固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器
【課題】撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】複数のフォトダイオード２１について、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置する。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとについて、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置する。そして、フォトダイオード２１（画素Ｐ）と第１転送電極３１Ａとについて、垂直方向ｙにおける中心部が水平方向ｘに沿って並ぶように設ける。
【解決手段】複数のフォトダイオード２１について、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置する。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとについて、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置する。そして、フォトダイオード２１（画素Ｐ）と第１転送電極３１Ａとについて、垂直方向ｙにおける中心部が水平方向ｘに沿って並ぶように設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどの電子機器は、固体撮像装置を含む。固体撮像装置は、複数の画素が配列されている撮像領域が、半導体基板の面に設けられている。たとえば、固体撮像装置は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型や、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のイメージセンサチップを含む。
【０００３】
撮像領域において、複数の画素のそれぞれには、光電変換部が設けられている。光電変換部は、たとえば、フォトダイオードであり、外付けの光学系を介して入射する光を受光面で受光し光電変換することによって、信号電荷を生成する。
【０００４】
そして、ＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、撮像領域にて垂直方向に並ぶ複数の画素の列が、水平方向に複数設けられており、その画素の列の間に、垂直転送レジスタ部が設けられている。垂直転送レジスタ部は、電荷読出し部によって画素から読み出された信号電荷を、垂直方向へ転送する。そして、その垂直転送レジスタ部によって１水平ライン（１行の画素）ごとに転送された信号電荷を、水平転送部が水平方向へ順次転送する。その後、出力部が、その信号電荷を電圧に変換し、信号として出力する。
【０００５】
上記のようなＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、多画素化の要求に伴って、各画素のセルサイズが小さくなってきている。
【０００６】
しかし、画素において光を受光する受光面については、飽和信号量の確保のために、より広くする必要がある。このため、水平方向において複数の画素の間を分離するチャネルストッパー領域が、より狭い幅で設けられる傾向にある。
【０００７】
この結果、詳細は後述するが、信号電荷を垂直転送レジスタ部へ読み出す際に、チャネルストッパー領域を介して水平方向で隣接する他の垂直転送レジスタ部に誤って読み出される場合がある。このように、水平方向に並ぶ複数の画素の間においては、「逆読み出し」が行われるために、たとえば、信号の混色が発生する場合がある。
【０００８】
このような不具合を解消するために、さまざまな方策が示されている（たとえば、特許文献１，２参照）。
【０００９】
また、ＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、高感度化の実現のために、垂直転送レジスタ部において、複数の転送電極の間を深さ方向で重ねずに、複数の転送電極を単一層から形成し凸部を減少させることが提案されている（たとえば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平０７−７４３３２号公報
【特許文献２】特開平０６−７７４５０号公報
【特許文献３】特開２００６−４１３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１３，図１４は、ＣＣＤ型のイメージセンサチップの一例について要部を示す図である。
【００１２】
ここで、図１３は、上面を示す図である。図１４は、断面を示す図である。図１４において、（ａ）は、図１３のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図１３のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図１３のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。
【００１３】
図１３に示すように、ＣＣＤ型のイメージセンサチップは、フォトダイオード２１と、転送電極３１と、シャント配線４１とが設けられている。この他に、図１４に示すように、ＣＣＤ型のイメージセンサチップは、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとが設けられている。
【００１４】
各部について順次説明する。
【００１５】
フォトダイオード２１は、図１３に示すように、垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに沿って、複数が間を隔ててマトリクス状に並ぶように設けられている。フォトダイオード２１は、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、画素Ｐに対応して設けられている。フォトダイオード２１は、光を受光面ＪＳで受光し、光電変換することによって信号電荷を生成する。
【００１６】
電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、電荷読出し部ＲＯに対応するように設けられている。電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図１４（ａ）に示すように、フォトダイオード２１の一方の端部において、フォトダイオード２１と垂直転送チャネル領域２３Ｖとの間に設けられている。電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、フォトダイオード２１で生成された信号電荷を垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出す。
【００１７】
垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、垂直転送レジスタ部ＶＴに対応するように設けられている。垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図１４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいて電荷読出しチャネル領域２２Ｒとチャネルストッパー領域２４Ｓとの間に設けられている。垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図１４（ｂ）に示すように、垂直方向ｙにおいて延在しており、フォトダイオード２１から読み出された信号電荷を、垂直方向ｙへ転送する。
【００１８】
チャネルストッパー領域２４Ｓは、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、素子分離部ＳＢに対応するように設けられている。チャネルストッパー領域２４Ｓは、図１４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいて垂直転送チャネル領域２３Ｖとフォトダイオード２１との間に設けられており、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの間において電位障壁を形成し、信号電荷の流出入を防止する。また、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図１４（ｃ）に示すように、垂直方向ｙにおいて複数のフォトダイオード２１の間に設けられており、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐの間において電位障壁を形成し、信号電荷の流出入を防止する。
【００１９】
転送電極３１は、図１３に示すように、垂直方向ｙに複数が間を隔てて並ぶように設けられている。また、転送電極３１は、水平方向ｘにおいて、複数がフォトダイオード２１を介して並ぶように設けられている。転送電極３１は、第１転送電極３１Ａと、第２転送電極３１Ｂとを含む。第１転送電極３１Ａは、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）が印加される。これに対して、第２転送電極３１Ｂは、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）が印加され読出し信号（ΦＲ）が印加されない。図１４（ａ），（ｂ）に示すように、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂは、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２を介して、半導体基板１１の上面に設けられている。ここでは、図１３，図１４（ａ）に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、水平方向ｘにおいては、複数がフォトダイオード２１を介して並ぶように設けられている。そして、垂直方向ｙにおいては、図１３，図１４（ｂ）に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとが交互に連続して並ぶように配置されている。
【００２０】
シャント配線４１は、図１３に示すように、水平方向ｘに延在しており、垂直方向ｙにおいて複数が間を隔てて並ぶように設けられている。シャント配線４１は、図１３に示すように、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとを含む。図１３，図１４に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、水平方向ｘに延在している。ここでは、第１シャント配線４１Ａは、図１３に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第１転送電極３１Ａのそれぞれにコンタクトを介して電気的に接続されており、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）を第１転送電極３１Ａへ印加する。第２シャント配線４１Ｂは、図１３に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第２転送電極３１Ｂのそれぞれにコンタクトを介して電気的に接続されており、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）を第２転送電極３１Ｂへ印加し、読出し信号（ΦＲ）については、印加しない。図１４に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂを被覆する絶縁膜ＳＺの上面に設けられている。第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとのそれぞれは、その絶縁膜ＳＺを貫通するコンタクトホールによって、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれに電気的に接続されている。
【００２１】
上記のＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、図１３に示すように、第１シャント配線４１Ａを通じて第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）を供給する。これにより、図１３，図１４（ａ）で白い矢印で示すように、フォトダイオード２１に蓄積された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出される。その後、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂへの４相の転送信号（ΦＶ１〜Ｖ４）の供給を、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂを通じて行う。これにより、その読み出された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖにおいて垂直方向ｙに転送される。
【００２２】
しかしながら、上述したように、画素のセルサイズの縮小化に伴って、水平方向において複数の画素Ｐの間を分離するチャネルストッパー領域２４Ｓが、より狭い幅で設けられる傾向にある。このため、第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）を供給し信号電荷の読み出しをする際には、図１３，図１４（ａ）で黒い矢印で示すように、チャネルストッパー領域２４Ｓを介して隣接する他の垂直転送チャネル領域２３Ｖに誤って読み出される場合がある。つまり、フォトダイオード２１において信号電荷が読み出される方向とは逆の方向へ信号電荷が読み出される「逆読み出し」が発生する場合がある。そして、これに伴って、たとえば、信号の混色等が発生して、画像品質が低下する場合がある。
【００２３】
このような不具合の解消のために、上述したように、さまざまな方策が示されている。たとえば、特許文献１，２では、水平方向において隣接する画素（センサ領域）を、垂直方向において１／２ピッチ分、シフトさせることが示されている。
【００２４】
しかしながら、特許文献１では、画素（センサ領域）に掛かる読出し電極の面積が減少するので、読み出しが悪化する場合がある。また、読出し電極と、垂直方向で隣接する画素間のチャネルストッパー領域との位置関係から、「逆読み出し」の防止が効果的にできない場合がある。
【００２５】
また、特許文献２の場合には、読出し電極（転送電極）が、水平方向に連続で連結され、分離されていない。このため、読出し電極と、垂直方向で隣接する画素間のチャネルストッパー領域との位置関係から、「逆読み出し」の防止が効果的にできない場合がある。さらに、転送電極が傾斜したパターンで形成されているので、垂直方向への転送効率が悪化する場合がある。
【００２６】
このように、固体撮像装置においては、「逆読み出し」の防止が十分に実現可能でないために、混色などの防止が困難な場合がある。そして、これに伴って、画素サイズの縮小化が困難になり、飽和信号量の増加が容易ではないので、感度の向上ができず、撮像画像の画像品質が低下する場合がある。
【００２７】
したがって、本発明は、撮像画像の画像品質等を向上可能な、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明の固体撮像装置は、基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部とを備え、前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記転送部は、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とを含み、前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる。
【００２９】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光を受光し信号電荷を生成する複数の画素部を、基板の面において第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設ける、画素部形成工程と、前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部を前記基板の面に設ける、転送部形成工程とを有し、前記画素部形成工程においては、前記複数の画素部のそれぞれについて、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向でシフトした位置になるように、前記複数の画素部を形成し、前記転送部形成工程においては、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とのそれぞれについて、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並び、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置に配置されると共に、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれについて、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並ぶように、前記転送電極を形成する。
【００３０】
本発明の電子機器は、基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部とを備え、前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記転送部は、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とを含み、前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる。
【００３１】
本発明では、複数の画素部のそれぞれは、第２方向で隣接するものが、第１方向でシフトした位置に配置されている。また、第１転送電極と第２転送電極とのそれぞれは、第２方向で隣接するものが、第１方向でシフトした位置に配置されている。そして、画素部と第１転送電極とのそれぞれは、第１方向における中心部が第２方向に沿って並んでいる。このため、画素部において信号電荷を読み出す方向には第１転送電極が設けられているが、その画素部において信号電荷を読み出す方向とは反対の逆読出し方向には、第１転送電極ではなく、読出し信号が印加されない第２転送電極が配置されている。よって、「逆読出し」がされない。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置を製造する方法の工程にて設けられた要部を示す図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図９】図９は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１３】図１３は、ＣＣＤ型のイメージセンサチップの一例について要部を示す図である。
【図１４】図１４は、ＣＣＤ型のイメージセンサチップの一例について要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３５】
なお、説明は、下記の順序で行う。
１．実施形態１（転送電極が全て四角形状）
２．実施形態２（読出し信号が印加されない転送電極については、水平延在部有り）
３．実施形態３（シャント配線が積層される場合）
４．その他
【００３６】
＜１．実施形態１＞
［Ａ．装置構成］
（Ａ−１）カメラの要部構成
図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【００３７】
図１に示すように、カメラ４０は、固体撮像装置１と、光学系４２と、制御部４３と、信号処理回路４４とを有する。各部について、順次、説明する。
【００３８】
固体撮像装置１は、光学系４２を介して入射する入射光Ｈを撮像面ＰＳで受光して光電変換することによって、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置１は、制御部４３から出力される制御信号に基づいて駆動する。具体的には、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。
【００３９】
光学系４２は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射する被写体像による光を、固体撮像装置１の撮像面ＰＳへ集光するように配置されている。
【００４０】
制御部４３は、各種の制御信号を固体撮像装置１と信号処理回路４４とに出力し、固体撮像装置１と信号処理回路４４とを制御して駆動させる。
【００４１】
信号処理回路４４は、固体撮像装置１から出力されたローデータについて信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成するように構成されている。
【００４２】
（Ａ−２）固体撮像装置の要部構成
固体撮像装置１の全体構成について説明する。
【００４３】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。図２では、上面を示している。
【００４４】
図２に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、インターライン方式のＣＣＤ型イメージセンサであって、撮像領域ＰＡにおいて撮像が行われるように構成されている。
【００４５】
図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいては、画素Ｐと電荷読出し部ＲＯと垂直転送レジスタ部ＶＴとが設けられている。
【００４６】
画素Ｐは、図２に示すように、撮像領域ＰＡに設けられており、複数が水平方向ｘと垂直方向ｙとに並ぶように配置されている。そして、この複数の画素Ｐの周囲においては、素子分離部ＳＢが設けられており、各画素Ｐの間が分離されている。画素Ｐは、受光面ＪＳにおいて、被写体像による光を受光して光電変換を行うことによって、信号電荷を生成するように構成されている。
【００４７】
電荷読出し部ＲＯは、図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいて、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐの列に対応して複数が設けられており、各画素Ｐで生成された信号電荷を、垂直転送レジスタ部ＶＴへ読み出す。
【００４８】
垂直転送レジスタ部ＶＴは、図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいて、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐに対応するように、垂直方向ｙに延在している。また、垂直転送レジスタ部ＶＴは、垂直方向ｙに複数が並ぶ画素Ｐの列の間に配置されている。垂直転送レジスタ部ＶＴは、複数が撮像領域ＰＡに設けられており、複数の垂直転送レジスタ部ＶＴが、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、水平方向ｘに並んでいる。この垂直転送レジスタ部ＶＴは、いわゆる垂直転送ＣＣＤであって、電荷読出し部ＲＯを介して、画素Ｐから信号電荷を水平方向ｘへ読み出し、その読み出された信号電荷を垂直方向ｙへ順次転送する。垂直転送レジスタ部ＶＴは、複数の転送電極（図２では図示無し）が垂直方向ｙに並んで配置されている。垂直転送レジスタ部ＶＴは、画素Ｐに対応して設けられた転送電極に読出し信号が供給されて信号電荷を読み出する。そして、その垂直方向に並んだ転送電極に、たとえば、４相の転送パルスが順次供給されて、信号電荷の転送が実施される。
【００４９】
そして、撮像領域ＰＡの下端部においては、図２に示すように、水平転送レジスタ部ＨＴが配置されている。この水平転送レジスタ部ＨＴは、水平方向ｘへ延在しており、複数の垂直転送レジスタ部ＶＴのそれぞれが、垂直方向ｙへ転送した信号電荷を、水平方向ｘへ、順次、転送する。つまり、水平転送レジスタ部ＨＴは、いわゆる水平転送ＣＣＤであって、たとえば、２相の駆動パルス信号によって駆動されて、１水平ライン（１行の画素）ごとに転送された信号電荷の転送を実施する。
【００５０】
そして、図２に示すように、水平転送レジスタ部ＨＴの左端部には、出力部ＯＵＴが形成されており、この出力部ＯＵＴは、水平転送レジスタ部ＨＴによって、水平転送された信号電荷を電圧に変換し、アナログ画像信号として出力する。
【００５１】
なお、上記の撮像領域ＰＡは、図１に示した撮像面ＰＳに相当する。
【００５２】
（Ａ−３）固体撮像装置の詳細構成
本実施形態にかかる固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００５３】
図３，図４，図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【００５４】
ここで、図３は、上面を示す図である。図４は、断面を示す図である。図４において、（ａ）は、図３のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図３のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図３のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。図５は、図３と同様に、上面を示す図であるが、図３と異なり、説明の都合で、構成要素の一部の図示を省略している。
【００５５】
図３に示すように、固体撮像装置は、フォトダイオード２１と、転送電極３１と、シャント配線４１とが設けられている。この他に、図４に示すように、固体撮像装置は、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとが設けられている。図５では、図３と比較して判るように、シャント配線４１の図示を省略している。
【００５６】
固体撮像装置を構成する各部について、順次説明する。
【００５７】
（ａ）フォトダイオード２１について
フォトダイオード２１は、図３に示すように、複数が垂直方向ｙとその垂直方向ｙに直交する水平方向ｘとのそれぞれにおいて、等しいピッチで間を隔てて並んでいる。複数のフォトダイオード２１のそれぞれは、平面形状が互いに同一な矩形になるように形成されている。たとえば、フォトダイオード２１は、垂直方向ｙが水平方向ｘよりも広い幅になるように形成されている。
【００５８】
図４に示すように、フォトダイオード２１は、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、画素Ｐに対応して設けられている。
【００５９】
フォトダイオード２１は、光を受光面ＪＳで受光し、光電変換することによって信号電荷を生成するように構成されている。
【００６０】
たとえば、フォトダイオード２１は、ｎ型のシリコン半導体である半導体基板１１の内部において表面側に位置する部分に設けられている。図示を省略しているが、フォトダイオード２１は、たとえば、半導体基板１１内に形成したｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｎ型半導体領域（ｎ）（図示無し）とｐ型半導体領域（ｐ＋）（図示無し）とが順次形成されることによって構成される。ｎ型半導体領域（ｎ）は、信号電荷蓄積領域として機能する。そして、ｐ型半導体領域（ｐ＋）は、正孔蓄積領域として機能し、信号電荷蓄積領域であるｎ型半導体領域（ｎ）において、暗電流が生ずることが抑制されるように構成されている。
【００６１】
図４（ａ）に示すように、フォトダイオード２１は、水平方向ｘの一方の端部に電荷読出しチャネル領域２２Ｒが設けられており、この電荷読出しチャネル領域２２Ｒによって信号電荷が読み出される。また、フォトダイオード２１は、水平方向ｘの他方の端部にチャネルストッパー領域２４Ｓが設けられており、このチャネルストッパー領域２４Ｓによる電位障壁によって、複数の画素Ｐの間における信号電荷の流出入が防止される。
【００６２】
本実施形態では、図５に示すように、フォトダイオード２１は、複数が垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並ぶように配置されている。フォトダイオード２１は、水平方向ｘにおいても、複数が一定のピッチＰｘで並ぶように配置されている。
【００６３】
ここでは、フォトダイオード２１は、図１３に示した場合と異なり、水平方向ｘに隣接するものが、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにおいてシフトするように設けられている。すなわち、複数のフォトダイオード２１が垂直方向ｙに並んだ列が水平方向ｘに複数並んでおり、そのフォトダイオード２１の列は、水平方向ｘで隣接する他のフォトダイオード２１の列との間で、フォトダイオード２１が異なる位置になるように設けられている。
【００６４】
具体的には、図５に示すように、フォトダイオード２１は、水平方向ｘで隣接する画素Ｐの間で、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。つまり、一のフォトダイオード２１の中心部と、その一のフォトダイオード２１に対して水平方向ｘに隣接するフォトダイオード２１の中心部との間は、垂直方向ｙにおける距離が、垂直方向ｙにおけるピッチＰｙの半分（Ｐｙ／２）になる。
【００６５】
このため、図４（ａ）および図５に示すように、フォトダイオード２１は、垂直方向ｙにおける中央部分では、隣接する画素Ｐの列においてフォトダイオード２１が存在せずに、チャネルストッパー領域２４Ｓが存在する。
【００６６】
（ｂ）電荷読出しチャネル領域２２Ｒについて
電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図４に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、電荷読出し部ＲＯに対応するように設けられている。
【００６７】
ここでは、図４（ａ）に示すように、電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、水平方向ｘにおいてフォトダイオード２１と垂直転送チャネル領域２３Ｖとの間に設けられており、フォトダイオード２１から信号電荷を垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出す。
【００６８】
たとえば、電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、ｐ型半導体領域として構成されている。
【００６９】
（ｃ）垂直転送チャネル領域２３Ｖについて
垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図４（ａ）に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、垂直転送レジスタ部ＶＴに対応するように設けられている。
【００７０】
ここでは、図４（ａ）に示すように、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、水平方向ｘにおいて電荷読出しチャネル領域２２Ｒとチャネルストッパー領域２４Ｓとの間に設けられている。また、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図４（ｂ）に示すように、垂直方向ｙに延在しており、フォトダイオード２１から読み出された信号電荷を、垂直方向ｙへ転送する。
【００７１】
たとえば、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、半導体基板１１の内部のｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｎ型半導体領域（ｎ）（図示無し）を設けることによって構成されている。
【００７２】
（ｄ）チャネルストッパー領域２４Ｓについて
チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、素子分離部ＳＢに対応するように設けられている。チャネルストッパー領域２４Ｓは、半導体基板１１の面において垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに並ぶ複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）の間を分離するように設けられている。
【００７３】
ここでは、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいては、垂直転送チャネル領域２３Ｖとフォトダイオード２１との間に設けられている。つまり、チャネルストッパー領域２４Ｓは、水平方向ｘにおいては、電荷読出しチャネル領域２２Ｒの左側に位置し、その電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、隣の画素Ｐの列に配置されたフォトダイオード２１との間に介在するように設けられている。
【００７４】
また、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４（ｃ）に示すように、垂直方向ｙにおいて複数のフォトダイオード２１の間に設けられている。
【００７５】
チャネルストッパー領域２４Ｓは、垂直方向ｙおよび水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの間において電位障壁を形成し、信号電荷の流出入を防止するように構成されている。
【００７６】
たとえば、チャネルストッパー領域２４Ｓは、半導体基板１１の内部のｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｐ型半導体領域（ｐ＋）を設けることによって構成されている。
【００７７】
本実施形態では、図５に示すように、垂直方向ｙにおいて複数のフォトダイオード２１の間に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓは、複数が垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並ぶように配置されている。また、水平方向ｘにおいても、複数が一定のピッチＰｘで並ぶように配置されている。
【００７８】
ここでは、垂直方向ｙに並ぶ一の画素Ｐの列に設けられた各チャネルストッパー領域２４Ｓが、水平方向ｘで隣接する他の画素Ｐの列に設けられた各チャネルストッパー領域２４Ｓに対して、垂直方向ｙにシフトした位置になるように配置されている。
【００７９】
具体的には、図５に示すように、水平方向ｘで隣接する画素Ｐの間で、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。
【００８０】
（ｅ）転送電極３１について
転送電極３１は、図３に示すように、垂直方向ｙに複数が間を隔てて並ぶように設けられている。また、転送電極３１は、水平方向ｘにおいては、複数がフォトダイオード２１を介して並ぶように設けられている。
【００８１】
つまり、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の複数の列が、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の列を介して、水平方向ｘに並んでおり、各転送電極３１は、フォトダイオード２１から信号電荷を読み出した後、その信号電荷を垂直方向ｙへ転送させる。
【００８２】
図３に示すように、複数の転送電極３１のそれぞれは、浮島状に分離されており、平面形状が互いに同一な形状になるように形成されている。
【００８３】
図４に示すように、転送電極３１は、半導体基板１１の上方に設けられている。ここでは、転送電極３１は、半導体基板１１の上面において、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２の上面に設けられている。転送電極３１は、水平方向ｘにおいては、電荷読出し部ＲＯと垂直転送レジスタ部ＶＴと素子分離部ＳＢとに対応している。つまり、転送電極３１は、水平方向ｘにおいては、絶縁膜３１２を介して、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと垂直転送チャネル領域２３Ｖとチャネルストッパー領域２４Ｓとに対面するように設けられている。
【００８４】
転送電極３１は、たとえば、シリコン酸化膜によって形成された絶縁膜３１２上に設けられている。たとえば、転送電極３１は、ポリシリコン膜などの単一な導電膜についてパターン加工することで形成されている。たとえば、転送電極３１は、膜厚が２００ｎｍ以下になるように形成されている。
【００８５】
転送電極３１は、図３に示すように、第１転送電極３１Ａと、第２転送電極３１Ｂとを含む。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、半導体基板１１の面において四角形状に形成されている。また、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、互いに同一の層で形成されている。
【００８６】
転送電極３１において、第１転送電極３１Ａは、図３に示すように、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）が印加される。これに対して、第２転送電極３１Ｂは、図３に示すように、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）が印加され読出し信号（ΦＲ）が印加されない。第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂは、一のフォトダイオード２１と一組になるように配置されている。転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、垂直方向ｙにおいて、順次、繰り返し並んでいる。
【００８７】
転送電極３１は、垂直方向ｙにおいては、図５に示すように、複数の第１転送電極３１Ａが、フォトダイオード２１の場合と同様に、垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並んで配置されている。第２転送電極３１Ｂも、これと同様に、複数が垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並んで配置されている。そして、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれが、垂直方向ｙにおいて、交互に並んで配置されている。すなわち、図４（ｂ）に示すように、図１４（ｂ）の場合と同様に、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、半導体基板１１の上方において垂直方向ｙへ交互に間を隔てて並んでいる。
【００８８】
水平方向ｘにおいては、図５に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、フォトダイオード２１の場合と同様に、複数が一定のピッチＰｘで並んで配置されている。
【００８９】
しかし、本実施形態では、図１４（ａ）の場合と異なり、水平方向ｘにおいても、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとがフォトダイオード２１を介して交互に並んでいる。図４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいては、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとが一対で、垂直方向ｙにおけるフォトダイオード２１の中央部分を、半導体基板１１の上方で挟んでいる。
【００９０】
このように、本実施形態では、第１転送電極３１Ａは、図５に示すように、水平方向ｘで隣接するものが、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにシフトした位置に配置されている。また、第２転送電極３１Ｂについても、第１転送電極３１Ａと同様に、水平方向ｘで隣接するものが、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにシフトした位置に配置されている。
【００９１】
具体的には、図５に示すように、第１転送電極３１Ａは、水平方向ｘで隣接する他の第１転送電極３１Ａに対して、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。つまり、一の第１転送電極３１Ａの中心部と、その一の第１転送電極３１Ａに水平方向ｘに隣接する第１転送電極３１Ａの中心部との間は、垂直方向ｙにおける距離が、垂直方向ｙにおけるピッチＰｙの半分（Ｐｙ／２）になる。
【００９２】
これにより、第１転送電極３１Ａは、垂直方向ｙにおいて、中心部分が、右側部分に設けられたフォトダイオード２１の中心部分に対応すると共に、左側部分に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓの中心に対応するように設けられている。
【００９３】
同様に、図５に示すように、第２転送電極３１Ｂは、水平方向ｘで隣接する他の第２転送電極３１Ｂに対して、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。つまり、一の第２転送電極３１Ｂの中心部と、その一の第２転送電極３１Ｂに水平方向ｘに隣接する第２転送電極３１Ｂの中心部との間は、垂直方向ｙにおける距離が、垂直方向ｙにおけるピッチＰｙの半分（Ｐｙ／２）になる。
【００９４】
これにより、第２転送電極３１Ｂは、垂直方向ｙにおいて、中心部分が、右側部分に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓの中心部分に対応すると共に、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の中心に対応するように設けられている。
【００９５】
（ｆ）シャント配線４１について
シャント配線４１は、図３に示すように、水平方向ｘに配置された複数の転送電極３１の間を電気的に接続しており、複数が垂直方向ｙにおいて間を隔てて並んでいる。シャント配線４１は、読出し信号（ΦＲ）を転送電極３１へ印加後、たとえば、４相の転送信号（ΦＶ１〜ΦＶ４）を転送電極３１へ印加するように構成されている。
【００９６】
シャント配線４１は、転送電極３１よりも抵抗値が低い導電材料で形成されている。たとえば、シャント配線４１は、タングステンにより形成されている。たとえば、シャント配線４１は、膜厚が０．１μｍになるように形成されている。シャント配線４１は、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において複数のフォトダイオード２１が間に位置するように設けられている。
【００９７】
シャント配線４１は、図３に示すように、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとを含む。第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに交互に並ぶように配置されている。
【００９８】
シャント配線４１のうち、第１シャント配線４１Ａは、図３に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第１転送電極３１Ａのそれぞれに電気的に接続されている。また、第２シャント配線４１Ｂは、水平方向ｘに並ぶ複数の第２転送電極３１Ｂのそれぞれに電気的に接続されている。
【００９９】
図３に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、水平方向ｘに延在する水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨを含む。また、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに並ぶ複数の転送電極３１の上方において、垂直方向ｙに延在する垂直延在部４１ＡＶ，４１ＢＶを含む。
【０１００】
第１シャント配線４１Ａは、図３に示すように、水平延在部４１ＡＨと垂直延在部４１ＡＶとが、第２転送電極３１Ｂの上方で連結され、その第２転送電極３１Ｂに垂直方向ｙに隣接する第１転送電極３１Ａにコンタクトを介して電気的に接続されている。具体的には、第１シャント配線４１Ａは、垂直延在部４１ＡＶの一端部が第２転送電極３１Ｂの上方で水平延在部４１ＡＨと連結され、垂直延在部４１ＡＶの他端部が第１転送電極３１Ａと電気的に接続している。そして、第１シャント配線４１Ａは、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）を第１転送電極３１Ａへ印加する。
【０１０１】
第２シャント配線４１Ｂは、図３に示すように、水平延在部４１ＢＨと垂直延在部４１ＢＶとが、第１転送電極３１Ａの上方で連結され、その第１転送電極３１Ａに垂直方向ｙに隣接する第２転送電極３１Ｂにコンタクトを介して電気的に接続されている。具体的には、第２シャント配線４１Ｂは、垂直延在部４１ＢＶの一端部が第１転送電極３１Ａの上方で水平延在部４１ＢＨと連結され、垂直延在部４１ＢＶの他端部が第２転送電極３１Ｂと電気的に接続している。そして、第２シャント配線４１Ｂは、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）を第２転送電極３１Ｂへ印加し、読出し信号（ΦＲ）については、印加しない。
【０１０２】
図４に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂを被覆する絶縁膜ＳＺの上面に設けられている。第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとのそれぞれは、その絶縁膜ＳＺを貫通するコンタクトによって、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれに電気的に接続されている。
【０１０３】
詳細は後述するが、シャント配線４１においては、第１シャント配線４１Ａを通じて第１転送電極３１Ａに読出しパルス（ΦＲ）を供給して、信号電荷を読み出す。その後、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂへの転送パルス（ΦＶ１〜ΦＶ４）の供給を、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂを通じて行い、読み出した信号電荷を転送する。
【０１０４】
（ｇ）その他
図示を省略しているが、上記の他に、たとえば、転送電極３１およびシャント配線４１の上方を被覆するように、遮光膜（図示なし）が設けられている。遮光膜は、フォトダイオード２１の受光面ＪＳに光が入射するように、その受光面ＪＳに対応する部分に開口が設けられている。
【０１０５】
また、その上方にカラーフィルタ（図示なし）が設けられている。カラーフィルタは、たとえば、赤フィルタ層と緑フィルタ層と青フィルタ層とを含み、それぞれが画素Ｐごとにベイヤー配列で並ぶように設けられている。
【０１０６】
また、その上方には、オンチップレンズ（図示なし）が画素Ｐごとに設けられており、入射した光をオンチップレンズが受光面ＪＳへ集光するように構成されている。
【０１０７】
このように、本実施形態では、オンチップレンズとカラーフィルタと遮光膜の開口とを順次介して入射した光を、各画素Ｐにおいてフォトダイオード２１が受光面ＪＳで受光するように構成されている。
【０１０８】
［Ｂ．製造方法］
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
【０１０９】
図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置を製造する方法の工程にて設けられた要部を示す図である。
【０１１０】
図６は、図４と同様に、断面を示す図である。図６において、（ａ）は、図３のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図３のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図３のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。
【０１１１】
まず、図６に示すように、転送電極３１などの各部について形成する。
【０１１２】
ここでは、たとえば、ｎ型のシリコン半導体からなる半導体基板１１に、適宜、不純物をイオン注入する。これにより、フォトダイオード２１と、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとのそれぞれを、半導体基板１１の内部に形成する。
【０１１３】
本実施形態では、図５で示したように、水平方向ｘにおいて隣りに設けるフォトダイオード２１が、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように、複数のフォトダイオード２１を形成する。
【０１１４】
そして、たとえば、熱酸化法によって、半導体基板１１の表面に絶縁膜３１２を形成する。
【０１１５】
そして、その絶縁膜３１２の上面に、たとえば、ＣＶＤ法でポリシリコン膜を形成後、そのポリシリコン膜についてドライエッチング処理することで、転送電極３１にパターン加工する。
【０１１６】
本実施形態では、図５で示したように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれが、水平方向ｘおよび垂直方向ｙのそれぞれにおいて、交互に配列されるように、転送電極３１を形成する。
【０１１７】
つぎに、図４に示したように、シャント配線４１などの各部について形成する。
【０１１８】
ここでは、図４に示すように、半導体基板１１において絶縁膜３１２で被覆された上面において、転送電極３１を覆うように、絶縁膜ＳＺを設ける。たとえば、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を成膜することで、絶縁膜ＳＺを形成する。
【０１１９】
そして、絶縁膜ＳＺにコンタクトホールを形成し、転送電極３１の上面においてシャント配線４１と電気的に接続させる部分を露出させる。その後、そのコンタクトホールの内部を埋め込むように、絶縁膜ＳＺの上面において導電膜（図示なし）を成膜する。たとえば、スパッタリング法によって、タングステン膜を、その導電膜として成膜する。そして、その導電膜についてドライエッチング処理することで、シャント配線４１にパターン加工する。
【０１２０】
本実施形態においては、図３に示したように、シャント配線４１として、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとを、垂直方向ｙに交互に並べて形成する。
【０１２１】
その他、図示を省略した各部を適宜形成することで、固体撮像装置を完成させる。
【０１２２】
［Ｃ．動作］
以下より、上記の固体撮像装置の動作について説明する。
【０１２３】
上記の固体撮像装置では、図３に示すように、フォトダイオード２１では、受光面ＪＳに入射光が入射すると、その入射した光の量に応じて、信号電荷（たとえば、電子）が生成されて蓄積される。
【０１２４】
そして、図３に示すように、第１シャント配線４１Ａを通じて第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）を供給されると、電荷読出しチャネル領域２２Ｒを介して、信号電荷が、垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出される。たとえば、＋１２Ｖ〜＋１５Ｖの読出し信号（ΦＲ）が供給される。
【０１２５】
これにより、図４（ａ），図５で白い矢印で示すように、フォトダイオード２１に蓄積された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出される。
【０１２６】
その後、図３に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂへの４相の転送パルス（ΦＶ１〜Ｖ４）の供給が、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂを通じて行われる。たとえば、−７Ｖ〜０Ｖの転送パルス（ΦＶ１〜Ｖ４）が供給される。これにより、その読み出された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖにおいて垂直方向ｙに転送される。
【０１２７】
そして、垂直方向ｙに転送された信号電荷は、図２に示すように、水平転送レジスタ部ＨＴによって水平方向ｘへ転送された後、出力部ＯＵＴで電圧に変換されて、信号として出力される。
【０１２８】
本実施形態では、図４（ａ），図５に示されているように、フォトダイオード２１のうち垂直方向ｙの中心に対応する部分は、水平方向ｘにおいて、読出し信号（ΦＲ）の供給がされる第１転送電極３１Ａで挟まれていない。図１３，図１４の場合と異なり、左側に位置する部分のみに第１転送電極３１Ａが存在し、右側部分には、第１転送電極３１Ａに代わって、読出し信号（ΦＲ）の供給がされない第２転送電極３１Ｂが存在する。また、読出し信号（ΦＲ）の供給がされる第１転送電極３１Ａにおいて、垂直方向ｙにおける中心部分は、左側部分にチャネルストッパー領域２４Ｓが設けられており、フォトダイオード２１が設けられていない。
【０１２９】
よって、第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）が印加された際には、フォトダイオード２１の右側に位置する第２転送電極３１Ｂに読出し信号（ΦＲ）が印加されないので、「逆読出し」が生じない。すなわち、図１３，Ｂで黒い矢印で示した場合のように、右側部分において、チャネルストッパー領域２４Ｓを介して、隣接する他の画素Ｐの列における垂直転送チャネル領域２３Ｖへ、信号電荷が誤って読み出されることを、本実施形態では防止できる。
【０１３０】
［Ｄ．まとめ］
以上のように、本実施形態の固体撮像装置１では、フォトダイオード２１（画素Ｐ）は、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において複数が垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられている。垂直転送レジスタ部ＶＴは、信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極３１Ａと、読出し信号が印加されずに転送信号が印加される第２転送電極３１Ｂとを含む。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、複数が垂直方向ｙにおいて交互に繰り返し並んでいる。また、チャネルストッパー領域２４Ｓ（素子分離部ＳＢ）が、半導体基板１１の面において垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに並ぶ複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）の間を分離するように設けられている。
【０１３１】
ここでは、図３などに示すように、複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）のそれぞれは、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置されている。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置されている。そして、フォトダイオード２１（画素Ｐ）と第１転送電極３１Ａとのそれぞれは、垂直方向ｙにおける中心部が水平方向ｘに沿って並んでいる。また、第１転送電極３１Ａと、チャネルストッパー領域２４Ｓのうち当該第１転送電極３１Ａに対して信号電荷を読み出す方向で隣接する複数のフォトダイオード２１の間に設けられた部分は、垂直方向ｙにおける中心部が、水平方向ｘに沿って並んでいる。
【０１３２】
具体的には、図３などに示すように、フォトダイオード２１（画素Ｐ）において垂直方向ｙの中心に位置する中心部は、水平方向ｘにおいて信号電荷が読み出される方向に、第１転送電極３１Ａが配置されている。また、フォトダイオード２１（画素Ｐ）において垂直方向ｙの中心に位置する中心部は、水平方向ｘのうち読出し方向とは反対の逆読出し方向に、第２転送電極３１Ｂが配置されている。
【０１３３】
このため、本実施形態においては、上述したように、第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）が印加された際には、フォトダイオード２１の右側に位置する第２転送電極３１Ｂに読出し信号（ΦＲ）が印加されない。よって、「逆読出し」の発生を防止できるので、撮像画像の画像品質を向上できる。
【０１３４】
また、本実施形態においては、転送電極３１が四角形状で浮島状に配置されている。このため、垂直転送レジスタ部においては、転送電極３１が均等に配置される。よって、垂直転送レジスタ部において垂直方向ｙへの転送を害することなく、フォトダイオード２１とチャネルストッパー領域２４Ｓとの垂直方向ｙでの中央に、読み出し電極である第１転送電極３１Ａを配置できる。
【０１３５】
また、読み出し変調動作（読み出し電極に高電圧（ＶＨ）を印加直後に、隣接する電極を中電圧（ＶＭ）から低電圧（ＶＬ）に変化させる駆動シーケンス）を実施の時には、読み出すフォトダイオード２１の右側の第２転送電極３１Ｂは、低電位（ＶＬ）となる。このため、変調効果が強くなり読出し電圧の低減が可能となる。
【０１３６】
また、本実施形態では、「逆読み出し」が発生しないため、フォトダイオード２１について、水平方向ｘに、さらに拡大可能であり、飽和信号量の増大、スミア信号抑制が可能である。
【０１３７】
＜２．実施形態２＞
［Ａ．装置構成など］
図７〜図９は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１３８】
ここで、図７は、上面を示す図である。図８は、断面を示す図である。図８において、（ａ）は、図７のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図７のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図７のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。図９は、図７と同様に、上面を示す図であるが、図７と異なり、説明の都合で、シャント配線４１の図示を省略している。
【０１３９】
図７〜図９に示すように、本実施形態においては、第２転送電極３１Ｂｂが、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載の一部を省略する。
【０１４０】
第２転送電極３１Ｂｂは、図７〜図９に示すように、実施形態１の場合と同様に、水平方向ｘに間を隔てて並ぶフォトダイオード２１の列の間において、垂直方向ｙで第１転送電極３１Ａと交互に並ぶように設けられている。これと共に、第２転送電極３１Ｂｂは、水平方向ｘに並ぶ第１転送電極３１Ａの間に介在するように設けられている。つまり、第２転送電極３１Ｂのそれぞれは、水平方向ｘで隣接する他の第２転送電極３１Ｂに対して、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。
【０１４１】
第２転送電極３１Ｂｂは、実施形態１の場合と同様に、たとえば、ＣＶＤ法でポリシリコン膜を形成後、そのポリシリコン膜についてドライエッチング処理しパターン加工することで形成される。
【０１４２】
しかし、本実施形態では、第２転送電極３１Ｂｂは、実施形態１の場合と異なり、図７〜図９に示すように、四角パターン部３１ＢＫの他に、水平延在部３１ＢＨを含む形状で形成されている。
【０１４３】
具体的には、第２転送電極３１Ｂｂのうち、四角パターン部３１ＢＫは、図７，図９に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）の間に設けられている。四角パターン部３１ＢＫは、垂直方向ｙにおける中心が、右側部分に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓの垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。これと共に、四角パターン部３１ＢＫにおいて垂直方向ｙにおける中心は、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。
【０１４４】
第２転送電極３１Ｂｂのうち、水平延在部３１ＢＨは、図７，図９に示すように、四角パターン部３１ＢＫにおいて垂直方向ｙにおける中心から水平方向ｘに延在するように設けられている。水平延在部３１ＢＨの垂直方向ｙにおける中心は、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。これと共に、水平延在部３１ＢＨにおいて垂直方向ｙにおける中心は、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。第２転送電極３１Ｂｂの水平延在部３１ＢＨは、右側に設けられた第１転送電極３１Ａとの間にギャップが設けられており、連結されていない。
【０１４５】
このように、本実施形態では、読出し信号（ΦＲ）が印加されずに転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）が印加される第２転送電極３１Ｂｂは、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間に、水平延在部３１ＢＨが介在するように形成されている。
【０１４６】
［Ｂ．まとめ］
本実施形態では、実施形態１と同様に各部が形成されているため、実施形態１と同様に、「逆読出し」の発生を防止可能であって、撮像画像の画像品質を向上できる。
【０１４７】
しかし、実施形態１の場合においては、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓに、読出し信号（ΦＲ）が印加されて、そのチャネルストッパー領域２４Ｓが反転する場合がある。このため、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間において、信号電荷の漏れが生じ、たとえば、混色などの不具合が生ずる場合がある。
【０１４８】
これに対して、本実施形態では、上述したように、読出し信号（ΦＲ）が印加されない第２転送電極３１Ｂｂは、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間に、水平延在部３１ＢＨが介在するように形成されている。このため、読出し信号（ΦＲ）が印加されたときに、チャネルストッパー領域２４Ｓが反転しないので、混色などの不具合の発生を抑制できる。
【０１４９】
したがって、本実施形態は、さらに、撮像画像の画像品質を向上可能である。
【０１５０】
＜３．実施形態３＞
［Ａ．装置構成など］
図１０〜図１２は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１５１】
ここで、図１０は、上面を示す図である。図１１は、断面を示す図である。図１１において、（ａ）は、図１０のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図１０のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図１０のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。図１２は、図１０と同様に、上面を示す図であるが、図１０と異なり、説明の都合で、第１シャント配線４１Ａｃの図示を省略している。
【０１５２】
図１０〜図１２に示すように、本実施形態においては、シャント配線４１ｃが、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載の一部を省略する。
【０１５３】
シャント配線４１ｃは、実施形態１の場合と同様に、図１０〜図１２に示すように、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとを含む。
【０１５４】
図１０，図１２に示すように、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、水平方向ｘに延在する水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨを含む。また、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、垂直方向ｙに並ぶ複数の転送電極３１の上方において、垂直方向ｙに延在する垂直延在部４１ＡＶ，４１ＢＶを含む。
【０１５５】
第１シャント配線４１Ａｃは、図１０に示すように、実施形態１と同様に、水平延在部４１ＡＨと垂直延在部４１ＡＶとが、第２転送電極３１Ｂの上方で連結されている。そして、第１シャント配線４１Ａｃは、その第２転送電極３１Ｂに垂直方向ｙで隣接する第１転送電極３１Ａにコンタクトを介して電気的に接続されている。第１シャント配線４１Ａｃは、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）を第１転送電極３１Ａへ印加する。
【０１５６】
第２シャント配線４１Ｂｃは、図１２に示すように、実施形態１と同様に、水平延在部４１ＢＨと垂直延在部４１ＢＶとが、第１転送電極３１Ａの上方で連結されている。そして、第２シャント配線４１Ｂｃは、その第１転送電極３１Ａに垂直方向ｙで隣接する第２転送電極３１Ｂにコンタクトを介して電気的に接続されている。そして、第２シャント配線４１Ｂは、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）を第２転送電極３１Ｂへ印加し、読出し信号（ΦＲ）については、印加しない。
【０１５７】
本実施形態では、図１０〜図１２に示すように、実施形態１の場合と異なり、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとのそれぞれは、深さ方向ｚにおいて、互いが重なり合う部分を含むように積層されている。
【０１５８】
具体的には、図１０，図１２に示すように、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨの一部が、深さ方向ｚでオーバーラップするように設けられている。第１シャント配線４１Ａｃの水平延在部４１ＡＨと、第２シャント配線４１Ｂｃの水平延在部４１ＢＨとのそれぞれは、垂直方向ｙにおいて並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、互いにオーバーラップしている。
【０１５９】
ここでは、図１１に示すように、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、絶縁膜ＺＭを介して、互いが積層するように設けられている。
【０１６０】
具体的には、図１１に示すように、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂを被覆する絶縁膜ＳＺの上面に、第２シャント配線４１Ｂｃが設けられている。第２シャント配線４１Ｂｃは、絶縁膜ＳＺを貫通するコンタクトによって、第２転送電極３１Ｂに電気的に接続されている。
【０１６１】
また、図１１に示すように、第２シャント配線４１Ｂｃを被覆するように、絶縁膜ＳＺの上面に、絶縁膜ＺＭが設けられている。絶縁膜ＺＭは、たとえば、シリコン酸化膜であって、表面を平坦化するように形成されている。そして、この絶縁膜ＺＭの上面に、第１シャント配線４１Ａｃが設けられている。第１シャント配線４１Ａｃは、この絶縁膜ＺＭ、および、その下層にある絶縁膜ＳＺの両者を貫通するコンタクトによって、第１転送電極３１Ａに電気的に接続されている。
【０１６２】
第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃのそれぞれは、実施形態１の場合と同様に、たとえば、タングステン膜についてドライエッチング処理しパターン加工することで形成される。
【０１６３】
［Ｂ．まとめ］
本実施形態では、実施形態１と同様に各部が形成されているため、実施形態１と同様に、「逆読出し」の発生を防止可能であって、撮像画像の画像品質を向上できる。
【０１６４】
この他に、本実施形態では、実施形態１の場合と異なり、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとのそれぞれは、深さ方向ｚにおいて、互いが重なり合う部分を含むように積層されている。
【０１６５】
このため、本実施形態では、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間の領域において、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとが占める領域を縮小化することができる。つまり、全体のシャント配線幅を細くすることができる。よって、受光面ＪＳへ光が入射する開口について、垂直方向ｙの幅を広げることができるので、感度を向上させることができる。
【０１６６】
したがって、本実施形態は、さらに、撮像画像の画像品質を向上可能である。
【０１６７】
＜４．その他＞
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
【０１６８】
たとえば、上記においては、水平方向に並ぶ転送電極の間をシャント配線で電気的に接続する場合について説明したが、これに限定されない。水平方向に並ぶ転送電極が互いに連結するようにパターン加工をして、互いに電気的に接続してもよい。また、４相の転送信号で垂直転送をする場合について説明したが、これに限定されず、他の転送方式で垂直転送する場合にも適用可能である。
【０１６９】
上記の実施形態においては、カメラに本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本発明を適用しても良い。
【０１７０】
その他、上記の各実施形態を、適宜、組み合わせても良い。
【０１７１】
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置１は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、半導体基板１１は、本発明の基板に相当する。また、上記の実施形態において、第１方向は、本発明の垂直方向ｙに相当する。また、上記の実施形態において、第２方向は、本発明の水平方向ｘに相当する。また、上記の実施形態において、画素部は、本発明の画素Ｐ，フォトダイオード２１に相当する。また、上記の実施形態において、転送部は、本発明の垂直転送レジスタ部ＶＴに相当する。また、上記の実施形態において、第１転送電極は、本発明の第１転送電極３１Ａに相当する。また、上記の実施形態において、第２転送電極は、本発明の第２転送電極３１Ｂに相当する。また、上記の実施形態において、素子分離部は、本発明の素子分離部ＳＢに相当する。また、上記の実施形態において、第１シャント配線は、本発明の第１シャント配線４１Ａ，４１Ａｃに相当する。また、上記の実施形態において、第２シャント配線は、本発明の第２シャント配線４１Ｂ，４１Ｂｃに相当する。また、上記の実施形態において、第１延在部は、本発明の垂直延在部４１ＡＶ，４１ＢＶに相当する。また、上記の実施形態において、第２延在部は、本発明の水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨに相当する。また、上記の実施形態において、延在部は、水平延在部３１ＢＨに相当する。
【符号の説明】
【０１７２】
１：固体撮像装置、１１：半導体基板、２１：フォトダイオード、２２Ｒ：電荷読出しチャネル領域、２３Ｖ：垂直転送チャネル領域、２４Ｓ：チャネルストッパー領域、３１：転送電極、３１Ａ：第１転送電極、３１Ｂ，３１Ｂｂ：第２転送電極、３１ＢＨ：水平延在部、３１ＢＫ：四角パターン部、４０：カメラ、４１，４１ｃ：シャント配線、４１Ａ，４１Ａｃ：第１シャント配線、４１Ｂ，４１Ｂｃ：第２シャント配線、４２：光学系、４３：制御部、４４：信号処理回路、３１２：絶縁膜、Ｈ：入射光、ＨＴ：水平転送レジスタ部、ＪＳ：受光面、ＯＵＴ：出力部、Ｐ：画素、ＰＡ：撮像領域、ＰＳ：撮像面、ＲＯ：電荷読出し部、ＳＢ：素子分離部、ＳＺ，ＺＭ：絶縁膜、ＶＴ：垂直転送レジスタ部、ｘ：水平方向、ｙ：垂直方向、ｚ：深さ方向
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどの電子機器は、固体撮像装置を含む。固体撮像装置は、複数の画素が配列されている撮像領域が、半導体基板の面に設けられている。たとえば、固体撮像装置は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）型や、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のイメージセンサチップを含む。
【０００３】
撮像領域において、複数の画素のそれぞれには、光電変換部が設けられている。光電変換部は、たとえば、フォトダイオードであり、外付けの光学系を介して入射する光を受光面で受光し光電変換することによって、信号電荷を生成する。
【０００４】
そして、ＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、撮像領域にて垂直方向に並ぶ複数の画素の列が、水平方向に複数設けられており、その画素の列の間に、垂直転送レジスタ部が設けられている。垂直転送レジスタ部は、電荷読出し部によって画素から読み出された信号電荷を、垂直方向へ転送する。そして、その垂直転送レジスタ部によって１水平ライン（１行の画素）ごとに転送された信号電荷を、水平転送部が水平方向へ順次転送する。その後、出力部が、その信号電荷を電圧に変換し、信号として出力する。
【０００５】
上記のようなＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、多画素化の要求に伴って、各画素のセルサイズが小さくなってきている。
【０００６】
しかし、画素において光を受光する受光面については、飽和信号量の確保のために、より広くする必要がある。このため、水平方向において複数の画素の間を分離するチャネルストッパー領域が、より狭い幅で設けられる傾向にある。
【０００７】
この結果、詳細は後述するが、信号電荷を垂直転送レジスタ部へ読み出す際に、チャネルストッパー領域を介して水平方向で隣接する他の垂直転送レジスタ部に誤って読み出される場合がある。このように、水平方向に並ぶ複数の画素の間においては、「逆読み出し」が行われるために、たとえば、信号の混色が発生する場合がある。
【０００８】
このような不具合を解消するために、さまざまな方策が示されている（たとえば、特許文献１，２参照）。
【０００９】
また、ＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、高感度化の実現のために、垂直転送レジスタ部において、複数の転送電極の間を深さ方向で重ねずに、複数の転送電極を単一層から形成し凸部を減少させることが提案されている（たとえば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平０７−７４３３２号公報
【特許文献２】特開平０６−７７４５０号公報
【特許文献３】特開２００６−４１３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１３，図１４は、ＣＣＤ型のイメージセンサチップの一例について要部を示す図である。
【００１２】
ここで、図１３は、上面を示す図である。図１４は、断面を示す図である。図１４において、（ａ）は、図１３のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図１３のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図１３のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。
【００１３】
図１３に示すように、ＣＣＤ型のイメージセンサチップは、フォトダイオード２１と、転送電極３１と、シャント配線４１とが設けられている。この他に、図１４に示すように、ＣＣＤ型のイメージセンサチップは、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとが設けられている。
【００１４】
各部について順次説明する。
【００１５】
フォトダイオード２１は、図１３に示すように、垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに沿って、複数が間を隔ててマトリクス状に並ぶように設けられている。フォトダイオード２１は、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、画素Ｐに対応して設けられている。フォトダイオード２１は、光を受光面ＪＳで受光し、光電変換することによって信号電荷を生成する。
【００１６】
電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、電荷読出し部ＲＯに対応するように設けられている。電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図１４（ａ）に示すように、フォトダイオード２１の一方の端部において、フォトダイオード２１と垂直転送チャネル領域２３Ｖとの間に設けられている。電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、フォトダイオード２１で生成された信号電荷を垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出す。
【００１７】
垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、垂直転送レジスタ部ＶＴに対応するように設けられている。垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図１４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいて電荷読出しチャネル領域２２Ｒとチャネルストッパー領域２４Ｓとの間に設けられている。垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図１４（ｂ）に示すように、垂直方向ｙにおいて延在しており、フォトダイオード２１から読み出された信号電荷を、垂直方向ｙへ転送する。
【００１８】
チャネルストッパー領域２４Ｓは、図１４に示すように、半導体基板１１の内部において、素子分離部ＳＢに対応するように設けられている。チャネルストッパー領域２４Ｓは、図１４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいて垂直転送チャネル領域２３Ｖとフォトダイオード２１との間に設けられており、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの間において電位障壁を形成し、信号電荷の流出入を防止する。また、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図１４（ｃ）に示すように、垂直方向ｙにおいて複数のフォトダイオード２１の間に設けられており、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐの間において電位障壁を形成し、信号電荷の流出入を防止する。
【００１９】
転送電極３１は、図１３に示すように、垂直方向ｙに複数が間を隔てて並ぶように設けられている。また、転送電極３１は、水平方向ｘにおいて、複数がフォトダイオード２１を介して並ぶように設けられている。転送電極３１は、第１転送電極３１Ａと、第２転送電極３１Ｂとを含む。第１転送電極３１Ａは、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）が印加される。これに対して、第２転送電極３１Ｂは、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）が印加され読出し信号（ΦＲ）が印加されない。図１４（ａ），（ｂ）に示すように、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂは、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２を介して、半導体基板１１の上面に設けられている。ここでは、図１３，図１４（ａ）に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、水平方向ｘにおいては、複数がフォトダイオード２１を介して並ぶように設けられている。そして、垂直方向ｙにおいては、図１３，図１４（ｂ）に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとが交互に連続して並ぶように配置されている。
【００２０】
シャント配線４１は、図１３に示すように、水平方向ｘに延在しており、垂直方向ｙにおいて複数が間を隔てて並ぶように設けられている。シャント配線４１は、図１３に示すように、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとを含む。図１３，図１４に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、水平方向ｘに延在している。ここでは、第１シャント配線４１Ａは、図１３に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第１転送電極３１Ａのそれぞれにコンタクトを介して電気的に接続されており、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）を第１転送電極３１Ａへ印加する。第２シャント配線４１Ｂは、図１３に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第２転送電極３１Ｂのそれぞれにコンタクトを介して電気的に接続されており、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）を第２転送電極３１Ｂへ印加し、読出し信号（ΦＲ）については、印加しない。図１４に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂを被覆する絶縁膜ＳＺの上面に設けられている。第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとのそれぞれは、その絶縁膜ＳＺを貫通するコンタクトホールによって、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれに電気的に接続されている。
【００２１】
上記のＣＣＤ型のイメージセンサチップでは、図１３に示すように、第１シャント配線４１Ａを通じて第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）を供給する。これにより、図１３，図１４（ａ）で白い矢印で示すように、フォトダイオード２１に蓄積された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出される。その後、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂへの４相の転送信号（ΦＶ１〜Ｖ４）の供給を、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂを通じて行う。これにより、その読み出された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖにおいて垂直方向ｙに転送される。
【００２２】
しかしながら、上述したように、画素のセルサイズの縮小化に伴って、水平方向において複数の画素Ｐの間を分離するチャネルストッパー領域２４Ｓが、より狭い幅で設けられる傾向にある。このため、第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）を供給し信号電荷の読み出しをする際には、図１３，図１４（ａ）で黒い矢印で示すように、チャネルストッパー領域２４Ｓを介して隣接する他の垂直転送チャネル領域２３Ｖに誤って読み出される場合がある。つまり、フォトダイオード２１において信号電荷が読み出される方向とは逆の方向へ信号電荷が読み出される「逆読み出し」が発生する場合がある。そして、これに伴って、たとえば、信号の混色等が発生して、画像品質が低下する場合がある。
【００２３】
このような不具合の解消のために、上述したように、さまざまな方策が示されている。たとえば、特許文献１，２では、水平方向において隣接する画素（センサ領域）を、垂直方向において１／２ピッチ分、シフトさせることが示されている。
【００２４】
しかしながら、特許文献１では、画素（センサ領域）に掛かる読出し電極の面積が減少するので、読み出しが悪化する場合がある。また、読出し電極と、垂直方向で隣接する画素間のチャネルストッパー領域との位置関係から、「逆読み出し」の防止が効果的にできない場合がある。
【００２５】
また、特許文献２の場合には、読出し電極（転送電極）が、水平方向に連続で連結され、分離されていない。このため、読出し電極と、垂直方向で隣接する画素間のチャネルストッパー領域との位置関係から、「逆読み出し」の防止が効果的にできない場合がある。さらに、転送電極が傾斜したパターンで形成されているので、垂直方向への転送効率が悪化する場合がある。
【００２６】
このように、固体撮像装置においては、「逆読み出し」の防止が十分に実現可能でないために、混色などの防止が困難な場合がある。そして、これに伴って、画素サイズの縮小化が困難になり、飽和信号量の増加が容易ではないので、感度の向上ができず、撮像画像の画像品質が低下する場合がある。
【００２７】
したがって、本発明は、撮像画像の画像品質等を向上可能な、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明の固体撮像装置は、基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部とを備え、前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記転送部は、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とを含み、前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる。
【００２９】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光を受光し信号電荷を生成する複数の画素部を、基板の面において第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設ける、画素部形成工程と、前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部を前記基板の面に設ける、転送部形成工程とを有し、前記画素部形成工程においては、前記複数の画素部のそれぞれについて、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向でシフトした位置になるように、前記複数の画素部を形成し、前記転送部形成工程においては、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とのそれぞれについて、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並び、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置に配置されると共に、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれについて、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並ぶように、前記転送電極を形成する。
【００３０】
本発明の電子機器は、基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部とを備え、前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記転送部は、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とを含み、前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる。
【００３１】
本発明では、複数の画素部のそれぞれは、第２方向で隣接するものが、第１方向でシフトした位置に配置されている。また、第１転送電極と第２転送電極とのそれぞれは、第２方向で隣接するものが、第１方向でシフトした位置に配置されている。そして、画素部と第１転送電極とのそれぞれは、第１方向における中心部が第２方向に沿って並んでいる。このため、画素部において信号電荷を読み出す方向には第１転送電極が設けられているが、その画素部において信号電荷を読み出す方向とは反対の逆読出し方向には、第１転送電極ではなく、読出し信号が印加されない第２転送電極が配置されている。よって、「逆読出し」がされない。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、撮像画像の画像品質を向上可能な、固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置を製造する方法の工程にて設けられた要部を示す図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図９】図９は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【図１３】図１３は、ＣＣＤ型のイメージセンサチップの一例について要部を示す図である。
【図１４】図１４は、ＣＣＤ型のイメージセンサチップの一例について要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３５】
なお、説明は、下記の順序で行う。
１．実施形態１（転送電極が全て四角形状）
２．実施形態２（読出し信号が印加されない転送電極については、水平延在部有り）
３．実施形態３（シャント配線が積層される場合）
４．その他
【００３６】
＜１．実施形態１＞
［Ａ．装置構成］
（Ａ−１）カメラの要部構成
図１は、本発明にかかる実施形態１において、カメラ４０の構成を示す構成図である。
【００３７】
図１に示すように、カメラ４０は、固体撮像装置１と、光学系４２と、制御部４３と、信号処理回路４４とを有する。各部について、順次、説明する。
【００３８】
固体撮像装置１は、光学系４２を介して入射する入射光Ｈを撮像面ＰＳで受光して光電変換することによって、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置１は、制御部４３から出力される制御信号に基づいて駆動する。具体的には、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。
【００３９】
光学系４２は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射する被写体像による光を、固体撮像装置１の撮像面ＰＳへ集光するように配置されている。
【００４０】
制御部４３は、各種の制御信号を固体撮像装置１と信号処理回路４４とに出力し、固体撮像装置１と信号処理回路４４とを制御して駆動させる。
【００４１】
信号処理回路４４は、固体撮像装置１から出力されたローデータについて信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成するように構成されている。
【００４２】
（Ａ−２）固体撮像装置の要部構成
固体撮像装置１の全体構成について説明する。
【００４３】
図２は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置１の全体構成を示す図である。図２では、上面を示している。
【００４４】
図２に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、インターライン方式のＣＣＤ型イメージセンサであって、撮像領域ＰＡにおいて撮像が行われるように構成されている。
【００４５】
図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいては、画素Ｐと電荷読出し部ＲＯと垂直転送レジスタ部ＶＴとが設けられている。
【００４６】
画素Ｐは、図２に示すように、撮像領域ＰＡに設けられており、複数が水平方向ｘと垂直方向ｙとに並ぶように配置されている。そして、この複数の画素Ｐの周囲においては、素子分離部ＳＢが設けられており、各画素Ｐの間が分離されている。画素Ｐは、受光面ＪＳにおいて、被写体像による光を受光して光電変換を行うことによって、信号電荷を生成するように構成されている。
【００４７】
電荷読出し部ＲＯは、図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいて、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐの列に対応して複数が設けられており、各画素Ｐで生成された信号電荷を、垂直転送レジスタ部ＶＴへ読み出す。
【００４８】
垂直転送レジスタ部ＶＴは、図２に示すように、撮像領域ＰＡにおいて、垂直方向ｙに並ぶ複数の画素Ｐに対応するように、垂直方向ｙに延在している。また、垂直転送レジスタ部ＶＴは、垂直方向ｙに複数が並ぶ画素Ｐの列の間に配置されている。垂直転送レジスタ部ＶＴは、複数が撮像領域ＰＡに設けられており、複数の垂直転送レジスタ部ＶＴが、水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐのそれぞれに対応するように、水平方向ｘに並んでいる。この垂直転送レジスタ部ＶＴは、いわゆる垂直転送ＣＣＤであって、電荷読出し部ＲＯを介して、画素Ｐから信号電荷を水平方向ｘへ読み出し、その読み出された信号電荷を垂直方向ｙへ順次転送する。垂直転送レジスタ部ＶＴは、複数の転送電極（図２では図示無し）が垂直方向ｙに並んで配置されている。垂直転送レジスタ部ＶＴは、画素Ｐに対応して設けられた転送電極に読出し信号が供給されて信号電荷を読み出する。そして、その垂直方向に並んだ転送電極に、たとえば、４相の転送パルスが順次供給されて、信号電荷の転送が実施される。
【００４９】
そして、撮像領域ＰＡの下端部においては、図２に示すように、水平転送レジスタ部ＨＴが配置されている。この水平転送レジスタ部ＨＴは、水平方向ｘへ延在しており、複数の垂直転送レジスタ部ＶＴのそれぞれが、垂直方向ｙへ転送した信号電荷を、水平方向ｘへ、順次、転送する。つまり、水平転送レジスタ部ＨＴは、いわゆる水平転送ＣＣＤであって、たとえば、２相の駆動パルス信号によって駆動されて、１水平ライン（１行の画素）ごとに転送された信号電荷の転送を実施する。
【００５０】
そして、図２に示すように、水平転送レジスタ部ＨＴの左端部には、出力部ＯＵＴが形成されており、この出力部ＯＵＴは、水平転送レジスタ部ＨＴによって、水平転送された信号電荷を電圧に変換し、アナログ画像信号として出力する。
【００５１】
なお、上記の撮像領域ＰＡは、図１に示した撮像面ＰＳに相当する。
【００５２】
（Ａ−３）固体撮像装置の詳細構成
本実施形態にかかる固体撮像装置１の詳細内容について説明する。
【００５３】
図３，図４，図５は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【００５４】
ここで、図３は、上面を示す図である。図４は、断面を示す図である。図４において、（ａ）は、図３のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図３のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図３のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。図５は、図３と同様に、上面を示す図であるが、図３と異なり、説明の都合で、構成要素の一部の図示を省略している。
【００５５】
図３に示すように、固体撮像装置は、フォトダイオード２１と、転送電極３１と、シャント配線４１とが設けられている。この他に、図４に示すように、固体撮像装置は、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとが設けられている。図５では、図３と比較して判るように、シャント配線４１の図示を省略している。
【００５６】
固体撮像装置を構成する各部について、順次説明する。
【００５７】
（ａ）フォトダイオード２１について
フォトダイオード２１は、図３に示すように、複数が垂直方向ｙとその垂直方向ｙに直交する水平方向ｘとのそれぞれにおいて、等しいピッチで間を隔てて並んでいる。複数のフォトダイオード２１のそれぞれは、平面形状が互いに同一な矩形になるように形成されている。たとえば、フォトダイオード２１は、垂直方向ｙが水平方向ｘよりも広い幅になるように形成されている。
【００５８】
図４に示すように、フォトダイオード２１は、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、画素Ｐに対応して設けられている。
【００５９】
フォトダイオード２１は、光を受光面ＪＳで受光し、光電変換することによって信号電荷を生成するように構成されている。
【００６０】
たとえば、フォトダイオード２１は、ｎ型のシリコン半導体である半導体基板１１の内部において表面側に位置する部分に設けられている。図示を省略しているが、フォトダイオード２１は、たとえば、半導体基板１１内に形成したｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｎ型半導体領域（ｎ）（図示無し）とｐ型半導体領域（ｐ＋）（図示無し）とが順次形成されることによって構成される。ｎ型半導体領域（ｎ）は、信号電荷蓄積領域として機能する。そして、ｐ型半導体領域（ｐ＋）は、正孔蓄積領域として機能し、信号電荷蓄積領域であるｎ型半導体領域（ｎ）において、暗電流が生ずることが抑制されるように構成されている。
【００６１】
図４（ａ）に示すように、フォトダイオード２１は、水平方向ｘの一方の端部に電荷読出しチャネル領域２２Ｒが設けられており、この電荷読出しチャネル領域２２Ｒによって信号電荷が読み出される。また、フォトダイオード２１は、水平方向ｘの他方の端部にチャネルストッパー領域２４Ｓが設けられており、このチャネルストッパー領域２４Ｓによる電位障壁によって、複数の画素Ｐの間における信号電荷の流出入が防止される。
【００６２】
本実施形態では、図５に示すように、フォトダイオード２１は、複数が垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並ぶように配置されている。フォトダイオード２１は、水平方向ｘにおいても、複数が一定のピッチＰｘで並ぶように配置されている。
【００６３】
ここでは、フォトダイオード２１は、図１３に示した場合と異なり、水平方向ｘに隣接するものが、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにおいてシフトするように設けられている。すなわち、複数のフォトダイオード２１が垂直方向ｙに並んだ列が水平方向ｘに複数並んでおり、そのフォトダイオード２１の列は、水平方向ｘで隣接する他のフォトダイオード２１の列との間で、フォトダイオード２１が異なる位置になるように設けられている。
【００６４】
具体的には、図５に示すように、フォトダイオード２１は、水平方向ｘで隣接する画素Ｐの間で、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。つまり、一のフォトダイオード２１の中心部と、その一のフォトダイオード２１に対して水平方向ｘに隣接するフォトダイオード２１の中心部との間は、垂直方向ｙにおける距離が、垂直方向ｙにおけるピッチＰｙの半分（Ｐｙ／２）になる。
【００６５】
このため、図４（ａ）および図５に示すように、フォトダイオード２１は、垂直方向ｙにおける中央部分では、隣接する画素Ｐの列においてフォトダイオード２１が存在せずに、チャネルストッパー領域２４Ｓが存在する。
【００６６】
（ｂ）電荷読出しチャネル領域２２Ｒについて
電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、図４に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、電荷読出し部ＲＯに対応するように設けられている。
【００６７】
ここでは、図４（ａ）に示すように、電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、水平方向ｘにおいてフォトダイオード２１と垂直転送チャネル領域２３Ｖとの間に設けられており、フォトダイオード２１から信号電荷を垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出す。
【００６８】
たとえば、電荷読出しチャネル領域２２Ｒは、ｐ型半導体領域として構成されている。
【００６９】
（ｃ）垂直転送チャネル領域２３Ｖについて
垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図４（ａ）に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、垂直転送レジスタ部ＶＴに対応するように設けられている。
【００７０】
ここでは、図４（ａ）に示すように、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、水平方向ｘにおいて電荷読出しチャネル領域２２Ｒとチャネルストッパー領域２４Ｓとの間に設けられている。また、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、図４（ｂ）に示すように、垂直方向ｙに延在しており、フォトダイオード２１から読み出された信号電荷を、垂直方向ｙへ転送する。
【００７１】
たとえば、垂直転送チャネル領域２３Ｖは、半導体基板１１の内部のｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｎ型半導体領域（ｎ）（図示無し）を設けることによって構成されている。
【００７２】
（ｄ）チャネルストッパー領域２４Ｓについて
チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４に示すように、半導体基板１１の内部の表面側に位置する部分において、素子分離部ＳＢに対応するように設けられている。チャネルストッパー領域２４Ｓは、半導体基板１１の面において垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに並ぶ複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）の間を分離するように設けられている。
【００７３】
ここでは、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいては、垂直転送チャネル領域２３Ｖとフォトダイオード２１との間に設けられている。つまり、チャネルストッパー領域２４Ｓは、水平方向ｘにおいては、電荷読出しチャネル領域２２Ｒの左側に位置し、その電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、隣の画素Ｐの列に配置されたフォトダイオード２１との間に介在するように設けられている。
【００７４】
また、チャネルストッパー領域２４Ｓは、図４（ｃ）に示すように、垂直方向ｙにおいて複数のフォトダイオード２１の間に設けられている。
【００７５】
チャネルストッパー領域２４Ｓは、垂直方向ｙおよび水平方向ｘに並ぶ複数の画素Ｐの間において電位障壁を形成し、信号電荷の流出入を防止するように構成されている。
【００７６】
たとえば、チャネルストッパー領域２４Ｓは、半導体基板１１の内部のｐ型半導体ウェル領域（ｐ）（図示無し）上に、ｐ型半導体領域（ｐ＋）を設けることによって構成されている。
【００７７】
本実施形態では、図５に示すように、垂直方向ｙにおいて複数のフォトダイオード２１の間に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓは、複数が垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並ぶように配置されている。また、水平方向ｘにおいても、複数が一定のピッチＰｘで並ぶように配置されている。
【００７８】
ここでは、垂直方向ｙに並ぶ一の画素Ｐの列に設けられた各チャネルストッパー領域２４Ｓが、水平方向ｘで隣接する他の画素Ｐの列に設けられた各チャネルストッパー領域２４Ｓに対して、垂直方向ｙにシフトした位置になるように配置されている。
【００７９】
具体的には、図５に示すように、水平方向ｘで隣接する画素Ｐの間で、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。
【００８０】
（ｅ）転送電極３１について
転送電極３１は、図３に示すように、垂直方向ｙに複数が間を隔てて並ぶように設けられている。また、転送電極３１は、水平方向ｘにおいては、複数がフォトダイオード２１を介して並ぶように設けられている。
【００８１】
つまり、垂直方向ｙに並ぶ転送電極３１の複数の列が、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の列を介して、水平方向ｘに並んでおり、各転送電極３１は、フォトダイオード２１から信号電荷を読み出した後、その信号電荷を垂直方向ｙへ転送させる。
【００８２】
図３に示すように、複数の転送電極３１のそれぞれは、浮島状に分離されており、平面形状が互いに同一な形状になるように形成されている。
【００８３】
図４に示すように、転送電極３１は、半導体基板１１の上方に設けられている。ここでは、転送電極３１は、半導体基板１１の上面において、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３１２の上面に設けられている。転送電極３１は、水平方向ｘにおいては、電荷読出し部ＲＯと垂直転送レジスタ部ＶＴと素子分離部ＳＢとに対応している。つまり、転送電極３１は、水平方向ｘにおいては、絶縁膜３１２を介して、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと垂直転送チャネル領域２３Ｖとチャネルストッパー領域２４Ｓとに対面するように設けられている。
【００８４】
転送電極３１は、たとえば、シリコン酸化膜によって形成された絶縁膜３１２上に設けられている。たとえば、転送電極３１は、ポリシリコン膜などの単一な導電膜についてパターン加工することで形成されている。たとえば、転送電極３１は、膜厚が２００ｎｍ以下になるように形成されている。
【００８５】
転送電極３１は、図３に示すように、第１転送電極３１Ａと、第２転送電極３１Ｂとを含む。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、半導体基板１１の面において四角形状に形成されている。また、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、互いに同一の層で形成されている。
【００８６】
転送電極３１において、第１転送電極３１Ａは、図３に示すように、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）が印加される。これに対して、第２転送電極３１Ｂは、図３に示すように、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）が印加され読出し信号（ΦＲ）が印加されない。第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂは、一のフォトダイオード２１と一組になるように配置されている。転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、垂直方向ｙにおいて、順次、繰り返し並んでいる。
【００８７】
転送電極３１は、垂直方向ｙにおいては、図５に示すように、複数の第１転送電極３１Ａが、フォトダイオード２１の場合と同様に、垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並んで配置されている。第２転送電極３１Ｂも、これと同様に、複数が垂直方向ｙにおいて一定のピッチＰｙで並んで配置されている。そして、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれが、垂直方向ｙにおいて、交互に並んで配置されている。すなわち、図４（ｂ）に示すように、図１４（ｂ）の場合と同様に、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、半導体基板１１の上方において垂直方向ｙへ交互に間を隔てて並んでいる。
【００８８】
水平方向ｘにおいては、図５に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、フォトダイオード２１の場合と同様に、複数が一定のピッチＰｘで並んで配置されている。
【００８９】
しかし、本実施形態では、図１４（ａ）の場合と異なり、水平方向ｘにおいても、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとがフォトダイオード２１を介して交互に並んでいる。図４（ａ）に示すように、水平方向ｘにおいては、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとが一対で、垂直方向ｙにおけるフォトダイオード２１の中央部分を、半導体基板１１の上方で挟んでいる。
【００９０】
このように、本実施形態では、第１転送電極３１Ａは、図５に示すように、水平方向ｘで隣接するものが、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにシフトした位置に配置されている。また、第２転送電極３１Ｂについても、第１転送電極３１Ａと同様に、水平方向ｘで隣接するものが、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにシフトした位置に配置されている。
【００９１】
具体的には、図５に示すように、第１転送電極３１Ａは、水平方向ｘで隣接する他の第１転送電極３１Ａに対して、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。つまり、一の第１転送電極３１Ａの中心部と、その一の第１転送電極３１Ａに水平方向ｘに隣接する第１転送電極３１Ａの中心部との間は、垂直方向ｙにおける距離が、垂直方向ｙにおけるピッチＰｙの半分（Ｐｙ／２）になる。
【００９２】
これにより、第１転送電極３１Ａは、垂直方向ｙにおいて、中心部分が、右側部分に設けられたフォトダイオード２１の中心部分に対応すると共に、左側部分に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓの中心に対応するように設けられている。
【００９３】
同様に、図５に示すように、第２転送電極３１Ｂは、水平方向ｘで隣接する他の第２転送電極３１Ｂに対して、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。つまり、一の第２転送電極３１Ｂの中心部と、その一の第２転送電極３１Ｂに水平方向ｘに隣接する第２転送電極３１Ｂの中心部との間は、垂直方向ｙにおける距離が、垂直方向ｙにおけるピッチＰｙの半分（Ｐｙ／２）になる。
【００９４】
これにより、第２転送電極３１Ｂは、垂直方向ｙにおいて、中心部分が、右側部分に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓの中心部分に対応すると共に、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の中心に対応するように設けられている。
【００９５】
（ｆ）シャント配線４１について
シャント配線４１は、図３に示すように、水平方向ｘに配置された複数の転送電極３１の間を電気的に接続しており、複数が垂直方向ｙにおいて間を隔てて並んでいる。シャント配線４１は、読出し信号（ΦＲ）を転送電極３１へ印加後、たとえば、４相の転送信号（ΦＶ１〜ΦＶ４）を転送電極３１へ印加するように構成されている。
【００９６】
シャント配線４１は、転送電極３１よりも抵抗値が低い導電材料で形成されている。たとえば、シャント配線４１は、タングステンにより形成されている。たとえば、シャント配線４１は、膜厚が０．１μｍになるように形成されている。シャント配線４１は、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において複数のフォトダイオード２１が間に位置するように設けられている。
【００９７】
シャント配線４１は、図３に示すように、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとを含む。第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに交互に並ぶように配置されている。
【００９８】
シャント配線４１のうち、第１シャント配線４１Ａは、図３に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数の第１転送電極３１Ａのそれぞれに電気的に接続されている。また、第２シャント配線４１Ｂは、水平方向ｘに並ぶ複数の第２転送電極３１Ｂのそれぞれに電気的に接続されている。
【００９９】
図３に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、水平方向ｘに延在する水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨを含む。また、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、垂直方向ｙに並ぶ複数の転送電極３１の上方において、垂直方向ｙに延在する垂直延在部４１ＡＶ，４１ＢＶを含む。
【０１００】
第１シャント配線４１Ａは、図３に示すように、水平延在部４１ＡＨと垂直延在部４１ＡＶとが、第２転送電極３１Ｂの上方で連結され、その第２転送電極３１Ｂに垂直方向ｙに隣接する第１転送電極３１Ａにコンタクトを介して電気的に接続されている。具体的には、第１シャント配線４１Ａは、垂直延在部４１ＡＶの一端部が第２転送電極３１Ｂの上方で水平延在部４１ＡＨと連結され、垂直延在部４１ＡＶの他端部が第１転送電極３１Ａと電気的に接続している。そして、第１シャント配線４１Ａは、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）を第１転送電極３１Ａへ印加する。
【０１０１】
第２シャント配線４１Ｂは、図３に示すように、水平延在部４１ＢＨと垂直延在部４１ＢＶとが、第１転送電極３１Ａの上方で連結され、その第１転送電極３１Ａに垂直方向ｙに隣接する第２転送電極３１Ｂにコンタクトを介して電気的に接続されている。具体的には、第２シャント配線４１Ｂは、垂直延在部４１ＢＶの一端部が第１転送電極３１Ａの上方で水平延在部４１ＢＨと連結され、垂直延在部４１ＢＶの他端部が第２転送電極３１Ｂと電気的に接続している。そして、第２シャント配線４１Ｂは、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）を第２転送電極３１Ｂへ印加し、読出し信号（ΦＲ）については、印加しない。
【０１０２】
図４に示すように、第１シャント配線４１Ａおよび第２シャント配線４１Ｂは、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂを被覆する絶縁膜ＳＺの上面に設けられている。第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとのそれぞれは、その絶縁膜ＳＺを貫通するコンタクトによって、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれに電気的に接続されている。
【０１０３】
詳細は後述するが、シャント配線４１においては、第１シャント配線４１Ａを通じて第１転送電極３１Ａに読出しパルス（ΦＲ）を供給して、信号電荷を読み出す。その後、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂへの転送パルス（ΦＶ１〜ΦＶ４）の供給を、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂを通じて行い、読み出した信号電荷を転送する。
【０１０４】
（ｇ）その他
図示を省略しているが、上記の他に、たとえば、転送電極３１およびシャント配線４１の上方を被覆するように、遮光膜（図示なし）が設けられている。遮光膜は、フォトダイオード２１の受光面ＪＳに光が入射するように、その受光面ＪＳに対応する部分に開口が設けられている。
【０１０５】
また、その上方にカラーフィルタ（図示なし）が設けられている。カラーフィルタは、たとえば、赤フィルタ層と緑フィルタ層と青フィルタ層とを含み、それぞれが画素Ｐごとにベイヤー配列で並ぶように設けられている。
【０１０６】
また、その上方には、オンチップレンズ（図示なし）が画素Ｐごとに設けられており、入射した光をオンチップレンズが受光面ＪＳへ集光するように構成されている。
【０１０７】
このように、本実施形態では、オンチップレンズとカラーフィルタと遮光膜の開口とを順次介して入射した光を、各画素Ｐにおいてフォトダイオード２１が受光面ＪＳで受光するように構成されている。
【０１０８】
［Ｂ．製造方法］
以下より、上記の固体撮像装置を製造する製造方法の要部について説明する。
【０１０９】
図６は、本発明にかかる実施形態１において、固体撮像装置を製造する方法の工程にて設けられた要部を示す図である。
【０１１０】
図６は、図４と同様に、断面を示す図である。図６において、（ａ）は、図３のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図３のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図３のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。
【０１１１】
まず、図６に示すように、転送電極３１などの各部について形成する。
【０１１２】
ここでは、たとえば、ｎ型のシリコン半導体からなる半導体基板１１に、適宜、不純物をイオン注入する。これにより、フォトダイオード２１と、電荷読出しチャネル領域２２Ｒと、垂直転送チャネル領域２３Ｖと、チャネルストッパー領域２４Ｓとのそれぞれを、半導体基板１１の内部に形成する。
【０１１３】
本実施形態では、図５で示したように、水平方向ｘにおいて隣りに設けるフォトダイオード２１が、水平方向ｘに沿って並ばずに、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように、複数のフォトダイオード２１を形成する。
【０１１４】
そして、たとえば、熱酸化法によって、半導体基板１１の表面に絶縁膜３１２を形成する。
【０１１５】
そして、その絶縁膜３１２の上面に、たとえば、ＣＶＤ法でポリシリコン膜を形成後、そのポリシリコン膜についてドライエッチング処理することで、転送電極３１にパターン加工する。
【０１１６】
本実施形態では、図５で示したように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれが、水平方向ｘおよび垂直方向ｙのそれぞれにおいて、交互に配列されるように、転送電極３１を形成する。
【０１１７】
つぎに、図４に示したように、シャント配線４１などの各部について形成する。
【０１１８】
ここでは、図４に示すように、半導体基板１１において絶縁膜３１２で被覆された上面において、転送電極３１を覆うように、絶縁膜ＳＺを設ける。たとえば、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を成膜することで、絶縁膜ＳＺを形成する。
【０１１９】
そして、絶縁膜ＳＺにコンタクトホールを形成し、転送電極３１の上面においてシャント配線４１と電気的に接続させる部分を露出させる。その後、そのコンタクトホールの内部を埋め込むように、絶縁膜ＳＺの上面において導電膜（図示なし）を成膜する。たとえば、スパッタリング法によって、タングステン膜を、その導電膜として成膜する。そして、その導電膜についてドライエッチング処理することで、シャント配線４１にパターン加工する。
【０１２０】
本実施形態においては、図３に示したように、シャント配線４１として、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂとを、垂直方向ｙに交互に並べて形成する。
【０１２１】
その他、図示を省略した各部を適宜形成することで、固体撮像装置を完成させる。
【０１２２】
［Ｃ．動作］
以下より、上記の固体撮像装置の動作について説明する。
【０１２３】
上記の固体撮像装置では、図３に示すように、フォトダイオード２１では、受光面ＪＳに入射光が入射すると、その入射した光の量に応じて、信号電荷（たとえば、電子）が生成されて蓄積される。
【０１２４】
そして、図３に示すように、第１シャント配線４１Ａを通じて第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）を供給されると、電荷読出しチャネル領域２２Ｒを介して、信号電荷が、垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出される。たとえば、＋１２Ｖ〜＋１５Ｖの読出し信号（ΦＲ）が供給される。
【０１２５】
これにより、図４（ａ），図５で白い矢印で示すように、フォトダイオード２１に蓄積された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖへ読み出される。
【０１２６】
その後、図３に示すように、第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂへの４相の転送パルス（ΦＶ１〜Ｖ４）の供給が、第１シャント配線４１Ａと第２シャント配線４１Ｂを通じて行われる。たとえば、−７Ｖ〜０Ｖの転送パルス（ΦＶ１〜Ｖ４）が供給される。これにより、その読み出された信号電荷が垂直転送チャネル領域２３Ｖにおいて垂直方向ｙに転送される。
【０１２７】
そして、垂直方向ｙに転送された信号電荷は、図２に示すように、水平転送レジスタ部ＨＴによって水平方向ｘへ転送された後、出力部ＯＵＴで電圧に変換されて、信号として出力される。
【０１２８】
本実施形態では、図４（ａ），図５に示されているように、フォトダイオード２１のうち垂直方向ｙの中心に対応する部分は、水平方向ｘにおいて、読出し信号（ΦＲ）の供給がされる第１転送電極３１Ａで挟まれていない。図１３，図１４の場合と異なり、左側に位置する部分のみに第１転送電極３１Ａが存在し、右側部分には、第１転送電極３１Ａに代わって、読出し信号（ΦＲ）の供給がされない第２転送電極３１Ｂが存在する。また、読出し信号（ΦＲ）の供給がされる第１転送電極３１Ａにおいて、垂直方向ｙにおける中心部分は、左側部分にチャネルストッパー領域２４Ｓが設けられており、フォトダイオード２１が設けられていない。
【０１２９】
よって、第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）が印加された際には、フォトダイオード２１の右側に位置する第２転送電極３１Ｂに読出し信号（ΦＲ）が印加されないので、「逆読出し」が生じない。すなわち、図１３，Ｂで黒い矢印で示した場合のように、右側部分において、チャネルストッパー領域２４Ｓを介して、隣接する他の画素Ｐの列における垂直転送チャネル領域２３Ｖへ、信号電荷が誤って読み出されることを、本実施形態では防止できる。
【０１３０】
［Ｄ．まとめ］
以上のように、本実施形態の固体撮像装置１では、フォトダイオード２１（画素Ｐ）は、半導体基板１１の面（ｘｙ面）において複数が垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられている。垂直転送レジスタ部ＶＴは、信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極３１Ａと、読出し信号が印加されずに転送信号が印加される第２転送電極３１Ｂとを含む。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、複数が垂直方向ｙにおいて交互に繰り返し並んでいる。また、チャネルストッパー領域２４Ｓ（素子分離部ＳＢ）が、半導体基板１１の面において垂直方向ｙと水平方向ｘとのそれぞれに並ぶ複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）の間を分離するように設けられている。
【０１３１】
ここでは、図３などに示すように、複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）のそれぞれは、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置されている。第１転送電極３１Ａと第２転送電極３１Ｂとのそれぞれは、水平方向ｘで隣接するものが、垂直方向ｙにおいてシフトした位置になるように配置されている。そして、フォトダイオード２１（画素Ｐ）と第１転送電極３１Ａとのそれぞれは、垂直方向ｙにおける中心部が水平方向ｘに沿って並んでいる。また、第１転送電極３１Ａと、チャネルストッパー領域２４Ｓのうち当該第１転送電極３１Ａに対して信号電荷を読み出す方向で隣接する複数のフォトダイオード２１の間に設けられた部分は、垂直方向ｙにおける中心部が、水平方向ｘに沿って並んでいる。
【０１３２】
具体的には、図３などに示すように、フォトダイオード２１（画素Ｐ）において垂直方向ｙの中心に位置する中心部は、水平方向ｘにおいて信号電荷が読み出される方向に、第１転送電極３１Ａが配置されている。また、フォトダイオード２１（画素Ｐ）において垂直方向ｙの中心に位置する中心部は、水平方向ｘのうち読出し方向とは反対の逆読出し方向に、第２転送電極３１Ｂが配置されている。
【０１３３】
このため、本実施形態においては、上述したように、第１転送電極３１Ａに読出し信号（ΦＲ）が印加された際には、フォトダイオード２１の右側に位置する第２転送電極３１Ｂに読出し信号（ΦＲ）が印加されない。よって、「逆読出し」の発生を防止できるので、撮像画像の画像品質を向上できる。
【０１３４】
また、本実施形態においては、転送電極３１が四角形状で浮島状に配置されている。このため、垂直転送レジスタ部においては、転送電極３１が均等に配置される。よって、垂直転送レジスタ部において垂直方向ｙへの転送を害することなく、フォトダイオード２１とチャネルストッパー領域２４Ｓとの垂直方向ｙでの中央に、読み出し電極である第１転送電極３１Ａを配置できる。
【０１３５】
また、読み出し変調動作（読み出し電極に高電圧（ＶＨ）を印加直後に、隣接する電極を中電圧（ＶＭ）から低電圧（ＶＬ）に変化させる駆動シーケンス）を実施の時には、読み出すフォトダイオード２１の右側の第２転送電極３１Ｂは、低電位（ＶＬ）となる。このため、変調効果が強くなり読出し電圧の低減が可能となる。
【０１３６】
また、本実施形態では、「逆読み出し」が発生しないため、フォトダイオード２１について、水平方向ｘに、さらに拡大可能であり、飽和信号量の増大、スミア信号抑制が可能である。
【０１３７】
＜２．実施形態２＞
［Ａ．装置構成など］
図７〜図９は、本発明にかかる実施形態２において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１３８】
ここで、図７は、上面を示す図である。図８は、断面を示す図である。図８において、（ａ）は、図７のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図７のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図７のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。図９は、図７と同様に、上面を示す図であるが、図７と異なり、説明の都合で、シャント配線４１の図示を省略している。
【０１３９】
図７〜図９に示すように、本実施形態においては、第２転送電極３１Ｂｂが、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載の一部を省略する。
【０１４０】
第２転送電極３１Ｂｂは、図７〜図９に示すように、実施形態１の場合と同様に、水平方向ｘに間を隔てて並ぶフォトダイオード２１の列の間において、垂直方向ｙで第１転送電極３１Ａと交互に並ぶように設けられている。これと共に、第２転送電極３１Ｂｂは、水平方向ｘに並ぶ第１転送電極３１Ａの間に介在するように設けられている。つまり、第２転送電極３１Ｂのそれぞれは、水平方向ｘで隣接する他の第２転送電極３１Ｂに対して、垂直方向ｙに半分のピッチ（Ｐｙ／２）分、シフトした位置になるように配置されている。
【０１４１】
第２転送電極３１Ｂｂは、実施形態１の場合と同様に、たとえば、ＣＶＤ法でポリシリコン膜を形成後、そのポリシリコン膜についてドライエッチング処理しパターン加工することで形成される。
【０１４２】
しかし、本実施形態では、第２転送電極３１Ｂｂは、実施形態１の場合と異なり、図７〜図９に示すように、四角パターン部３１ＢＫの他に、水平延在部３１ＢＨを含む形状で形成されている。
【０１４３】
具体的には、第２転送電極３１Ｂｂのうち、四角パターン部３１ＢＫは、図７，図９に示すように、水平方向ｘに並ぶ複数のフォトダイオード２１（画素Ｐ）の間に設けられている。四角パターン部３１ＢＫは、垂直方向ｙにおける中心が、右側部分に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓの垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。これと共に、四角パターン部３１ＢＫにおいて垂直方向ｙにおける中心は、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。
【０１４４】
第２転送電極３１Ｂｂのうち、水平延在部３１ＢＨは、図７，図９に示すように、四角パターン部３１ＢＫにおいて垂直方向ｙにおける中心から水平方向ｘに延在するように設けられている。水平延在部３１ＢＨの垂直方向ｙにおける中心は、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。これと共に、水平延在部３１ＢＨにおいて垂直方向ｙにおける中心は、左側部分に設けられたフォトダイオード２１の垂直方向ｙにおける中心に、水平方向ｘで対応している。第２転送電極３１Ｂｂの水平延在部３１ＢＨは、右側に設けられた第１転送電極３１Ａとの間にギャップが設けられており、連結されていない。
【０１４５】
このように、本実施形態では、読出し信号（ΦＲ）が印加されずに転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）が印加される第２転送電極３１Ｂｂは、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間に、水平延在部３１ＢＨが介在するように形成されている。
【０１４６】
［Ｂ．まとめ］
本実施形態では、実施形態１と同様に各部が形成されているため、実施形態１と同様に、「逆読出し」の発生を防止可能であって、撮像画像の画像品質を向上できる。
【０１４７】
しかし、実施形態１の場合においては、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間に設けられたチャネルストッパー領域２４Ｓに、読出し信号（ΦＲ）が印加されて、そのチャネルストッパー領域２４Ｓが反転する場合がある。このため、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間において、信号電荷の漏れが生じ、たとえば、混色などの不具合が生ずる場合がある。
【０１４８】
これに対して、本実施形態では、上述したように、読出し信号（ΦＲ）が印加されない第２転送電極３１Ｂｂは、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間に、水平延在部３１ＢＨが介在するように形成されている。このため、読出し信号（ΦＲ）が印加されたときに、チャネルストッパー領域２４Ｓが反転しないので、混色などの不具合の発生を抑制できる。
【０１４９】
したがって、本実施形態は、さらに、撮像画像の画像品質を向上可能である。
【０１５０】
＜３．実施形態３＞
［Ａ．装置構成など］
図１０〜図１２は、本発明にかかる実施形態３において、固体撮像装置の要部を示す図である。
【０１５１】
ここで、図１０は、上面を示す図である。図１１は、断面を示す図である。図１１において、（ａ）は、図１０のＸ１−Ｘ２部分の断面を示している。（ｂ）は、図１０のＹ１−Ｙ２部分の断面を示している。（ｃ）は、図１０のＹ３−Ｙ４部分の断面を示している。なお、各図においては、図示の都合で適宜縮尺を変更している。図１２は、図１０と同様に、上面を示す図であるが、図１０と異なり、説明の都合で、第１シャント配線４１Ａｃの図示を省略している。
【０１５２】
図１０〜図１２に示すように、本実施形態においては、シャント配線４１ｃが、実施形態１と異なる。この点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、記載の一部を省略する。
【０１５３】
シャント配線４１ｃは、実施形態１の場合と同様に、図１０〜図１２に示すように、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとを含む。
【０１５４】
図１０，図１２に示すように、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、垂直方向ｙに並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、水平方向ｘに延在する水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨを含む。また、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、垂直方向ｙに並ぶ複数の転送電極３１の上方において、垂直方向ｙに延在する垂直延在部４１ＡＶ，４１ＢＶを含む。
【０１５５】
第１シャント配線４１Ａｃは、図１０に示すように、実施形態１と同様に、水平延在部４１ＡＨと垂直延在部４１ＡＶとが、第２転送電極３１Ｂの上方で連結されている。そして、第１シャント配線４１Ａｃは、その第２転送電極３１Ｂに垂直方向ｙで隣接する第１転送電極３１Ａにコンタクトを介して電気的に接続されている。第１シャント配線４１Ａｃは、転送信号（ΦＶ１，ΦＶ３）の他に読出し信号（ΦＲ）を第１転送電極３１Ａへ印加する。
【０１５６】
第２シャント配線４１Ｂｃは、図１２に示すように、実施形態１と同様に、水平延在部４１ＢＨと垂直延在部４１ＢＶとが、第１転送電極３１Ａの上方で連結されている。そして、第２シャント配線４１Ｂｃは、その第１転送電極３１Ａに垂直方向ｙで隣接する第２転送電極３１Ｂにコンタクトを介して電気的に接続されている。そして、第２シャント配線４１Ｂは、転送信号（ΦＶ２，ΦＶ４）を第２転送電極３１Ｂへ印加し、読出し信号（ΦＲ）については、印加しない。
【０１５７】
本実施形態では、図１０〜図１２に示すように、実施形態１の場合と異なり、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとのそれぞれは、深さ方向ｚにおいて、互いが重なり合う部分を含むように積層されている。
【０１５８】
具体的には、図１０，図１２に示すように、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨの一部が、深さ方向ｚでオーバーラップするように設けられている。第１シャント配線４１Ａｃの水平延在部４１ＡＨと、第２シャント配線４１Ｂｃの水平延在部４１ＢＨとのそれぞれは、垂直方向ｙにおいて並ぶ複数のフォトダイオード２１の間において、互いにオーバーラップしている。
【０１５９】
ここでは、図１１に示すように、第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃは、絶縁膜ＺＭを介して、互いが積層するように設けられている。
【０１６０】
具体的には、図１１に示すように、第１転送電極３１Ａおよび第２転送電極３１Ｂを被覆する絶縁膜ＳＺの上面に、第２シャント配線４１Ｂｃが設けられている。第２シャント配線４１Ｂｃは、絶縁膜ＳＺを貫通するコンタクトによって、第２転送電極３１Ｂに電気的に接続されている。
【０１６１】
また、図１１に示すように、第２シャント配線４１Ｂｃを被覆するように、絶縁膜ＳＺの上面に、絶縁膜ＺＭが設けられている。絶縁膜ＺＭは、たとえば、シリコン酸化膜であって、表面を平坦化するように形成されている。そして、この絶縁膜ＺＭの上面に、第１シャント配線４１Ａｃが設けられている。第１シャント配線４１Ａｃは、この絶縁膜ＺＭ、および、その下層にある絶縁膜ＳＺの両者を貫通するコンタクトによって、第１転送電極３１Ａに電気的に接続されている。
【０１６２】
第１シャント配線４１Ａｃおよび第２シャント配線４１Ｂｃのそれぞれは、実施形態１の場合と同様に、たとえば、タングステン膜についてドライエッチング処理しパターン加工することで形成される。
【０１６３】
［Ｂ．まとめ］
本実施形態では、実施形態１と同様に各部が形成されているため、実施形態１と同様に、「逆読出し」の発生を防止可能であって、撮像画像の画像品質を向上できる。
【０１６４】
この他に、本実施形態では、実施形態１の場合と異なり、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとのそれぞれは、深さ方向ｚにおいて、互いが重なり合う部分を含むように積層されている。
【０１６５】
このため、本実施形態では、垂直方向ｙに並ぶフォトダイオード２１の間の領域において、第１シャント配線４１Ａｃと第２シャント配線４１Ｂｃとが占める領域を縮小化することができる。つまり、全体のシャント配線幅を細くすることができる。よって、受光面ＪＳへ光が入射する開口について、垂直方向ｙの幅を広げることができるので、感度を向上させることができる。
【０１６６】
したがって、本実施形態は、さらに、撮像画像の画像品質を向上可能である。
【０１６７】
＜４．その他＞
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
【０１６８】
たとえば、上記においては、水平方向に並ぶ転送電極の間をシャント配線で電気的に接続する場合について説明したが、これに限定されない。水平方向に並ぶ転送電極が互いに連結するようにパターン加工をして、互いに電気的に接続してもよい。また、４相の転送信号で垂直転送をする場合について説明したが、これに限定されず、他の転送方式で垂直転送する場合にも適用可能である。
【０１６９】
上記の実施形態においては、カメラに本発明を適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に、本発明を適用しても良い。
【０１７０】
その他、上記の各実施形態を、適宜、組み合わせても良い。
【０１７１】
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置１は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、半導体基板１１は、本発明の基板に相当する。また、上記の実施形態において、第１方向は、本発明の垂直方向ｙに相当する。また、上記の実施形態において、第２方向は、本発明の水平方向ｘに相当する。また、上記の実施形態において、画素部は、本発明の画素Ｐ，フォトダイオード２１に相当する。また、上記の実施形態において、転送部は、本発明の垂直転送レジスタ部ＶＴに相当する。また、上記の実施形態において、第１転送電極は、本発明の第１転送電極３１Ａに相当する。また、上記の実施形態において、第２転送電極は、本発明の第２転送電極３１Ｂに相当する。また、上記の実施形態において、素子分離部は、本発明の素子分離部ＳＢに相当する。また、上記の実施形態において、第１シャント配線は、本発明の第１シャント配線４１Ａ，４１Ａｃに相当する。また、上記の実施形態において、第２シャント配線は、本発明の第２シャント配線４１Ｂ，４１Ｂｃに相当する。また、上記の実施形態において、第１延在部は、本発明の垂直延在部４１ＡＶ，４１ＢＶに相当する。また、上記の実施形態において、第２延在部は、本発明の水平延在部４１ＡＨ，４１ＢＨに相当する。また、上記の実施形態において、延在部は、水平延在部３１ＢＨに相当する。
【符号の説明】
【０１７２】
１：固体撮像装置、１１：半導体基板、２１：フォトダイオード、２２Ｒ：電荷読出しチャネル領域、２３Ｖ：垂直転送チャネル領域、２４Ｓ：チャネルストッパー領域、３１：転送電極、３１Ａ：第１転送電極、３１Ｂ，３１Ｂｂ：第２転送電極、３１ＢＨ：水平延在部、３１ＢＫ：四角パターン部、４０：カメラ、４１，４１ｃ：シャント配線、４１Ａ，４１Ａｃ：第１シャント配線、４１Ｂ，４１Ｂｃ：第２シャント配線、４２：光学系、４３：制御部、４４：信号処理回路、３１２：絶縁膜、Ｈ：入射光、ＨＴ：水平転送レジスタ部、ＪＳ：受光面、ＯＵＴ：出力部、Ｐ：画素、ＰＡ：撮像領域、ＰＳ：撮像面、ＲＯ：電荷読出し部、ＳＢ：素子分離部、ＳＺ，ＺＭ：絶縁膜、ＶＴ：垂直転送レジスタ部、ｘ：水平方向、ｙ：垂直方向、ｚ：深さ方向
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、
前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部と
を備え、
前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記転送部は、
前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、
前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極と
を含み、
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる、
固体撮像装置。
【請求項２】
前記基板の面において前記第１方向と前記第２方向とのそれぞれに並ぶ前記複数の画素部の間を分離するように設けられた素子分離部
を有し、
前記第１転送電極と、前記素子分離部のうち当該第１転送電極に対して前記信号電荷を読み出す方向で隣接する複数の画素部の間に設けられた部分とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が、前記第２方向に沿って並んでいる、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数の画素部は、前記第２方向で隣接するものの間が、前記第１方向に並ぶ半分のピッチ分、シフトした位置になるように配置されている、
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素部において前記第１方向の中心に位置する中心部は、前記第２方向において信号電荷が読み出される方向に、前記第１転送電極が配置され、前記第２方向のうち前記読出し方向とは反対の方向に、前記第２転送電極が配置されている、
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、前記基板の面において四角形状に形成されている、
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、互いに同一の層で形成されている、
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第２方向に並ぶ複数の第１転送電極のそれぞれに電気的に接続された第１シャント配線と、
前記第２方向に並ぶ複数の第２転送電極のそれぞれに電気的に接続された第２シャント配線と
を含み、前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、前記第１方向において複数設けられており、
前記第１シャント配線を通じて前記第１転送電極に前記読出しパルスを供給した後に、
前記第１転送電極と前記第２転送電極への転送パルスの供給を、前記第１シャント配線と前記第２シャント配線を通じて行う、
請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、
前記第１方向に並ぶ前記第１転送電極および前記第２転送電極の上方において、前記第１方向に延在する第１延在部と、
前記第１方向に並ぶ複数の画素部の間にて、前記第２方向に延在する第２延在部と
を含み、
前記第１シャント配線は、前記第１延在部の一端部が前記第２転送電極の上方で前記第２延在部と連結され、前記第１延在部の他端部が前記第１転送電極と電気的に接続しており、
前記第２シャント配線は、前記第１延在部の一端部が前記第１転送電極の上方で前記第２延在部と連結され、前記第１延在部の他端部が前記第２転送電極と電気的に接続している、
請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、前記第１方向に交互に繰り返し並んでいる、
請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、前記基板の面の深さ方向において重なって積層される部分を含むように設けられている、
請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２転送電極は、
前記第２方向に並ぶ前記複数の画素部の間に四角パターン部が設けられていると共に、前記四角パターン部から第２方向に延在する延在部が、前記第１方向に並ぶ前記複数の画素部の間に介在するように設けられている、
請求項１から１０のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
光を受光し信号電荷を生成する複数の画素部を、基板の面において第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設ける、画素部形成工程と、
前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部を前記基板の面に設ける、転送部形成工程と
を有し、
前記画素部形成工程においては、前記複数の画素部のそれぞれについて、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向でシフトした位置になるように、前記複数の画素部を形成し、
前記転送部形成工程においては、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とのそれぞれについて、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並び、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置に配置されると共に、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれについて、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並ぶように、前記転送電極を形成する、
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、
前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部と
を備え、
前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記転送部は、
前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、
前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極と
を含み、
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる、
電子機器。
【請求項１】
基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、
前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部と
を備え、
前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記転送部は、
前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、
前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極と
を含み、
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる、
固体撮像装置。
【請求項２】
前記基板の面において前記第１方向と前記第２方向とのそれぞれに並ぶ前記複数の画素部の間を分離するように設けられた素子分離部
を有し、
前記第１転送電極と、前記素子分離部のうち当該第１転送電極に対して前記信号電荷を読み出す方向で隣接する複数の画素部の間に設けられた部分とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が、前記第２方向に沿って並んでいる、
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数の画素部は、前記第２方向で隣接するものの間が、前記第１方向に並ぶ半分のピッチ分、シフトした位置になるように配置されている、
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素部において前記第１方向の中心に位置する中心部は、前記第２方向において信号電荷が読み出される方向に、前記第１転送電極が配置され、前記第２方向のうち前記読出し方向とは反対の方向に、前記第２転送電極が配置されている、
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、前記基板の面において四角形状に形成されている、
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、互いに同一の層で形成されている、
請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第２方向に並ぶ複数の第１転送電極のそれぞれに電気的に接続された第１シャント配線と、
前記第２方向に並ぶ複数の第２転送電極のそれぞれに電気的に接続された第２シャント配線と
を含み、前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、前記第１方向において複数設けられており、
前記第１シャント配線を通じて前記第１転送電極に前記読出しパルスを供給した後に、
前記第１転送電極と前記第２転送電極への転送パルスの供給を、前記第１シャント配線と前記第２シャント配線を通じて行う、
請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、
前記第１方向に並ぶ前記第１転送電極および前記第２転送電極の上方において、前記第１方向に延在する第１延在部と、
前記第１方向に並ぶ複数の画素部の間にて、前記第２方向に延在する第２延在部と
を含み、
前記第１シャント配線は、前記第１延在部の一端部が前記第２転送電極の上方で前記第２延在部と連結され、前記第１延在部の他端部が前記第１転送電極と電気的に接続しており、
前記第２シャント配線は、前記第１延在部の一端部が前記第１転送電極の上方で前記第２延在部と連結され、前記第１延在部の他端部が前記第２転送電極と電気的に接続している、
請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、前記第１方向に交互に繰り返し並んでいる、
請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１シャント配線と前記第２シャント配線とのそれぞれは、前記基板の面の深さ方向において重なって積層される部分を含むように設けられている、
請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２転送電極は、
前記第２方向に並ぶ前記複数の画素部の間に四角パターン部が設けられていると共に、前記四角パターン部から第２方向に延在する延在部が、前記第１方向に並ぶ前記複数の画素部の間に介在するように設けられている、
請求項１から１０のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
光を受光し信号電荷を生成する複数の画素部を、基板の面において第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設ける、画素部形成工程と、
前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部を前記基板の面に設ける、転送部形成工程と
を有し、
前記画素部形成工程においては、前記複数の画素部のそれぞれについて、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向でシフトした位置になるように、前記複数の画素部を形成し、
前記転送部形成工程においては、前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極とのそれぞれについて、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並び、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置に配置されると共に、前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれについて、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並ぶように、前記転送電極を形成する、
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の面において複数が第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とのそれぞれに一定のピッチで間を隔てて設けられており、光を受光し信号電荷を生成する画素部と、
前記基板の面において前記第１方向に並ぶ複数の画素部のそれぞれから前記信号電荷を前記第２方向へ読み出し、当該読み出した信号電荷を前記第１方向へ順次転送する複数の転送部と
を備え、
前記複数の画素部のそれぞれは、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記転送部は、
前記信号電荷を読み出す読出し信号および当該読み出した信号電荷を転送する転送信号が印加される第１転送電極と、
前記読出し信号が印加されずに前記転送信号が印加される第２転送電極と
を含み、
前記第１転送電極と前記第２転送電極とのそれぞれは、複数が前記第１方向において交互に繰り返し並ぶと共に、前記第２方向で隣接するものが、前記第１方向においてシフトした位置になるように配置されており、
前記画素部と前記第１転送電極とのそれぞれは、前記第１方向における中心部が前記第２方向に沿って並んでいる、
電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−６４８５１（Ｐ２０１２−６４８５１Ａ）
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０９２００（Ｐ２０１０−２０９２００）
【出願日】平成２２年９月１７日（２０１０．９．１７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１７日（２０１０．９．１７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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