半導体装置及びその製造方法
【課題】端子板の一端部及びこれに電気接続された半導体チップをモールド樹脂で封止し、端子板の他端部をモールド樹脂の外面から突出した半導体装置において、端子板の他端部を折り曲げても、端子板とモールド樹脂との密着性低下を抑制でき、かつ、半導体装置の製造効率向上を図れるようにする。
【解決手段】モールド樹脂８の平坦な第一外面８ａに、端子板４，５の他端部４２，５２の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部８１を形成し、端子板４，５の他端部４２，５２を、前記第一外面８ａに隣り合うと共にこの第一外面８ａと異なる向きに面するモールド樹脂８の第二外面８ｃから略垂直に突出させた半導体装置１を提供する。
【解決手段】モールド樹脂８の平坦な第一外面８ａに、端子板４，５の他端部４２，５２の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部８１を形成し、端子板４，５の他端部４２，５２を、前記第一外面８ａに隣り合うと共にこの第一外面８ａと異なる向きに面するモールド樹脂８の第二外面８ｃから略垂直に突出させた半導体装置１を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、例えば図１９のように、端子板２０１，２０２の長手方向の一端部２１１，２２１と半導体チップ２０３とを電気接続した上で、端子板２０１，２０２の一端部２１１，２２１及び半導体チップ２０３をモールド樹脂２０５により封止し、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２をモールド樹脂２０５から突出させたものがある（特許文献１参照）。また、この半導体装置では、モールド樹脂２０５の上面２０５ａに形成されたネジ止め部２５１、及び、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２の突出方向先端に形成されてネジを挿通させる挿通孔２１３，２２３を利用して、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２と外部の電気配線（不図示）とをネジ止めにより接続・固定するように構成されている。
具体的に説明すれば、上記構成の半導体装置では、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２がモールド樹脂２０５の上面２０５ａの周縁から上面２０５ａに沿って外側に突出している。そして、端子板２０１，２０２と外部の電気配線とをネジ止めする際には、他端部２１２，２２２に形成された挿通孔２１３，２２３がモールド樹脂２０５のネジ止め部２５１に対向するように、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２を一端部２１１，２２１に対して折り曲げる加工を施す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２３８８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の半導体装置では、上述した折り曲げ加工を施す際に、他端部２１２，２２２を大きな角度で折り曲げる（図１９においては逆向きに折り曲げている）必要があるため、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２とモールド樹脂２０５との境界部分に大きな応力がかかってしまう。なお、従来では、この応力が少しでも軽減されるように、多数回（例えば４回）に分けて端子板２０１，２０２の折り曲げ加工を実施しているが、他端部２１２，２２２の折り曲げ箇所がモールド樹脂２０５との境界部分に集中しているため、応力は十分には軽減されていない。
また、端子板２０１，２０２と外部の電気配線とをネジ止めする際には、挿通孔２１３，２２３の軸線を中心として端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２を回転させようとする外力が端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２にかかるため、この外力に基づいても、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２とモールド樹脂２０５との境界部分に大きな応力が生じてしまう。
【０００５】
このように、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２とモールド樹脂２０５との境界部分に大きな応力がかかると、この境界部分における端子板２０１，２０２とモールド樹脂２０５との密着性が低下してしまう。その結果として、端子板２０１，２０２とモールド樹脂２０５との間から内部に水分が浸入しやすくなり、半導体装置の電気的な信頼性が低下する、という問題がある。
また、上記従来の半導体装置においては、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２を折り曲げる回数が多いことから半導体装置の製造効率が低い、という問題もある。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、モールド樹脂から突出する端子板に対して折り曲げ加工を施しても、端子板とモールド樹脂との密着性低下を抑制でき、かつ、半導体装置の製造効率向上を図ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するために、本発明の半導体装置は、端子板の長手方向の一端部と半導体チップとを電気接続した上で、前記一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記端子板の他端部を前記モールド樹脂の外面から突出させてなる半導体装置であって、前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出していることを特徴とする。
【０００８】
なお、前記半導体装置においては、前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成されているとよい。
【０００９】
上記構成の半導体装置では、端子板の他端部がモールド樹脂の第二外面から略垂直に突出していることで、従来の場合と比較して、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分における他端部の折曲角度が小さくなる（例えば９０度となる）ため、端子板の一端部に対して他端部（基端板部）を折り曲げる際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を低減することができる。
また、端子板の基端板部をモールド樹脂の第二外面上に配するための折曲げ箇所（第一折曲線）と、先端板部をモールド樹脂の第一外面上に配するための折曲げ箇所（第二折曲線）とが互いに離れているため、先端板部を基端板部に対して折り曲げる際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【００１０】
さらに、先端板部に対して折り曲げられた基端板部がモールド樹脂の第二外面上に配されていることで、ネジにより先端板部をネジ止め部に固定する際に、挿通孔の軸線を中心として端子板の先端板部を回転させようとする外力（回転力）が先端板部にかかっても、基端板部の幅方向の少なくとも一方側がモールド樹脂の第二外面に押し付けられるため、ネジ止めの際に端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を抑制することができる。
また、上記構成の半導体装置では、端子板の折曲げ回数が２回となり、従来と比較してこの折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置の製造効率を向上させることもできる。
【００１１】
そして、前記半導体装置においては、前記他端部の突出方向に沿う前記第一折曲線と前記第二折曲線との間隔が、前記端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることがより好ましい。
【００１２】
ネジ止めの際には先端板部に前述した回転力が作用することで、基端板部にはその幅方向の力がかかり、この力によって端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に応力が生じる。
このことに対し、上記構成では、ネジ止めの際に、基端板部にその幅方向の一方側から他方側に向かう方向に力がかかっても、基端板部の長手方向の寸法が、端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることで、この方向の力に対する基端板部の剛性が高められるため、ネジ止め時の回転力に基づいて基端板部の幅方向にかかる力が端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に伝わることを抑えることができる。したがって、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００１３】
また、前記半導体装置においては、前記第二折曲線における前記他端部の幅方向の少なくとも一方の側端部が、前記第一折曲線における前記他端部の幅方向の前記側端部に対して前記幅方向にずれて位置しているとよい。
そして、前記半導体装置においては、前記側端部が前記他端部の突出方向に対して傾斜しているとなおよい。
【００１４】
なお、前記半導体装置においては、前記側端部のうち前記第二折曲線における部分が、他の部分に対して前記端子板の幅方向に突出していてもよいし、他の部分に対して前記端子板の幅方向に窪んでいてもよい。
【００１５】
これらの構成では、ネジ止めの際に先端板部に作用する回転力に基づいて基端板部にかかる力の方向が、他端部の側端部のうち第二折曲線における部分が第一折曲線における部分に対して端子板の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっているときに、基端板部の幅方向にかかる力が端子板の長手方向に分散されることになる。特に、他端部の側端部が他端部の突出方向に対して傾斜している場合には、基端板部の幅方向にかかる力を効率よく分散することができる。このため、基端板部の幅方向にかかる力が、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に作用することを抑えることができる。したがって、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００１６】
さらに、前記半導体装置において、前記モールド樹脂の前記第二外面は、前記基端板部を収容して当該基端板部の側端部を支持する収容凹部を有して形成されているとよい。
この構成では、ネジ止めの際に、基端板部にその幅方向の力がかかっても、基端板部の側端部が収容凹部の内側面に当接するため、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに緩和することができる。
【００１７】
また、前記半導体装置においては、前記モールド樹脂の前記第一外面と前記第二外面との角部に、当該角部に配される前記他端部の幅方向の側端部に当接する球状突起が形成されているとよい。
ネジ止めの際には、前述した基端板部の場合と同様に、モールド樹脂の第一外面と第二外面との角部に配される他端部にもその幅方向に力がかかる。これに対し、上記構成では、ネジ止めの際に角部に位置する他端部にその幅方向への力がかかっても、他端部の側端部が球状突起に当接するため、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、他端部の側端部が球状突起に当接する際、球状突起にかかる応力が分散されるため、モールド樹脂自体の剛性が低くても端子板の他端部を十分に支持することができる。
【００１８】
そして、本発明の製造方法は、前記半導体装置を製造する方法であって、前記半導体装置に対し、前記基端板部と前記先端板部とのなす角度が前記第二外面と前記第一外面とのなす角度となるように、前記第二折曲線において前記他端部を折り曲げた後に、前記基端板部が前記第二外面上に配されるように、前記第一折曲線において前記他端部を前記一端部に対して折り曲げることを特徴とする。
【００１９】
この製造方法によれば、先に第二折曲線において他端部を折り曲げることで、モールド樹脂の第二外面から離れるように突出する基端板部を容易に支持できるため、この折り曲げの際に、端子板の基端板部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、端子板の他端部を折り曲げる際、あるいは、ネジにより端子板の他端部をモールド樹脂のネジ止め部に固定する際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を抑制することができるため、境界部分における端子板とモールド樹脂との密着性低下を抑制できる。その結果として、モールド樹脂内部への水分浸入を抑えて、半導体装置の電気的な信頼性を向上させることができる。
また、従来と比較して、端子板の折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置の製造効率を向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体装置であって端子板に折曲加工を施す前の状態を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体装置を示す概略上面図である。
【図３】図１，２の半導体装置を示す概略側断面図である。
【図４】図１の半導体装置において、端子板をモールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図５】図１の半導体装置において端子板に折曲加工を施す半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図５の製造方法を経た半導体装置をなす折曲加工後の端子板を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図８】図７の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図９】本発明の第三実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１０】図９の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１１】本発明の第四実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１２】図１１の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１３】本発明の第五実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１４】図１３の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１５】本発明の第六実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１６】図１５の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１７】本発明の第七実施形態に係る半導体装置のうち、モールド樹脂から突出する端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する概略上面図である。
【図１９】従来の半導体装置の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
〔第一実施形態〕
以下、図１〜６を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図１〜３に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、ヒートシンク２と、ヒートシンク２の上面２ａ上に間隔をあけて配されるダイパッド３及び複数の端子板４，５と、ダイパッド３の上面３ａに搭載される半導体チップ６と、端子板４，５と半導体チップ６とを電気接続する接続子７とを、モールド樹脂８により封止して大略構成されている。
ヒートシンク２は、半導体チップ６において生じた熱を効率よく放熱するものであり、厚板状に形成されている。このヒートシンク２は、少なくとも銅（Ｃｕ）、タングステン、モリブデン等の放熱性の高い材料によって形成されていればよいが、例えばこれに加えてＮｉメッキを施したものでもよい。
【００２３】
ダイパッド３及び複数の端子板４，５は、それぞれ銅材等の導電性を有する材料を平板状に形成して構成されており、これらの間で電気的な短絡が生じないように、その面方向に互いに間隔をあけて配されている。
そして、ダイパッド３に搭載される半導体チップ６は、板状に形成され、その上面６ａ及び下面６ｂに電極を有して構成されている。この半導体チップ６は、ダイオード等のように通電により発熱するものであり、半田等のように導電性を有する導電性接合剤を介してダイパッド３の上面３ａに固定されている。これにより、半導体チップ６がダイパッド３に電気接続されている。
【００２４】
各端子板４，５は、平面視矩形の帯板状に形成されており、その長手方向の一端部をなす内部接続部４１，５１と、長手方向の他端部をなす外部接続部４２，５２とを有している。
内部接続部４１，５１は、接続子７の一端を接合して半導体チップ６に電気接続される部分である。この内部接続部４１，５１は、ヒートシンク２の上面２ａ上においてダイパッド３に隣り合う位置に配され、モールド樹脂８内に埋設されている。
一方、外部接続部４２，５２は、半導体チップ６を外部に電気接続するための部分である。この外部接続部４２，５２は、内部接続部４１，５１よりもダイパッド３から離れるように、また、ヒートシンク２の上面２ａの周縁から突出するように位置している。
【００２５】
複数の端子板４，５は、一対の端子板４，５がダイパッド３側から互いに離れる方向に延びるように配されている。
そして、ダイパッド３と、一対の端子板４，５の一方（第一端子板４）をなす内部接続部４１との間に、導電性を有するボンディングワイヤや接続板等の接続子７を配することで、第一端子板４と半導体チップ６とが電気接続されている。また、他方の端子板（第二端子板５）の内部接続部５１と半導体チップ６の上面６ａとの間に接続子７を配することで、第二端子板５と半導体チップ６とが電気接続されている。
【００２６】
なお、本実施形態では、一つのダイパッド３、一つの半導体チップ６、一対の端子板４，５からなるユニットが二組形成され、これら二組のユニットによって一つの半導体装置１が構成されている。これら二組のユニットは、二つの第一端子板４がその幅方向に間隔をあけて隣り合うように配列されている。
【００２７】
モールド樹脂８は、ヒートシンク２の下面２ｂが露出するように、また、各端子板４，５の外部接続部４２，５２が外方に突出するように、ヒートシンク２の上面２ａ、ダイパッド３、各端子板４，５の内部接続部４１，５１、半導体チップ６及び接続子７を封止している。すなわち、ダイパッド３、各端子板４，５の内部接続部４１，５１、半導体チップ６及び接続子７は、モールド樹脂８の内部に埋設されている。
より詳細に説明すれば、モールド樹脂８は、ヒートシンク２の上面２ａのうち端子板４，５の幅方向に沿うヒートシンク２の長手方向の両端が露出するように形成されている。また、モールド樹脂８は、端子板４，５の外部接続部４２，５２がモールド樹脂８の側面（第二外面）８ｃから略垂直に突出するように形成されている。
【００２８】
そして、本実施形態の半導体装置１は、図５（ｃ）に示すように、端子板４，５の外部接続部４２，５２が、内部接続部４１，５１に対して折り曲げ加工されることで、モールド樹脂８の側面８ｃ及び上面（第一外面）８ａに配されるように構成されている。なお、モールド樹脂８の側面８ｃは、図１，３，４に示すように、外部接続部４２，５２を収容してその幅方向の側端部４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂを支持する収容凹部８２を有して形成されている。収容凹部８２は、モールド樹脂８の上面８ａ側に開口するように形成されている。また、端子板４，５の幅方向に沿う収容凹部８２の幅寸法は、端子板４，５の幅寸法に対して同等あるいは微小に大きく設定されている。
さらに、モールド樹脂８の上面８ａには、端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部８１が形成されている。なお、本実施形態におけるネジ止め部８１は、ナットを挿入する孔であるが、例えばモールド樹脂８自体に直接形成されて、端子板４，５固定用のネジを螺合するための雌ネジであってもよい。
【００２９】
このように構成されるモールド樹脂８に対し、各端子板４，５の外部接続部４２，５２は、図４，５に示すように、内部接続部４１，５１との間の第一折曲線Ｌ１において折り曲げられることでモールド樹脂８の側面８ｃ上に配される突出方向の基端板部４３，５３と、基端板部４３，５３との間の第二折曲線Ｌ２において折り曲げられることでモールド樹脂８のネジ止め部８１に対向するようにモールド樹脂８の上面８ａ上に配される先端板部４４，５４とを備えている。なお、本実施形態においては、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。
そして、先端板部４４，５４には、その厚さ方向に貫通して端子板４，５固定用のネジを挿通させるための挿通孔４５，５５が形成されている。
【００３０】
以上のように構成される半導体装置１を製造する場合には、例えば、ダイパッド３及び端子板４，５の相対的な位置決めを治具等により行い、また、半導体チップ６をダイパッド３に搭載した上で、接続子７により端子板４，５と半導体チップ６とを電気接続すればよい（接続工程）。
その後、モールド樹脂８を形成する樹脂封止工程においては、例えばヒートシンク２の上面２ａ上にダイパッド３及び端子板４，５が間隔をあけて位置するように、モールド成形用の金型等により、ヒートシンク２、ダイパッド３及び端子板４，５の相対的な位置決めを実施すればよい。
【００３１】
そして、半導体装置１の製造をさらに進める際には、はじめに図５（ａ）、（ｂ）に示すように、各端子板４，５のうち基端板部４３，５３と先端板部４４，５４とのなす角度がモールド樹脂８の側面８ｃと上面８ａとのなす角度（図示例では９０度）となるように、第二折曲線Ｌ２において先端板部４４，５４を基端板部４３，５３に対して折り曲げる（第一折曲工程）。この工程においては、モールド樹脂８の側面８ｃから離れるように突出する基端板部４３，５３を容易に支持することができるため、先端板部４４，５４を折り曲げる際に、端子板４，５の基端板部４３，５３とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【００３２】
最後に、図５（ｂ），（ｃ）に示すように、示すように、基端板部４３，５３がモールド樹脂８の側面８ｃ上に配されるように、第一折曲線Ｌ１において基端板部４３，５３を内部接続部４１，５１に対して折り曲げる（第二折曲工程）ことで、半導体装置１の製造が完了する。
そして、第二折曲工程を経た半導体装置１では、図５（ｃ），６に示すように、端子板４，５の基端板部４３，５３が、モールド樹脂８に形成された収容凹部８２内に配されている。なお、図示例では、各端子板４，５の内部接続部４１，５１と基端板部４３，５３とのなす角度が９０度となっている。また、端子板４，５の先端板部４４，５４は、その挿通孔４５がネジ止め部８１に対向するようにモールド樹脂８の上面８ａ上に配されている。
【００３３】
以上説明したように第一実施形態の半導体装置１及びその製造方法によれば、端子板４，５の外部接続部４２，５２がモールド樹脂８の側面８ｃから略垂直に突出していることで、従来の場合と比較して、外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分における外部接続部４２，５２の折曲角度が小さくなるため、内部接続部４１，５１に対して外部接続部４２，５２の基端板部４３，５３を折り曲げる際に、外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を低減することができる。
特に、端子板４，５の外部接続部４２，５２を折り曲げる二つの第一折曲線Ｌ１と第二折曲線Ｌ２が互いに離れているため、先端板部を基端板部に対して折り曲げる際に、外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【００３４】
また、ネジにより先端板部４４，５４をネジ止め部８１に固定する際には、図６に示すように、挿通孔４５，５５の軸線を中心として先端板部４４，５４を回転させようとする外力（回転力；図６（ａ）における矢印ｒ方向の力）が先端板部４４，５４にかかる。これに対し、本実施形態では、端子板４，５の先端板部４４，５４に対して折り曲げられた基端板部４３，５３が、モールド樹脂８の側面８ｃ上に配されているため、ｒ方向の回転力が先端板部４４，５４にかかっても、基端板部４３，５３の幅方向の一方側がモールド樹脂８の側面８ｃ（図示例では収容凹部８２の底面）に押し付けられることになる。
【００３５】
さらに、先端板部にｒ方向の回転力が先端板部４４，５４が作用すると、基端板部４３，５３にはその幅方向の一方側（一方の側端部４２ａ，５２ａ側）から他方側（他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側）に向かう力（図６における矢印ｗ方向の力）がかかる。これに対し、本実施形態では、収容凹部８２が形成されていることで、基端板部４３，５３の他方の側端部４２ｂ，５２が収容凹部８２の内側面に当接することになる。
したがって、ネジ止めの際に端子板４，５の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を抑制・緩和することができる。
【００３６】
以上のように、本実施形態の半導体装置１では、端子板４，５の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を抑制することができるため、この境界部分における端子板４，５とモールド樹脂８との密着性低下を抑制できる。その結果として、モールド樹脂８内部への水分浸入を抑えて、半導体装置１の電気的な信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態の半導体装置１では、端子板４，５の折曲げ回数が２回となり、従来と比較してこの折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置１の製造効率を向上させることもできる。
【００３７】
〔第二実施形態〕
次に、図７，８を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図７，８に示すように、第一実施形態の半導体装置１と比較して、端子板４，５を折り曲げる方法のみが異なっている。
図７に示すように、この実施形態の半導体装置では、第一実施形態と同様に、端子板４，５が平面視矩形の帯状に形成され、その外部接続部４２，５２がモールド樹脂８の側面８ｃから突出している。ただし、外部接続部４２，５２の突出方向に沿う第一折曲線Ｌ１と第二折曲線Ｌ２との間隔が、端子板４，５の一方の側端部４２ａ，５２ａ側から他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側に向かうにしたがって狭くなっている。言い換えれば、基端板部４３，５３の長手方向の寸法が、端子板４，５の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっている。そして、本実施形態において、第一折曲線Ｌ１及び第二折曲線Ｌ２は、外部接続部４２，５２の突出方向に対して互いに異なる方向に傾斜している。
【００３８】
このように設定された二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において外部接続部４２，５２を折り曲げた状態においては、図８に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３のうち先端板部４４，５４側の端部が、内部接続部４１，５１側の端部よりもネジ止め時に基端板部４３，５３にかかる力の方向（矢印ｗ方向）にずれて位置するように、基端板部４３，５３がモールド樹脂８の厚さ方向に対して傾斜している。また、基端板部４３，５３は、その一方の側端部４２ａ，５２ａ側から他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側に向かうにしたがってモールド樹脂８の側面８ｃから離れるように、モールド樹脂８の側面８ｃに対して傾斜して配されている。
【００３９】
一方、先端板部４４，５４は、その一方の側端部４２ａ，５２ａ側から他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側に向かうにしたがって、モールド樹脂８の上面８ａに近づくように、モールド樹脂８の上面８ａに対して傾斜して配されている。
そして、本実施形態では、外部接続部４２，５２の突出方向に対する二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２の傾斜角度の大きさが同等であるため、モールド樹脂８の上面側から見て、端子板４，５の基端板部４３，５３に対する内部接続部４１，５１及び先端板部４４，５４の延出方向が互いに平行している。
【００４０】
なお、本実施形態の図示例には記載されていないが、例えば第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃには、端子板４，５の基端板部４３，５３を収容する収容凹部８２が形成されていてもよい。なお、本実施形態において収容凹部８２を形成する場合には、本実施形態の基端板部４３，５３の配置に対応するように、モールド樹脂８の厚さ方向に対して傾斜するように形成されていることが好ましい。
【００４１】
本実施形態の半導体装置によれば、第一実施形態の場合と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態では、基端板部４３，５３の長手方向の寸法が、端子板４，５の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることで、ネジ止めの際に基端板部４３，５３に作用するｗ方向の力に対する基端板部４３，５３の剛性が高められている。このため、基端板部４３，５３に作用するｗ方向の力が端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分に伝わることを抑えることができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、この構成では、先端板部４４，５４がモールド樹脂８の上面８ａに対して傾斜した状態で配されるため、ネジ止めの際にはこの先端板部４４，５４がバネワッシャの役割を果たし、ネジによる締結力を向上させることもできる。
【００４２】
〔第三実施形態〕
次に、図９，１０を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、図９，１０に示すように、第一実施形態の半導体装置１と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図９に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。ただし、本実施形態の端子板４，５では、その外部接続部４２，５２の一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分に対してずれて位置している。
【００４３】
詳細に説明すれば、内部接続部４１，５１及び先端板部４４，５４の先端部分における端子板４，５の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分は、他の部分に対して端子板４，５の幅方向に突出しており、この部分における端子板４，５の幅寸法は、内部接続部４１，５１や先端板部４４，５４の先端部分よりも大きく設定されている。
そして、一方の側端部４２ａ，５２ａは、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に向かうにしたがって、他方の側端部４２ｂ，５２ｂに近づくように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。
このように形成された端子板４，５の外部接続部４２，５２を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１０に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３が、内部接続部４１，５１側から先端板部４４，５４側に向かうにしたがって幅寸法が大きくなる台形状に形成されている。そして、基端板部４３，５３のうち一方の側端部４２ａ，５２ａのみが、台形状の斜辺をなしている。
【００４４】
本実施形態の半導体装置によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、この半導体装置では、ネジ止めの際に基端板部４３，５３にかかる力の方向（ｗ方向）が、一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分が第一折曲線Ｌ１における部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に対して端子板４，５の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっている。このため、基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力が、端子板４，５の長手方向に分散されることになる。
なお、図９，１０における符号ｗ１，ｗ２は、ｗ方向の力が斜辺とされた外部接続部４２，５２の一方の側端部４２ａ，５２ａに沿って分散された力の方向を示している。すなわち、外部接続部の一方の側端部４２ａ，５２ａが外部接続部４２，５２の突出方向に対して傾斜していることで、基端板部４３，５３の幅方向にかかる力を特に効率よく分散することができる。このため、ネジ止め時に基端板部４３，５３にかかる力が、端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分に作用することを抑えることができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００４５】
〔第四実施形態〕
次に、図１１，１２を参照して本発明の第四実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図１１，１２に示すように、第三実施形態の半導体装置と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図１１に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。そして、本実施形態の端子板４（５）では、その外部接続部４２（５２）の両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）のうち第二折曲線Ｌ２における各部分が、第一折曲線Ｌ１における各部分に対してずれて位置している。
【００４６】
具体的には、内部接続部４１（５１）及び先端板部４４（５４）の先端部分における端子板４，５の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）のうち第二折曲線Ｌ２における部分は、他の部分に対して端子板４（５）の幅方向に突出し、この部分における端子板４（５）の幅寸法は、内部接続部４１（５１）や先端板部４４（５４）の先端部分よりも大きく設定されている。
そして、一方の側端部４２ａ（５２ａ）は、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４（５４）の先端部分に向かうにしたがって、他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）に近づくように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。また、他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）は、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４（５４）の先端部分に向かうにしたがって、一方の側端部４２ａ（５２ａ）に近づくように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。
【００４７】
このように形成された端子板４（５）の外部接続部４２（５２）を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１０に示すように、外部接続部４２（５２）をなす基端板部４３（５３）が、内部接続部４１（５１）側から先端板部４４（５４）側に向かうにしたがって幅寸法が大きくなる台形状に形成されている。そして、基端板部４３（５３）のうち両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）が、台形状の斜辺をなしている。
【００４８】
本実施形態の半導体装置によれば、第三実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、この半導体装置では、端子板４（５）の一方の側端部４２ａ（５２ａ）の形状が第三実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部４３（５３）に対してｗ方向にかかる力を、端子板４（５）の長手方向（ｗ１方向及びｗ２方向）に分散することができる。
さらに、本実施形態の半導体装置では、端子板４（５）の他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）の形状が一方の側端部４２ａ（５２ａ）と逆向きとなっているため、例えばネジ止めの際に先端板部４４（５４）を回転させる向きがｒ方向と逆向きとなり（逆ネジであっても）、基端板部４３（５３）にｗ方向と逆向きの力がかかっても、この力を端子板４，５の長手方向に分散することもできる。
【００４９】
〔第五実施形態〕
次に、図１３，１４を参照して本発明の第五実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、図１３，１４に示すように、第一実施形態の半導体装置と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図１３に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。そして、本実施形態の端子板４，５では、その外部接続部４２，５２の他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分に対してずれて位置している。
【００５０】
詳細に説明すれば、内部接続部４１，５１及び先端板部４４，５４の先端部分における端子板４，５の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分は、他の部分に対して端子板４，５の幅方向に窪んでおり、この部分における端子板４，５の幅寸法は、内部接続部４１，５１や先端板部４４，５４の先端部分よりも小さく設定されている。
そして、他方の側端部４２ｂ，５２ｂは、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に向かうにしたがって、一方の側端部４２ａ，５２ａから離れるように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。
このように形成された端子板４，５の外部接続部４２，５２を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１４に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３が、内部接続部４１，５１側から先端板部４４，５４側に向かうにしたがって幅寸法が小さくなる台形状に形成されている。そして、基端板部４３，５３のうち他方の側端部４２ｂ，５２ｂのみが、台形状の斜辺をなしている。
【００５１】
本実施形態の半導体装置によれば、第三実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、ネジ止めの際に基端板部４３，５３にかかる力の方向（ｗ方向）が、他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分が第一折曲線Ｌ１における部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に対して端子板４，５の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっている。このため、基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力が、端子板４，５の長手方向に分散されることになる。
なお、図１３，１４における符号ｗ３，ｗ４は、ｗ方向の力が斜辺とされた外部接続部４２，５２の他方の側端部４２ｂ，５２ｂに沿って分散された力の方向を示している。すなわち、外部接続部の他方の側端部４２ｂ，５２ｂが外部接続部４２，５２の突出方向に対して傾斜していることで、基端板部４３，５３の幅方向にかかる力を特に効率よく分散することができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００５２】
〔第六実施形態〕
次に、図１５，１６を参照して本発明の第六実施形態について説明する。
図８に示すように、この実施形態に係る半導体装置は、図１５，１６に示すように、第三〜第五実施形態の半導体装置と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図１５に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。
【００５３】
そして、本実施形態の端子板４，５では、第三実施形態と同様に、その外部接続部４２，５２の一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分や先端板部４４，５４の先端部分に対して、端子板４，５の幅方向に突出している。さらに、この端子板４，５では、第五実施形態と同様に、その外部接続部４２，５２の他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分や先端板部４４，５４の先端部分に対して、端子板４，５の幅方向に窪んでいる。
さらに、本実施形態では、一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２の部分の端子板４，５の幅方向への突出長さと、他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２の部分の幅方向への窪み長さが等しく設定されている。このため、端子板４，５の幅寸法は、端子板４，５の長手方向にわたって一定とされ、端子板４，５の外部接続部４２，５２が端子板４，５の幅方向に蛇行している。
【００５４】
以上のように形成された端子板４，５の外部接続部４２，５２を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１６に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３が、内部接続部４１，５１側から先端板部４４，５４側に向かうにしたがって、ネジ止めの際に基端板部４３，５３にかかる力の方向（ｗ方向）と逆向きに傾く平行四辺形に形成されている。
【００５５】
本実施形態の半導体装置によれば、第三、第五実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、この半導体装置では、端子板４，５の一方の側端部４２ａ，５２ａの形状が第三実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力を、一方の側端部４２ａ，５２ａに沿って端子板４，５の長手方向（ｗ１方向及びｗ２方向）に分散することができる。また、端子板４，５の他方の側端部４２ｂ，５２ｂの形状が第五実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力を、他方の側端部４２ｂ，５２ｂに沿って端子板４，５の長手方向（ｗ３方向及びｗ４方向）に分散することができる。
なお、この第六実施形態において、端子板４，５の外部接続部４２，５２は、少なくとも端子板４，５の幅方向に蛇行していればよく、例えば、外部接続部４２，５２の幅寸法はその突出方向に変化していてもよい。
【００５６】
〔第七実施形態〕
次に、図１７を参照して本発明の第六実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図１７に示すように、第一実施形態の半導体装置と比較して、モールド樹脂８の形状のみが異なっている。
すなわち、この実施形態の半導体装置では、図１７に示すように、モールド樹脂８の上面８ａと側面８ｃとの角部に、この角部に配される端子板４（５）の外部接続部４２（５２）の両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）に当接する球状突起８３が一対形成されている。そして、これら一対の球状突起８３には、外部接続部４２（５２）のうち第二折曲線Ｌ２に位置する部分が当接する。
なお、本実施形態においては、収容凹部８２の両側壁部をモールド樹脂８の上面８ａから突出させるように延長した上で、この両側壁部の内側面から収容凹部８２の幅方向内側に突出させるように球状突起８３を形成しているが、これに限ることはない。
【００５７】
この実施形態の半導体装置によれば、ネジ止めの際にはモールド樹脂８の上面８ａと側面８ｃとの角部に配される外部接続部４２（５２）にもその幅方向（ｗ方向）に力がかかるが、この際には角部に位置する外部接続部４２（５２）の他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）に球状突起８３が当接することで、端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、外部接続部４２，５２の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）が球状突起８３に当接する際、球状突起８３にかかる応力は分散されるため、例えばモールド樹脂８自体の剛性が低くてもネジ止めの際に端子板４（５）の外部接続部４２（５２）を十分に支持することができる。
なお、この第七実施形態の構成は、前述した第二〜第六実施形態のいずれにも適用することが可能である。
【００５８】
以上、第一〜第七実施形態により本発明の詳細を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、全ての実施形態では、半導体装置１を製造する際に使用するダイパッド３及び端子板４，５が、個別に構成されるとしたが、例えば図１８に示すように、銅材をはじめとする導電性板材にプレス加工やエッチング加工等を施してなるリードフレーム１００によって一体に形成されてもよい。
このリードフレーム１００は、第一実施形態の半導体装置１と同様の位置にダイパッド３及び端子板４，５を配置した上で、これらダイパッド３及び端子板４，５を同一の枠体部９に連結して構成されている。ここで、端子板４，５は、モールド樹脂８の外側に配される外部接続部４２，５２を枠体部９に直接接続することで、枠体部９に連結されている。一方、ダイパッド３は、モールド樹脂８の内側から外側まで延びる連結リード１０を介して枠体部９に連結されている。
【００５９】
このリードフレーム１００を用いて第一実施形態の半導体装置１を製造する場合には、接続工程や樹脂封止工程においてダイパッド３及び端子板４，５の相対的な位置決めを行う必要が無いため、半導体装置１の製造効率の向上を図ることができる。
また、第一、第二折曲工程を行う際には、少なくとも端子板４，５の外部接続部４２，５２のみを枠体部９から切り離せばよいため、半導体装置１を枠体部９に支持させておくことができる。特に、一つの半導体装置１の製造に要するダイパッド３及び端子板４，５のユニットを同一のリードフレーム１００に複数形成した場合には、第一、第二折曲工程において複数の半導体装置１を同一の枠体部９に支持させた状態で、複数の端子板４，５の折り曲げ加工を一度にまとめて実施することが可能となる。また、第一、第二折曲工程において複数の半導体装置１が同一の枠体部９に支持されていることで、複数の半導体装置１を別個の治具等により個別に支持する必要がなくなり、半導体装置１の製造効率の向上を図ることができる。
【００６０】
また、全ての実施形態において、ヒートシンク２とダイパッド３及び端子板４，５との間には、モールド樹脂８が介在するとしたが、少なくともヒートシンク２とダイパッド３及び端子板４，５とが電気的に絶縁されていればよく、例えば別個の絶縁性部材を介在させてもよい。
さらに、全ての実施形態においては、ダイパッド３が、一対の端子板４，５と間隔をあけて配されるとしたが、例えば第一端子板４の内部接続部４１に一体に形成されてもよい。この場合、ダイパッド３と第一端子板４とを電気接続する接続子７が不要となるため、半導体装置１の製造コスト削減及び製造効率向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００６１】
１ 半導体装置
２ ヒートシンク
３ ダイパッド
４ 第一端子板
４１ 内部接続部（一端部）
４２ 外部接続部（他端部）
４２ａ，４２ｂ 側端部
４３ 基端板部
４４ 先端板部
４５ 挿通孔
５ 第二端子板
５１ 内部接続部（一端部）
５２ 外部接続部（他端部）
５２ａ，５２ｂ 側端部
５３ 基端板部
５４ 先端板部
５５ 挿通孔
６ 半導体チップ
７ 接続子
８ モールド樹脂
８ａ 上面（第一外面）
８ｃ 側面（第二外面）
８１ ネジ止め部
８２ 収容凹部
８３ 球状突起
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、例えば図１９のように、端子板２０１，２０２の長手方向の一端部２１１，２２１と半導体チップ２０３とを電気接続した上で、端子板２０１，２０２の一端部２１１，２２１及び半導体チップ２０３をモールド樹脂２０５により封止し、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２をモールド樹脂２０５から突出させたものがある（特許文献１参照）。また、この半導体装置では、モールド樹脂２０５の上面２０５ａに形成されたネジ止め部２５１、及び、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２の突出方向先端に形成されてネジを挿通させる挿通孔２１３，２２３を利用して、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２と外部の電気配線（不図示）とをネジ止めにより接続・固定するように構成されている。
具体的に説明すれば、上記構成の半導体装置では、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２がモールド樹脂２０５の上面２０５ａの周縁から上面２０５ａに沿って外側に突出している。そして、端子板２０１，２０２と外部の電気配線とをネジ止めする際には、他端部２１２，２２２に形成された挿通孔２１３，２２３がモールド樹脂２０５のネジ止め部２５１に対向するように、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２を一端部２１１，２２１に対して折り曲げる加工を施す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２３８８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の半導体装置では、上述した折り曲げ加工を施す際に、他端部２１２，２２２を大きな角度で折り曲げる（図１９においては逆向きに折り曲げている）必要があるため、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２とモールド樹脂２０５との境界部分に大きな応力がかかってしまう。なお、従来では、この応力が少しでも軽減されるように、多数回（例えば４回）に分けて端子板２０１，２０２の折り曲げ加工を実施しているが、他端部２１２，２２２の折り曲げ箇所がモールド樹脂２０５との境界部分に集中しているため、応力は十分には軽減されていない。
また、端子板２０１，２０２と外部の電気配線とをネジ止めする際には、挿通孔２１３，２２３の軸線を中心として端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２を回転させようとする外力が端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２にかかるため、この外力に基づいても、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２とモールド樹脂２０５との境界部分に大きな応力が生じてしまう。
【０００５】
このように、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２とモールド樹脂２０５との境界部分に大きな応力がかかると、この境界部分における端子板２０１，２０２とモールド樹脂２０５との密着性が低下してしまう。その結果として、端子板２０１，２０２とモールド樹脂２０５との間から内部に水分が浸入しやすくなり、半導体装置の電気的な信頼性が低下する、という問題がある。
また、上記従来の半導体装置においては、端子板２０１，２０２の他端部２１２，２２２を折り曲げる回数が多いことから半導体装置の製造効率が低い、という問題もある。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、モールド樹脂から突出する端子板に対して折り曲げ加工を施しても、端子板とモールド樹脂との密着性低下を抑制でき、かつ、半導体装置の製造効率向上を図ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するために、本発明の半導体装置は、端子板の長手方向の一端部と半導体チップとを電気接続した上で、前記一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記端子板の他端部を前記モールド樹脂の外面から突出させてなる半導体装置であって、前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出していることを特徴とする。
【０００８】
なお、前記半導体装置においては、前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成されているとよい。
【０００９】
上記構成の半導体装置では、端子板の他端部がモールド樹脂の第二外面から略垂直に突出していることで、従来の場合と比較して、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分における他端部の折曲角度が小さくなる（例えば９０度となる）ため、端子板の一端部に対して他端部（基端板部）を折り曲げる際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を低減することができる。
また、端子板の基端板部をモールド樹脂の第二外面上に配するための折曲げ箇所（第一折曲線）と、先端板部をモールド樹脂の第一外面上に配するための折曲げ箇所（第二折曲線）とが互いに離れているため、先端板部を基端板部に対して折り曲げる際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【００１０】
さらに、先端板部に対して折り曲げられた基端板部がモールド樹脂の第二外面上に配されていることで、ネジにより先端板部をネジ止め部に固定する際に、挿通孔の軸線を中心として端子板の先端板部を回転させようとする外力（回転力）が先端板部にかかっても、基端板部の幅方向の少なくとも一方側がモールド樹脂の第二外面に押し付けられるため、ネジ止めの際に端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を抑制することができる。
また、上記構成の半導体装置では、端子板の折曲げ回数が２回となり、従来と比較してこの折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置の製造効率を向上させることもできる。
【００１１】
そして、前記半導体装置においては、前記他端部の突出方向に沿う前記第一折曲線と前記第二折曲線との間隔が、前記端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることがより好ましい。
【００１２】
ネジ止めの際には先端板部に前述した回転力が作用することで、基端板部にはその幅方向の力がかかり、この力によって端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に応力が生じる。
このことに対し、上記構成では、ネジ止めの際に、基端板部にその幅方向の一方側から他方側に向かう方向に力がかかっても、基端板部の長手方向の寸法が、端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることで、この方向の力に対する基端板部の剛性が高められるため、ネジ止め時の回転力に基づいて基端板部の幅方向にかかる力が端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に伝わることを抑えることができる。したがって、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００１３】
また、前記半導体装置においては、前記第二折曲線における前記他端部の幅方向の少なくとも一方の側端部が、前記第一折曲線における前記他端部の幅方向の前記側端部に対して前記幅方向にずれて位置しているとよい。
そして、前記半導体装置においては、前記側端部が前記他端部の突出方向に対して傾斜しているとなおよい。
【００１４】
なお、前記半導体装置においては、前記側端部のうち前記第二折曲線における部分が、他の部分に対して前記端子板の幅方向に突出していてもよいし、他の部分に対して前記端子板の幅方向に窪んでいてもよい。
【００１５】
これらの構成では、ネジ止めの際に先端板部に作用する回転力に基づいて基端板部にかかる力の方向が、他端部の側端部のうち第二折曲線における部分が第一折曲線における部分に対して端子板の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっているときに、基端板部の幅方向にかかる力が端子板の長手方向に分散されることになる。特に、他端部の側端部が他端部の突出方向に対して傾斜している場合には、基端板部の幅方向にかかる力を効率よく分散することができる。このため、基端板部の幅方向にかかる力が、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分に作用することを抑えることができる。したがって、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００１６】
さらに、前記半導体装置において、前記モールド樹脂の前記第二外面は、前記基端板部を収容して当該基端板部の側端部を支持する収容凹部を有して形成されているとよい。
この構成では、ネジ止めの際に、基端板部にその幅方向の力がかかっても、基端板部の側端部が収容凹部の内側面に当接するため、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに緩和することができる。
【００１７】
また、前記半導体装置においては、前記モールド樹脂の前記第一外面と前記第二外面との角部に、当該角部に配される前記他端部の幅方向の側端部に当接する球状突起が形成されているとよい。
ネジ止めの際には、前述した基端板部の場合と同様に、モールド樹脂の第一外面と第二外面との角部に配される他端部にもその幅方向に力がかかる。これに対し、上記構成では、ネジ止めの際に角部に位置する他端部にその幅方向への力がかかっても、他端部の側端部が球状突起に当接するため、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、他端部の側端部が球状突起に当接する際、球状突起にかかる応力が分散されるため、モールド樹脂自体の剛性が低くても端子板の他端部を十分に支持することができる。
【００１８】
そして、本発明の製造方法は、前記半導体装置を製造する方法であって、前記半導体装置に対し、前記基端板部と前記先端板部とのなす角度が前記第二外面と前記第一外面とのなす角度となるように、前記第二折曲線において前記他端部を折り曲げた後に、前記基端板部が前記第二外面上に配されるように、前記第一折曲線において前記他端部を前記一端部に対して折り曲げることを特徴とする。
【００１９】
この製造方法によれば、先に第二折曲線において他端部を折り曲げることで、モールド樹脂の第二外面から離れるように突出する基端板部を容易に支持できるため、この折り曲げの際に、端子板の基端板部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、端子板の他端部を折り曲げる際、あるいは、ネジにより端子板の他端部をモールド樹脂のネジ止め部に固定する際に、端子板の他端部とモールド樹脂との境界部分にかかる応力を抑制することができるため、境界部分における端子板とモールド樹脂との密着性低下を抑制できる。その結果として、モールド樹脂内部への水分浸入を抑えて、半導体装置の電気的な信頼性を向上させることができる。
また、従来と比較して、端子板の折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置の製造効率を向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体装置であって端子板に折曲加工を施す前の状態を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体装置を示す概略上面図である。
【図３】図１，２の半導体装置を示す概略側断面図である。
【図４】図１の半導体装置において、端子板をモールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図５】図１の半導体装置において端子板に折曲加工を施す半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図５の製造方法を経た半導体装置をなす折曲加工後の端子板を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図８】図７の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図９】本発明の第三実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１０】図９の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１１】本発明の第四実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１２】図１１の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１３】本発明の第五実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１４】図１３の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１５】本発明の第六実施形態に係る半導体装置をなす折曲加工前の端子板を、モールド樹脂の上面側から見た状態を示す要部拡大図である。
【図１６】図１５の端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１７】本発明の第七実施形態に係る半導体装置のうち、モールド樹脂から突出する端子板に折曲加工を施した後の状態を示しており、（ａ）は拡大上面図、（ｂ）は拡大側面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する概略上面図である。
【図１９】従来の半導体装置の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
〔第一実施形態〕
以下、図１〜６を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図１〜３に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、ヒートシンク２と、ヒートシンク２の上面２ａ上に間隔をあけて配されるダイパッド３及び複数の端子板４，５と、ダイパッド３の上面３ａに搭載される半導体チップ６と、端子板４，５と半導体チップ６とを電気接続する接続子７とを、モールド樹脂８により封止して大略構成されている。
ヒートシンク２は、半導体チップ６において生じた熱を効率よく放熱するものであり、厚板状に形成されている。このヒートシンク２は、少なくとも銅（Ｃｕ）、タングステン、モリブデン等の放熱性の高い材料によって形成されていればよいが、例えばこれに加えてＮｉメッキを施したものでもよい。
【００２３】
ダイパッド３及び複数の端子板４，５は、それぞれ銅材等の導電性を有する材料を平板状に形成して構成されており、これらの間で電気的な短絡が生じないように、その面方向に互いに間隔をあけて配されている。
そして、ダイパッド３に搭載される半導体チップ６は、板状に形成され、その上面６ａ及び下面６ｂに電極を有して構成されている。この半導体チップ６は、ダイオード等のように通電により発熱するものであり、半田等のように導電性を有する導電性接合剤を介してダイパッド３の上面３ａに固定されている。これにより、半導体チップ６がダイパッド３に電気接続されている。
【００２４】
各端子板４，５は、平面視矩形の帯板状に形成されており、その長手方向の一端部をなす内部接続部４１，５１と、長手方向の他端部をなす外部接続部４２，５２とを有している。
内部接続部４１，５１は、接続子７の一端を接合して半導体チップ６に電気接続される部分である。この内部接続部４１，５１は、ヒートシンク２の上面２ａ上においてダイパッド３に隣り合う位置に配され、モールド樹脂８内に埋設されている。
一方、外部接続部４２，５２は、半導体チップ６を外部に電気接続するための部分である。この外部接続部４２，５２は、内部接続部４１，５１よりもダイパッド３から離れるように、また、ヒートシンク２の上面２ａの周縁から突出するように位置している。
【００２５】
複数の端子板４，５は、一対の端子板４，５がダイパッド３側から互いに離れる方向に延びるように配されている。
そして、ダイパッド３と、一対の端子板４，５の一方（第一端子板４）をなす内部接続部４１との間に、導電性を有するボンディングワイヤや接続板等の接続子７を配することで、第一端子板４と半導体チップ６とが電気接続されている。また、他方の端子板（第二端子板５）の内部接続部５１と半導体チップ６の上面６ａとの間に接続子７を配することで、第二端子板５と半導体チップ６とが電気接続されている。
【００２６】
なお、本実施形態では、一つのダイパッド３、一つの半導体チップ６、一対の端子板４，５からなるユニットが二組形成され、これら二組のユニットによって一つの半導体装置１が構成されている。これら二組のユニットは、二つの第一端子板４がその幅方向に間隔をあけて隣り合うように配列されている。
【００２７】
モールド樹脂８は、ヒートシンク２の下面２ｂが露出するように、また、各端子板４，５の外部接続部４２，５２が外方に突出するように、ヒートシンク２の上面２ａ、ダイパッド３、各端子板４，５の内部接続部４１，５１、半導体チップ６及び接続子７を封止している。すなわち、ダイパッド３、各端子板４，５の内部接続部４１，５１、半導体チップ６及び接続子７は、モールド樹脂８の内部に埋設されている。
より詳細に説明すれば、モールド樹脂８は、ヒートシンク２の上面２ａのうち端子板４，５の幅方向に沿うヒートシンク２の長手方向の両端が露出するように形成されている。また、モールド樹脂８は、端子板４，５の外部接続部４２，５２がモールド樹脂８の側面（第二外面）８ｃから略垂直に突出するように形成されている。
【００２８】
そして、本実施形態の半導体装置１は、図５（ｃ）に示すように、端子板４，５の外部接続部４２，５２が、内部接続部４１，５１に対して折り曲げ加工されることで、モールド樹脂８の側面８ｃ及び上面（第一外面）８ａに配されるように構成されている。なお、モールド樹脂８の側面８ｃは、図１，３，４に示すように、外部接続部４２，５２を収容してその幅方向の側端部４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂを支持する収容凹部８２を有して形成されている。収容凹部８２は、モールド樹脂８の上面８ａ側に開口するように形成されている。また、端子板４，５の幅方向に沿う収容凹部８２の幅寸法は、端子板４，５の幅寸法に対して同等あるいは微小に大きく設定されている。
さらに、モールド樹脂８の上面８ａには、端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部８１が形成されている。なお、本実施形態におけるネジ止め部８１は、ナットを挿入する孔であるが、例えばモールド樹脂８自体に直接形成されて、端子板４，５固定用のネジを螺合するための雌ネジであってもよい。
【００２９】
このように構成されるモールド樹脂８に対し、各端子板４，５の外部接続部４２，５２は、図４，５に示すように、内部接続部４１，５１との間の第一折曲線Ｌ１において折り曲げられることでモールド樹脂８の側面８ｃ上に配される突出方向の基端板部４３，５３と、基端板部４３，５３との間の第二折曲線Ｌ２において折り曲げられることでモールド樹脂８のネジ止め部８１に対向するようにモールド樹脂８の上面８ａ上に配される先端板部４４，５４とを備えている。なお、本実施形態においては、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。
そして、先端板部４４，５４には、その厚さ方向に貫通して端子板４，５固定用のネジを挿通させるための挿通孔４５，５５が形成されている。
【００３０】
以上のように構成される半導体装置１を製造する場合には、例えば、ダイパッド３及び端子板４，５の相対的な位置決めを治具等により行い、また、半導体チップ６をダイパッド３に搭載した上で、接続子７により端子板４，５と半導体チップ６とを電気接続すればよい（接続工程）。
その後、モールド樹脂８を形成する樹脂封止工程においては、例えばヒートシンク２の上面２ａ上にダイパッド３及び端子板４，５が間隔をあけて位置するように、モールド成形用の金型等により、ヒートシンク２、ダイパッド３及び端子板４，５の相対的な位置決めを実施すればよい。
【００３１】
そして、半導体装置１の製造をさらに進める際には、はじめに図５（ａ）、（ｂ）に示すように、各端子板４，５のうち基端板部４３，５３と先端板部４４，５４とのなす角度がモールド樹脂８の側面８ｃと上面８ａとのなす角度（図示例では９０度）となるように、第二折曲線Ｌ２において先端板部４４，５４を基端板部４３，５３に対して折り曲げる（第一折曲工程）。この工程においては、モールド樹脂８の側面８ｃから離れるように突出する基端板部４３，５３を容易に支持することができるため、先端板部４４，５４を折り曲げる際に、端子板４，５の基端板部４３，５３とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【００３２】
最後に、図５（ｂ），（ｃ）に示すように、示すように、基端板部４３，５３がモールド樹脂８の側面８ｃ上に配されるように、第一折曲線Ｌ１において基端板部４３，５３を内部接続部４１，５１に対して折り曲げる（第二折曲工程）ことで、半導体装置１の製造が完了する。
そして、第二折曲工程を経た半導体装置１では、図５（ｃ），６に示すように、端子板４，５の基端板部４３，５３が、モールド樹脂８に形成された収容凹部８２内に配されている。なお、図示例では、各端子板４，５の内部接続部４１，５１と基端板部４３，５３とのなす角度が９０度となっている。また、端子板４，５の先端板部４４，５４は、その挿通孔４５がネジ止め部８１に対向するようにモールド樹脂８の上面８ａ上に配されている。
【００３３】
以上説明したように第一実施形態の半導体装置１及びその製造方法によれば、端子板４，５の外部接続部４２，５２がモールド樹脂８の側面８ｃから略垂直に突出していることで、従来の場合と比較して、外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分における外部接続部４２，５２の折曲角度が小さくなるため、内部接続部４１，５１に対して外部接続部４２，５２の基端板部４３，５３を折り曲げる際に、外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を低減することができる。
特に、端子板４，５の外部接続部４２，５２を折り曲げる二つの第一折曲線Ｌ１と第二折曲線Ｌ２が互いに離れているため、先端板部を基端板部に対して折り曲げる際に、外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を非常に小さく抑えることができる。
【００３４】
また、ネジにより先端板部４４，５４をネジ止め部８１に固定する際には、図６に示すように、挿通孔４５，５５の軸線を中心として先端板部４４，５４を回転させようとする外力（回転力；図６（ａ）における矢印ｒ方向の力）が先端板部４４，５４にかかる。これに対し、本実施形態では、端子板４，５の先端板部４４，５４に対して折り曲げられた基端板部４３，５３が、モールド樹脂８の側面８ｃ上に配されているため、ｒ方向の回転力が先端板部４４，５４にかかっても、基端板部４３，５３の幅方向の一方側がモールド樹脂８の側面８ｃ（図示例では収容凹部８２の底面）に押し付けられることになる。
【００３５】
さらに、先端板部にｒ方向の回転力が先端板部４４，５４が作用すると、基端板部４３，５３にはその幅方向の一方側（一方の側端部４２ａ，５２ａ側）から他方側（他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側）に向かう力（図６における矢印ｗ方向の力）がかかる。これに対し、本実施形態では、収容凹部８２が形成されていることで、基端板部４３，５３の他方の側端部４２ｂ，５２が収容凹部８２の内側面に当接することになる。
したがって、ネジ止めの際に端子板４，５の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を抑制・緩和することができる。
【００３６】
以上のように、本実施形態の半導体装置１では、端子板４，５の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力を抑制することができるため、この境界部分における端子板４，５とモールド樹脂８との密着性低下を抑制できる。その結果として、モールド樹脂８内部への水分浸入を抑えて、半導体装置１の電気的な信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態の半導体装置１では、端子板４，５の折曲げ回数が２回となり、従来と比較してこの折曲げ回数を減らすことができるため、半導体装置１の製造効率を向上させることもできる。
【００３７】
〔第二実施形態〕
次に、図７，８を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図７，８に示すように、第一実施形態の半導体装置１と比較して、端子板４，５を折り曲げる方法のみが異なっている。
図７に示すように、この実施形態の半導体装置では、第一実施形態と同様に、端子板４，５が平面視矩形の帯状に形成され、その外部接続部４２，５２がモールド樹脂８の側面８ｃから突出している。ただし、外部接続部４２，５２の突出方向に沿う第一折曲線Ｌ１と第二折曲線Ｌ２との間隔が、端子板４，５の一方の側端部４２ａ，５２ａ側から他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側に向かうにしたがって狭くなっている。言い換えれば、基端板部４３，５３の長手方向の寸法が、端子板４，５の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっている。そして、本実施形態において、第一折曲線Ｌ１及び第二折曲線Ｌ２は、外部接続部４２，５２の突出方向に対して互いに異なる方向に傾斜している。
【００３８】
このように設定された二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において外部接続部４２，５２を折り曲げた状態においては、図８に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３のうち先端板部４４，５４側の端部が、内部接続部４１，５１側の端部よりもネジ止め時に基端板部４３，５３にかかる力の方向（矢印ｗ方向）にずれて位置するように、基端板部４３，５３がモールド樹脂８の厚さ方向に対して傾斜している。また、基端板部４３，５３は、その一方の側端部４２ａ，５２ａ側から他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側に向かうにしたがってモールド樹脂８の側面８ｃから離れるように、モールド樹脂８の側面８ｃに対して傾斜して配されている。
【００３９】
一方、先端板部４４，５４は、その一方の側端部４２ａ，５２ａ側から他方の側端部４２ｂ，５２ｂ側に向かうにしたがって、モールド樹脂８の上面８ａに近づくように、モールド樹脂８の上面８ａに対して傾斜して配されている。
そして、本実施形態では、外部接続部４２，５２の突出方向に対する二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２の傾斜角度の大きさが同等であるため、モールド樹脂８の上面側から見て、端子板４，５の基端板部４３，５３に対する内部接続部４１，５１及び先端板部４４，５４の延出方向が互いに平行している。
【００４０】
なお、本実施形態の図示例には記載されていないが、例えば第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃには、端子板４，５の基端板部４３，５３を収容する収容凹部８２が形成されていてもよい。なお、本実施形態において収容凹部８２を形成する場合には、本実施形態の基端板部４３，５３の配置に対応するように、モールド樹脂８の厚さ方向に対して傾斜するように形成されていることが好ましい。
【００４１】
本実施形態の半導体装置によれば、第一実施形態の場合と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態では、基端板部４３，５３の長手方向の寸法が、端子板４，５の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることで、ネジ止めの際に基端板部４３，５３に作用するｗ方向の力に対する基端板部４３，５３の剛性が高められている。このため、基端板部４３，５３に作用するｗ方向の力が端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分に伝わることを抑えることができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、この構成では、先端板部４４，５４がモールド樹脂８の上面８ａに対して傾斜した状態で配されるため、ネジ止めの際にはこの先端板部４４，５４がバネワッシャの役割を果たし、ネジによる締結力を向上させることもできる。
【００４２】
〔第三実施形態〕
次に、図９，１０を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、図９，１０に示すように、第一実施形態の半導体装置１と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図９に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。ただし、本実施形態の端子板４，５では、その外部接続部４２，５２の一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分に対してずれて位置している。
【００４３】
詳細に説明すれば、内部接続部４１，５１及び先端板部４４，５４の先端部分における端子板４，５の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分は、他の部分に対して端子板４，５の幅方向に突出しており、この部分における端子板４，５の幅寸法は、内部接続部４１，５１や先端板部４４，５４の先端部分よりも大きく設定されている。
そして、一方の側端部４２ａ，５２ａは、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に向かうにしたがって、他方の側端部４２ｂ，５２ｂに近づくように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。
このように形成された端子板４，５の外部接続部４２，５２を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１０に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３が、内部接続部４１，５１側から先端板部４４，５４側に向かうにしたがって幅寸法が大きくなる台形状に形成されている。そして、基端板部４３，５３のうち一方の側端部４２ａ，５２ａのみが、台形状の斜辺をなしている。
【００４４】
本実施形態の半導体装置によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、この半導体装置では、ネジ止めの際に基端板部４３，５３にかかる力の方向（ｗ方向）が、一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分が第一折曲線Ｌ１における部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に対して端子板４，５の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっている。このため、基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力が、端子板４，５の長手方向に分散されることになる。
なお、図９，１０における符号ｗ１，ｗ２は、ｗ方向の力が斜辺とされた外部接続部４２，５２の一方の側端部４２ａ，５２ａに沿って分散された力の方向を示している。すなわち、外部接続部の一方の側端部４２ａ，５２ａが外部接続部４２，５２の突出方向に対して傾斜していることで、基端板部４３，５３の幅方向にかかる力を特に効率よく分散することができる。このため、ネジ止め時に基端板部４３，５３にかかる力が、端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分に作用することを抑えることができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、この境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００４５】
〔第四実施形態〕
次に、図１１，１２を参照して本発明の第四実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図１１，１２に示すように、第三実施形態の半導体装置と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図１１に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。そして、本実施形態の端子板４（５）では、その外部接続部４２（５２）の両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）のうち第二折曲線Ｌ２における各部分が、第一折曲線Ｌ１における各部分に対してずれて位置している。
【００４６】
具体的には、内部接続部４１（５１）及び先端板部４４（５４）の先端部分における端子板４，５の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）のうち第二折曲線Ｌ２における部分は、他の部分に対して端子板４（５）の幅方向に突出し、この部分における端子板４（５）の幅寸法は、内部接続部４１（５１）や先端板部４４（５４）の先端部分よりも大きく設定されている。
そして、一方の側端部４２ａ（５２ａ）は、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４（５４）の先端部分に向かうにしたがって、他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）に近づくように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。また、他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）は、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４（５４）の先端部分に向かうにしたがって、一方の側端部４２ａ（５２ａ）に近づくように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。
【００４７】
このように形成された端子板４（５）の外部接続部４２（５２）を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１０に示すように、外部接続部４２（５２）をなす基端板部４３（５３）が、内部接続部４１（５１）側から先端板部４４（５４）側に向かうにしたがって幅寸法が大きくなる台形状に形成されている。そして、基端板部４３（５３）のうち両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）が、台形状の斜辺をなしている。
【００４８】
本実施形態の半導体装置によれば、第三実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、この半導体装置では、端子板４（５）の一方の側端部４２ａ（５２ａ）の形状が第三実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部４３（５３）に対してｗ方向にかかる力を、端子板４（５）の長手方向（ｗ１方向及びｗ２方向）に分散することができる。
さらに、本実施形態の半導体装置では、端子板４（５）の他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）の形状が一方の側端部４２ａ（５２ａ）と逆向きとなっているため、例えばネジ止めの際に先端板部４４（５４）を回転させる向きがｒ方向と逆向きとなり（逆ネジであっても）、基端板部４３（５３）にｗ方向と逆向きの力がかかっても、この力を端子板４，５の長手方向に分散することもできる。
【００４９】
〔第五実施形態〕
次に、図１３，１４を参照して本発明の第五実施形態について説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、図１３，１４に示すように、第一実施形態の半導体装置と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図１３に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。そして、本実施形態の端子板４，５では、その外部接続部４２，５２の他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分に対してずれて位置している。
【００５０】
詳細に説明すれば、内部接続部４１，５１及び先端板部４４，５４の先端部分における端子板４，５の幅寸法は、互いに等しく設定されている。また、他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分は、他の部分に対して端子板４，５の幅方向に窪んでおり、この部分における端子板４，５の幅寸法は、内部接続部４１，５１や先端板部４４，５４の先端部分よりも小さく設定されている。
そして、他方の側端部４２ｂ，５２ｂは、第二折曲線Ｌ２の部分から第一折曲線Ｌ１の部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に向かうにしたがって、一方の側端部４２ａ，５２ａから離れるように端子板４，５の突出方向に対して傾斜している。
このように形成された端子板４，５の外部接続部４２，５２を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１４に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３が、内部接続部４１，５１側から先端板部４４，５４側に向かうにしたがって幅寸法が小さくなる台形状に形成されている。そして、基端板部４３，５３のうち他方の側端部４２ｂ，５２ｂのみが、台形状の斜辺をなしている。
【００５１】
本実施形態の半導体装置によれば、第三実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、ネジ止めの際に基端板部４３，５３にかかる力の方向（ｗ方向）が、他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分が第一折曲線Ｌ１における部分あるいは先端板部４４，５４の先端部分に対して端子板４，５の幅方向に沿ってずれる方向と逆向きになっている。このため、基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力が、端子板４，５の長手方向に分散されることになる。
なお、図１３，１４における符号ｗ３，ｗ４は、ｗ方向の力が斜辺とされた外部接続部４２，５２の他方の側端部４２ｂ，５２ｂに沿って分散された力の方向を示している。すなわち、外部接続部の他方の側端部４２ｂ，５２ｂが外部接続部４２，５２の突出方向に対して傾斜していることで、基端板部４３，５３の幅方向にかかる力を特に効率よく分散することができる。したがって、第一実施形態の場合と比較して、端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
【００５２】
〔第六実施形態〕
次に、図１５，１６を参照して本発明の第六実施形態について説明する。
図８に示すように、この実施形態に係る半導体装置は、図１５，１６に示すように、第三〜第五実施形態の半導体装置と比較して、端子板４，５の形状のみが異なっている。
この実施形態の半導体装置では、図１５に示すように、端子板４，５が、第一実施形態と同様に、モールド樹脂８の側面８ｃから垂直に突出する帯状に形成されている。また、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２が、共に端子板４，５の外部接続部４２，５２の突出方向に直交し、互いに平行している。
【００５３】
そして、本実施形態の端子板４，５では、第三実施形態と同様に、その外部接続部４２，５２の一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分や先端板部４４，５４の先端部分に対して、端子板４，５の幅方向に突出している。さらに、この端子板４，５では、第五実施形態と同様に、その外部接続部４２，５２の他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２における部分が、第一折曲線Ｌ１における部分や先端板部４４，５４の先端部分に対して、端子板４，５の幅方向に窪んでいる。
さらに、本実施形態では、一方の側端部４２ａ，５２ａのうち第二折曲線Ｌ２の部分の端子板４，５の幅方向への突出長さと、他方の側端部４２ｂ，５２ｂのうち第二折曲線Ｌ２の部分の幅方向への窪み長さが等しく設定されている。このため、端子板４，５の幅寸法は、端子板４，５の長手方向にわたって一定とされ、端子板４，５の外部接続部４２，５２が端子板４，５の幅方向に蛇行している。
【００５４】
以上のように形成された端子板４，５の外部接続部４２，５２を、二つの折曲線Ｌ１，Ｌ２において折り曲げた状態においては、図１６に示すように、外部接続部４２，５２をなす基端板部４３，５３が、内部接続部４１，５１側から先端板部４４，５４側に向かうにしたがって、ネジ止めの際に基端板部４３，５３にかかる力の方向（ｗ方向）と逆向きに傾く平行四辺形に形成されている。
【００５５】
本実施形態の半導体装置によれば、第三、第五実施形態と同様の効果を奏する。
すなわち、この半導体装置では、端子板４，５の一方の側端部４２ａ，５２ａの形状が第三実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力を、一方の側端部４２ａ，５２ａに沿って端子板４，５の長手方向（ｗ１方向及びｗ２方向）に分散することができる。また、端子板４，５の他方の側端部４２ｂ，５２ｂの形状が第五実施形態と同様であるため、ネジ止めの際に基端板部４３，５３に対してｗ方向にかかる力を、他方の側端部４２ｂ，５２ｂに沿って端子板４，５の長手方向（ｗ３方向及びｗ４方向）に分散することができる。
なお、この第六実施形態において、端子板４，５の外部接続部４２，５２は、少なくとも端子板４，５の幅方向に蛇行していればよく、例えば、外部接続部４２，５２の幅寸法はその突出方向に変化していてもよい。
【００５６】
〔第七実施形態〕
次に、図１７を参照して本発明の第六実施形態について説明する。
この実施形態に係る半導体装置は、図１７に示すように、第一実施形態の半導体装置と比較して、モールド樹脂８の形状のみが異なっている。
すなわち、この実施形態の半導体装置では、図１７に示すように、モールド樹脂８の上面８ａと側面８ｃとの角部に、この角部に配される端子板４（５）の外部接続部４２（５２）の両方の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）に当接する球状突起８３が一対形成されている。そして、これら一対の球状突起８３には、外部接続部４２（５２）のうち第二折曲線Ｌ２に位置する部分が当接する。
なお、本実施形態においては、収容凹部８２の両側壁部をモールド樹脂８の上面８ａから突出させるように延長した上で、この両側壁部の内側面から収容凹部８２の幅方向内側に突出させるように球状突起８３を形成しているが、これに限ることはない。
【００５７】
この実施形態の半導体装置によれば、ネジ止めの際にはモールド樹脂８の上面８ａと側面８ｃとの角部に配される外部接続部４２（５２）にもその幅方向（ｗ方向）に力がかかるが、この際には角部に位置する外部接続部４２（５２）の他方の側端部４２ｂ（５２ｂ）に球状突起８３が当接することで、端子板４，３の外部接続部４２，５２とモールド樹脂８との境界部分にかかる応力をさらに抑制することができる。
また、外部接続部４２，５２の側端部４２ａ，４２ｂ（５２ａ，５２ｂ）が球状突起８３に当接する際、球状突起８３にかかる応力は分散されるため、例えばモールド樹脂８自体の剛性が低くてもネジ止めの際に端子板４（５）の外部接続部４２（５２）を十分に支持することができる。
なお、この第七実施形態の構成は、前述した第二〜第六実施形態のいずれにも適用することが可能である。
【００５８】
以上、第一〜第七実施形態により本発明の詳細を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、全ての実施形態では、半導体装置１を製造する際に使用するダイパッド３及び端子板４，５が、個別に構成されるとしたが、例えば図１８に示すように、銅材をはじめとする導電性板材にプレス加工やエッチング加工等を施してなるリードフレーム１００によって一体に形成されてもよい。
このリードフレーム１００は、第一実施形態の半導体装置１と同様の位置にダイパッド３及び端子板４，５を配置した上で、これらダイパッド３及び端子板４，５を同一の枠体部９に連結して構成されている。ここで、端子板４，５は、モールド樹脂８の外側に配される外部接続部４２，５２を枠体部９に直接接続することで、枠体部９に連結されている。一方、ダイパッド３は、モールド樹脂８の内側から外側まで延びる連結リード１０を介して枠体部９に連結されている。
【００５９】
このリードフレーム１００を用いて第一実施形態の半導体装置１を製造する場合には、接続工程や樹脂封止工程においてダイパッド３及び端子板４，５の相対的な位置決めを行う必要が無いため、半導体装置１の製造効率の向上を図ることができる。
また、第一、第二折曲工程を行う際には、少なくとも端子板４，５の外部接続部４２，５２のみを枠体部９から切り離せばよいため、半導体装置１を枠体部９に支持させておくことができる。特に、一つの半導体装置１の製造に要するダイパッド３及び端子板４，５のユニットを同一のリードフレーム１００に複数形成した場合には、第一、第二折曲工程において複数の半導体装置１を同一の枠体部９に支持させた状態で、複数の端子板４，５の折り曲げ加工を一度にまとめて実施することが可能となる。また、第一、第二折曲工程において複数の半導体装置１が同一の枠体部９に支持されていることで、複数の半導体装置１を別個の治具等により個別に支持する必要がなくなり、半導体装置１の製造効率の向上を図ることができる。
【００６０】
また、全ての実施形態において、ヒートシンク２とダイパッド３及び端子板４，５との間には、モールド樹脂８が介在するとしたが、少なくともヒートシンク２とダイパッド３及び端子板４，５とが電気的に絶縁されていればよく、例えば別個の絶縁性部材を介在させてもよい。
さらに、全ての実施形態においては、ダイパッド３が、一対の端子板４，５と間隔をあけて配されるとしたが、例えば第一端子板４の内部接続部４１に一体に形成されてもよい。この場合、ダイパッド３と第一端子板４とを電気接続する接続子７が不要となるため、半導体装置１の製造コスト削減及び製造効率向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００６１】
１ 半導体装置
２ ヒートシンク
３ ダイパッド
４ 第一端子板
４１ 内部接続部（一端部）
４２ 外部接続部（他端部）
４２ａ，４２ｂ 側端部
４３ 基端板部
４４ 先端板部
４５ 挿通孔
５ 第二端子板
５１ 内部接続部（一端部）
５２ 外部接続部（他端部）
５２ａ，５２ｂ 側端部
５３ 基端板部
５４ 先端板部
５５ 挿通孔
６ 半導体チップ
７ 接続子
８ モールド樹脂
８ａ 上面（第一外面）
８ｃ 側面（第二外面）
８１ ネジ止め部
８２ 収容凹部
８３ 球状突起
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子板の長手方向の一端部と半導体チップとを電気接続した上で、前記一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記端子板の他端部を前記モールド樹脂の外面から突出させてなる半導体装置であって、
前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、
前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、
当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記他端部の突出方向に沿う前記第一折曲線と前記第二折曲線との間隔が、前記端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第二折曲線における前記他端部の幅方向の少なくとも一方の側端部が、前記第一折曲線における前記他端部の幅方向の前記側端部に対して前記幅方向にずれて位置していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記側端部が前記他端部の突出方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記側端部のうち前記第二折曲線における部分が、他の部分に対して前記端子板の幅方向に突出していることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記側端部のうち前記第二折曲線における部分が、他の部分に対して前記端子板の幅方向に窪んでいることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記モールド樹脂の前記第二外面は、前記基端板部を収容して当該基端板部の側端部を支持する収容凹部を有して形成されていることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記モールド樹脂の前記第一外面と前記第二外面との角部に、当該角部に配される前記他端部の幅方向の側端部に当接する球状突起が形成されていることを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
請求項２から請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置に対し、
前記基端板部と前記先端板部とのなす角度が前記第二外面と前記第一外面とのなす角度となるように、前記第二折曲線において前記他端部を折り曲げた後に、
前記基端板部が前記第二外面上に配されるように、前記第一折曲線において前記他端部を前記一端部に対して折り曲げることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
端子板の長手方向の一端部と半導体チップとを電気接続した上で、前記一端部及び前記半導体チップをモールド樹脂により封止し、前記端子板の他端部を前記モールド樹脂の外面から突出させてなる半導体装置であって、
前記モールド樹脂の平坦な第一外面には、前記端子板の他端部の突出方向の先端をネジにより固定するためのネジ止め部が形成され、
前記端子板の他端部は、前記第一外面に隣り合うと共に当該第一外面と異なる向きに面する前記モールド樹脂の第二外面から略垂直に突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記端子板の他端部は、前記一端部との間の第一折曲線において折り曲げられることで前記第二外面上に配される突出方向の基端板部と、当該基端板部との間の第二折曲線において折り曲げられることで前記ネジ止め部に対向するように前記第一外面上に配される先端板部とを備え、
当該先端板部には、その厚さ方向に貫通して前記ネジを挿通させる挿通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記他端部の突出方向に沿う前記第一折曲線と前記第二折曲線との間隔が、前記端子板の幅方向の一方側から他方側に向かうにしたがって狭くなっていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第二折曲線における前記他端部の幅方向の少なくとも一方の側端部が、前記第一折曲線における前記他端部の幅方向の前記側端部に対して前記幅方向にずれて位置していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記側端部が前記他端部の突出方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記側端部のうち前記第二折曲線における部分が、他の部分に対して前記端子板の幅方向に突出していることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記側端部のうち前記第二折曲線における部分が、他の部分に対して前記端子板の幅方向に窪んでいることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記モールド樹脂の前記第二外面は、前記基端板部を収容して当該基端板部の側端部を支持する収容凹部を有して形成されていることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記モールド樹脂の前記第一外面と前記第二外面との角部に、当該角部に配される前記他端部の幅方向の側端部に当接する球状突起が形成されていることを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
請求項２から請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置に対し、
前記基端板部と前記先端板部とのなす角度が前記第二外面と前記第一外面とのなす角度となるように、前記第二折曲線において前記他端部を折り曲げた後に、
前記基端板部が前記第二外面上に配されるように、前記第一折曲線において前記他端部を前記一端部に対して折り曲げることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−６９６６６（Ｐ２０１２−６９６６６Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１２３２８（Ｐ２０１０−２１２３２８）
【出願日】平成２２年９月２２日（２０１０．９．２２）
【出願人】（０００００２０３７）新電元工業株式会社 (776)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２２日（２０１０．９．２２）
【出願人】（０００００２０３７）新電元工業株式会社 (776)
【Ｆターム（参考）】
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