早い時点で割れ、撓みを判別できるので、次の動作に移行を早くでき、その結果処理時間を短縮でき、スループットの短いダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【0050】
以上の実施形態では、剥離起点形成ピンで剥離起点を形成後、外側ブロック及び内側ブロックを上昇させていたが、特許文献1のように多くのピンで剥離するようなタイプにも応用できる。
【0051】
以上のように本発明の実施形態について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。
【符号の説明】
【0052】
1:ウエハ供給部 2:ワーク供給・搬送部
3:ダイボンディング部 4:ダイ(半導体チップ)
10:ダイボンダ 11:ウエハカセットリフタ
12:ピックアップ装置 14:ウエハリング
16:ダイシングテープ 18:ダイアタッチフィルム
32:ボンディングヘッド部 40:コレット部
41:コレットホルダー 41v:コレットホルダーにおける吸着孔
42:コレット 42v:コレットにおける吸着孔
42t:コレットの鍔 50:突き上げユニット
51:剥離起点形成ピン 51a:剥離起点
52:外側ブロック 52b:1/2切替えバネ
52v:外側ブロックとドームヘッドとの隙間
53:作動体 54:内側ブロック
54v:内側ブロックと外側ブックとの隙間
58:ドーム本体 58a:ドームヘッドにおける吸着孔
58b:ドームヘッド 59:ブロック本体
L:エアリーク流量

【特許請求の範囲】
【請求項1】
ダイを吸着するコレットと、
前記ダイが粘着されたダイシングテープを突き上げる突き上げユニットと、
前記コレットで吸着され前記突き上げられた前記ダイを前記ダイシングテープから剥離しピックアップするピックアップヘッドと、
ピックアップした前記ダイを基板にボンディングするボンディングヘッドと、
前記突き上げ時の前記コレットと前記ダイとの隙間によるエアリーク流量の減少が正常の剥離と比べて所定量小さいことでダイの撓みを判別する第1の判定手段と、
を有するダイボンダ。
【請求項2】
前記第1の判定手段は前記エアリーク流量の減少を微分値で見ることを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。
【請求項3】
前記エアリーク流量が一定又はほぼ一定になることでダイの割れを判別する第2の判定手段を有することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。
【請求項4】
前記第1の判定手段は、所定時間に前記エアリーク流量が第1の所定以下になるか、或いは前記エアリーク流量の減少が第2の所定以下であれば、前記たわみを前記正常の剥離と判別することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。
【請求項5】
前記突き上げユニットは、前記ダイの周辺部のうちの所定部におけるダイシングテープを突き上げて剥離起点を形成する剥離起点形成手段を有し、前記剥離起点の形成時に前記第1の判定手段を行なうことを特徴とする請求項1又は3に記載のダイボンダ。
【請求項6】
前記剥離起点形成手段は前記剥離起点を形成するピンを有し、前記所定部は前記ダイの4コーナー部分のうち少なくとも1つのコーナー部分に設けられていることを特徴とする請求項5に記載のダイボンダ。
【請求項7】
前記突き上げユニットは、前記周辺部の内側に前記ダイシングテープを平面で突き上げる内側ブロックと前記内側ブロックを囲む外側ブロックとを有し、前記内側ブロックと前記内側ブロックで、又は前記内側ブロックで前記突き上げ時に、前記第1の判定手段をおこなうことを特徴とする請求項6に記載のダイボンダ。
【請求項8】
前記ボンディングヘッドが前記ピックアップヘッドを兼ねることを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。
【請求項9】
コレットでダイを吸着する吸着ステップと、
ダイが粘着されたダイシングテープを突き上げる突き上げステップと、
前記コレットで吸着され前記突き上げられた前記ダイを前記ダイシングテープから剥離して基板に装着する剥離ステップと、
剥離された前記ダイを基板にボンディングするボンディングステップと、
前記突き上げ時の前記コレットと前記ダイとの隙間によるエアリーク流量の減少が正常の剥離と比べて所定量小さいことでダイの撓みを判別する第1の判定ステップと、
を有するボンディング方法。
【請求項10】
前記第1の判定ステップは前記エアリーク流量の減少を微分値で見ることを特徴とする請求項9に記載のボンディング方法。
【請求項11】
前記エアリーク流量が一定又はほぼ一定になることでダイの割れを判別する第2の判定ステップを有することを特徴とする請求項9に記載のボンディング方法。
【請求項12】
前記第1の判定ステップは、所定時間に前記エアリーク流量が第1の所定以下になるか、或いは前記エアリーク流量の減少が第2の所定以下であれば、前記たわみを前記正常の剥離と判別することを特徴とする請求項9に記載のボンディング方法。
【請求項13】
前記突き上げは、前記ダイの周辺部のうちの所定部におけるダイシングテープを突き上げて剥離起点を形成し、前記剥離起点の形成時に前記第1の判定ステップを行なうことを特徴とする請求項9又は11に記載のボンディング方法。
【請求項14】
前記ダイの4コーナー部分のうち少なくとも1つのコーナー部分に設けられた前記所定部で、前記剥離起点を形成することを特徴とする請求項11に記載のボンディング方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【公開番号】特開2013−65732(P2013−65732A)
【公開日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−203951(P2011−203951)
【出願日】平成23年9月19日(2011.9.19)
【出願人】(300022504)株式会社日立ハイテクインスツルメンツ (607)
【Fターム(参考)】