ハードディスク基板用洗浄剤
【課題】コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有し、（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比が０．０５〜１５、（Ａ）成分／［（Ａ）成分＋（Ｂ）成分＋（Ｃ）成分］で表される質量比が０．３５〜０．９５であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることよりなる。
【解決手段】（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有し、（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比が０．０５〜１５、（Ａ）成分／［（Ａ）成分＋（Ｂ）成分＋（Ｃ）成分］で表される質量比が０．３５〜０．９５であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることよりなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク基板用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスにおいては、微細な汚れが動作不良や性能低下を招きやすい。このため、半導体基板、ハードディスク基板、液晶パネル等に用いられるディスプレイ基板等の電子デバイス用基板に付着した汚れをほぼ完全に除去することが求められる。
【０００３】
洗浄対象とする電子デバイス用基板やこれに付着した汚れの種類に応じて、要求される清浄度を達成するため多様な精密洗浄技術が提案されている。
例えば、ハードディスク基板は、酸化セリウムやアルミナ等の研磨材で粗研磨した後、さらにコロイダルシリカ等の研磨材で仕上げ研磨を行うのが一般的である。
粗研磨後や仕上げ研磨後のハードディスク基板の表面には、研磨で生じた砥粒や研磨カスが残留するため、各研磨の後にこれらを除去する必要がある。
【０００４】
近年、研磨時間を短縮するため、ハードディスク基板の研磨には酸性の研磨スラリーが用いられる傾向にあり、この酸性の研磨スラリーを洗浄するためには酸性の洗浄剤が用いられる。酸性の洗浄剤は、ガラス製のハードディスク基板に対しては低エッチング性であり、アルミニウム製のハードディスク基板に対してはＮｉを高度に除去できるという利点がある。
【０００５】
従来、ハードディスク基板の洗浄に用いる酸性の洗浄剤として、様々な提案がされている。
例えば、粗研磨や仕上げ研磨で生じた砥粒や研磨カスを除去する洗浄剤として、リンゴ酸やクエン酸等の有機酸とキレート剤とを含有する水溶液が提案されている（例えば、特許文献１）。
また、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）と非イオン性界面活性剤とを、両者の質量比がＨＥＤＰ／界面活性剤＝１／２０〜１／５となるように含有する洗浄剤組成物が提案されている（例えば、特許文献２）。
あるいは、キレート剤としてヒドロキシカルボン酸又はホスホン酸と、界面活性剤とを含有し、洗浄液として使用される場合の有効成分濃度における２５℃でのｐＨが５未満である磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤が提案されている（例えば、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１７４４４２号公報
【特許文献２】特開２００７−２９１３２８号公報
【特許文献３】特開２００９−８７５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ハードディスクは、小型化や高容量化を図るために、ハードディスク基板の研磨工程において、基板の表面粗さや基板表面の微少うねりを低減したり、スクラッチ・ピットとよばれる傷等の表面欠陥を軽減したりすることが求められる。そして、ハードディスク基板に付着した砥粒や研磨カスを除去することがさらに重要となっている。
【０００８】
ガラス製ハードディスク基板を粗研磨する際には、研磨材として酸化セリウムが好適に用いられ、仕上げ研磨する際には、研磨材としてコロイダルシリカが好適に用いられる。この酸化セリウムやコロイダルシリカは、パーティクル（微粒子汚れ）として基板表面に付着しやすいため、基板上に残留しやすい。
加えて、酸性条件下では、コロイダルシリカや酸化セリウムの分散性が低下するために、ハードディスク基板にコロイダルシリカや酸化セリウムが付着しやすく、付着したコロイダルシリカや酸化セリウムを除去しにくいという問題があった。
また、特許文献１〜３に記載の洗浄剤組成物は、コロイダルシリカや酸化セリウムに対する洗浄力が満足できるものではなかった。
【０００９】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、鋭意検討した結果、ホスホン酸系キレート剤とアニオン界面活性剤とノニオン界面活性剤とを特定の比率で配合することで、コロイダルシリカや酸化セリウムに対して優れた洗浄力を発揮することを見出し、本発明に至った。
【００１１】
即ち、本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有し、（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比が０．０５〜１５、（Ａ）成分／［（Ａ）成分＋（Ｂ）成分＋（Ｃ）成分］で表される質量比が０．３５〜０．９５であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とする。
さらに、（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を目的とする。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（ハードディスク基板用洗浄剤）
本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有するものである。
【００１４】
＜（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤＞
（Ａ）成分はホスホン酸系キレート剤である。本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）成分を含有することで、コロイダルシリカ、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対する洗浄力が高まる。
【００１５】
（Ａ）成分としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（ＥＤＴＭＰ）及びこれらの塩等が挙げられる。これらホスホン酸の塩としては、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン又は水酸化テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。
（Ａ）成分としては、コロイダルシリカや酸化セリウムに対する洗浄力を高める観点からＨＥＤＰ又はその塩が好ましく、ＨＥＤＰがより好ましい。
【００１６】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ａ）成分の含有量は、０．５〜２０質量％が好ましく、２〜１０質量％がより好ましい。
上記下限値未満では、コロイダルシリカ及び酸化セリウムに対する洗浄力が不十分になるおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００１７】
＜（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤＞
（Ｂ）成分は、アニオン界面活性剤である。ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｂ）成分を含有することで、後述する（Ｃ）成分との相互作用により、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力を高められる。
【００１８】
（Ｂ）成分としては、従来公知のアニオン界面活性剤を用いることができ、例えば、アルカンスルホン酸又はその塩（アルカンスルホン酸（塩））、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩（アルキルベンゼンスルホン酸（塩））、α−オレフィンスルホン酸又はその塩（α−オレフィンスルホン酸（塩））、α−スルホ脂肪酸エステル又はその塩（α−スルホ脂肪酸エステル（塩））等のスルホン酸系界面活性剤、アルキル硫酸又はその塩（アルキル硫酸（塩））、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸又はその塩（ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸（塩））等の硫酸エステル系界面活性剤、石鹸、ポリ２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリアクリル酸とポリ２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸の共重合体等のスルホン酸系高分子界面活性剤、ポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリアクリル酸とポリマレイン酸の共重合体等のカルボン酸系高分子界面活性剤等が挙げられる。これら（Ｂ）成分を構成する塩としては、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン又は水酸化テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。
（Ｂ）成分としては、アルカンスルホン酸（塩）、アルキルベンゼンスルホン酸（塩）、α−オレフィンスルホン酸（塩）等のスルホン酸系界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸（塩）が好ましく、アルカンスルホン酸（塩）、アルキルベンゼンスルホン酸（塩）がより好ましい。アルカンスルホン酸（塩）としては、例えば、下記（１）式で表されるＳＡＳ３０Ａ（商品名、ライオン株式会社製）が挙げられ、アルキルベンゼンスルホン酸（塩）としては、例えば、ライポンＬＨ−２００（商品名、ライオン株式会社製）等が挙げられる。
【００１９】
ＣＨ３−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨＳＯ３Ｎａ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ３ ・・・（１）
（（１）式中、ｍ、ｎはそれぞれ独立に１以上の数であり、ｍ＋ｎ＝１０〜１４である。）
【００２０】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ｂ）成分の含有量は、例えば、０．０１〜５質量％が好ましく、０．２〜２質量％がより好ましい。上記下限値未満では、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力が低下するおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００２１】
＜（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤＞
（Ｃ）成分は、ノニオン界面活性剤である。ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｃ）成分を含有することで、（Ｂ）成分との相互作用により、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力を高められる。
【００２２】
（Ｃ）成分としては、従来公知のノニオン界面活性剤を用いることができ、例えば、炭素数８〜２２のアルコールのアルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤、炭素数８〜２２のアルキルアミンエチレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤、ソルビタン系ノニオン界面活性剤等が挙げられ、中でも、アルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤、アルキルアミンエチレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤が好ましく、アルキル鎖長８〜１２、アルキレンオキシド付加モル数が１〜１０、オキシアルキレン基の炭素数が２〜３のアルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤がより好ましい。
アルキルアミンエチレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤としては、例えば、エソミンＣ／１５（商品名、ライオン株式会社製）等が挙げられる。アルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤としては、ノイゲンＸＬ６０、ノイゲンＸＬ１００（いずれも商品名、第一工業製薬株式会社製）等が挙げられる。
【００２３】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ｃ）成分の含有量は、例えば、０．１〜１０質量％が好ましく、０．５〜５質量％がより好ましい。上記下限値未満では、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力が低下するおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００２４】
ハードディスク基板用洗浄剤中、（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比（以下、Ｂ／Ｃ比ということがある）は、０．０５〜１５であり、０．３〜２．４が好ましい。上記下限値未満では、洗浄液中での微粒子汚れ（特にコロイダルシリカ）の分散を維持できず、コロイダルシリカが再付着しやすい。上記上限値超であると、ハードディスク基板から微粒子汚れ（特にコロイダルシリカ）を十分に除去できない。
【００２５】
また、ハードディスク基板用洗浄剤中、（Ａ）／［（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］で表される質量比（以下、Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）比ということがある）は、０．３５〜０．９５であり、０．５〜０．８が好ましい。上記範囲内であれば、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力と酸化セリウムに対する洗浄力とを共に高められる。
【００２６】
＜（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩＞
本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含有できる。ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｄ）成分を含有することで、特に酸化セリウムに対する洗浄力をより高められる。
【００２７】
（Ｄ）成分としては、クエン酸、サリチル酸、グルコン酸、グリコール酸、乳酸、ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸、没食子酸、ヒドロキシイミノジ酢酸（ＨＩＤＡ）、ヒドロキシイミノジ琥珀酸（ＨＩＤＳ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン四酢酸（ＤＴＰＡ−ＯＨ）、ヘプトグルコン酸及びこれらの塩等が挙げられ、中でも、グリコール酸、クエン酸、グルコン酸及びこれらの塩が好ましく、グリコール酸がより好ましい。
これら（Ｄ）成分を構成する塩としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属が挙げられる。
【００２８】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ｄ）成分の含有量は、例えば、０．５〜１５質量％が好ましく、１〜１０質量％がより好ましい。上記下限値未満では、（Ｄ）成分の添加効果が得られないおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００２９】
＜任意成分＞
ハードディスク基板用洗浄剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて任意成分を含有できる。任意成分としては、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分以外の界面活性剤（任意界面活性剤）、分散媒、ｐＨ調整剤、消泡剤、防腐剤、酸化防止剤、無機塩、分散剤等が挙げられる。
【００３０】
分散媒としては、例えば、純水、エタノールやイソプロパノール等の１価の低級（炭素数１〜６）アルコール、及び１価の低級アルコールと水の混合物等が挙げられる。
ハードディスク基板用洗浄剤中の溶媒の含有量は、５０〜９９．５質量％が好ましく、６０〜９８質量％がより好ましい。
【００３１】
＜物性＞
本発明のハードディスク基板用洗浄剤の剤形は、液体であり、上述した（Ａ）〜（Ｃ）成分、必要に応じて（Ｄ）成分及び任意成分を分散媒に分散又は溶解させたものである。
【００３２】
ハードディスク基板用洗浄剤は、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨ（以下、２質量％ｐＨということがある）が５．０以下であり、４．０以下が好ましく、３．０以下がより好ましい。ｐＨが上記上限値以下であれば、研磨材に由来する微粒子汚れ、特に酸化セリウムを短時間で効果的に洗浄できる。下限値は特に限定されないが、１．０以上が好ましい。
なお、ｐＨは、ｐＨメーター（ＨＭ−２０Ｓ、東亜ディ−ケーケー株式会社製）とｐＨ電極（ＧＳＴ−５２１１Ｃ、東亜ディ−ケーケー株式会社製）を用いて、２５℃でｐＨ電極を被測定物に浸漬し１５秒後に読み取られた値である。
【００３３】
＜製造方法＞
ハードディスク基板用洗浄剤の製造方法は、特に限定されず、例えば、分散媒に各成分を順次添加し、攪拌する方法が挙げられる。
【００３４】
＜使用方法＞
本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用いたハードディスク基板の洗浄方法について、ガラス製のハードディスク基板を例に挙げて説明する。
【００３５】
まず、ハードディスク基板の表面を酸化セリウムで粗研磨する（粗研磨工程）。ハードディスク基板を粗研磨する方法としては特に限定されず、例えば、研磨機を用いて研磨材を含む研磨スラリーを供給しながら基板を加圧して表面を研磨する方法等が挙げられる。
【００３６】
次いで、ハードディスク基板用洗浄剤を任意の濃度になるように純水で希釈して洗浄液とし、この洗浄液でハードディスク基板を洗浄する（洗浄操作）。洗浄液中のハードディスク基板用洗浄剤の濃度は、例えば、０．１〜２０質量％とされる。０．１質量％以上であれば、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対して優れた洗浄力を十分に発揮できる。２０質量％以下であれば、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対して優れた洗浄力を維持しつつ、後述する濯ぎ操作において、洗浄液を容易に除去できる。
洗浄方法としては特に限定されず、例えば、洗浄対象（粗研磨した後のハードディスク基板）に、洗浄液をスプレーで吹き付け、その後に拭き取る方法、洗浄対象を洗浄液に浸漬する方法、洗浄対象に洗浄液を吹き付けながらブラシで擦る方法、洗浄対象を洗浄液に浸漬し又は洗浄対象に洗浄液を吹き付けながら超音波を印加する方法等が挙げられる。
【００３７】
洗浄操作後、純水を洗浄対象にスプレー等で吹き付けて濯ぎ、基板に残存するハードディスク基板用洗浄剤等を除去する（濯ぎ操作）。
濯ぎ操作後、公知の方法で乾燥して、ハードディスク基板に残存する純水を除去する（乾燥操作）（以上、第一の洗浄工程）。
【００３８】
第一の洗浄工程で処理したハードディスク基板について、コロイダルシリカ等の研磨材を用いて仕上げ研磨をする（仕上研磨工程）。
ハードディスク基板を仕上げ研磨する方法は、特に限定されず、粗研磨する方法と同様の方法が挙げられる。
【００３９】
次いで、仕上げ研磨後のハードディスク基板を上述した第一の洗浄工程と同様にして洗浄する（第二の洗浄工程）。
【００４０】
なお、ハードディスク基板の洗浄方法は上述した方法に限定されず、例えば、第一の洗浄工程に本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用い、第二の洗浄工程に公知の洗浄剤を用いてもよいし、第一の洗浄工程に公知の洗浄剤を用い、第二の洗浄工程に本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用いてもよいし、第一及び第二の洗浄工程の両方に本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用いてもよい。
【００４１】
上述の通り、ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）〜（Ｃ）成分を特定の比率で含有することで、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できる。
かかる効果が得られる理由としては、以下のように推測される。
コロイダルシリカや酸化セリウムは、酸性条件下で表面電荷がゼロに近くなり、液体（例えば、洗浄液）中での分散性が低下し、ハードディスク基板に付着しやすくなる。
本発明においては、（Ａ）〜（Ｃ）成分の相互作用によって、ハードディスク基板及び粒子汚れのゼータ電位が低下し、ハードディスク基板と粒子汚れとの静電的反発が強まる。これにより、ハードディスク基板から粒子汚れを剥離し、かつ剥離した粒子汚れの再付着を防止して、粒子汚れに対する洗浄力を高めていると考えられる。
さらに、粒子汚れの剥離と粒子汚れの再付着防止とは、Ｂ／Ｃ比及びＡ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）比とが特定の範囲であることで、良好なものになると考えられる。
【００４２】
本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、アルミニウム製等の金属製のハードディスク基板、ガラス製のハードディスク基板の洗浄に好適に用いられる。特に、酸化セリウムで研磨する工程とコロイダルシリカで研磨する工程を有するガラス製のハードディスク基板の洗浄に好適である。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。
（使用原料）
各例に用いた原料は、以下の通りである。
なお、表１〜２に示す「バランス」とは、ハードディスク基板用洗浄剤の総量が１００質量％となるように配合された量を意味する。また、表１〜２中、各成分の組成は、純分換算量である。
＜（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤＞
Ａ−１：１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、フェリオックス１１５−Ａ（商品名）、ライオン株式会社製
Ａ−２：ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、キレストＰＨ−３２０（商品名）、キレスト株式会社製
Ａ−３：エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（ＥＤＴＭＰ）、キレストＰＨ−５４０（商品名）、キレスト株式会社製
【００４４】
＜（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤＞
Ｂ−１：アルカンスルホン酸Ｎａ、ＳＡＳ３０Ａ（商品名）、ライオン株式会社製
Ｂ−２：アルキルベンゼンスルホン酸、ライポンＬＨ−２００（商品名）、ライオン株式会社製
【００４５】
＜（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤＞
Ｃ−１：ポリオキシアルキレン分岐デシルエーテル（ＡＯ６）、ノイゲンＸＬ−６０（商品名）、第一工業製薬株式会社製
Ｃ−２：ポリオキシアルキレン分岐デシルエーテル（ＡＯ１０）、ノイゲンＸＬ−１００（商品名）、第一工業製薬株式会社製
Ｃ−３：ポリオキシアルキレンアルキルエーテル（Ｃ１３ＥＯ１５）、レオコールＴＤ−１５０（商品名）、ライオン株式会社製
Ｃ−４：アルキル（ヤシ）アミンＥＯ付加物、エソミンＣ／１５（商品名）、ライオン株式会社製
【００４６】
＜（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩＞
Ｄ−１：グリコール酸、丸和物産株式会社
Ｄ−２：クエン酸１水和物、クエン酸（鹿特級）、関東化学株式会社製
【００４７】
（評価方法）
＜分散性＞
ビーカーに各例で調製した２質量％希釈液１００ｍＬとコロイダルシリカ分散液（５０質量％分散液、平均粒子径８０ｎｍ）０．２ｇとを入れ、マグネチックスターラーで攪拌した。攪拌停止１時間後に２質量％希釈液の外観を観察し、下記評価基準に従い分散性を評価した。
【００４８】
≪評価基準≫
◎：コロイダルシリカが均一に分散している。
○：コロイダルシリカが僅かに沈殿しているが、全体としてコロイダルシリカが分散している。
△：コロイダルシリカが少し沈殿している。
×：全てのコロイダルシリカが沈殿し、上澄みが透明である。
【００４９】
＜洗浄力＞
≪対コロイダルシリカ≫
２．５インチのガラス製のハードディスク基板を下記条件にて研磨した。
［研磨条件］
研磨機：片面研磨機、スピードファム株式会社製
研磨材：コロイダルシリカスラリー（ｃｏｍｐｏｌ２０、フジミ株式会社製）
研磨時間：１０分
【００５０】
研磨後、該基板表面を純水で濯いだ後、１００ｋＨｚの超音波が印加された２質量％希釈液中に浸漬させ、１０分間洗浄した。次いで、該基板を純水で満たした水槽に浸漬させた状態で純水をオーバーフローさせることで１０分間濯いだ。濯いだ基板をスピン乾燥にて乾燥した。
乾燥後の基板について、表面検査装置（ＣＳ−１０、ケーエルエー・テンコール株式会社製）で基板上の粒子数を測定し、下記基準に従って評価した。
【００５１】
［評価基準］
◎：１００個未満／枚
○：１００個以上１０００個未満／枚
△：１０００個以上１００００個未満／枚
×：１００００個以上／枚
【００５２】
≪対酸化セリウム≫
２．５インチのガラス製のハードディスク基板を、酸化セリウムを研磨粒子として含む研磨スラリー（平均粒子径：５００ｎｍ）に５分間浸漬した。ハードディスク基板の表面を純水で濯いだ後、各例の洗浄液（常温）を基板に噴射しながら、洗浄ブラシを基板の両面に押し当て、回転させて１０分間洗浄した。次いで、該基板を純水で満たした水槽に浸漬し、純水をオーバーフローさせて１０分間濯いだ。濯いだ基板をドライエアーで乾燥した。
乾燥後の基板にハロゲンランプ光を照射し、目視観察で基板を観察し、下記評価基準に従って評価した。
【００５３】
［評価基準］
◎：汚れの付着が認められない。
○：少し汚れが残存しているが、概ね良好。
△：少し汚れが落ちているが、全体的に汚れが多く残存。
×：汚れが殆ど落ちていない。
【００５４】
（実施例１〜２２、比較例１〜７）
表１〜２の組成に従い、各成分を混合してハードディスク基板用洗浄剤を調製した。純水９８質量部と、各例のハードディスク基板用洗浄剤２質量部とをマグネチックスターラーで攪拌混合し、２質量％希釈液を調製した。２質量％希釈液について、ｐＨを測定し、分散性及び洗浄力を評価し、その結果を表中に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】
【表２】
【００５７】
表１〜２に示すように、本発明を適用した実施例１〜２２は、分散性の評価が「○」又は「◎」、洗浄力（対コロイダルシリカ）及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「○」又は「◎」であった。
一方、（Ａ）成分を含有しない比較例１は、分散性の評価が「△」、洗浄力（対コロイダルシリカ）及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「×」であった。
（Ｂ）成分を含有しない比較例２は、分散性の評価及び洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価が「×」、洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
（Ｃ）成分を含有しない比較例３は、分散性の評価、洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）比を０．３０又は０．９７とした比較例４及び６、ならびにＢ／Ｃ比を２０とした比較例７は、分散性の評価、洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
Ｂ／Ｃ比を０．０２とした比較例５は、分散性の評価、洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価が「×」、洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
以上の結果から、本発明を適用することで、微粒子汚れを良好に除去できることが判った。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク基板用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスにおいては、微細な汚れが動作不良や性能低下を招きやすい。このため、半導体基板、ハードディスク基板、液晶パネル等に用いられるディスプレイ基板等の電子デバイス用基板に付着した汚れをほぼ完全に除去することが求められる。
【０００３】
洗浄対象とする電子デバイス用基板やこれに付着した汚れの種類に応じて、要求される清浄度を達成するため多様な精密洗浄技術が提案されている。
例えば、ハードディスク基板は、酸化セリウムやアルミナ等の研磨材で粗研磨した後、さらにコロイダルシリカ等の研磨材で仕上げ研磨を行うのが一般的である。
粗研磨後や仕上げ研磨後のハードディスク基板の表面には、研磨で生じた砥粒や研磨カスが残留するため、各研磨の後にこれらを除去する必要がある。
【０００４】
近年、研磨時間を短縮するため、ハードディスク基板の研磨には酸性の研磨スラリーが用いられる傾向にあり、この酸性の研磨スラリーを洗浄するためには酸性の洗浄剤が用いられる。酸性の洗浄剤は、ガラス製のハードディスク基板に対しては低エッチング性であり、アルミニウム製のハードディスク基板に対してはＮｉを高度に除去できるという利点がある。
【０００５】
従来、ハードディスク基板の洗浄に用いる酸性の洗浄剤として、様々な提案がされている。
例えば、粗研磨や仕上げ研磨で生じた砥粒や研磨カスを除去する洗浄剤として、リンゴ酸やクエン酸等の有機酸とキレート剤とを含有する水溶液が提案されている（例えば、特許文献１）。
また、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）と非イオン性界面活性剤とを、両者の質量比がＨＥＤＰ／界面活性剤＝１／２０〜１／５となるように含有する洗浄剤組成物が提案されている（例えば、特許文献２）。
あるいは、キレート剤としてヒドロキシカルボン酸又はホスホン酸と、界面活性剤とを含有し、洗浄液として使用される場合の有効成分濃度における２５℃でのｐＨが５未満である磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤が提案されている（例えば、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１７４４４２号公報
【特許文献２】特開２００７−２９１３２８号公報
【特許文献３】特開２００９−８７５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ハードディスクは、小型化や高容量化を図るために、ハードディスク基板の研磨工程において、基板の表面粗さや基板表面の微少うねりを低減したり、スクラッチ・ピットとよばれる傷等の表面欠陥を軽減したりすることが求められる。そして、ハードディスク基板に付着した砥粒や研磨カスを除去することがさらに重要となっている。
【０００８】
ガラス製ハードディスク基板を粗研磨する際には、研磨材として酸化セリウムが好適に用いられ、仕上げ研磨する際には、研磨材としてコロイダルシリカが好適に用いられる。この酸化セリウムやコロイダルシリカは、パーティクル（微粒子汚れ）として基板表面に付着しやすいため、基板上に残留しやすい。
加えて、酸性条件下では、コロイダルシリカや酸化セリウムの分散性が低下するために、ハードディスク基板にコロイダルシリカや酸化セリウムが付着しやすく、付着したコロイダルシリカや酸化セリウムを除去しにくいという問題があった。
また、特許文献１〜３に記載の洗浄剤組成物は、コロイダルシリカや酸化セリウムに対する洗浄力が満足できるものではなかった。
【０００９】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、鋭意検討した結果、ホスホン酸系キレート剤とアニオン界面活性剤とノニオン界面活性剤とを特定の比率で配合することで、コロイダルシリカや酸化セリウムに対して優れた洗浄力を発揮することを見出し、本発明に至った。
【００１１】
即ち、本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有し、（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比が０．０５〜１５、（Ａ）成分／［（Ａ）成分＋（Ｂ）成分＋（Ｃ）成分］で表される質量比が０．３５〜０．９５であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とする。
さらに、（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できるハードディスク基板用洗浄剤を目的とする。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（ハードディスク基板用洗浄剤）
本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有するものである。
【００１４】
＜（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤＞
（Ａ）成分はホスホン酸系キレート剤である。本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）成分を含有することで、コロイダルシリカ、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対する洗浄力が高まる。
【００１５】
（Ａ）成分としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（ＥＤＴＭＰ）及びこれらの塩等が挙げられる。これらホスホン酸の塩としては、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン又は水酸化テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。
（Ａ）成分としては、コロイダルシリカや酸化セリウムに対する洗浄力を高める観点からＨＥＤＰ又はその塩が好ましく、ＨＥＤＰがより好ましい。
【００１６】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ａ）成分の含有量は、０．５〜２０質量％が好ましく、２〜１０質量％がより好ましい。
上記下限値未満では、コロイダルシリカ及び酸化セリウムに対する洗浄力が不十分になるおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００１７】
＜（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤＞
（Ｂ）成分は、アニオン界面活性剤である。ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｂ）成分を含有することで、後述する（Ｃ）成分との相互作用により、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力を高められる。
【００１８】
（Ｂ）成分としては、従来公知のアニオン界面活性剤を用いることができ、例えば、アルカンスルホン酸又はその塩（アルカンスルホン酸（塩））、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩（アルキルベンゼンスルホン酸（塩））、α−オレフィンスルホン酸又はその塩（α−オレフィンスルホン酸（塩））、α−スルホ脂肪酸エステル又はその塩（α−スルホ脂肪酸エステル（塩））等のスルホン酸系界面活性剤、アルキル硫酸又はその塩（アルキル硫酸（塩））、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸又はその塩（ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸（塩））等の硫酸エステル系界面活性剤、石鹸、ポリ２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリアクリル酸とポリ２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸の共重合体等のスルホン酸系高分子界面活性剤、ポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリアクリル酸とポリマレイン酸の共重合体等のカルボン酸系高分子界面活性剤等が挙げられる。これら（Ｂ）成分を構成する塩としては、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン又は水酸化テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。
（Ｂ）成分としては、アルカンスルホン酸（塩）、アルキルベンゼンスルホン酸（塩）、α−オレフィンスルホン酸（塩）等のスルホン酸系界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸（塩）が好ましく、アルカンスルホン酸（塩）、アルキルベンゼンスルホン酸（塩）がより好ましい。アルカンスルホン酸（塩）としては、例えば、下記（１）式で表されるＳＡＳ３０Ａ（商品名、ライオン株式会社製）が挙げられ、アルキルベンゼンスルホン酸（塩）としては、例えば、ライポンＬＨ−２００（商品名、ライオン株式会社製）等が挙げられる。
【００１９】
ＣＨ３−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨＳＯ３Ｎａ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ３ ・・・（１）
（（１）式中、ｍ、ｎはそれぞれ独立に１以上の数であり、ｍ＋ｎ＝１０〜１４である。）
【００２０】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ｂ）成分の含有量は、例えば、０．０１〜５質量％が好ましく、０．２〜２質量％がより好ましい。上記下限値未満では、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力が低下するおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００２１】
＜（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤＞
（Ｃ）成分は、ノニオン界面活性剤である。ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｃ）成分を含有することで、（Ｂ）成分との相互作用により、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力を高められる。
【００２２】
（Ｃ）成分としては、従来公知のノニオン界面活性剤を用いることができ、例えば、炭素数８〜２２のアルコールのアルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤、炭素数８〜２２のアルキルアミンエチレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤、ソルビタン系ノニオン界面活性剤等が挙げられ、中でも、アルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤、アルキルアミンエチレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤が好ましく、アルキル鎖長８〜１２、アルキレンオキシド付加モル数が１〜１０、オキシアルキレン基の炭素数が２〜３のアルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤がより好ましい。
アルキルアミンエチレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤としては、例えば、エソミンＣ／１５（商品名、ライオン株式会社製）等が挙げられる。アルキレンオキシド付加型ノニオン界面活性剤としては、ノイゲンＸＬ６０、ノイゲンＸＬ１００（いずれも商品名、第一工業製薬株式会社製）等が挙げられる。
【００２３】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ｃ）成分の含有量は、例えば、０．１〜１０質量％が好ましく、０．５〜５質量％がより好ましい。上記下限値未満では、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力が低下するおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００２４】
ハードディスク基板用洗浄剤中、（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比（以下、Ｂ／Ｃ比ということがある）は、０．０５〜１５であり、０．３〜２．４が好ましい。上記下限値未満では、洗浄液中での微粒子汚れ（特にコロイダルシリカ）の分散を維持できず、コロイダルシリカが再付着しやすい。上記上限値超であると、ハードディスク基板から微粒子汚れ（特にコロイダルシリカ）を十分に除去できない。
【００２５】
また、ハードディスク基板用洗浄剤中、（Ａ）／［（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）］で表される質量比（以下、Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）比ということがある）は、０．３５〜０．９５であり、０．５〜０．８が好ましい。上記範囲内であれば、微粒子汚れ、特にコロイダルシリカに対する洗浄力と酸化セリウムに対する洗浄力とを共に高められる。
【００２６】
＜（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩＞
本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含有できる。ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ｄ）成分を含有することで、特に酸化セリウムに対する洗浄力をより高められる。
【００２７】
（Ｄ）成分としては、クエン酸、サリチル酸、グルコン酸、グリコール酸、乳酸、ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸、没食子酸、ヒドロキシイミノジ酢酸（ＨＩＤＡ）、ヒドロキシイミノジ琥珀酸（ＨＩＤＳ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン四酢酸（ＤＴＰＡ−ＯＨ）、ヘプトグルコン酸及びこれらの塩等が挙げられ、中でも、グリコール酸、クエン酸、グルコン酸及びこれらの塩が好ましく、グリコール酸がより好ましい。
これら（Ｄ）成分を構成する塩としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属が挙げられる。
【００２８】
ハードディスク基板用洗浄剤中の（Ｄ）成分の含有量は、例えば、０．５〜１５質量％が好ましく、１〜１０質量％がより好ましい。上記下限値未満では、（Ｄ）成分の添加効果が得られないおそれがあり、上記上限値超としてもさらなる洗浄力の向上が図れないおそれがある。
【００２９】
＜任意成分＞
ハードディスク基板用洗浄剤は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて任意成分を含有できる。任意成分としては、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分以外の界面活性剤（任意界面活性剤）、分散媒、ｐＨ調整剤、消泡剤、防腐剤、酸化防止剤、無機塩、分散剤等が挙げられる。
【００３０】
分散媒としては、例えば、純水、エタノールやイソプロパノール等の１価の低級（炭素数１〜６）アルコール、及び１価の低級アルコールと水の混合物等が挙げられる。
ハードディスク基板用洗浄剤中の溶媒の含有量は、５０〜９９．５質量％が好ましく、６０〜９８質量％がより好ましい。
【００３１】
＜物性＞
本発明のハードディスク基板用洗浄剤の剤形は、液体であり、上述した（Ａ）〜（Ｃ）成分、必要に応じて（Ｄ）成分及び任意成分を分散媒に分散又は溶解させたものである。
【００３２】
ハードディスク基板用洗浄剤は、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨ（以下、２質量％ｐＨということがある）が５．０以下であり、４．０以下が好ましく、３．０以下がより好ましい。ｐＨが上記上限値以下であれば、研磨材に由来する微粒子汚れ、特に酸化セリウムを短時間で効果的に洗浄できる。下限値は特に限定されないが、１．０以上が好ましい。
なお、ｐＨは、ｐＨメーター（ＨＭ−２０Ｓ、東亜ディ−ケーケー株式会社製）とｐＨ電極（ＧＳＴ−５２１１Ｃ、東亜ディ−ケーケー株式会社製）を用いて、２５℃でｐＨ電極を被測定物に浸漬し１５秒後に読み取られた値である。
【００３３】
＜製造方法＞
ハードディスク基板用洗浄剤の製造方法は、特に限定されず、例えば、分散媒に各成分を順次添加し、攪拌する方法が挙げられる。
【００３４】
＜使用方法＞
本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用いたハードディスク基板の洗浄方法について、ガラス製のハードディスク基板を例に挙げて説明する。
【００３５】
まず、ハードディスク基板の表面を酸化セリウムで粗研磨する（粗研磨工程）。ハードディスク基板を粗研磨する方法としては特に限定されず、例えば、研磨機を用いて研磨材を含む研磨スラリーを供給しながら基板を加圧して表面を研磨する方法等が挙げられる。
【００３６】
次いで、ハードディスク基板用洗浄剤を任意の濃度になるように純水で希釈して洗浄液とし、この洗浄液でハードディスク基板を洗浄する（洗浄操作）。洗浄液中のハードディスク基板用洗浄剤の濃度は、例えば、０．１〜２０質量％とされる。０．１質量％以上であれば、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対して優れた洗浄力を十分に発揮できる。２０質量％以下であれば、酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対して優れた洗浄力を維持しつつ、後述する濯ぎ操作において、洗浄液を容易に除去できる。
洗浄方法としては特に限定されず、例えば、洗浄対象（粗研磨した後のハードディスク基板）に、洗浄液をスプレーで吹き付け、その後に拭き取る方法、洗浄対象を洗浄液に浸漬する方法、洗浄対象に洗浄液を吹き付けながらブラシで擦る方法、洗浄対象を洗浄液に浸漬し又は洗浄対象に洗浄液を吹き付けながら超音波を印加する方法等が挙げられる。
【００３７】
洗浄操作後、純水を洗浄対象にスプレー等で吹き付けて濯ぎ、基板に残存するハードディスク基板用洗浄剤等を除去する（濯ぎ操作）。
濯ぎ操作後、公知の方法で乾燥して、ハードディスク基板に残存する純水を除去する（乾燥操作）（以上、第一の洗浄工程）。
【００３８】
第一の洗浄工程で処理したハードディスク基板について、コロイダルシリカ等の研磨材を用いて仕上げ研磨をする（仕上研磨工程）。
ハードディスク基板を仕上げ研磨する方法は、特に限定されず、粗研磨する方法と同様の方法が挙げられる。
【００３９】
次いで、仕上げ研磨後のハードディスク基板を上述した第一の洗浄工程と同様にして洗浄する（第二の洗浄工程）。
【００４０】
なお、ハードディスク基板の洗浄方法は上述した方法に限定されず、例えば、第一の洗浄工程に本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用い、第二の洗浄工程に公知の洗浄剤を用いてもよいし、第一の洗浄工程に公知の洗浄剤を用い、第二の洗浄工程に本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用いてもよいし、第一及び第二の洗浄工程の両方に本発明のハードディスク基板用洗浄剤を用いてもよい。
【００４１】
上述の通り、ハードディスク基板用洗浄剤は、（Ａ）〜（Ｃ）成分を特定の比率で含有することで、コロイダルシリカや酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れを良好に除去できる。
かかる効果が得られる理由としては、以下のように推測される。
コロイダルシリカや酸化セリウムは、酸性条件下で表面電荷がゼロに近くなり、液体（例えば、洗浄液）中での分散性が低下し、ハードディスク基板に付着しやすくなる。
本発明においては、（Ａ）〜（Ｃ）成分の相互作用によって、ハードディスク基板及び粒子汚れのゼータ電位が低下し、ハードディスク基板と粒子汚れとの静電的反発が強まる。これにより、ハードディスク基板から粒子汚れを剥離し、かつ剥離した粒子汚れの再付着を防止して、粒子汚れに対する洗浄力を高めていると考えられる。
さらに、粒子汚れの剥離と粒子汚れの再付着防止とは、Ｂ／Ｃ比及びＡ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）比とが特定の範囲であることで、良好なものになると考えられる。
【００４２】
本発明のハードディスク基板用洗浄剤は、アルミニウム製等の金属製のハードディスク基板、ガラス製のハードディスク基板の洗浄に好適に用いられる。特に、酸化セリウムで研磨する工程とコロイダルシリカで研磨する工程を有するガラス製のハードディスク基板の洗浄に好適である。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。
（使用原料）
各例に用いた原料は、以下の通りである。
なお、表１〜２に示す「バランス」とは、ハードディスク基板用洗浄剤の総量が１００質量％となるように配合された量を意味する。また、表１〜２中、各成分の組成は、純分換算量である。
＜（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤＞
Ａ−１：１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、フェリオックス１１５−Ａ（商品名）、ライオン株式会社製
Ａ−２：ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、キレストＰＨ−３２０（商品名）、キレスト株式会社製
Ａ−３：エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（ＥＤＴＭＰ）、キレストＰＨ−５４０（商品名）、キレスト株式会社製
【００４４】
＜（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤＞
Ｂ−１：アルカンスルホン酸Ｎａ、ＳＡＳ３０Ａ（商品名）、ライオン株式会社製
Ｂ−２：アルキルベンゼンスルホン酸、ライポンＬＨ−２００（商品名）、ライオン株式会社製
【００４５】
＜（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤＞
Ｃ−１：ポリオキシアルキレン分岐デシルエーテル（ＡＯ６）、ノイゲンＸＬ−６０（商品名）、第一工業製薬株式会社製
Ｃ−２：ポリオキシアルキレン分岐デシルエーテル（ＡＯ１０）、ノイゲンＸＬ−１００（商品名）、第一工業製薬株式会社製
Ｃ−３：ポリオキシアルキレンアルキルエーテル（Ｃ１３ＥＯ１５）、レオコールＴＤ−１５０（商品名）、ライオン株式会社製
Ｃ−４：アルキル（ヤシ）アミンＥＯ付加物、エソミンＣ／１５（商品名）、ライオン株式会社製
【００４６】
＜（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩＞
Ｄ−１：グリコール酸、丸和物産株式会社
Ｄ−２：クエン酸１水和物、クエン酸（鹿特級）、関東化学株式会社製
【００４７】
（評価方法）
＜分散性＞
ビーカーに各例で調製した２質量％希釈液１００ｍＬとコロイダルシリカ分散液（５０質量％分散液、平均粒子径８０ｎｍ）０．２ｇとを入れ、マグネチックスターラーで攪拌した。攪拌停止１時間後に２質量％希釈液の外観を観察し、下記評価基準に従い分散性を評価した。
【００４８】
≪評価基準≫
◎：コロイダルシリカが均一に分散している。
○：コロイダルシリカが僅かに沈殿しているが、全体としてコロイダルシリカが分散している。
△：コロイダルシリカが少し沈殿している。
×：全てのコロイダルシリカが沈殿し、上澄みが透明である。
【００４９】
＜洗浄力＞
≪対コロイダルシリカ≫
２．５インチのガラス製のハードディスク基板を下記条件にて研磨した。
［研磨条件］
研磨機：片面研磨機、スピードファム株式会社製
研磨材：コロイダルシリカスラリー（ｃｏｍｐｏｌ２０、フジミ株式会社製）
研磨時間：１０分
【００５０】
研磨後、該基板表面を純水で濯いだ後、１００ｋＨｚの超音波が印加された２質量％希釈液中に浸漬させ、１０分間洗浄した。次いで、該基板を純水で満たした水槽に浸漬させた状態で純水をオーバーフローさせることで１０分間濯いだ。濯いだ基板をスピン乾燥にて乾燥した。
乾燥後の基板について、表面検査装置（ＣＳ−１０、ケーエルエー・テンコール株式会社製）で基板上の粒子数を測定し、下記基準に従って評価した。
【００５１】
［評価基準］
◎：１００個未満／枚
○：１００個以上１０００個未満／枚
△：１０００個以上１００００個未満／枚
×：１００００個以上／枚
【００５２】
≪対酸化セリウム≫
２．５インチのガラス製のハードディスク基板を、酸化セリウムを研磨粒子として含む研磨スラリー（平均粒子径：５００ｎｍ）に５分間浸漬した。ハードディスク基板の表面を純水で濯いだ後、各例の洗浄液（常温）を基板に噴射しながら、洗浄ブラシを基板の両面に押し当て、回転させて１０分間洗浄した。次いで、該基板を純水で満たした水槽に浸漬し、純水をオーバーフローさせて１０分間濯いだ。濯いだ基板をドライエアーで乾燥した。
乾燥後の基板にハロゲンランプ光を照射し、目視観察で基板を観察し、下記評価基準に従って評価した。
【００５３】
［評価基準］
◎：汚れの付着が認められない。
○：少し汚れが残存しているが、概ね良好。
△：少し汚れが落ちているが、全体的に汚れが多く残存。
×：汚れが殆ど落ちていない。
【００５４】
（実施例１〜２２、比較例１〜７）
表１〜２の組成に従い、各成分を混合してハードディスク基板用洗浄剤を調製した。純水９８質量部と、各例のハードディスク基板用洗浄剤２質量部とをマグネチックスターラーで攪拌混合し、２質量％希釈液を調製した。２質量％希釈液について、ｐＨを測定し、分散性及び洗浄力を評価し、その結果を表中に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】
【表２】
【００５７】
表１〜２に示すように、本発明を適用した実施例１〜２２は、分散性の評価が「○」又は「◎」、洗浄力（対コロイダルシリカ）及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「○」又は「◎」であった。
一方、（Ａ）成分を含有しない比較例１は、分散性の評価が「△」、洗浄力（対コロイダルシリカ）及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「×」であった。
（Ｂ）成分を含有しない比較例２は、分散性の評価及び洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価が「×」、洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
（Ｃ）成分を含有しない比較例３は、分散性の評価、洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）比を０．３０又は０．９７とした比較例４及び６、ならびにＢ／Ｃ比を２０とした比較例７は、分散性の評価、洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価及び洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
Ｂ／Ｃ比を０．０２とした比較例５は、分散性の評価、洗浄力（対コロイダルシリカ）の評価が「×」、洗浄力（対酸化セリウム）の評価が「△」であった。
以上の結果から、本発明を適用することで、微粒子汚れを良好に除去できることが判った。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有し、
（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比が０．０５〜１５、（Ａ）成分／［（Ａ）成分＋（Ｂ）成分＋（Ｃ）成分］で表される質量比が０．３５〜０．９５であり、
純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とするハードディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含有する、請求項１に記載のハードディスク基板用洗浄剤。
【請求項１】
（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤と、（Ｂ）成分：アニオン界面活性剤と、（Ｃ）成分：ノニオン界面活性剤とを含有し、
（Ｂ）成分／（Ｃ）成分で表される質量比が０．０５〜１５、（Ａ）成分／［（Ａ）成分＋（Ｂ）成分＋（Ｃ）成分］で表される質量比が０．３５〜０．９５であり、
純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とするハードディスク基板用洗浄剤。
【請求項２】
（Ｄ）成分：ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩を含有する、請求項１に記載のハードディスク基板用洗浄剤。
【公開番号】特開２０１２−２１９１８６（Ｐ２０１２−２１９１８６Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８６３２１（Ｐ２０１１−８６３２１）
【出願日】平成２３年４月８日（２０１１．４．８）
【出願人】（０００００６７６９）ライオン株式会社 (1,816)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月８日（２０１１．４．８）
【出願人】（０００００６７６９）ライオン株式会社 (1,816)
【Ｆターム（参考）】
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