説明

光活性化合物

本出願は式Ａ−Ｘ−Ｂの化合物に関し、ここで、（ｉ）Ａ−Ｘ−Ｂはイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉを形成し、ＡｉおよびＢｉはそれぞれ個別に有機オニウムカチオンであり、Ｘｉは式Ｑ−Ｒ５００−ＳＯ３−のアニオンであるか、または（ｉｉ）Ａ−Ｘ−Ｂは非イオン性化合物Ａｃ−Ｘｃ−Ｂｃを形成し、Ａｉ、Ｂｉ、Ｑ、Ｒ５００、Ａｃ、Ｂｃ、およびＸｃについては本明細書で定義される。この化合物は光活性物質として有用である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリソグラフィー分野におけるフォトレジスト組成物中で有用な、特に半導体デバイス製造においてネガ型およびポジ型パターンを画像形成するのに有用な新しい光活性化合物、ならびにフォトレジスト組成物およびフォトレジスト画像形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトレジスト組成物は、コンピューターチップおよび集積回路の製造などにおいて、微小電子部品を製造するためのマイクロリソグラフィー工程で使用される。一般にこれらの工程では、最初にフォトレジスト組成物のフィルムの薄い塗膜が、集積回路を製造するために使用されるケイ素ウエハなどの基材上に塗布される。次に被覆された基材をベーク処理してフォトレジスト組成物中の溶剤を蒸発させて塗膜を基材上に定着させる。次に基材上に塗布されたフォトレジストを放射線で像様露光する。
【０００３】
放射線露光は、被覆された表面の露光領域に化学的な変化を引き起こす。可視光、紫外線（ＵＶ）、電子ビーム、およびＸ線放射エネルギーが、今日マイクロリソグラフィー工程で一般に使用される放射線種である。この像様露光後、被覆された基材を現像液で処理して、フォトレジストの放射線露光された領域または非露光の領域どちらかを溶解して除去する。半導体デバイスは微細化に向かう傾向があり、このような微細化に関わる困難さを克服するために、一層低波長の放射線に感度を示す新しいフォトレジストや、精巧なマルチレベルシステムが使用されている。
【０００４】
ネガ型およびポジ型の２つのタイプのフォトレジスト組成物がある。リソグラフィー加工の特定の時点で使用されるフォトレジストのタイプは、半導体デバイスの設計によって決定される。ネガ型フォトレジスト組成物を放射線で像様露光すると、放射線に曝された領域のフォトレジスト組成物が（例えば架橋反応が起きて）現像液に対する溶解性がより低くなるのに対し、フォトレジスト塗膜の未露光領域は、このような溶液に対して比較的可溶性のままである。したがって露光したネガ型レジストを現像剤で処理すると、フォトレジスト塗膜の未露光領域が除去され塗膜にネガ型の像が形成される。それによってフォトレジスト組成物が付着していたその下にある基材表面の所望の部分が裸出する。
【０００５】
他方、ポジ型フォトレジスト組成物を放射線で像様露光すると、フォトレジスト組成物の放射線露光領域が（例えば転位反応が起きて）現像液に対してより可溶性になるのに対し、未露光領域は現像液に対して比較的不溶性のままである。したがって露光したポジ型フォトレジストを現像剤で処理すると、フォトレジスト塗膜の露光領域が除去されて、フォトレジスト塗膜にポジ型の像が形成される。この場合も下にある表面の所望の部分が裸出する。
【０００６】
フォトレジスト解像度とは、露光および現像後に、レジスト組成物が高度に鋭い像縁をもってフォトマスクから基材に転写できる最小の図形と定義される。今日の多くの最先端製造用途では、２分の１ミクロン未満のオーダーのフォトレジスト解像度が必要である。さらにほとんどの場合、現像されたフォトレジスト壁の側面が、基材に対してほぼ垂直であることが望ましい。レジスト塗膜の現像および未現像領域間のこのような限界画定が、基材上へのマスク画像の正確なパターン転写につながるのである。微細化に向かう動向がデバイス上の微小寸法（ＣＤ）を低下させるに従って、これはより重要になってきている。フォトレジスト寸法を１５０ｎｍ未満に減少した場合には、フォトレジストパターンの粗さが大きな問題となる。一般にラインエッジラフネスとして知られている縁の粗さは、典型的には、ライン・アンド・スペースパターンではフォトレジストラインに沿った粗さとして観察され、コンタクトホールでは側壁の粗さとして観察される。縁の粗さは、特に微小寸法（ＣＤ）許容範囲を低下させそしてフォトレジストのラインエッジラフネスを基材に写してしまうことで、フォトレジストのリソグラフィー性能に悪影響を及ぼす可能性がある。したがって縁の粗さを最小化するフォトレジストが、非常に望ましい。
【０００７】
２分の１ミクロン未満の形状寸法が必要とされる場合は、約１００ｎｍ〜約３００ｎｍの短い波長に対して感応性のフォトレジストを使用することが多い。特に好ましいのは、非芳香族ポリマー、光酸発生剤、場合により溶解阻害剤、および溶剤を含むフォトレジストである。
【０００８】
４分の１ミクロン未満の形状寸法の像のパターン化のためには、高解像度で化学的に増幅された深紫外線（１００〜３００ｎｍ）ポジ型およびネガ型フォトレジストを使用することができる。これまで、微細化において大きなな進歩をもたらした３つの主要な深紫外線（ＵＶ）露光技術があり、これらは２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、および１５７ｎｍの放射線を放つレーザーを使用する。深紫外線で使用されるフォトレジストは、典型的には、酸に不安定な基を有しそして酸の存在下で脱保護できるポリマー、吸光時に酸を発生させる光活性成分、および溶剤を含む。
【０００９】
２４８ｎｍのためのフォトレジストは、典型的には、特許文献１および特許文献２に記載されているものなどの置換ポリヒドロキシスチレンおよびそのコポリマーに基づく。他方１９３ｎｍ露光のためのフォトレジストは、芳香族がこの波長において不透過性であることから非芳香族ポリマーを必要とする。特許文献３および特許文献４は、１９３ｎｍ露光のために有用なフォトレジストを開示する。一般に脂環式炭化水素を含有するポリマーは、２００ｎｍ未満で露光されるフォトレジストのために使用される。脂環式炭化水素は、主にそれらがエッチング耐性を改善する比較的高い炭素：水素比を有し、また低い波長における透過性も提供し、比較的高いガラス転移温度を有するなどの多くの理由からポリマー中に組み込まれる。１５７ｎｍで感応性のフォトレジストはフッ素化ポリマーに基づき、これらはこの波長で実質的に透過性であることが知られている。フッ素化基を含有するポリマーに由来するフォトレジストについては、特許文献５および特許文献６に記載されている。
【００１０】
フォトレジストで使用されるポリマーは、画像形成波長に対して透過性であるように設計されるが、他方、光活性成分は、典型的には、画像形成波長を吸収して感光性を最大化するように設計されている。フォトレジストの感光性は光活性成分の吸収特性に左右され、吸収が高いほど酸を発生させるのに必要なエネルギーはより少なくなり、フォトレジストはより感光性が高くなる。
【特許文献１】米国特許第４，４９１，６２８号明細書
【特許文献２】米国特許第５，３５０，６６０号明細書
【特許文献３】米国特許第５，８４３，６２４号明細書
【特許文献４】ＧＢ２，３２０，７１８号明細書
【特許文献５】国際公開第００／６７０７２号パンフレット
【特許文献６】国際公開第００／１７７１２号パンフレット
【特許文献７】米国特許第６，８４１，３３３号明細書
【特許文献８】米国特許第５，８７４，６１６号明細書
【特許文献９】米国特許第５，８７９，８５７号明細書
【特許文献１０】国際公開第９７／３３，１９８号パンフレット
【特許文献１１】ＥＰ７８９，２７８号明細書
【特許文献１２】ＧＢ２，３３２，６７９号明細書
【特許文献１３】米国特許第６，６１０，４６５号明細書
【特許文献１４】米国特許第６，１２０，９７７号明細書
【特許文献１５】米国特許第６，１３６，５０４号明細書
【特許文献１６】米国特許第６，０１３，４１６号明細書
【特許文献１７】米国特許第５，９８５，５２２号明細書
【特許文献１８】米国特許第５，６９３，４５３号明細書
【特許文献１９】国際公開第００／２５１７８号パンフレット
【特許文献２０】特開２０００−２７５８４５号公報
【特許文献２１】特開２０００−１３７３２７号公報
【特許文献２２】ＪＰ ０９−７３１７３号公報
【特許文献２３】米国特許第６，６８６，４２９号明細書
【特許文献２４】米国特許出願第１０／６５８，８４０号明細書
【特許文献２５】米国特許出願公開第２００４／０１６６４３３号明細書
【特許文献２６】米国特許出願第１０／３７１，２６２号明細書
【特許文献２７】米国特許出願第１０／４４０，４５２号明細書
【非特許文献１】Ｒ．Ｒ．ダンメル（Ｄａｍｍｅｌ）ら著、Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ、ＳＰＩＥ、第３３３３巻、１４４頁、（１９９８年）
【非特許文献２】Ｍ−Ｄ．ラーマン（Ｒａｈｍａｎ）ら著、Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ、ＳＰＩＥ、第３６７８巻、１１９３頁、（１９９９年）
【発明の開示】
【発明の概要】
【００１１】
本発明は、次式（Ｉ）の化合物に関する。
Ａ−Ｘ−Ｂ （Ｉ）
（ｉ）ここで、Ａ−Ｘ−Ｂはイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉを形成し、
ここで、ＡｉおよびＢｉはそれぞれ個別に有機オニウムカチオンであり、
Ｘｉは式、
Ｑ−Ｒ５００−ＳＯ３−
のアニオンであり、
ここで、Ｑは−Ｏ３Ｓおよび−Ｏ２Ｃから選択され、
Ｒ５００は直鎖または分枝鎖アルキル、シクロアルキル、アリール、またはそれらの組み合わせから選択される基であり、これらは異種原子として（catenary)ＳまたはＮを含有するかまたは含有せず、前記のアルキル、シクロアルキル、およびアリール基は非置換であるか、またはハロゲン、非置換のまたは置換されたアルキル、非置換のまたは置換されたＣ１〜８ペルフルオロアルキル、ヒドロキシル、シアノ、スルフェート、およびニトロからなる群から選択される１つ以上の基で置換され、そして
前記有機オニウムカチオンは
【００１２】
【化１】

【００１３】
および
Ｙ−Ａｒから選択され、
ここで、Ａｒは
【００１４】
【化２】

【００１５】
Ｙは
【００１６】
【化３】

【００１７】
から選択されるか、
あるいは
（ｉｉ）Ａ−Ｘ−Ｂは非イオン性化合物Ａｃ−Ｘｃ−Ｂｃを形成し、
ここで、ＡｃおよびＢｃはそれぞれ個別に、−ＳＯ２−（Ｃ（Ｘ２）２）ｍ−Ｒ６００、−Ｏ−ＣＨＸ３−Ｒ７００、−Ｃ（＝Ｎ２）−ＳＯ２−Ｒ６００
および
【００１８】
【化４】

【００１９】
から選択され、
ここで、Ｒ６００は１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、または
【００２０】
【化５】

【００２１】
から選択され、
Ｒ７００は１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、または
【００２２】
【化６】

【００２３】
から選択され、
ＵはＣ１〜Ｃ４の非置換のまたは置換されたアルキレンであり、
Ｘｃは
【００２４】
【化７】

【００２５】
であり、ここで、Ｒ５００は上で定義されたとおりであり、
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１Ａ、Ｒ１Ｂ、Ｒ１Ｃ、Ｒ２Ａ、Ｒ２Ｂ、Ｒ２Ｃ、Ｒ２Ｄ、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ３Ｃ、Ｒ３Ｄ、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ４Ｃ、Ｒ４Ｄ、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、およびＲ５Ｃはそれぞれ独立して、Ｚ、水素、ＯＳＯ２Ｒ９、ＯＲ２０、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、アリールカルボニルメチル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、直鎖または分枝アルコキシ鎖、ニトロ、シアノ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル、スルフェート、トレシル、またはヒドロキシルから選択され、（ｉ）Ｒ１ＤまたはＲ５Ｄの一方がニトロで、他方は水素、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、または（ｉｉ）Ｒ１ＤおよびＲ５Ｄのどちらもニトロである、のどちらかであり、
Ｒ６およびＲ７はそれぞれ独立して、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、ニトロ、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、またはＲ６およびＲ７は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、
Ｒ９はアルキル、フルオロアルキル、ペルフルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、ペルフルオロアリール、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロフルオロアルキルまたはポリシクロフルオロアルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル基から選択され、
Ｒ２０はアルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキルであり、
Ｔは、直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価の直鎖または分枝アルキル基、二価のアリール、二価のアラルキル、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基であり、
Ｚは、−（Ｖ）ｊ−（Ｃ（Ｘ１１）（Ｘ１２））ｎ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８であり、ここで、（ｉ）Ｘ１１またはＸ１２の１つは、少なくとも１つのフッ素原子を含有する直鎖または分枝アルキル鎖であり、他方は水素、ハロゲン、または直鎖または分枝アルキル鎖であるか、または（ｉｉ）Ｘ１１およびＸ１２のどちらも少なくとも１つのフッ素原子を含有する直鎖または分枝アルキル鎖である、のどちらかであり、
Ｖは直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価の直鎖または分枝アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基から選択される結合基であり、
Ｘ２は、水素、ハロゲン、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖であり、
Ｒ８は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、またはアリールであり、
Ｘ３は、水素、直鎖または分枝アルキル鎖、ハロゲン、シアノ、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ５０であり、ここで、Ｒ５０は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または−Ｏ−Ｒ５１から選択され、ここで、Ｒ５１は水素または直鎖または分枝アルキル鎖であり、
各ｉおよびｋは独立して０または正の整数であり、
ｊは０〜１０であり、
ｍは０〜１０であり、
ｎは０〜１０であり、
前記のアルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、直鎖または分枝アルキル鎖、直鎖または分枝アルコキシ鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキル、アラルキル、アリール、ナフチル、アントリル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環、またはアリールカルボニルメチル基は非置換であるか、またはＺ、ハロゲン、アルキル、Ｃ１〜８ペルフルオロアルキル、モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、ＯＲ２０、アルコキシ、Ｃ３〜２０環式アルコキシ、ジアルキルアミノ、二環式ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、トレシル、オキソ、アリール、アラルキル、酸素原子、ＣＦ３ＳＯ３、アリールオキシ、アリールチオ、および式（ＩＩ）〜（ＶＩ）
【００２６】
【化８】

【００２７】
の基からなる群から選択される１つ以上の基で置換され、
Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表すか、またはＲ１０およびＲ１１は一緒になってアルキレン基を表して５または６員環を形成でき、
Ｒ１２は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、またはアラルキルを表すか、またはＲ１０およびＲ１２は一緒になってアルキレン基を表し、介在する−Ｃ−Ｏ−基と一緒になって５または６員環を形成し、この環中の炭素原子は酸素原子で置換されているかまたは置換されておらず、
Ｒ１３は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表し、
Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ独立して水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表し、
Ｒ１６は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、またはアラルキルを表し、そして
Ｒ１７は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、アラルキル、−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基、または−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基を表し、前記の１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、およびアラルキルは非置換であるか、または上述のように置換されている。
【００２８】
Ａ−Ｘ−Ｂがイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉである化合物Ａ−Ｘ−Ｂが好ましい。
【００２９】
本発明はまた、酸に不安定な基を含むポリマーおよび上記の化合物を含有するフォトレジスト組成物にも関する。
【００３０】
フォトレジスト組成物は任意に式Ａｉ Ｘｉ１を有する第２の光酸発生剤を含有でき、ここで、Ａｉは上で定義したとおりであり、Ｘｉ１は、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＨＦ２ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＣＣｌ３ＳＯ３−、Ｃ２Ｆ５ＳＯ３−、Ｃ２ＨＦ４ＳＯ３−、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−、カンフルスルホネート、ペルフルオロオクタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ペルフルオロトルエンスルホネート、（Ｒｆ１ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｒｆ１ＳＯ２）２Ｎ−およびＲｇ−Ｏ−Ｒｆ２−ＳＯ３−選択されるアニオンであり、各Ｒｆ１は、独立して、高度にフッ素化または過フッ化されたアルキルまたはフッ素化されたアリール基からなる群から選択され、いずれかの２つのＲｆ１基の組み合わせが結合して架橋を形成する場合は環式であることができ、さらにＲｆ１アルキル鎖は、１〜２０個の炭素原子を含有しそして直鎖、分枝、または環式であることができ、そうして二価の酸素、三価の窒素または六価のイオウがその主鎖中に割り込むことができ、さらにＲｆ１が環式構造を含有する場合、このような構造は５または６個の環員を有し、これらの環員のうちの１つまたは２つがヘテロ原子であることができ、Ｒｆ２は、直鎖または分枝（ＣＦ２）ｊ（ここで、ｊは４〜１０の整数である）、およびペルフルオロＣ１〜１０アルキルで置換されているかまたは置換されていないＣ１〜Ｃ１２シクロペルフルオロアルキル二価基からなる群から選択され、ＲｇはＣ１〜Ｃ２０直鎖、分枝、モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝、モノシクロアルケニルまたはポリシクロアルケニル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択され、前記のアルキル、アルケニル、アラルキル、およびアリール基は非置換または置換されており、異種原子として（catenary)１つ以上の酸素原子を含有するかもしくは含有せず、そして部分的にフッ素化もしくは過フッ化されているかまたはされていない。このようなアニオンＸｉ１の例としては、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）Ｃ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）Ｃ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）Ｎ−、［（ＣＦ３）２ＮＣ２Ｆ４ＳＯ２］２Ｎ−、（ＣＦ３）２ＮＣ２Ｆ４ＳＯ２Ｃ−（ＳＯ２ＣＦ３）２、（３，５−ビス（ＣＦ３）Ｃ６Ｈ３）ＳＯ２Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３、Ｃ６Ｆ５ＳＯ２Ｃ−−（ＳＯ２ＣＦ３）２、Ｃ６Ｆ５ＳＯ２Ｎ−−ＳＯ２ＣＦ３、
【００３１】
【化９】

【００３２】
ＣＦ３ＣＨＦＯ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ２Ｈ５Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ６Ｈ５ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ２Ｈ５ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、Ｃ４Ｈ９ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、Ｃ８Ｈ１７Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ３−、およびＣ４Ｈ９Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ３−などが挙げられる。適切なアニオンのその他の例は、特許文献７および特許文献８に見られる。
【００３３】
Ａｉ Ｘｉ１の例としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ビス−ペルフルオロエタンスルホンアミド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート及びこれらの類似物、ならびに当業者に知られているその他の光酸発生剤などが挙げられる。
【本発明の詳細な説明】
【００３４】
本発明は、式（Ｉ）の化合物に関する。
Ａ−Ｘ−Ｂ （Ｉ）
（ｉ）ここで、Ａ−Ｘ−Ｂはイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉを形成し、
ＡｉおよびＢｉはそれぞれ個別に有機オニウムカチオンであり、
ここで、Ｘｉは式、
Ｑ−Ｒ５００−ＳＯ３−
のアニオンであり、
Ｑは−Ｏ３Ｓおよび−Ｏ２Ｃから選択され、
Ｒ５００は直鎖または分枝鎖アルキル、シクロアルキル、アリール、またはそれらの組み合わせから選択される基であり、これらは異種原子として（catenary)ＳまたはＮを含有するかまたは含有せず、ここで、前記のアルキル、シクロアルキル、およびアリール基は非置換であるか、またはハロゲン、非置換のまたは置換されたアルキル、非置換のまたは置換されたＣ１〜８ペルフルオロアルキル、ヒドロキシル、シアノ、スルフェート、およびニトロからなる群から選択される１つ以上の基で置換され、そして
前記有機オニウムカチオンは
【００３５】
【化１０】

【００３６】
および
Ｙ−Ａｒから選択され、
ここで、Ａｒは
【００３７】
【化１１】

【００３８】
Ｙは
【００３９】
【化１２】

【００４０】
から選択されるか、
あるいは
（ｉｉ）Ａ−Ｘ−Ｂは非イオン性化合物Ａｃ−Ｘｃ−Ｂｃを形成し、
ここで、ＡｃおよびＢｃはそれぞれ個別に、−ＳＯ２−（Ｃ（Ｘ２）２）ｍ−Ｒ６００、−Ｏ−ＣＨＸ３−Ｒ７００、−Ｃ（＝Ｎ２）−ＳＯ２−Ｒ６００
および
【００４１】
【化１３】

【００４２】
から選択され、
ここで、Ｒ６００は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、または
【００４３】
【化１４】

【００４４】
から選択され、
ここで、Ｒ７００は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、または
【００４５】
【化１５】

【００４６】
から選択され、
ＵはＣ１〜Ｃ４の非置換のまたは置換されたアルキレンであり、
Ｘｃは
【００４７】
【化１６】

【００４８】
であり、ここで、Ｒ５００は上で定義されたとおりであり、
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１Ａ、Ｒ１Ｂ、Ｒ１Ｃ、Ｒ２Ａ、Ｒ２Ｂ、Ｒ２Ｃ、Ｒ２Ｄ、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ３Ｃ、Ｒ３Ｄ、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ４Ｃ、Ｒ４Ｄ、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、およびＲ５Ｃはそれぞれ独立して、Ｚ、水素、ＯＳＯ２Ｒ９、ＯＲ２０、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、アリールカルボニルメチル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、直鎖または分枝アルコキシ鎖、ニトロ、シアノ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル、スルフェート、トレシル、またはヒドロキシルから選択され、
（ｉ）Ｒ１ＤまたはＲ５Ｄの一方はニトロで、他方は水素、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、または（ｉｉ）Ｒ１ＤおよびＲ５Ｄのどちらもニトロである、のどちらかであり、
Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立して、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、ニトロ、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、またはＲ６およびＲ７は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、
Ｒ９はアルキル、フルオロアルキル、ペルフルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、ペルフルオロアリール、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロフルオロアルキルまたはポリシクロフルオロアルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル基から選択され、
Ｒ２０は、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキルであり、
Ｔは、直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価の直鎖または分枝アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基であり、
Ｚは、−（Ｖ）ｊ−（Ｃ（Ｘ１１）（Ｘ１２））ｎ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８であり、ここで、（ｉ）Ｘ１１またはＸ１２の１つは、少なくとも１つのフッ素原子を含有する直鎖または分枝アルキル鎖であり、他方は水素、ハロゲン、または直鎖または分枝アルキル鎖であるか、または（ｉｉ）Ｘ１１およびＸ１２のどちらも少なくとも１つのフッ素原子を含有する直鎖または分枝アルキル鎖である、のどちらかであり、
Ｖは直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価の直鎖または分枝アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基から選択される結合基であり、
Ｘ２は、水素、ハロゲン、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖であり、
Ｒ８は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、またはアリールであり、
Ｘ３は、水素、直鎖または分枝アルキル鎖、ハロゲン、シアノ、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ５０であり、ここで、Ｒ５０は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または−Ｏ−Ｒ５１から選択され、ここで、Ｒ５１は水素または直鎖または分枝アルキル鎖であり、
各ｉおよびｋは独立して０または正の整数であり、
ｊは０〜１０であり、
ｍは０〜１０であり、そして
ｎは０〜１０であり、
アルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、直鎖または分枝アルキル鎖、直鎖または分枝アルコキシ鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキル、アラルキル、アリール、ナフチル、アントリル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環、またはアリールカルボニルメチル基は非置換であるか、またはＺ、ハロゲン、アルキル、Ｃ１〜８ペルフルオロアルキル、モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、ＯＲ２０、アルコキシ、Ｃ３〜２０環式アルコキシ、ジアルキルアミノ、二環式ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、トレシル、オキソ、アリール、アラルキル、酸素原子、ＣＦ３ＳＯ３、アリールオキシ、アリールチオ、および式（ＩＩ）〜（ＶＩ）
【００４９】
【化１７】

【００５０】
の基からなる群から選択される１つ以上の基で置換され、
Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表すか、またはＲ１０およびＲ１１は一緒になってアルキレン基を表して５または６員環を形成でき、
Ｒ１２は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、またはアラルキルを表すか、またはＲ１０およびＲ１２は一緒になってアルキレン基を表し、介在する−Ｃ−Ｏ−基と一緒になって５または６員環を形成し、この環中の炭素原子は酸素原子で置換されているかまたは置換されておらず、
Ｒ１３は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表し、
Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ独立して水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表し、
Ｒ１６は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、またはアラルキルを表し、
Ｒ１７は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、アラルキル、−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基、または−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基を表し、前記の１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、およびアラルキルは非置換であるか、または上述のように置換されている。
【００５１】
本発明はまた、酸に不安定な基を含むポリマーおよび上述のような化合物を含有するフォトレジスト組成物にも関する。
【００５２】
フォトレジスト組成物は任意に式Ａｉ Ｘｉ１を有する第２の光酸発生剤を含有でき、ここで、Ａｉは上で定義したとおりであり、Ｘｉ１はＣＦ３ＳＯ３−、ＣＨＦ２ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＣＣｌ３ＳＯ３−、Ｃ２Ｆ５ＳＯ３−、Ｃ２ＨＦ４ＳＯ３−、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−、カンフルスルホネート、ペルフルオロオクタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ペルフルオロトルエンスルホネート、（Ｒｆ１ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｒｆ１ＳＯ２）２Ｎ−およびＲｇ−Ｏ−Ｒｆ２−ＳＯ３−から選択されるアニオンであり、各Ｒｆ１は独立して、高度にフッ素化または過フッ化されたアルキルまたはフッ素化されたアリール基からなる群から選択され、いずれかの２つのＲｆ１基の組み合わせが結合して架橋を形成する場合は環式であることができ、さらにＲｆ１アルキル鎖は１〜２０個の炭素原子を含有しそして直鎖、分枝、または環式であることができ、そうして二価の酸素、三価の窒素または六価のイオウがその主鎖中に割り込むことができ、さらにＲｆ１が環式構造を含有する場合、このような構造は５または６個の環員を有し、これらの環員のうちの１つまたは２つはヘテロ原子であることができ、Ｒｆ２は、直鎖または分枝（ＣＦ２）ｊ（ここで、ｊは４〜１０の整数である）、およびペルフルオロＣ１〜１０アルキルで置換されているかまたは置換されていないＣ１〜Ｃ１２シクロペルフルオロアルキル二価基からなる群から選択され、ＲｇはＣ１〜Ｃ２０直鎖、分枝、モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝、モノシクロアルケニルまたはポリシクロアルケニル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択され、前記のアルキル、アルケニル、アラルキル、およびアリール基は、非置換または置換されており、異種原子として（catenary)１つ以上の酸素原子を含有するかまたは含有せず及び部分的にフッ素化もしくは過フッ化されているかまたはされていない。このようなアニオンＸｉ１の例としては、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）Ｃ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）Ｃ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）Ｎ−、［（ＣＦ３）２ＮＣ２Ｆ４ＳＯ２］２Ｎ−、（ＣＦ３）２ＮＣ２Ｆ４ＳＯ２Ｃ−（ＳＯ２ＣＦ３）２、（３，５−ビス（ＣＦ３）Ｃ６Ｈ３）ＳＯ２Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３、Ｃ６Ｆ５ＳＯ２Ｃ−−（ＳＯ２ＣＦ３）２、Ｃ６Ｆ５ＳＯ２Ｎ−−ＳＯ２ＣＦ３、
【００５３】
【化１８】

【００５４】
ＣＦ３ＣＨＦＯ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ２Ｈ５Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ６Ｈ５ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ２Ｈ５ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、Ｃ４Ｈ９ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、Ｃ８Ｈ１７Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ３−、およびＣ４Ｈ９Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ３−などが挙げられる。適切なアニオンのその他の例は、特許文献７および特許文献８に見られる。
【００５５】
Ａｉ Ｘｉ１の例としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ビス−ペルフルオロエタンスルホンアミド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートおよびこれらの類似物、ならびに当業者に知られているその他の光酸発生剤などが挙げられる。
【００５６】
本発明で使用するアルキルという用語は、直鎖または分枝鎖炭化水素、好ましくはＣ１〜Ｃ２０直鎖または分枝アルキル鎖を意味する。アルキルの代表的な例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、３−メチルヘキシル、２，２−ジメチルペンチル、２，３−ジメチルペンチル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、およびｎ−デシルなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００５７】
アルキレンとは、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンおよびこれらの類似物などの、直鎖または分枝鎖であることができる（好ましくはＣ１〜Ｃ４の）二価のアルキル基を指す。
【００５８】
アリールという用語は、１個の水素原子の除去によって、（好ましくはＣ５〜Ｃ５０である）芳香族炭化水素から誘導される基を意味し、置換または非置換であることができる。芳香族炭化水素は、単核または多核であることができる。単核型アリールの例としては、フェニル、トリル、キシリル、メシチル、クメニルおよりこれらの類似物などが挙げられる。多核型アリールの例としては、ナフチル、アントリル、フェナントリルおよびこれらの類似物などが挙げられる。アリール基は、上に記載のように非置換であるかまたは置換されていることができる。
【００５９】
アルコキシという用語はアルキル−Ｏ−の基を指し、ここで、アルキルは本明細書で定義した通りのものである。アルコキシの代表的な例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、２−プロポキシ、ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、およびヘキシルオキシが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００６０】
アリールオキシという用語はアリール−Ｏ−基を指し、ここで、アリールは本明細書で定義した通りのものである。
【００６１】
アラルキルという用語は、好ましくは全部で５〜５０個のＣ原子を有する、アリール基を含有するアルキル基を意味する。これは芳香族および脂肪族構造の双方を有する炭化水素基であり、すなわち低級アルキル水素原子が単核または多核アリール基によって置換された炭化水素基である。アラルキル基の例としては、非限定的に、ベンジル、２−フェニル−エチル、３−フェニル−プロピル、４−フェニル−ブチル、５−フェニル−ペンチル、４−フェニルシクロヘキシル、４−ベンジルシクロヘキシル、４−フェニルシクロヘキシルメチル、４−ベンジルシクロヘキシルメチル、ナフチルメチル及びこれらの類似物などが挙げられる。
【００６２】
本明細書で使用するモノシクロアルキルという用語は、好ましくはＣ５〜Ｃ５０である置換されているかまたは置換されていない飽和または部分的不飽和のモノシクロアルキル環系を指し、環が部分的に不飽和であればそれはモノシクロアルケニル基である。本明細書で使用するポリシクロアルキルという用語は、２つ以上、好ましくは２または３つの環を含有する置換されているかまたは置換されていない飽和または部分的に不飽和のポリシクロアルキル環系を指し、環が部分的に不飽和であればそれはポリシクロアルケニル基である。１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基の例は当業者にはよく知られており、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘプチル、シクロヘキシル、２−メチル−２−ノルボルニル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−メチルエチル、アダマンチル、トリシクロデシル、３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］ノニル、テトラシクロドデカニル、テトラシクロ［５．２．２．０．０］ウンデカニル、ボルニル、イソボルニルノルボルニルラクトン、アダマンチルラクトン及びこれらの類似物などが挙げられる。
【００６３】
アルコキシカルボニルアルキルという用語は、ここで定義するように、（好ましくはＣ１〜Ｃ２０である）アルコキシカルボニル基で置換されたアルキル基を包含する。アルコキシカルボニルアルキル基の例としては、メトキシカルボニルメチル［ＣＨ３Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−］、エトキシカルボニルメチル［ＣＨ３ＣＨ２Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−］、メトキシカルボニルエチル［ＣＨ３Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ２−］、およびエトキシカルボニルエチル［ＣＨ３ＣＨ２Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ２−］などが挙げられる。
【００６４】
本明細書で使用するアルキルカルボニルという用語は、ここで定義されるカルボニル基を介して母体分子部分に結合しているここで定義されるアルキル基を意味し、総称的には（好ましくはＣ１〜Ｃ２０の）アルキル−Ｃ（Ｏ）−として表すことができるものである。アルキルカルボニルの代表的な例としては、アセチル（メチルカルボニル）、ブチリル（プロピルカルボニル）、オクタノイル（ヘプチルカルボニル）、ドデカノイル（ウンデシルカルボニル）及びこれらの類似物などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００６５】
アルコキシカルボニルとは、（好ましくはＣ１〜Ｃ２０である）アルキル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−を意味し、アルキルは前述の通りである。非限定的例としては、メトキシカルボニル［ＣＨ３Ｏ−Ｃ（Ｏ）−］およびエトキシカルボニル［ＣＨ３ＣＨ２Ｏ−Ｃ（Ｏ）−］、ベンジルオキシカルボニル［Ｃ６Ｈ５ＣＨ２Ｏ−Ｃ（Ｏ）−］及びこれらの類似物などが挙げられる。
【００６６】
アルコキシアルキルとは、末端アルキル基がエーテル酸素原子を介してアルキル部分に結合していることを意味し、総称的には（好ましくはＣ１〜Ｃ２０である）アルキル−Ｏ−アルキルとして表わすことができる。アルキル基は直鎖または分枝鎖であることができる。アルコキシアルキルの例としては、メトキシプロピル、メトキシブチル、エトキシプロピル、メトキシメチルなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００６７】
モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキルとは、末端モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基が−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を介してアルキル部分に結合していることを意味し、総称的にはモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキル−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アルキルとして表される。
【００６８】
モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキルとは、末端モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基がエーテル酸素原子を介してアルキル部分に結合していることを意味し、総称的にはモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキル−Ｏ−アルキルとして表すことができる。
【００６９】
モノシクロフルオロアルキル−またはポリシクロフルオロアルキルとは、１つ以上のフッ素原子で置換された（好ましくはＣ５〜Ｃ５０である）モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキル基を意味する。
【００７０】
さらに別の好ましい本発明の態様の一つでは、次の式（Ｉ）の化合物が提供される。
Ａ−Ｘ−Ｂ （Ｉ）、
（ｉ）ここで、Ａ−Ｘ−Ｂはイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉを形成し、
ここで、ＡｉおよびＢｉはそれぞれ個別に有機オニウムカチオンであり、
Ｘｉは式、
Ｑ−Ｒ５００−ＳＯ３−
のアニオンであり、
ここで、Ｑは−Ｏ３Ｓおよび−Ｏ２Ｃから選択され、
Ｒ５００は、直鎖または分枝鎖アルキル、シクロアルキル、アリール、またはそれらの組み合わせから選択される基であり、これらは異種原子として（catenary)ＳまたはＮを含有するかまたは含有せず、ここで、前記のアルキル、シクロアルキル、およびアリール基は非置換であるか、またはハロゲン、非置換のまたは置換されたＣ1-20アルキル、非置換のまたは置換されたＣ１〜８ペルフルオロアルキル、ヒドロキシル、シアノ、スルフェート、およびニトロからなる群から選択される１つ以上の基で置換され、
前記有機オニウムカチオンは
【００７１】
【化１９】

【００７２】
および
Ｙ−Ａｒから選択され、
Ａｒは
【００７３】
【化２０】

【００７４】
Ｙは
【００７５】
【化２１】

【００７６】
から選択されるか、
あるいは
（ｉｉ）Ａ−Ｘ−Ｂは非イオン性化合物Ａｃ−Ｘｃ−Ｂｃを形成し、
ここで、ＡｃおよびＢｃはそれぞれ個別に、
−ＳＯ２−（Ｃ（Ｘ２）２）ｍ−Ｒ６００、−Ｏ−ＣＨＸ３−Ｒ７００、−Ｃ（＝Ｎ２）−ＳＯ２−Ｒ６００
および
【００７７】
【化２２】

【００７８】
から選択され、
ここで、Ｒ６００は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０環式アルキルカルボニル基、Ｃ１０〜５０多核アリール基、Ｃ５〜５０アラルキル基、または
【００７９】
【化２３】

【００８０】
から選択され、
ここで、Ｒ７００は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０環式アルキルカルボニル基、Ｃ１０〜５０多核アリール基、Ｃ５〜５０アラルキル基、または
【００８１】
【化２４】

【００８２】
から選択され、
ＵはＣ１〜Ｃ４の非置換または置換アルキレンであり、
Ｘｃは
【００８３】
【化２５】

【００８４】
であり、
ここで、Ｒ５００は上で定義した通りであり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１Ａ、Ｒ１Ｂ、Ｒ１Ｃ、Ｒ２Ａ、Ｒ２Ｂ、Ｒ２Ｃ、Ｒ２Ｄ、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ３Ｃ、Ｒ３Ｄ、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ４Ｃ、Ｒ４Ｄ、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、およびＲ５Ｃは、それぞれ独立して、Ｚ、水素、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０環式アルキルカルボニル基、Ｃ５〜５０アリール基、Ｃ５〜５０アラルキル基、アリールカルボニルメチレン基、Ｃ１〜５０直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、Ｃ５〜５０ペルフルオロシクロアルキル、Ｃ１〜２０直鎖または分枝アルコキシ鎖、ニトロ、シアノ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル、スルフェート、トレシル、またはヒドロキシルから選択され、（ｉ）Ｒ１ＤまたはＲ５Ｄの一方はニトロで、他方は水素、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０環式アルキルカルボニル基、Ｃ５〜５０アリール基、Ｃ５〜５０アラルキル基、Ｃ１〜５０直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、Ｃ５〜５０ペルフルオロシクロアルキル、アリールカルボニルメチレン基、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、または（ｉｉ）Ｒ１ＤおよびＲ５Ｄの双方がニトロである、のどちらかであり、
Ｒ６およびＲ７はそれぞれ独立して、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０環式アルキルカルボニル基、Ｃ５〜５０アリール基、Ｃ５〜５０アラルキル基、Ｃ１〜５０直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、Ｃ５〜５０ペルフルオロシクロアルキル、アリールカルボニルメチレン基、ニトロ、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、またはＲ６およびＲ７は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、
Ｔは、直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のＣ１〜２０直鎖または分枝鎖アルキル基、二価のＣ５〜５０アリール基、二価のＣ５〜５０アラルキル基、または二価のＣ５〜５０単環式、二環式または三環式アルキル基であり、
Ｚは、−（Ｖ）ｊ−（Ｃ（Ｘ１１）（Ｘ１２））ｎ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８であり、ここで、（ｉ）Ｘ１１またはＸ１２の一方は少なくとも１つのフッ素原子を含有するＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖であり、他方は水素、ハロゲン、またはＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖であるか、または（ｉｉ）Ｘ１１およびＸ１２の双方が少なくとも１つのフッ素原子を含有するＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖である、のどちらかであり、
Ｖは、直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のＣ１〜２０直鎖または分枝鎖アルキル基、二価のＣ５〜５０アリール基、二価のＣ５〜５０アラルキル基、または二価のＣ５〜５０単環式、二環式または三環式アルキル基から選択される結合基であり、
Ｘ２は、水素、ハロゲン、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖であり、
Ｒ８は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、またはＣ５〜５０アリール基であり、
Ｘ３は水素、Ｃ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、ハロゲン、シアノ、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ５０であり、ここで、Ｒ５０は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、または−Ｏ−Ｒ５１から選択され、ここで、Ｒ５１は水素またはＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖であり、
ｉおよびｋのそれぞれは独立して０または正の整数であり、
ｊは０〜１０であり、
ｍは０〜１０であり、そして
ｎは０〜１０であり、
前記の１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ１〜２０直鎖または分枝アルコキシ鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０環式アルキルカルボニル基、Ｃ５〜５０アラルキル基、Ｃ５〜５０アリール基、Ｃ１０〜５０多核アリール、ナフチル、アントリル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環、またはアリールカルボニルメチレン基は非置換であるか、またはＺ、ハロゲン、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ１〜８ペルフルオロアルキル、Ｃ３〜２０環式アルキル、Ｃ１〜２０アルコキシ、Ｃ３〜２０環式アルコキシ、ジＣ１〜２０アルキルアミノ、二環式ジＣ１〜２０アルキルアミノ、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、トレシル、オキソ、アリール、アラルキル、酸素原子、ＣＦ３ＳＯ３、アリールオキシ、アリールチオ、および式（ＩＩ）〜（ＶＩ）の基
【００８５】
【化２６】

【００８６】
からなる群から選択される１つ以上の基によって置換され、
Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して、水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、またはＣ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基を表し、またはＲ１０およびＲ１１は一緒になってアルキレン基を表して５または６員環を形成でき、
Ｒ１２は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、またはＣ５〜５０アラルキル基を表すか、またはＲ１０およびＲ１２は一緒になってアルキレン基を表し、それは介在する−Ｃ−Ｏ−基と一緒になって５または６員環を形成し、この環中の炭素原子は酸素原子で置換されているかまたは置換されておらず、
Ｒ１３は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、またはＣ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基を表し、
Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ独立して水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、またはＣ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基を表し、
Ｒ１６は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０アリール基、またはＣ５〜５０アラルキル基を表し、そして
Ｒ１７は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０アリール基、Ｃ５〜５０アラルキル基、−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基、または−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基を表し、前記の１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないＣ１〜２０直鎖または分枝アルキル鎖、Ｃ５〜５０単環式、二環式、または三環式アルキル基、Ｃ５〜５０アリール基、およびＣ５〜５０アラルキル基は非置換であるか、または上述のように置換されている。
【００８７】
Ａ−Ｘ−Ｂがイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉである化合物Ａ−Ｘ−Ｂが好ましい。
【００８８】
さらに別の好ましい本発明の態様の一つでは、化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉが提供され、ＡｉおよびＢｉのそれぞれは、
【００８９】
【化２７】

【００９０】
から選択される。
この態様でより好ましいのは、ＡｉおよびＢｉがそれぞれ
【００９１】
【化２８】

【００９２】
である化合物であり、
ここで、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立して、非置換または置換された（好ましくはＣ５〜Ｃ５０の）アリールであるか、またはＲ６およびＲ７は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、Ｔは、直接結合であるか、あるいは１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有せず及びオキソで置換されているかまたはされていない二価の直鎖または分枝鎖アルキル基であり、Ｒ５００は、非置換のまたは１つ以上のハロゲン基で置換された直鎖または分枝鎖アルキルである。
【００９３】
これらの化合物で好ましいのは、Ｒ６およびＲ７がそれぞれ独立して非置換のまたは置換されたアリールであり、Ｔが直接結合であり、Ｒ５００が非置換のまたは１つ以上のハロゲン基で置換された直鎖または分枝鎖アルキルである化合物である。
【００９４】
特にこれらの化合物は、次のものからなる群から選択される。
【００９５】
【化２９】

【００９６】
【化３０】

【００９７】
【化３１】

【００９８】
【化３２】

【００９９】
【化３３】

【０１００】
【化３４】

【０１０１】
【化３５】

【０１０２】
【化３６】

【０１０３】
【化３７】

【０１０４】
上の化合物でさらに別の好ましいのは、Ｒ６およびＲ７が、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、Ｔが、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有せず及びオキソで置換されているかまたはされていない、二価の直鎖または分枝鎖の（好ましくはＣ１〜Ｃ２０の）アルキル基であり、Ｒ５００が非置換のまたは１つ以上のハロゲン基で置換された直鎖または分枝鎖アルキルであるものである。
【０１０５】
これらの中で特に好ましいものは、次のものからなる群から選択される化合物である。
【０１０６】
【化３８】

【０１０７】
【化３９】

【０１０８】
また、Ａが、
【０１０９】
【化４０】

【０１１０】
であり、そしてＢｉが
【０１１１】
【化４１】

【０１１２】
である化合物も好ましい。
【０１１３】
これらの中で特に好ましいものは、次のものからなる群から選択される化合物である。
【０１１４】
【化４２】

【０１１５】
【化４３】

【０１１６】
【化４４】

【０１１７】
【化４５】

【０１１８】
式（Ｉ）の化合物は、当業者に既知の方法によって製造できる。実施例で開示される方法を参照されたい。これは、式（Ｉ）のさらに別の化合物の合成のガイドラインとしても使用できる。
【０１１９】
フォトレジスト組成物で有用なポリマーとしては、ポリマーを水性アルカリ性溶液中に不溶性にする酸不安定基を有するが、酸の存在下で触媒的に脱保護し、次に水性アルカリ性溶液中で可溶性になるポリマーが挙げられる。ポリマーは好ましくは２００ｎｍ未満で透過性であり、本質的に非芳香族であり、好ましくはアクリレートおよび／またはシクロオレフィンポリマーである。このようなポリマーは、例えば特許文献３、特許文献９、特許文献１０、特許文献１１、および特許文献１２に記載されているものであるが、これらに限定されるものではない。２００ｎｍ未満の露光に好ましい非芳香族ポリマーは、置換アクリレート、シクロオレフィン、置換ポリエチレンなどである。ポリヒドロキシスチレンおよびそのコポリマーに基づく芳香族ポリマーも、特に２４８ｎｍの露光で使用することができる。
【０１２０】
アクリレートに基づくポリマーは、一般にポリ（メタ）アクリレートに基づき、少なくとも１つの単位は脂環式側鎖基を含有し、酸不安定基はポリマー主鎖および／または脂環式基に側鎖基として結合している。脂環式側鎖基の例は、アダマンチル、トリシクロデシル、イソボルニル、メンチルおよびそれらの誘導体であることができる。その他の側鎖基もポリマーに組み入れることができ、このような基としては、例えば、メバロノラクトン、ガンマブチロラクトン、アルキルオキシアルキルなどが挙げられる。脂環式基の構造の例としては、次のものが挙げられる。
【０１２１】
【化４６】

【０１２２】
ポリマーに組み入れるモノマーのタイプおよび比率は、最良のリソグラフィー性能を与えるために最適化される。このようなポリマーについては、非特許文献１に記載されている。これらのポリマーの例としては、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メバロノラクトンメタクリレート）、ポリ（カルボキシ−テトラシクロドデシルメタクリレート−ｃｏ−テトラヒドロピラニルカルボキシテトラシクロドデシルメタクリレート）、ポリ（トリシクロデシルアクリレート−ｃｏ−テトラヒドロピラニルメタクリレート−ｃｏ−メタクリル酸）、ポリ（３−オキソシクロヘキシルメタクリレート−ｃｏ−アダマンチルメタクリレート）などが挙げられる。
【０１２３】
ノルボルネンおよびテトラシクロドデセン誘導体と共にシクロオレフィンから合成されるポリマーは、開環複分解、遊離基重合によって、または有機金属触媒を使用して重合することができる。シクロオレフィン誘導体は、環状酸無水物あるいはマレイミドまたはその誘導体と共重合することもできる。環状酸無水物の例は、無水マレイン酸（ＭＡ）および無水イタコン酸である。シクロオレフィンはポリマー主鎖中に組み込まれ、そしてこれは不飽和結合を含有するあらゆる置換または非置換の多環式炭化水素であることができる。モノマーに酸不安定基が結合していてもよい。ポリマーは、不飽和結合を有する１つ以上のシクロオレフィンモノマーから合成することもできる。シクロオレフィンモノマーは、置換または非置換のノルボルネン、またはテトラシクロドデカンであることができる。シクロオレフィン上の置換基は、脂肪族または環状脂肪族アルキル、エステル、酸、ヒドロキシル、ニトリルまたはアルキル誘導体であることができる。シクロオレフィンモノマーの非限定的例としては、次のものが挙げられる。
【０１２４】
【化４７】

【０１２５】
ポリマーを合成するのに同様に使用できるその他のシクロオレフィンモノマーは、次のものである。
【０１２６】
【化４８】

【０１２７】
このようなポリマーは、非特許文献２に記載されている。なおこの文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。これらのポリマーの例としては、ポリ（（ｔ−ブチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−２−ヒドロキシエチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（ｔ−ブチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−イソボルニル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−２−ヒドロキシエチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（テトラシクロドデセン−５−カルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（ｔ−ブチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸−ｃｏ−２−メチルアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−メバロノラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチルアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−メバロノラクトンメタシレート）およびこれらの類似物などが挙げられる。
【０１２８】
それぞれ上述した（メタ）アクリレートモノマー、シクロオレフィン性モノマー、および環状酸無水物の混合物を含有するポリマーを組み合わせてハイブリッドポリマーとすることもできる。シクロオレフィンモノマーの例としては、ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート（ＢＮＣ）、ヒドロキシエチルノルボルネンカルボキシレート（ＨＮＣ）、ノルボルネンカルボン酸（ＮＣ）、ｔ−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１．２，６１．７，１０］ドデカン−８−エン−３−カルボキシレート、およびｔ−ブトキシカルボニルメチルテトラシクロ［４．４．０．１．２，６１．７，１０］ドデカン−８−エン−３−カルボキシレートから選択されるものなどが挙げられる。場合によっては、シクロオレフィンの好ましい例としては、ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート（ＢＮＣ）、ヒドロキシエチルノルボルネンカルボキシレート（ＨＮＣ）、およびノルボルネンカルボン酸（ＮＣ）などが挙げられる。（メタ）アクリレートモノマーの例としては、とりわけメバロノラクトンメタクリレート（ＭＬＭＡ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート（ＭＡｄＭＡ）、２−アダマンチルメタクリレート（ＡｄＭＡ）、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート（ＭＡｄＡ）、２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート（ＥＡｄＭＡ）、３，５−ジメチル−７−ヒドロキシアダマンチルメタクリレート（ＤＭＨＡｄＭＡ）、イソアダマンチルメタクリレート、ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン（ＨＡｄＭＡ、例えばヒドロキシが３位にあるもの）、ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート（ＨＡＤＡ、例えばヒドロキシが３位にあるもの）、エチルシクロペンチルアクリレート（ＥＣＰＡ）、エチルシクロペンチルメタクリレート（ＥＣＰＭＡ）、トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート（ＴＣＤＭＡ）、３，５−ジヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン（ＤＨＡｄＭＡ）、β−メタクリルオキシ−ガンマ−ブチロラクトン、α−またはβ−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート（α−またはβ−ＧＢＬＭＡのどちらか）、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン（ＭＮＢＬ）、５−アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン（ＡＮＢＬ）、イソブチルメタクリレート（ＩＢＭＡ）、α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート（α−ＧＢＬＡ）、スピロラクトン（メタ）アクリレート、オキシトリシクロデカン（メタ）アクリレート、アダマンタンラクトン（メタ）アクリレート、およびα−メタクリルオキシ−ガンマ−ブチロラクトンから選択されるものなどが挙げられる。これらのモノマーで形成されるポリマーの例としては、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸−ｃｏ−２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジメチル−７−ヒドロキシアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−エチルシクロペンチルアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（エチルシクロペンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−イソブチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチル−ｃｏ−メタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−５−アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート）；およびポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）などが挙げられる。
【０１２９】
その他の適切なポリマーの例としては、特許文献１３、特許文献１４、特許文献１５、特許文献１６、特許文献１７、特許文献３、特許文献１８、特許文献１、特許文献１９、特許文献５、特許文献２０、特許文献２１、および特許文献２２に記載されているものが挙げられる。これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。一種以上のフォトレジスト樹脂のブレンドを使用することもできる。典型的には、標準的な合成方法が使用され、様々なタイプの適切なポリマーが製造される。手順または適切な標準的な手順（例えばフリーラジカル重合）についての引用文献は、前述の文献に記載されている。
【０１３０】
シクロオレフィンおよび環状酸無水物モノマーは、交互ポリマー構造を形成すると考えられる。先的なリソグラフィ特性を得るためには、ポリマー中に組み込む（メタ）アクリレートモノマーの量を変化させることができる。ポリマー内のシクロオレフィン／酸無水物モノマーに対する（メタ）アクリレートモノマーの割合は、約９５モル％〜約５モル％の範囲、さらに約７５モル％〜約２５モル％の範囲、またさらに約５５モル％〜約４５モル％の範囲である。
【０１３１】
１５７ｎｍ露光に有用なフッ素化された非フェノールポリマーもラインエッジラフネスを示すものであることから、本発明に記載の新しい光活性化合物混合物の使用から利益を受けることができるものである。このようなポリマーは、特許文献６および特許文献５に記載されている。これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。このようなポリマーの一例は、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−ノルボルネン−ｃｏ−５−ヘキサフルオロイソプロパノール−置換２−ノルボルネンである。
【０１３２】
特許文献２３に記載のようなシクロオレフィンおよびシアノ含有エチレン性モノマーから合成されるポリマーも使用することができる。この文献の内容も本明細書に掲載されたものとする。
【０１３３】
ポリマーの分子量は、使用されるケミストリーのタイプ、および所望のリソグラフィー性能に基づいて最適化される。典型的には、重量平均分子量は、３，０００〜３０，０００の範囲であり、多分散性は１．１〜５、好ましくは１．５〜２．５の範囲である。
【０１３４】
重要なその他のポリマーとしては、２００３年２月２１日に出願された特許文献２６に記載されているものなどが挙げられる。この米国出願は、現在は２００３年１２月１７日に特許文献２４として出願されており、そして今は特許文献２５として現在公開されている。これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。更に別のポリマー、例えば「Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｄｅｅｐ ＵＶ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｈｅｒｅｏｆ（深紫外線のためのフォトレジスト組成物およびその方法）」と題された、２００３年５月１６日に出願された特許文献２７で開示されるものなどのポリマーも使用することができる。
【０１３５】
本発明の固体成分は有機溶剤に溶解される。溶剤または溶剤混合物中の固形物の量は、約１重量％〜約５０重量％の範囲である。ポリマーは、固形物の５重量％〜９０重量％の範囲であることができ、光酸発生剤は固形物の１重量％〜約５０重量％の範囲であることができる。このようなフォトレジストのための適当な溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン４−ヒドロキシ、および４−メチル２−ペンタノンなどのケトン； メタノール、エタノール、およびプロパノールなどのＣ１〜Ｃ１０脂肪族アルコール； ベンジルアルコールなどの芳香族基含有アルコール； エチレンカーボネートおよびプロピレンカーボネートなどの環式カーボネート； 脂肪族または芳香族炭化水素（例えばヘキサン、トルエン、キシレンなどおよびこれらの類似物）； ジオキサンおよびテトラヒドロフランなどの環式エーテル； エチレングリコール； プロピレングリコール； ヘキシレングリコール； エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル； メチルセロソルブアセテートおよびエチルセロソルブアセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルアセテート； エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテルなどのエチレングリコールジアルキルエーテル； ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、およびジエチレングリコールジメチルエーテルなどのジエチレングリコールモノアルキルエーテル； プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、およびプロピレングリコールブチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル； プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、およびプロピレングリコールブチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート； プロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、およびプロピレングリコールブチルエーテルプロピオネートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルプロピオネート； ２−メトキシエチルエーテル（ジグリム）； メトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノール、およびエトキシプロパノールなどのエーテルおよびヒドロキシ部分の双方を有する溶剤； 酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、および酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、エチル２−ヒドロキシプロピオネート、メチル２−ヒドロキシ２−メチルプロピオネート、エチル２−ヒドロキシ２−メチルプロピオネート、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、メチル３−ヒドロキシプロピオネート、エチル３−ヒドロキシプロピオネート、プロピル３−ヒドロキシプロピオネート、ブチル３−ヒドロキシプロピオネート、メチル２−ヒドロキシ３−メチルブタン酸、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、メチル２−メトキシプロピオネート、エチル２−メトキシプロピオネート、プロピル２−メトキシプロピオネート、ブチル２−メトキシプロピオネート、メチル２−エトキシプロピオネート、エチル２−エトキシプロピオネート、プロピル２−エトキシプロピオネート、ブチル２−エトキシプロピオネート、メチル２−ブトキシプロピオネート、エチル２−ブトキシプロピオネート、プロピル２−ブトキシプロピオネート、ブチル２−ブトキシプロピオネート、メチル３−メトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、プロピル３−メトキシプロピオネート、ブチル３−メトキシプロピオネート、メチル３−エトキシプロピオネート、エチル３−エトキシプロピオネート、プロピル３−エトキシプロピオネート、ブチル３−エトキシプロピオネート、メチル３−プロポキシプロピオネート、エチル３−プロポキシプロピオネート、プロピル３−プロポキシプロピオネート、ブチル３−プロポキシプロピオネート、メチル３−ブトキシプロピオネート、エチル３−ブトキシプロピオネート、プロピル３−ブトキシプロピオネート、およびブチル３−ブトキシプロピオネートなどのエステル； 例えばメチル−２−ヒドロキシイソブチレート、メチルα−メトキシイソブチレート、エチルメトキシイソブチレート、メチルα−エトキシイソブチレート、エチルα−エトキシイソブチレート、メチルβ−メトキシイソブチレート、エチルβ−メトキシイソブチレート、メチルβ−エトキシイソブチレート、エチルβ−エトキシイソブチレート、メチルβ−イソプロポキシイソブチレート、エチルβ−イソプロポキシイソブチレート、イソプロピルβ−イソプロポキシイソブチレート、ブチルβ−イソプロポキシイソブチレート、メチルβ−ブトキシイソブチレート、エチルβ−ブトキシイソブチレート、ブチルβ−ブトキシイソブチレート、メチルα−ヒドロキシイソブチレート、エチルα−ヒドロキシイソブチレート、イソプロピルα−ヒドロキシイソブチレート、およびブチルα−ヒドロキシイソブチレートなどのオキシイソ酪酸エステル； メトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノール、およびエトキシプロパノールなどのエーテルおよびヒドロキシ部分の双方を有する溶剤、および二塩基性エステル、およびガンマ−ブチロラクトンなどのその他の溶剤； ジアセトンアルコールメチルエーテルなどのケトンエーテル誘導体； アセトールまたはジアセトンアルコールなどのケトンアルコール誘導体； ブチロラクトンなどのラクトン類； ジメチルアセトアミドまたはジメチルホルムアミドアミド誘導体； アニソール、並びにこれらの混合物などが挙げられる。
【０１３６】
溶液を基材に被覆する前に、着色剤、非化学線染料(anti-actinic dyes)、アンチストライエーション剤、可塑剤、接着増強剤、溶解阻害剤、コーティング助剤、感光速度促進剤、追加の光酸発生剤、および溶解促進剤（例えば、主溶剤の一部としては使用されない或る少量の溶剤（例えば、グリコールエーテルおよび酢酸グリコールエーテル、バレロラクトン、ケトン、ラクトン類及びこれらの類似物など））、および界面活性剤などの様々なその他の添加剤をフォトレジスト組成物に添加することができる。フッ素化界面活性剤などの膜厚均一性を改善する界面活性剤もフォトレジスト溶液に添加できる。特定の波長範囲から異なる露光波長にエネルギーをシフトする増感剤も、該フォトレジスト組成物に添加することができる。フォトレジスト画像表面におけるｔ−トップまたはブリッジングを防止するために、塩基もしばしばフォトレジストに添加される。塩基の例は、アミン、水酸化アンモニウム、および感光性塩基である。特に好ましい塩基はトリオクチルアミン、ジエタノールアミン、および水酸化テトラブチルアンモニウムである。
【０１３７】
調製されたフォトレジスト組成物溶液は、ディップコート法、スプレーコート法、およびスピンコート法をはじめとする、フォトレジストの分野で使用されるあらゆる従来の方法によって基材に塗布できる。例えばスピンコートする場合、利用されるスピン装置のタイプ、およびスピン工程に割り当てられる時間をかんがみて、所望の厚さの塗膜を得るために、フォトレジスト溶液を固形物含有率に関して調節できる。適切な基材としては、ケイ素、アルミニウム、ポリマー性樹脂、二酸化ケイ素、ドープした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック、アルミニウム／銅混合物、ヒ化ガリウム、およびこのようなその他のＩＩＩ／Ｖ族化合物などが挙げられる。該フォトレジストは、反射防止膜上にも塗布できる。
【０１３８】
上記手順によって製造されるフォトレジストコーティングは、マイクロプロセッサーおよびその他の微小化された集積回路部品の製造で利用されるものなどのケイ素／二酸化ケイ素ウエハへの塗布に特に適する。アルミニウム／酸化アルミニウムウエハも使用できる。基材はまた様々なポリマー性樹脂、特にポリエステルなどの透明なポリマーからなることもできる。
【０１３９】
次に、フォトレジスト組成物溶液を基材上に塗布して、基材を、約７０ｏＣ〜約１５０ｏＣの温度で、ホットプレート上で約３０秒〜約１８０秒間または対流オーブン内で約１５〜約９０分、処理（ベーク処理）する。この温度処理は、固体成分の実質的な熱分解を引き起こさずに、フォトレジスト中の残留溶剤濃度を低下させるために選択される。一般に、溶剤濃度とこの最初の温度は最小化することが望まれる。処理（ベーク処理）は、実質的に全ての溶剤が蒸発し、２分の１ミクロン（マイクロメータ）オーダーの厚さのフォトレジスト組成物の薄い塗膜が基材上に残るまで行われる。好ましい態様の一つでは、温度は約９５ｏＣ〜約１２０ｏＣである。この処理は溶剤除去速度の変化が比較的わずかになるまで行われる。膜厚、温度、および時間の選択は、使用者が所望するフォトレジスト特性、ならびに使用装置、および商業的に所望されるコーティング時間に依存する。次に、被覆された基材を、例えば波長約１００ｎｍ（ナノメートル）〜約３００ｎｍの紫外線、ｘ線、電子ビーム、イオンビームまたはレーザー放射線などの化学線を用いて、適切なマスク、ネガ、ステンシル、テンプレートなどの使用によって形成されるあらゆる所望のパターンで、像様露光することができる。
【０１４０】
次に、フォトレジストに、現像前に、露光後の２度目のベーク処理または熱処理を施す。加熱温度は約９０ｏＣ〜約１５０ｏＣ、より好ましくは約１００ｏＣ〜約１３０ｏＣの範囲であることができる。加熱は、ホットプレート上で約３０秒間〜約２分間、より好ましくは約６０秒間〜約９０秒間、または対流オーブン内で約３０〜約４５分間行うことができる。
【０１４１】
フォトレジストで被覆されそして露光された基材は、現像液中に浸漬するかまたはスプレー現像法によって現像して、像様露光された領域を除去する。溶液は、好ましくは例えば窒素噴出撹拌によって撹拌される。基材は、露光した領域から全てのまたは実質的に全てのフォトレジスト塗膜が溶解するまで現像液に曝しておく。現像液としては、アンモニウム水酸化物類またはアルカリ金属水酸化物の水溶液などが挙げられる。好ましい現像液の一つは、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である。被覆されたウエハを現像液から取り出した後、任意の現像後熱処理またはベーク処理を行って、塗膜の接着と、エッチング条件およびその他の物質に対する耐薬品性を高めることができる。現像後の熱処理は、塗膜の軟化点より低い温度での塗膜及び基材のオーブンベーク処理、またはＵＶ硬化処理を含んでなることができる。産業上の利用において、特にケイ素／二酸化ケイ素タイプの基材上で超小型回路ユニットの製造においては、現像された基材を緩衝されたフッ化水素酸ベースのエッチング溶液またはドライエッチングで処理することができる。フォトレジストの耐ドライエッチング性を高めるために、ドライエッチングに先だってフォトレジストを電子ビーム硬化で処理してもよい。
【０１４２】
本発明は、更に、適当な基材をフォトレジスト組成物で被覆して、基材上にフォトイメージを生成することによって、半導体デバイスを製造する方法を提供する。本方法は、適当な基材をフォトレジスト組成物で被覆するステップと、被覆された基材を実質的に全てのフォトレジスト溶剤が除去されるまで熱処理するステップと、上記組成物を像様露光するステップと、この組成物の像様露光した領域を適当な現像液で除去するステップを含む。
【０１４３】
以下の例は、本発明を製造、使用する方法の例証である。しかし、これらの例は、本発明の範囲をどのようにも限定もしくは減縮することを意図したものではなく、本発明を実施するために排他的に利用しなくてはならない条件、パラメーターまたは値を教示するものと解釈するべきものではない。特に断りのない限り、全ての部および百分率は重量を基準とする。
【実施例】
【０１４４】
例１：ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０１４５】
【化４９】

【０１４６】
ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩（２．５ｇ）を、１５０ｍＬの水中のトリフェニルスルホニウムブロミド（３．５ｇ）の溶液に添加した。クロロホルム（１５０ｍＬ）を添加して５時間撹拌した。クロロホルム層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、そして濾液を蒸発処理に付して油段階（oil stage）にした。エーテルをこの油状物に添加し、そしてこの混合物を激しく撹拌した。白色析出物が形成した。この混合物を濾過し、そして回収された析出物を真空乾燥すると、融点１５５℃の白色粉末が得られた。
【０１４７】
例２：ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートの合成
【０１４８】
【化５０】

【０１４９】
６０ｍＬの水中のペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸リチウム塩（３．０ｇ）の溶液を、１２０ｍＬの水中のトリフェニルスルホニウムブロミド（６．０ｇ）の溶液に添加した。ジクロロメタン（２００ｍＬ）を添加して５時間撹拌した。ジクロロメタン層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過しそして濾液を蒸発処理に付して油段階にした。エーテルをこの油に添加し、そしてこの混合物を激しく撹拌した。白色析出物が生じた。この混合物を濾過し、そして回収された析出物を真空乾燥すると、融点１６１℃の白色粉末が得られた。
【０１５０】
例３：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０１５１】
【化５１】

【０１５２】
４．７３ｇのトリフェニルスルホニウムブロミドをフラスコ内で水に溶解した。ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）アセテート（６．２４ｇ）をアセトンに溶解し、そして前記フラスコに添加した。次に、この混合物にペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸（５．０ｇ）を添加し、この混合物を室温で一晩撹拌した。例１と同様にして、融点９３℃のビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートが単離された（化合物の混合物）。
【０１５３】
例４：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートの合成
【０１５４】
【化５２】

【０１５５】
ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸の代わりにペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸を使用して、例３と同様にして、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，４−ジスルホネートが作製できる。
【０１５６】
例５：ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートの合成
【０１５７】
【化５３】

【０１５８】
７０ｍＬの水中のペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸リチウム塩（４．０ｇ）の溶液を、１２０ｍＬの水中のベンゾイルテトラメチレンスルホニウムブロミド（７．１８．０ｇ）の溶液に添加した。得られた混合物を一晩撹拌した。ジクロロメタン（２００ｍＬ）を添加して数時間撹拌した。例２と同様にして、融点１９２℃のビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートが単離された。
【０１５９】
例６：ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０１６０】
【化５４】

【０１６１】
ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸リチウム塩の代わりにペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸リチウム塩を使用して、例５と同様にして、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，３−ジスルホネートが作製できる。
【０１６２】
例７Ａ：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０１６３】
【化５５】

【０１６４】
１００ｍＬの水中のペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩（２．９２ｇ）の溶液を、１５０ｍＬのアセトン中のトリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヒドロキシド（７．７５ｇ）の溶液に添加した。クロロホルム（１５０ｍＬ）を添加して５時間撹拌した。クロロホルム層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、そして濾液を蒸発処理に付して油段階にした。エーテルをこの油状物に添加し、そしてこの混合物を激しく撹拌した。白色析出物が生じた。この混合物を濾過し、そして回収した析出物真空乾燥すると、融点１９０℃の白色粉末が得られた。
【０１６５】
例７Ｂ：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成の別法
２ｍＬの水中のペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩（０．１８８７ｇ）の溶液を、１．１４ｇのメタノール中のトリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムトリフレート（０．５０００ｇ）の溶液に添加して、１時間撹拌した。次に、この溶液をクロロホルム（７ｍＬ）で抽出した。クロロホルム層を蒸留水で数回洗浄して溶剤を取り除き、そしてその残留物を高真空下で乾燥させた。次にこの油状物を、ジエチルエーテルと塩化メチレンの混合物から２回再結晶化させ、この結晶を真空下で一晩４５℃で乾燥させて、乾燥後０．３４ｇの物質を得た。
【０１６６】
例８Ａ：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートの合成
【０１６７】
【化５６】

【０１６８】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩の代わりにペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸カリウム塩を使用して、例７の手順を使用して合成できる。
【０１６９】
例８Ｂ：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートの合成の別法
１ｍＬの水中のペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸リチウム塩（０．１３９０ｇ）の溶液を、１ｍＬのメタノール中のトリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムトリフレート（０．５０００ｇ）の溶液に添加して、１時間撹拌した。次に、この溶液をクロロホルム（７ｍＬ）で抽出した。クロロホルム層を蒸留水で数回洗浄して溶剤を取り除き、残留物を高真空下で乾燥させた。次に、この油状物を、ジエチルエーテルと塩化メチレンの混合物から２回再結晶化させ、結晶を真空下で一晩４５℃で乾燥させて、乾燥後０．３０ｇの物質を得た。
【０１７０】
例９：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０１７１】
【化５７】

【０１７２】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩およびビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ブロミドを使用したこと以外は、例１に従って作製した。
【０１７３】
例１０：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートの合成
【０１７４】
【化５８】

【０１７５】
この物質は、ペルフルオロプロパン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩の代わりにペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸カリウム塩を使用したこと以外は、例９に従って作製した。
【０１７６】
例１１：ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネートの合成
【０１７７】
【化５９】

【０１７８】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩の代わりにペルフルオロプロパン−１−カルボン酸−３−スルホン酸リチウム塩を使用したこと以外は、例１に従って作製した。
【０１７９】
例１２：ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネートの合成
【０１８０】
【化６０】

【０１８１】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸の代わりにペルフルオロブタン−１−カルボン酸−４−スルホン酸リチウム塩を使用すること以外は、例１の手順に従って作製できる。
【０１８２】
例１３：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネートの合成
【０１８３】
【化６１】

【０１８４】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸の代わりにペルフルオロプロパン−１−カルボン酸−３−スルホン酸リチウム塩を使用すること以外は、例３の手順に従って作製できる。
【０１８５】
例１４：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネートの合成
【０１８６】
【化６２】

【０１８７】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸の代わりにペルフルオロブタン−１−カルボン酸−４−スルホン酸リチウム塩を使用すること以外は、例３の手順に従って作製できる。
【０１８８】
例１５：ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネートの合成
【０１８９】
【化６３】

【０１９０】
この物質は、ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸リチウム塩の代わりにペルフルオロプロパン−１−カルボン酸−３−スルホン酸リチウム塩を使用すること以外は、例５の手順に従って作製できる。
【０１９１】
例１６：ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネートの合成
【０１９２】
【化６４】

【０１９３】
この物質は、ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホン酸リチウム塩の代わりにペルフルオロブタン−１−カルボン酸−４−スルホン酸リチウム塩を使用すること以外は、例５の手順に従って作製できる。
【０１９４】
例１７：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネートの合成
【０１９５】
【化６５】

【０１９６】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩の代わりに、ペルフルオロプロパン−１−カルボン酸−３−スルホン酸リチウム塩を使用すること以外は、例７の手順に従って作製できる。
【０１９７】
例１８：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネートの合成
【０１９８】
【化６６】

【０１９９】
この物質は、ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩の代わりに、ペルフルオロブタン−１−カルボン酸−４−スルホン酸リチウム塩を使用すること以外は、例７の手順に従って作製できる。
【０２００】
例１９：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネートの合成
【０２０１】
【化６７】

【０２０２】
この物質は、ペルフルオロプロパン−１−カルボン酸−３−スルホン酸リチウム塩およびビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ブロミドを使用すること以外は、例１に従って作製できる。
【０２０３】
例２０：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネートの合成
【０２０４】
【化６８】

【０２０５】
この物質は、ペルフルオロブタン−１−カルボン酸−４−スルホン酸リチウム塩およびビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ブロミドを使用すること以外は、例１に従って作製できる。
【０２０６】
例２１Ａ ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムクロリドの合成
２Ｌの三つ口フラスコ（機械的撹拌機、温度計、滴下漏斗、および冷却器／窒素入口を装着したもの）に、ヨウ素酸カリウム（１００ｇ）、塩化メチレン（２４０ｍＬ）、無水酢酸（２００ｍＬ）、およびｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（２５４ｍＬ）を添加した。この撹拌された反応混合物を５℃に冷却し、温度が５〜１０℃の間に維持されるように滴下漏斗を使用して濃硫酸（１００ｍＬ）をゆっくりと添加した。添加完了後、反応混合物を５℃に維持して５時間撹拌した。この時間経過後、撹拌しながら及び温度を５〜１０℃の間に維持しながら、１００ｍＬの蒸留水をゆっくりと添加して反応混合物を冷却した。この反応混合物を分液漏斗内に注いで、塩化メチレン層を取り出し、そしてそれぞれ１００ｍＬの蒸留水で３回洗浄した。回転蒸発器上で、洗浄した塩化メチレン層から溶剤を取り除き、高真空（１ｍｍＨｇ）でさらに乾燥させて残るｔｅｒｔ−ブチルベンゼンの大部分を除去した。得られた残留物を２００ｍＬの塩化メチレンに溶解し、そしてこれに２７．３ｇの塩化ナトリウムを添加した。この混合物を磁気撹拌機により１０００ｒｐｍで一晩撹拌した。撹拌後、この混合物を分液漏斗に入れて、塩化メチレン層を取り出し、そしてそれぞれ１００ｍＬの蒸留水で４回洗浄した。洗浄した有機層から溶剤を取り除き、高真空下で乾燥させて残留ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンを除去した。残留物をそれぞれ２００ｍＬのヘキサンで４回粉砕し、エーテル（５００ｍＬ）で析出させ、乾燥後に８６ｇの粗製物質を得た。この粗製物質を１７０ｍＬの塩化メチレンに溶解し、５００ｍＬのジエチルエーテルの添加によって再結晶化して、結晶化を促進した。これらの結晶を濾過して乾燥させ７７ｇの生成物を得た。
【０２０７】
例２１Ｂ メタンジスルホン酸銀の合成
水（２．５ｇ）中の５０％メタンジスルホン酸溶液を２５ｍＬの水中で希釈し、撹拌しながらそれに炭酸銀（３．９１ｇ）をゆっくりと添加した。炭酸銀は二酸化炭素の泡立ちで溶解した。反応完了後、残る不溶性物質を濾過によって除去し、濾液から水を取り除いて４５℃において高真空下で乾燥させ、４．９ｇの白色結晶を得た。
【０２０８】
例２１Ｃ：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）メタンジスルホネートの合成
【０２０９】
【化６９】

【０２１０】
例２１Ａからの５ｇ（１．１６６０９×１０−２モル）のビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムクロリドを撹拌しながら４０ｍＬのアセトニトリル中に懸濁した。次に、例２１Ｂからの２．２７ｇ（５．８３０４×１０−３モル）のメタンジスルホン酸銀を５ｍＬの水と一緒に添加した。この溶液を一晩撹拌した。
【０２１１】
次に溶液を濾過しそして濾液を回収した。次に、０．２μｍのＰＴＦＥフィルター（シリンジ使用）を通してこの濾液を濾過し、コロイド塩化銀を除去した。濾液を回収し、回転蒸発器内に入れて溶剤を除去した。
【０２１２】
次に、塩化メチレン（加温したもの）およびエーテルを使用して、残る残留物を再結晶化した。これを２回反復した。次に水および塩化メチレンを使用して、残る物質（固体）を洗浄した。有機相を保持して、真空下における乾燥によって溶剤を除去し、４ｇのビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）メタンジスルホネートを得た。
【０２１３】
例２２：ビス（トリフェニルスルホニウム）メタンジスルホネートの合成
【０２１４】
【化７０】

【０２１５】
０．９７９５３３ｇ（０．００２８５３モル）のトリフェニルスルホニウムブロミドを４０ｍＬのアセトニトリルに入れ、次に０．５５６２６３ｇ（０．００１４２７モル）のメタンジスルホン酸銀および１ｍＬの水を撹拌しながら添加した。例２１と同様に溶液を一晩撹拌して再結晶化した。
【０２１６】
例２３：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ペルフルオロメタンジスルホネートの合成
【０２１７】
【化７１】

【０２１８】
この物質は、メタンジスルホン酸銀の代わりにペルフルオロメタンジスルホン酸銀を使用すること以外は、例２１の手順に従って作製できる。
【０２１９】
例２４：ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネートの合成
【０２２０】
【化７２】

【０２２１】
この物質は、メタンジスルホン酸銀の代わりにペルフルオロメタンジスルホン酸銀を使用すること以外は、例２２の手順に従って作製できる。
【０２２２】
例２５：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロメタンジスルホネートの合成
【０２２３】
【化７３】

【０２２４】
この物質は、等モル量のビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムクロリドおよびトリフェニルスルホニウムブロミドを使用すること以外は、例２３の手順に従って作製できる。
【０２２５】
例２６：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムメタンジスルホネートの合成
【０２２６】
【化７４】

【０２２７】
この物質は、ペルフルオロメタンジスルホン酸銀の代わりにメタンジスルホン酸銀を使用すること以外は、例２５の手順に従って作製できる。
【０２２８】
例２７：ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネートの合成
【０２２９】
【化７５】

【０２３０】
この物質は、トリフェニルスルホニウムブロミドの代わりにベンゾイルテトラメチレンスルホニウムブロミドを使用すること以外は、例２３の手順に従って作製できる。
【０２３１】
例２８：ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）メタンジスルホネートの合成
【０２３２】
【化７６】

【０２３３】
この物質は、ペルフルオロメタンジスルホン酸銀の代わりにメタンジスルホン酸銀を使用すること以外は、例２７の手順に従って作製できる。
【０２３４】
例２９：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネートの合成
【０２３５】
【化７７】

【０２３６】
この物質は、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムクロリドの代わりにトリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムクロリドを使用すること以外は、例２３の手順に従って作製できる。
【０２３７】
例３０：ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）メタンジスルホネートの合成
【０２３８】
【化７８】

【０２３９】
この物質は、ペルフルオロメタンジスルホン酸銀の代わりにメタンジスルホン酸銀を使用すること以外は、例２９の手順に従って作製できる。
【０２４０】
例３１：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネートの合成
【０２４１】
【化７９】

【０２４２】
この物質は、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムクロリドの代わりに（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）クロリドを使用すること以外は、例２９の手順に従って作製できる。
【０２４３】
例３２：ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）メタンジスルホネートの合成
【０２４４】
【化８０】

【０２４５】
この物質は、ペルフルオロメタンジスルホン酸銀の代わりにメタンジスルホン酸銀を使用すること以外は、例３１の手順に従って作製できる。
【０２４６】
例３３：ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０２４７】
【化８１】

【０２４８】
コネチカット州０６６１５、スタンフォード、ベテランズ・ブールバード５４のハンフォード・リサーチ・インコーポレーテッドから入手できるビス（４−ｔ−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモナートをアセトンに溶解して、１０％溶液を調製した。次にこの１０％溶液のおよそ６５．８ｇおよび４０ｍＬのアセトンをＡ−２１イオン交換樹脂（カラム床体積１００ｍＬ）を含有するイオン交換カラムに２回通過させた。およそ３．８ｇのペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩を１００ｍＬの脱イオン水に溶解した。ビーカー内で撹拌しながらこの溶液と、前記のイオン交換樹脂に通過させた溶液とを１時間混合した。次にジクロロメタンをこのビーカーに撹拌しながら添加し、そして撹拌を一晩継続した。その後、脱イオン水をこのビーカーに添加し、そして分液漏斗を使用して有機層を分離した。有機層を水で数回洗浄し、次に有機溶剤を蒸発させると油状物が残った。
【０２４９】
例３３Ａ：
ここで概説する手順に従って以下の化合物を作製できる。
ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）エタンジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）メタンジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニルヨードニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート
【０２５０】
例３４Ａ：ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムトリフレートの合成
２０ｇ（０．０５８９３モル）のビス（ナトリウムオキシフェニル）フェニルスルホニウムトリフレートを丸底フラスコ内に入れ、そして撹拌しながら８０ｇの無水ＤＭＳＯをこのフラスコに添加して懸濁液を調製した。３０ｇ（０．１２９７モル、１０％過剰）の臭化オクチルを添加して、混合物を３日間反応させた。この混合物を濾過し、そして６００ｍＬの脱イオン水にその濾液を添加した。水層を２００ｍＬのＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。ＣＨ２Ｃｌ２層を保持してそれぞれ１００ｍＬの蒸留水で３回洗浄し、回転蒸発器で溶剤を取り除き高真空下でさらに乾燥させて、可能な限り残留臭化オクチルを除去した。これからの残留物をそれぞれ５０ｍＬのペンタンで４回粉砕した。この残留物は少量の臭化物汚染（２１．９９ｇ）がある、ほぼ純粋なビス（オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムトリフレートからなるものであった。所望ならば、この粗製生成物を、３０ｍＬの水に溶解させた６．２ｇのカリウムトリフレートを添加した３０ｍＬのメタノールに溶解することによって、この生成物を精製できる。３０分間の撹拌後、反応混合物から溶剤を取り除き、残留物をＣＨ２Ｃｌ２（５０ｍＬ）に懸濁し、そして水（２０ｍＬ）で５回抽出した。上と同様に洗浄した最終有機層から溶剤を取り除き、上と同様にペンタンで粉砕した。最終粉砕生成物を高真空下で一晩乾燥させ（１６．３５ｇ）、残留油をＴＨＦ（約２０ｍＬ）に溶解した。次に１００ｍＬの脱イオン水をこの混合物に添加し、そして撹拌した。水層をデカントした。追加の１０ｍＬのＴＨＦおよび１００ｍＬの脱イオン水をこの混合物に添加し、そして冷蔵庫内で一晩静置した。次に水層をデカントし、高真空の回転蒸発器を使用して、残った有機溶剤を除去した。クロロホルムおよび脱イオン水洗浄を使用して、残留物を２回抽出した。最後にペンタンを使用して、残った物質を３回抽出し、真空下で一晩乾燥させた。
【０２５１】
例３４Ｂ：ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０２５２】
【化８２】

【０２５３】
例３４Ａ（１５ｇ）の化合物を１５ｍＬのメタノールに溶解した。析出物のない透明な単相溶液を維持するように溶液全体を加熱して沸騰させながら、メタノールおよび水の加温した混合物（９０／８０ メタノール／水）に溶解した１０．５ｇの二カリウム１，４−ペルフルオロブタンジスルホネートをこれに添加した。この溶液を撹拌しながら放冷し、室温で一晩撹拌した。この溶液から回転蒸発器上で溶剤を取り除き、次に１００ｍＬの塩化メチレンに懸濁し、そして４０ｍＬの蒸留水で３回洗浄した。この手順を６回反復して、純粋な１，４−ペルフルオロブタンジスルホネート（１３．４２ｇ）である物質を得た。
【０２５４】
例３４Ｃ：
例３４Ａおよび３４Ｂの手順に従って、カリウム１，４−ペルフルオロブタンジスルホネートの代わりに等モル量の対応するジスルホネート塩またはジスルホン酸を使用して、以下の化合物を作製できる。
ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムエタンジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロエタンジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムメタンジスルホネート
ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロメタンジスルホネート
例３５：ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０２５５】
【化８３】

【０２５６】
ビス［４−ヒドロキシルフェニル］フェニルスルホニウムペルフルオロメタンスルホネート（３７．６０ｇ）およびアセトン−水混合物を、撹拌機、温度計、還流冷却器、および容器内に窒素ガスを導入するための管を装着した反応容器に入れた。窒素ブランケット下で、１８．５４ｇのペルフルオロブタン−１，４−ジスルホン酸カリウム塩を反応容器に添加し、そしてこの混合物を一晩撹拌した。ジクロロメタン（１５０ｍＬ）および水をこの反応容器に添加し、そしてこの混合物を２時間撹拌した。次にこの混合物を分液漏斗内に入れ、有機（ジクロロメタン）層を保持した。このジクロロメタン層を水（３００ｍＬ×３）で洗浄した。ジクロロメタンを真空下で蒸発させ、そして撹拌しながら、残った物質にエーテルを添加した。白色析出物が生じ、これを混合物から濾過し、そして真空オーブン内で乾燥させた（収量３５ｇ、融点１９５℃）。
【０２５７】
上で得られたビス［ビス［４−ヒドロキシルフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート（３．５ｇ）および無水ＴＨＦを、撹拌機、温度計、還流冷却器、および容器内に窒素ガスを導入するための管を装着した反応容器に入れた。ドライアイス−アセトン浴を容器の周囲に配置した。５．０ｇのペンタフルオロベンゼンスルホニルクロリドを容器に添加し、そしてこの混合物を５時間撹拌した。ジクロロメタン（１５０ｍＬ）および水をこの容器に添加し、そしてこの混合物をさらに２時間撹拌した。この混合物を分液漏斗内に入れて、ジクロロメタン層を保持した。このジクロロメタン層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、そして残った揮発性物質を蒸発させて油状物を残した。エーテルをこの油状物に添加し、そしてこの混合物を激しく撹拌した。ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの白色結晶が生じた（融点６１〜６３℃）。
【０２５８】
例３５Ａ：
ここでの手順に従って以下の化合物を作製できる。
ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート
ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロエタンジスルホネート
ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート
ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート
ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート
ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート
ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロメタンジスルホネート。
例３６：ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートの合成
【０２５９】
【化８４】

【０２６０】
これは、ペンタフルオロベンゼン塩化スルホニルの代わりに３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼン塩化スルホニルを使用して、例３５の手順に従って作製できる。
【０２６１】
例３６Ａ：
ここでの手順に従って以下の化合物を作製できる。
ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート
ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロエタンジスルホネート
ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート
ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート
ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート
ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート
本発明に関わる化合物のその他の例としては、上の例のようにエタンジスルホン酸銀または銀ペルフルオロエタンジスルホネートを使用して作製できる、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）エタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムエタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）エタンジスルホネートなどが挙げられる。本発明の化合物のその他の代表的な例としては、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチル−オキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロ−プロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、およびビス［ビス［２−メチルアダマンチル−アセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロメタンジスルホネートなどが挙げられ、この場合、カチオン部分はビス［４−ヒドロキシルフェニル］フェニルスルホニウムブロミドおよび２−メチルアダマンチルブロモアセテートから作製でき、次に、得られたカチオンをそれぞれのアニオンリチウム（またはカリウム）塩と反応させる。本発明化合物の追加的な代表的な例としては、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］−ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、およびビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］−ペルフルオロメタンジスルホネートなどが挙げられ、この場合、カチオン部分はビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウムブロミドおよび４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］ノニルクロロメチルエーテルから作製でき、次に、得られたカチオンをそれぞれのアニオンリチウム（またはカリウム）塩と反応させる。
【０２６２】
例３７：
ポリ（ＭＡｄＭＡ／ＨＡｄＡ／ＡＮＢＬ；５０／２０／３０）ポリマー１．０７３ｇ、例１からのビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０４７６ｇ（５０μｍｏｌ／ｇ）、ＤＩＰＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）中１重量％）０．４３ｇ、および界面活性剤（ミネソタ州セントポールの３Ｍコーポレーションによって供給されているフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０３ｇを２３．８７２のＡＺ希釈剤（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノメチルエーテル）に溶解して、フォトレジスト溶液を調製した。
【０２６３】
例３８：
ケイ素基材上に、底面反射防止膜溶液（ニュージャージー州サマービルのＡＺエレクトロニック・マテリアルズＵＳＡコーポレーションから入手できるＡＺ（登録商標）ＥＸＰ ＡｒＦ−１、Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）をスピンコートし、２１５℃で６０秒間ベーク処理して、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）で被覆されたケイ素基材を用意した。このＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．膜厚は２９ｎｍであった。次に、例３７からのフォトレジスト溶液を、前記Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．で被覆されたケイ素基材上に塗布した。フォトレジストの膜厚が１８０ｎｍ厚になるようにスピン速度を調節した。次に、フォトレジストを露光した（ニコン（Ｎｉｋｏｎ）３０６Ｄ ０．８５ＮＡおよび４／５環状照明、ＰＡＢ１００℃／６０秒、ＰＥＢ１１０℃／６０秒、現像時間：３０秒（ＡＣＴ１２）、６％ＰＳＭ）。次に、水酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液を使用して、画像形成されたフォトレジストを３０秒間現像した。次に、ライン・アンド・スペースパターンを走査電子顕微鏡で観察した。このフォトレジストは４７．６ｍＪ／ｃｍ２の感光性を有し、非常に良好な露光寛容度（１６．８％）、良好なＬＥＲおよびプロフィール形状を有した。
【０２６４】
例３９：
ポリ（ＥＡｄＭＡ／ＨＡｄＡ／α−ＧＢＬＭＡ／α−ＧＢＬＡ；３０／３０／２０／２０）ポリマー０．６４ｇ、例１からのビストリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０１７０ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、および３Ｍコーポレーションからのｔ−ブチルジフェニルヨードニウムビス−ペルフルオロエタンスルホンイミド０．０１９８ｇ、メチル−２−ヒドロキシイソブチレート（ＭＨＩＢ）中１重量％のＤＩＰＡ０．２７８１ｇ、および界面活性剤（ミネソタ州セントポールの３Ｍコーポレーションによって供給されているフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０２０４ｇを、１２．５８のＭＨＩＢに溶解して、フォトレジスト溶液を調製した。
【０２６５】
例４０：
例３９からのフォトレジストで例３８を反復し、良好な結果が得られた。
【０２６６】
例４１：
ポリ（ＥＡｄＭＡ／ＨＡｄＡ／α−ＧＢＬＭＡ／ＡｄＭＡ；３０／２０／４０／１０）ポリマー１．０９５ｇ、例１からのビストリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０２８２ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、および３Ｍコーポレーションからのビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−ペルフルオロエタンスルホンイミド０．０３２８ｇ、メチル−２−ヒドロキシイソブチレート（ＭＨＩＢ）中１重量％のＤＩＰＡ ０．４６ｇ、および界面活性剤（ミネソタ州セントポールの３Ｍコーポレーションによって供給されているフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０３ｇを２３．８７２のＭＨＩＢ中に溶解して、フォトレジスト溶液を調製した。
【０２６７】
例４２：
例４１からのフォトレジストで例４０を反復し、良好な結果が得られた。
【０２６８】
例４３：
例２からのビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートで、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートを置き換えて例３７を反復してレジスト溶液を調製した。
【０２６９】
例４４：
例４３からのレジストで例３７を反復し、良好な結果が得られた。
【０２７０】
例４５：
例２からのビストリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートで、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートを置き換えて例４１を反復し、レジスト溶液を調製した。
【０２７１】
例４６：
例４５からのレジストで例３７を反復し、良好な結果が得られた。
【０２７２】
例４７：
例３からのビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートで、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートを置き換えて例３７を反復し、レジスト溶液を調製した。
【０２７３】
例４８：
例４７からのフォトレジストで例３８を反復し、良好な結果が得られた。
【０２７４】
例４９：
例３からのビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートで、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートを置き換えて例４１を反復して、レジスト溶液を調製した。
【０２７５】
例５０：
例４９からのレジストで例３８を反復し、良好な結果が得られた。
例５１：
例５からのビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートで、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートを置き換えて例３７を反復して、レジスト溶液を調製した。
【０２７６】
例５２：
例５１からのレジストで例３８を反復し、良好な結果が得られた。
【０２７７】
例５３：
例５からのビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネートで、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートを置き換えて例４１を反復して、レジスト溶液を調製した。
【０２７８】
例５４：
例４９からのレジストで例３８を反復し、良好な結果が得られた。
【０２７９】
例５５：
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−ペルフルオロエタンスルホンイミドの代わりにトリフェニルスルホニウムビス−ペルフルオロエタンスルホンアミドで例３９を反復して、レジスト溶液を調製できる。
【０２８０】
例５６：
例５５のレジストで例３８を反復でき、良好な結果が期待される。
【０２８１】
例５７：
ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレン−スルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレン−スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレン−スルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイル−テトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレン−スルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、またはビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）メタンジスルホネート、ならびにここで言及される前述の発明の化合物の１つでビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）メタンジスルホネートを置き換えて例３７、３９、または４１を反復して、レジスト溶液を調製できる。
【０２８２】
例５８：
例５７のレジスト溶液で例３８を反復でき、良好な結果が期待される。
【０２８３】
例５９：
ポリマーを、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸−ｃｏ−２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシ−アダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジメチル−７−ヒドロキシアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ−［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−エチルシクロペンチルアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（エチルシクロペンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−イソブチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］−デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ−［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチル−ｃｏ−メタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート）、ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）、およびポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン−８−イルメタクリレート）のうちの１つで置き換えて例３７、３９または４１を反復し、フォトレジスト溶液を調製できる。
【０２８４】
例６０：
例５９で調製されたレジストで例３８を反復でき、良好な結果が期待される。
【０２８５】
例６１：
ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネートビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、またはビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）メタンジスルホネートの１つで、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネートを置き換えて例５９を反復し、レジスト溶液を調製できる。
【０２８６】
例６２：
例６１で形成されたレジストで例３８を反復でき、良好な結果が期待される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式、
Ａ−Ｘ−Ｂ
の化合物であって、
（ｉ）ここで、Ａ−Ｘ−Ｂはイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉを形成し、
ここで、ＡｉおよびＢｉはそれぞれ個別に有機オニウムカチオンであり、
Ｘｉは式、
Ｑ−Ｒ５００−ＳＯ３−
のアニオンであり、
ここで、Ｑは−Ｏ３Ｓおよび−Ｏ２Ｃから選択され、
Ｒ５００は、直鎖または分枝鎖アルキル、シクロアルキル、アリール、またはそれらの組み合わせから選択される基であり、これらは異種原子として（catenary)ＳまたはＮを含有するかまたは含有せず、前記のアルキル、シクロアルキル、およびアリール基は非置換であるか、またはハロゲン、非置換のまたは置換されたアルキル、非置換のまたは置換されたＣ１〜８ペルフルオロアルキル、ヒドロキシル、シアノ、スルフェート、およびニトロからなる群から選択される１つ以上の基で置換され、
前記有機オニウムカチオンは
【化１】

および
Ｙ−Ａｒから選択され、
ここで、Ａｒは
【化２】

Ｙは
【化３】

から選択され、
あるいは
（ｉｉ）Ａ−Ｘ−Ｂは非イオン性化合物Ａｃ−Ｘｃ−Ｂｃを形成し、
ここで、ＡｃおよびＢｃはそれぞれ個別に、
−ＳＯ２−（Ｃ（Ｘ２）２）ｍ−Ｒ６００、−Ｏ−ＣＨＸ３−Ｒ７００、−Ｃ（＝Ｎ２）−ＳＯ２−Ｒ６００、および
【化４】

から選択され、
ここで、Ｒ６００は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、または
【化５】

から選択され、
ここで、Ｒ７００は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、または
【化６】

から選択され、
ＵはＣ１〜Ｃ４の非置換のまたは置換されたアルキレンであり、
Ｘｃは
【化７】

であり、ここで、Ｒ５００は上で定義されたとおりであり、
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１Ａ、Ｒ１Ｂ、Ｒ１Ｃ、Ｒ２Ａ、Ｒ２Ｂ、Ｒ２Ｃ、Ｒ２Ｄ、Ｒ３Ａ、Ｒ３Ｂ、Ｒ３Ｃ、Ｒ３Ｄ、Ｒ４Ａ、Ｒ４Ｂ、Ｒ４Ｃ、Ｒ４Ｄ、Ｒ５Ａ、Ｒ５Ｂ、およびＲ５Ｃはそれぞれ独立して、Ｚ、水素、ＯＳＯ２Ｒ９、ＯＲ２０、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、アリールカルボニルメチル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、直鎖または分枝アルコキシ鎖、ニトロ、シアノ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル、スルフェート、トレシル、またはヒドロキシルから選択され、（ｉ）Ｒ１ＤまたはＲ５Ｄの一方がニトロで、他方は水素、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、または（ｉｉ）Ｒ１ＤおよびＲ５Ｄのどちらもニトロである、のどちらかであり、
Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立して、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖または分枝ペルフルオロアルキル、モノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、ニトロ、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、またはＲ６およびＲ７は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、
Ｒ９は、アルキル、フルオロアルキル、ペルフルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、ペルフルオロアリール、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロフルオロアルキルまたはポリシクロフルオロアルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロペルフルオロアルキルまたはポリシクロペルフルオロアルキル基から選択され、
Ｒ２０は、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキルであり、
Ｔは、直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価の直鎖または分枝鎖アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基であり、
Ｚは、−（Ｖ）ｊ−（Ｃ（Ｘ１１）（Ｘ１２））ｎ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８であり、ここで、（ｉ）Ｘ１１またはＸ１２の１つは少なくとも１つのフッ素原子を含有する直鎖または分枝アルキル鎖であり、他方は水素、ハロゲン、または直鎖または分枝アルキル鎖であるか、または（ｉｉ）Ｘ１１およびＸ１２のどちらも少なくとも１つのフッ素原子を含有する直鎖または分枝アルキル鎖である、のどちらかであり、
Ｖは、直接結合、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価の直鎖または分枝鎖アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない二価のモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基から選択される結合基であり、
Ｘ２は、水素、ハロゲン、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖であり、
Ｒ８は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、またはアリールであり、
Ｘ３は、水素、直鎖または分枝アルキル鎖、ハロゲン、シアノ、または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ５０であり、ここで、Ｒ５０は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または−Ｏ−Ｒ５１から選択され、ここで、Ｒ５１は水素または直鎖または分枝アルキル鎖であり、
各ｉおよびｋは独立して０または正の整数であり、
ｊは０〜１０であり、
ｍは０〜１０であり、そして
ｎは０〜１０であり、
前記の１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、直鎖または分枝アルキル鎖、直鎖または分枝アルコキシ鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルカルボニル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないシクロアルキル環を有するモノシクロアルキル−またはポリシクロアルキルオキシアルキル、アラルキル、アリール、ナフチル、アントリル、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環、またはアリールカルボニルメチル基は非置換であるか、またはＺ、ハロゲン、アルキル、Ｃ１〜８ペルフルオロアルキル、モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル、ＯＲ２０、アルコキシ、Ｃ３〜２０環式アルコキシ、ジアルキルアミノ、二環式ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、トレシル、オキソ、アリール、アラルキル、酸素原子、ＣＦ３ＳＯ３、アリールオキシ、アリールチオ、および式（ＩＩ）〜（ＶＩ）
【化８】

の基からなる群から選択される１つ以上の基で置換され、
ここで、Ｒ１０およびＲ１１は、それぞれ独立して水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表すか、またはＲ１０およびＲ１１は、一緒になってアルキレン基を表して５または６員環を形成でき、
Ｒ１２は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、またはアラルキルを表すか、またはＲ１０およびＲ１２は一緒になってアルキレン基を表し、介在する−Ｃ−Ｏ−基と一緒になって５または６員環を形成し、この環中の炭素原子は酸素原子で置換されているかまたは置換されておらず、
Ｒ１３は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表し、
Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ独立して水素原子、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、または１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基を表し、
Ｒ１６は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、またはアラルキルを表し、そして
Ｒ１７は、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、アラルキル、−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基、または−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ１６）２Ｒ１７基を表し、この１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない直鎖または分枝アルキル鎖、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基、アリール、およびアラルキルは非置換であるか、または上述のように置換されている、
化合物。
【請求項２】
Ａ−Ｘ−Ｂがイオン性化合物Ａｉ Ｘｉ Ｂｉである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ＡｉおよびＢｉのそれぞれが、
【化９】

から選択される、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
ＡｉおよびＢｉが、それぞれ
【化１０】

（ここで、
Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立して、非置換のまたは置換されたアリールであるか、またはＲ６およびＲ７は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、Ｔは、直接結合であるか、あるいは１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有せず及びオキソで置換されているかまたはオキソで置換されていない二価の直鎖または分枝鎖アルキル基であり、Ｒ５００は、非置換のまたは１つ以上のハロゲン基によって置換された直鎖または分枝鎖アルキルである）である、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ６およびＲ７がそれぞれ独立して非置換のまたは置換されたアリールであり、Ｔが直接結合であり、Ｒ５００が非置換のまたは１つ以上のハロゲン基で置換された直鎖または分枝鎖アルキルである、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ６およびＲ７が、それらが結合するＳ原子と一緒になって、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有しない５、６または７員の飽和または不飽和環を形成し、Ｔが、１つ以上のＯ原子を含有するかまたは含有せず及びオキソで置換されているかまたはオキソで置換されていない二価の直鎖または分枝鎖アルキル基であり、Ｒ５００が非置換のまたは１つ以上のハロゲン基で置換された直鎖または分枝鎖アルキルである、請求項４に記載の化合物。
【請求項７】
Ａが
【化１１】

であり、Ｂが
【化１２】

である、請求項３に記載の化合物。
【請求項８】
ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムエタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイル−テトラメチレンスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムメタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムペルフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムメタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムペルフルオロメタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロ−ベンゼン−スルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニル−スルホニウム］ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼン−スルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）−ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロ−メチル）−ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）エタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレン−スルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニル−スルホニウム）ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニル−スルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチル−オキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロ−プロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシ−メトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロメタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ−［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］−ペルフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］−ペルフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロ−ブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ−［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、およびビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ペルフルオロメタンジスルホネートの群から選択される請求項１または２に記載の化合物。

【請求項９】
ａ）酸に対し不安定な基を含有するポリマー、および
ｂ）請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物
を含む、深紫外線（ｄｅｅｐ ＵＶ）における画像形成に有用なフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
ｃ）第２の光酸発生剤Ａｉ Ｘｉ１をさらに含む、請求項９に記載の組成物であって、ここで、Ａｉは上で定義したとおりであり、Ｘｉ１はＣＦ３ＳＯ３−、ＣＨＦ２ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＣＣｌ３ＳＯ３−、Ｃ２Ｆ５ＳＯ３−、Ｃ２ＨＦ４ＳＯ３−、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３−、カンフルスルホネート、ペルフルオロオクタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ペルフルオロトルエンスルホネート、（Ｒｆ１ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｒｆ１ＳＯ２）２Ｎ−およびＲｇ−Ｏ−Ｒｆ２−ＳＯ３−から選択されるアニオンであり、各Ｒｆ１は、独立して、高度にフッ素化または過フッ化されたアルキルまたはフッ素化されたアリール基からなる群から選択され、そしていずれかの２つのＲｆ１基の組み合わせが結合して架橋を形成する場合に環式であることができ、そしてさらにＲｆ１アルキル鎖は１〜２０個の炭素原子を含有しそして直鎖、分枝、または環式でであることができ、そうして二価の酸素、三価の窒素または六価のイオウがその主鎖中に割り込むことができ、さらにＲｆ１が環式構造を含有する場合、このような構造は５または６個の環員を有し、それらの環員の１つまたは２つはヘテロ原子であることができ、そしてＲｆ２は、直鎖または分枝（ＣＦ２）ｊ（ここで、ｊは４〜１０の整数である）、およびペルフルオロＣ１〜１０アルキルで置換されているかまたは置換されていないＣ１〜Ｃ１２シクロペルフルオロアルキル二価基からなる群から選択され、Ｒｇは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝、モノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝、モノシクロアルケニルまたはポリシクロアルケニル、アリール、およびアラルキルからなる群から選択され、前記のアルキル、アルケニル、アラルキル、およびアリール基は、非置換または置換されており、異種原子として（catenary)１つ以上の酸素原子を含有するかまたは含有せず及び部分的にフッ素化もしくは過フッ化されているかまたはされていない、組成物。
【請求項１１】
Ａｉが、
【化１３】

から選択される、請求項９または１０に記載の組成物。
【請求項１２】
アニオンＸｉ１が、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）Ｃ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）３Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）Ｃ−、（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｃ−、（ＣＦ３ＳＯ２）（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）Ｎ−、［（ＣＦ３）２ＮＣ２Ｆ４ＳＯ２］２Ｎ−、（ＣＦ３）２ＮＣ２Ｆ４ＳＯ２Ｃ−（ＳＯ２ＣＦ３）２、（３，５−ビス（ＣＦ３）Ｃ６Ｈ３）ＳＯ２Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３、Ｃ６Ｆ５ＳＯ２Ｃ−−（ＳＯ２ＣＦ３）２、Ｃ６Ｆ５ＳＯ２Ｎ−−ＳＯ２ＣＦ３、
【化１４】

ＣＦ３ＣＨＦＯ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ２Ｈ５Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ４Ｈ９Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ６Ｈ５ＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、Ｃ２Ｈ５ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２Ｏ（ＣＦ２）４ＳＯ３−、ＣＨ３ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、Ｃ４Ｈ９ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＳＯ３−、Ｃ８Ｈ１７Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ３−、およびＣ４Ｈ９Ｏ（ＣＦ２）２ＳＯ３−から選択される、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
ａ）基材を請求項９〜１２のいずれか一項に記載の組成物でコーティングするステップと、
ｂ）基材をベーク処理して実質的に溶剤を除去するステップと、
ｃ）フォトレジスト塗膜を像様露光するステップと、
ｄ）フォトレジスト塗膜を露光後ベーク処理するステップと、
ｅ）フォトレジスト塗膜を水性アルカリ性溶液で現像するステップ、
を含む、フォトレジストの画像形成方法。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物のフォトレジスト組成物中における使用。
【公表番号】特表２００９−５０１２０７（Ｐ２００９−５０１２０７Ａ）
【公表日】平成２１年１月１５日（２００９．１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５２０９７８（Ｐ２００８−５２０９７８）
【出願日】平成１８年７月７日（２００６．７．７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００６／００１９３１
【国際公開番号】ＷＯ２００７／００７１７５
【国際公開日】平成１９年１月１８日（２００７．１．１８）
【出願人】（３０５０１０８２７）エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション (81)
【Ｆターム（参考）】

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