基板を処理する方法および装置
基板を処理する方法及び装置において、レジスト層は基板からプロセス溶液をスプレーすることによって剥離される。基板には、先ず、主剥離モジュールにおいてプロセス溶液がスプレーされ、その後、副剥離モジュールにおいてスプレーされ、プロセス溶液は主剥離モジュールと副剥離モジュールの下の容器に集められる。少なくとも一つの容器は個々のモジュールに設けられる。プロセス溶液が主剥離モジュール内の二つの容器に集められ、先ず、壁によって第１の容器と分離した第２の容器へ直接に送られる。壁はプロセス溶液の液面より低い領域で液体が通過可能に形成されている。泡のないプロセス溶液は第１の容器から回収され、プロセス溶液は循環して再び基板を濡らすプロセスに戻る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する方法、特に、光起電力モジュールの生産方法、及びこの方法を実施するのに適する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光起電力技術において、特に、ＰＣＢ技術において、レジスト層はプロセス溶液によって対応する基板から除去される。これは、クリーニング中に接触するレジスト又は他の物質と組み合わされた泡を生じるプロセス溶液を使用することを含んでいる。このようなレジストは、蝋状のホットメルト又は熱インク又は高分子又はインクであり、印刷又はフォトリソグラフィ技術又はスクリーン印刷に適用される。泡生成は、プロセス溶液がもはや全く使用されないときでさえ、ある条件によっては、プロセスの中断又は装置の故障をもたらす。泡は、プロセス溶液が再循環し、基板上にスプレーされる場合に、プロセス室からタンク又は容器に戻る時に発生する。
【０００３】
泡防止剤が泡を減らす添加剤として使用される。しかし、廃棄ウェーハの有機体炭素（ＴＯＣ）の量と化学的酸素要求量とが増加し、廃棄ウェーハの放出値が大きくなるため、費用及び環境保護の理由に関し、反対する見解が多くある。従って、これは、有機基板に対する水の負荷があまりに高いことを意味する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、最初に述べた方法の問題点に関し、この従来の問題を回避することができる装置、特に、基板からレジスト層を除去するときにプロセス溶液中の泡生成が最小化される装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この問題は、請求項１の特徴を有する方法及び請求項７の特徴を有する装置によって解決される。本発明の有利かつ好ましい実施形態は、他の請求項に記載され、以下で詳細に説明する。以下に示した特徴は、単に、方法又は装置について説明している。しかし、これとは無関係に、方法及び装置の両方に適用することもできる。請求項の用語は、明示された記載内容に基づいている。
【０００６】
本発明によれば、先ず、基板が主剥離モジュール内でプロセス溶液で濡らされ、それから、副剥離モジュール内でプロセス溶液で濡らされる。なお、副剥離モジュールなしで行うことも可能である。プロセス溶液は、モジュールの下の容器又は少なくとも主剥離モジュールの下の容器に集まる。この場合、少なくとも一つの容器は、副剥離モジュールに提供され、少なくとも二つの容器が主剥離モジュールに提供される。プロセス溶液は、主剥離モジュールから第２の容器に直接に供給され、特に、管によって、少なくとも一度曲げられる。第２の容器は、第１の容器と第２の容器との間にある壁であって、プロセス溶液の水面の下にある隙間、孔、切欠きなどにより液体通過可能な壁によって、主剥離モジュールの第１の容器から実質的に分離される。特に、液体の通過部は、容器内の出来るだけ下に備わる。二つの容器は、この場合、壁を大きな容器に挿入することによって、すなわち、大きな容器を分離することによって形成される。隙間などは、壁の下側領域又は底まで挿入されていない壁に設けられている。プロセス溶液は、第１の容器から回収され、特に、ポンプによって汲み上げられ、基板を濡らすプロセスに戻る。
【０００７】
従って、主剥離モジュールにおいて、プロセス溶液は第２の容器に集まり、泡はその面上で生成され、又は泡は面まで上昇する。第１の容器まで液体を運ぶ接続の結果として、第１の容器は同様にプロセス溶液で満たされるが、泡は生じない。結果として、泡を生じないプロセス溶液は、再び基板にスプレーされたり基板を漬けたりするために回収される。
【０００８】
主剥離モジュールにプロセス溶液を集めるため、ある条件下において副剥離モジュールにプロセス溶液を集めるため、ある種の受け皿などは回収受け皿として備わり、回収受け皿は管又は他の管が容器に導く最も低い位置にある。このような戻り管は、泡生成を減らし、又は曲がっている形状の結果として、可能な限り再び泡を破壊する。
【０００９】
本発明の更なる改良において、第２の容器内でプロセス溶液の表面上にある泡が容器の側壁を移動し、すなわち、並んで配置された分離された泡受け皿に移動する。これは種々の方法、たとえば、圧縮空気をスプレーすること又はプロセス溶液をスプレーすることによる機械的なすべりで実施される。スプレーは、泡が機械的に動かされるだけでなく、部分的に破壊されるため、特に好ましい。この泡受け皿において、再び同じように表面で泡を有するプロセス溶液になり、プロセス溶液は回収され、好ましくは第１容器に戻り、特に好ましくは汲み上げることによって再び戻る。他の方法として、廃液排出管又は廃液処理において、分岐を設けることもできる。
【００１０】
第２の容器から泡受け皿への泡の移動の制御を改善するために、すなわち、泡が第２の容器の側壁から移動するとき、一種の高さ調節可能な堰又は一種の隔壁帯が設けられる。これは、プロセス溶液の液面の高さに又は少し高く位置するように、それぞれが高さ調節可能である。これは、泡のみが側壁を越えてオーバーフローする効果が得られ、プロセス溶液はオーバーフローしない。
【００１１】
本発明の更なる改良において、泡は、スプレーすること、特に、再度プロセス溶液でスプレーすることによって、泡受け皿の中で破壊され取り除かれる。
【００１２】
一方を他方の後方に配置した複数のノズル装置又はスプレー装置は、繰り返し泡を破壊し、それを動かすように、泡の受け皿の方に向かう泡の移動方向に設けられる。個々の装置は、プロセス溶液を移動させたりプロセス溶液に変化させたりする非常に大きな圧力で動作する必要はない。
【００１３】
上述した戻り管は、第２の容器内でプロセス溶液の表面の下で終わるように形成することが好ましい。これは、第２の容器に送る間、泡生成を減少させる。
【００１４】
副剥離モジュールは、主剥離モジュールと同様に構成でき、例えば、同じ長さにし、また、使用されるプロセス溶液の第１の容器と第２の容器を有することも可能である。副剥離モジュールは、より短くより簡単に構成することが好ましく、一つの容器のみを有する。これに関し、副剥離モジュールで使用されるプロセス溶液は、主剥離モジュールと同様の方法で回収することが好ましく、そして、容器に供給される。上述した戻り管は副剥離モジュールに設けられる。一つの容器のみを有する副剥離モジュールの簡易な構成により、プロセス溶液がそこから主剥離モジュールの容器の一つへ戻ることが可能になる。この目的のため、液が通過可能な壁、又は隙間などを有する壁が設けられる。複数の容器は、副剥離モジュールに連続して設けられ、プロセス溶液を運ぶ。出来るだけ泡を生成しないようにプロセス溶液を運ぶ。
【００１５】
主剥離モジュールと副剥離モジュールの両方において、プロセス溶液を用いるスプレー装置などは、一つの容器、すなわち主剥離モジュールの第１の容器から供給される。泡生成の回避は、この容器内のプロセス溶液全体に集中することを可能にする。
【００１６】
上述した特徴及び他の特徴は、請求項からだけでなく明細書や図面からも導き出され、個々の特徴は、個々の場合において認識され、又は本発明の実施形態及び他の分野における組み合わせの形態で認識され、保護が請求される有利で本質的な実施形態を構成する。個々の節や副題を設けて本願を分割することは、以下の説明の有効性を制限するものではない。
本発明の実施形態は、図面に示され、以下で詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による基板を処理する装置を示す側面図である。
【図２】図１の主剥離モジュール及び副剥離モジュールを拡大して示す作用説明図である。
【図３】図２による主剥離モジュールを基板が流れる方向で見た図である。
【図４】主剥離モジュールを上から見た図３に対応する上面図である。
【図５】他の主剥離モジュールにおいて基板用のスプレー管に代えて浸漬浴槽を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、基板１３を処理する本発明による装置１１を示す。基板１３は、光起電力モジュールの太陽電池である。装置１１は、周知であるように、それ自体がエッチングモジュール１７に隣接する入口モジュール１５を有する。基板１３の構造は、詳細に説明する必要がない周知の方法でエッチングによって作られる。エッチングモジュール１７に続き、周知の洗いモジュール１９がある。
【００１９】
洗いモジュール１９は、副剥離モジュール２３が続く主剥離モジュール２１に隣接する。次に、第２の洗いモジュール２５、乾燥モジュール２７、出口モジュール２９が続く。従って、基板１３は、それ自体周知の方法で、左から右へ流れて処理される。
【００２０】
主剥離モジュール２１は、基板１３又はその走行経路の上側に上部スプレー管３１ａを有し、その下側に、下部スプレー管３１ｂを有する。これらは、個々にプロセス溶液３３を基板１３スプレーするが、代わりに、一側からのみスプレーすることもできる。上述したように、基板１３は、スプレーされたプロセス溶液３３によってレジストが剥がれる。基板１３の下には、容器３２があり、そこにプロセス溶液３３が最終的に集まる。プロセス溶液３３の表面には泡３４があり、可能な限り、以下で説明する方法で泡が取り除かれる。ポンプ３６によって、プロセス溶液３３は容器３２の外へ汲み上げられ、基板１３からレジスト層を剥離するためにスプレー管３１ａ，３１ｂに再び供給される。
【００２１】
副剥離モジュールにおいて、基板１３用の上部スプレー管３８ａと下部スプレー管３８ｂがある。これらのパイプは基板１３からレジスト層の残りを剥離する目的を有する。副剥離モジュール２３における基板１３の下側の容器３９にはほとんど泡が生成されず、プロセス溶液３３のみがそこに収容されている。カスケード管４０によって、実質的に泡がないプロセス溶液が主剥離モジュール２１に沿って容器３２に供給される。更に、スプレー管３８ａ，３８ｂには、ポンプ４２によってプロセス容器３３が供給される。
【００２２】
図２の詳細図において、基板１３又は走行経路の下に、回収受け皿４４がある。この回収受け皿４４は、スプレー管３１ａ，３１ｂから排出されたプロセス溶液３３の全てを集めて、戻り管４６によって容器３２へ、正確には右側にある第２のタンク容器４９に送る。図示するように、戻り管４６は一つ以上曲がっており、泡が無いか又は少ない第２のタンク容器４９に運ぶプロセス溶液を送るように形成されている。戻り管４６の一端はプロセス溶液３３の液位の近くのいずれかの端にある。または、多くの場合、泡を減らすためにより深い端部に位置するようにすることもできる。
【００２３】
第２のタンク容器４９のプロセス溶液３３の表面では、基板１３から剥離されたレジストによって泡が増加するため、認識できる程度の泡３４がある。容器３２において、第１のタンク容器４８が分離壁５１によって形成されている。これは、容器３２内に分離壁５１を挿入することによって簡単に行われる。この場合、開口５２は分離壁５１の下部領域に設けられる。例えば、分離壁５１を底まで完全に延ばさないようにすることによって、開口５２が設けられる。または、開口又は隙間は分離壁５１に設けられる。結果として、第１のタンク容器４８と第２のタンク容器４９は、互いに接続して液体が流れる。プロセス溶液３３だけ、すなわち、泡のない状態で、溶液の交換が下部領域の開口５２を通して行われる。これは、プロセス溶液３３のみ、又は僅かな泡を有する溶液が第１のタンク容器４８に実際に収容されるという効果をもたらす。
【００２４】
拡大して示されている副剥離モジュールも、同様に、簡単な方法で容器３９にプロセス溶液３３を送る回収受け皿５５を備える。レジストの一部はプロセス溶液にめったに含まれないか、又は全く含まれないため、泡生成は確実に減少する。また、戻り管４６は主剥離モジュール２１と同じように備えてもよい。容器３９内のプロセス溶液３３は泡を含んでいないことがわかる。
【００２５】
更に、カスケード管４０が、泡やレジストがない使用可能なプロセス溶液３３を容器３２に送るために、すなわち、プロセス溶液をリフレッシュするように、設けられている。このようなカスケード管４０は、戻り管４６と同様に、泡を減らすために設けられている。カスケード管４０は、第１のタンク容器４８又は、図示するように第２のタンク容器４９のどちらかに導出している。
【００２６】
図３において、基板が流れる方向で主剥離モジュールを切断した断面が示されている。第２のタンク容器４９に生成した泡３４が、処理され、又は移動することが認識される。このため、第２のタンク容器４９に沿う泡受け皿５９がある。泡受け皿５９は右側にあり、側壁５０によって分離されている。泡３４は、泡受け皿に導かれて破壊され、プロセス溶液が再び使用できるようにする。可能な限り、泡３４のみが右側に運ばれ、プロセス溶液３３は第２のタンク容器４９から出ないように、高さ調節隔壁帯５７が設けられている。隔壁帯５７は、第２のタンク容器４９内の汚れていないプロセス溶液３３の表面位置に対応する高さまで移動できる。泡３４のみが、隔壁帯５７を超えて右側に移動し、泡受け皿５９に入る。
【００２７】
泡３４の移動のため、パイプ状の長い泡ノズル６１ａが、第２のタンク容器４９の上の左端でスプレー装置として備わり、側壁５０又は隔壁帯５７の近傍で泡ノズル６１ｂが備わっている。これらのノズルは、泡を移動させたり、泡を破壊するものであるため、泡ノズルと呼ばれる。しかしながら、これらのノズルは泡を生成するものではない。また、これらのノズルは、丸い開口又は長い開口、例えばスリット状の開口を有する。複数又は多数のノズルは、パイプ状及び細く長い形状と言われるパイプに設けられる。
【００２８】
これらの泡ノズルは全て右側の斜め下方、すなわち一方向を向き、泡ノズル６１ａは浅い角度である。これらのノズルは、プロセス溶液を高圧で微細なミストとして噴射し、第２のタンク容器４９内のプロセス溶液３３の表面から右側の泡受け皿５９の中へ泡３４を動かし、泡を破壊し減少させる。
【００２９】
泡受け皿５９の上には、第３の泡ノズル６１ｃがあり、それがプロセス溶液３３を噴射する方向は左側の斜め下向き、より詳細には、泡受け皿５９にある泡３４の表面に向かう方向である。これは泡３４を移動させないが、泡３４を破壊し、再び汚れていないプロセス溶液３３を生成する。プロセス溶液３３は、その状態又はレジスト含有量に応じて、排出管６２及び排液ポンプ６３によって泡受け皿５９から回収され、排水処理が行われたり、循環する。
【００３０】
第２のタンク容器４９に沿って左側に、第１のタンク容器４８の第１のタンク補助容器４８’がある。第１のタンク補助容器４８’は、下部領域に設けられた開口５２’を有する分離壁５０’によって分離され、スプレー管３１ａ，３１ｂに供給する上述したポンプ３６を有している。
【００３１】
図４の上面図において、第１のタンク容器４８及び第２のタンク容器４９のプロセス溶液３３の表面上の泡３４が、泡ノズル６１ａ，６１ｂによって下方の泡受け皿５９の方にどのようにして移動するかが示されている。第１のタンク容器４８と第２のタンク容器４９との間の分離壁５１が示されている。左側において、分離壁５１’によって第１のタンク容器４８から分離された上述した第１のタンク補助容器４８’がある。側壁５０は、互いに沿っている第１のタンク容器４８及び第２のタンク容器４９の全幅に亘って延びており、泡受け皿５９も同様である。泡ノズル６１ａ，６１ｂ，６１ｃも同様である。
【００３２】
図５には、図２の変形例である主剥離モジュール２１’が示されている。プロセス溶液３３を有する容器３２’と戻り管４６’は図２の構成に対応する。ここでの変形例は、基板１３がローラ搬送通路によって大気中を自由に搬送されず、複数のスプレー管３１によってスプレーされず、浸漬浴槽４５’中を通るというものである。この場合、基板の上下にあるサージ管６５ａ，６５ｂが、浸漬中でさえプロセス溶液３３を混合する目的を有し、結果として処理の効果を高める。上部サージ管６５ａは、プロセス溶液３３に浸漬されても、部分的に浸漬されてもどちらでも良く、スプレー機能を実施することが可能である。サージ管６５ａ，６５ｂは、液容器３２’のポンプ３６’によって供給される。
【００３３】
図５は、浸漬浴槽の概念が右側の副剥離モジュールにも認識されることが示されているが、必ずしも浸漬浴槽は必要ではない。従って、詳細な説明はここではなされない。スプレーする代わりに浸漬浴槽で基板を処理することは、概念として知られている。これに関して、技術的な実施は当業者にとって難しくない。有利な効果は、泡が主剥離モジュールの室内でほとんど生成されないということである。また、本発明の技術的な組み合わせも可能である。
【００３４】
本発明は、基板がスプレーされたり、処理浴槽や浸漬浴槽に浸漬されたりする個々のプロセス室又はプロセスモジュールに適用されることが示されている。しかしながら、濡らすことは浸漬せずに表面領域内で行うことができるため、定常波を有する浴槽においても適用することもできる。本発明の有利な適用は超音波との組み合わせで得ることができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する方法、特に、光起電力モジュールの生産方法、及びこの方法を実施するのに適する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光起電力技術において、特に、ＰＣＢ技術において、レジスト層はプロセス溶液によって対応する基板から除去される。これは、クリーニング中に接触するレジスト又は他の物質と組み合わされた泡を生じるプロセス溶液を使用することを含んでいる。このようなレジストは、蝋状のホットメルト又は熱インク又は高分子又はインクであり、印刷又はフォトリソグラフィ技術又はスクリーン印刷に適用される。泡生成は、プロセス溶液がもはや全く使用されないときでさえ、ある条件によっては、プロセスの中断又は装置の故障をもたらす。泡は、プロセス溶液が再循環し、基板上にスプレーされる場合に、プロセス室からタンク又は容器に戻る時に発生する。
【０００３】
泡防止剤が泡を減らす添加剤として使用される。しかし、廃棄ウェーハの有機体炭素（ＴＯＣ）の量と化学的酸素要求量とが増加し、廃棄ウェーハの放出値が大きくなるため、費用及び環境保護の理由に関し、反対する見解が多くある。従って、これは、有機基板に対する水の負荷があまりに高いことを意味する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、最初に述べた方法の問題点に関し、この従来の問題を回避することができる装置、特に、基板からレジスト層を除去するときにプロセス溶液中の泡生成が最小化される装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この問題は、請求項１の特徴を有する方法及び請求項７の特徴を有する装置によって解決される。本発明の有利かつ好ましい実施形態は、他の請求項に記載され、以下で詳細に説明する。以下に示した特徴は、単に、方法又は装置について説明している。しかし、これとは無関係に、方法及び装置の両方に適用することもできる。請求項の用語は、明示された記載内容に基づいている。
【０００６】
本発明によれば、先ず、基板が主剥離モジュール内でプロセス溶液で濡らされ、それから、副剥離モジュール内でプロセス溶液で濡らされる。なお、副剥離モジュールなしで行うことも可能である。プロセス溶液は、モジュールの下の容器又は少なくとも主剥離モジュールの下の容器に集まる。この場合、少なくとも一つの容器は、副剥離モジュールに提供され、少なくとも二つの容器が主剥離モジュールに提供される。プロセス溶液は、主剥離モジュールから第２の容器に直接に供給され、特に、管によって、少なくとも一度曲げられる。第２の容器は、第１の容器と第２の容器との間にある壁であって、プロセス溶液の水面の下にある隙間、孔、切欠きなどにより液体通過可能な壁によって、主剥離モジュールの第１の容器から実質的に分離される。特に、液体の通過部は、容器内の出来るだけ下に備わる。二つの容器は、この場合、壁を大きな容器に挿入することによって、すなわち、大きな容器を分離することによって形成される。隙間などは、壁の下側領域又は底まで挿入されていない壁に設けられている。プロセス溶液は、第１の容器から回収され、特に、ポンプによって汲み上げられ、基板を濡らすプロセスに戻る。
【０００７】
従って、主剥離モジュールにおいて、プロセス溶液は第２の容器に集まり、泡はその面上で生成され、又は泡は面まで上昇する。第１の容器まで液体を運ぶ接続の結果として、第１の容器は同様にプロセス溶液で満たされるが、泡は生じない。結果として、泡を生じないプロセス溶液は、再び基板にスプレーされたり基板を漬けたりするために回収される。
【０００８】
主剥離モジュールにプロセス溶液を集めるため、ある条件下において副剥離モジュールにプロセス溶液を集めるため、ある種の受け皿などは回収受け皿として備わり、回収受け皿は管又は他の管が容器に導く最も低い位置にある。このような戻り管は、泡生成を減らし、又は曲がっている形状の結果として、可能な限り再び泡を破壊する。
【０００９】
本発明の更なる改良において、第２の容器内でプロセス溶液の表面上にある泡が容器の側壁を移動し、すなわち、並んで配置された分離された泡受け皿に移動する。これは種々の方法、たとえば、圧縮空気をスプレーすること又はプロセス溶液をスプレーすることによる機械的なすべりで実施される。スプレーは、泡が機械的に動かされるだけでなく、部分的に破壊されるため、特に好ましい。この泡受け皿において、再び同じように表面で泡を有するプロセス溶液になり、プロセス溶液は回収され、好ましくは第１容器に戻り、特に好ましくは汲み上げることによって再び戻る。他の方法として、廃液排出管又は廃液処理において、分岐を設けることもできる。
【００１０】
第２の容器から泡受け皿への泡の移動の制御を改善するために、すなわち、泡が第２の容器の側壁から移動するとき、一種の高さ調節可能な堰又は一種の隔壁帯が設けられる。これは、プロセス溶液の液面の高さに又は少し高く位置するように、それぞれが高さ調節可能である。これは、泡のみが側壁を越えてオーバーフローする効果が得られ、プロセス溶液はオーバーフローしない。
【００１１】
本発明の更なる改良において、泡は、スプレーすること、特に、再度プロセス溶液でスプレーすることによって、泡受け皿の中で破壊され取り除かれる。
【００１２】
一方を他方の後方に配置した複数のノズル装置又はスプレー装置は、繰り返し泡を破壊し、それを動かすように、泡の受け皿の方に向かう泡の移動方向に設けられる。個々の装置は、プロセス溶液を移動させたりプロセス溶液に変化させたりする非常に大きな圧力で動作する必要はない。
【００１３】
上述した戻り管は、第２の容器内でプロセス溶液の表面の下で終わるように形成することが好ましい。これは、第２の容器に送る間、泡生成を減少させる。
【００１４】
副剥離モジュールは、主剥離モジュールと同様に構成でき、例えば、同じ長さにし、また、使用されるプロセス溶液の第１の容器と第２の容器を有することも可能である。副剥離モジュールは、より短くより簡単に構成することが好ましく、一つの容器のみを有する。これに関し、副剥離モジュールで使用されるプロセス溶液は、主剥離モジュールと同様の方法で回収することが好ましく、そして、容器に供給される。上述した戻り管は副剥離モジュールに設けられる。一つの容器のみを有する副剥離モジュールの簡易な構成により、プロセス溶液がそこから主剥離モジュールの容器の一つへ戻ることが可能になる。この目的のため、液が通過可能な壁、又は隙間などを有する壁が設けられる。複数の容器は、副剥離モジュールに連続して設けられ、プロセス溶液を運ぶ。出来るだけ泡を生成しないようにプロセス溶液を運ぶ。
【００１５】
主剥離モジュールと副剥離モジュールの両方において、プロセス溶液を用いるスプレー装置などは、一つの容器、すなわち主剥離モジュールの第１の容器から供給される。泡生成の回避は、この容器内のプロセス溶液全体に集中することを可能にする。
【００１６】
上述した特徴及び他の特徴は、請求項からだけでなく明細書や図面からも導き出され、個々の特徴は、個々の場合において認識され、又は本発明の実施形態及び他の分野における組み合わせの形態で認識され、保護が請求される有利で本質的な実施形態を構成する。個々の節や副題を設けて本願を分割することは、以下の説明の有効性を制限するものではない。
本発明の実施形態は、図面に示され、以下で詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による基板を処理する装置を示す側面図である。
【図２】図１の主剥離モジュール及び副剥離モジュールを拡大して示す作用説明図である。
【図３】図２による主剥離モジュールを基板が流れる方向で見た図である。
【図４】主剥離モジュールを上から見た図３に対応する上面図である。
【図５】他の主剥離モジュールにおいて基板用のスプレー管に代えて浸漬浴槽を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、基板１３を処理する本発明による装置１１を示す。基板１３は、光起電力モジュールの太陽電池である。装置１１は、周知であるように、それ自体がエッチングモジュール１７に隣接する入口モジュール１５を有する。基板１３の構造は、詳細に説明する必要がない周知の方法でエッチングによって作られる。エッチングモジュール１７に続き、周知の洗いモジュール１９がある。
【００１９】
洗いモジュール１９は、副剥離モジュール２３が続く主剥離モジュール２１に隣接する。次に、第２の洗いモジュール２５、乾燥モジュール２７、出口モジュール２９が続く。従って、基板１３は、それ自体周知の方法で、左から右へ流れて処理される。
【００２０】
主剥離モジュール２１は、基板１３又はその走行経路の上側に上部スプレー管３１ａを有し、その下側に、下部スプレー管３１ｂを有する。これらは、個々にプロセス溶液３３を基板１３スプレーするが、代わりに、一側からのみスプレーすることもできる。上述したように、基板１３は、スプレーされたプロセス溶液３３によってレジストが剥がれる。基板１３の下には、容器３２があり、そこにプロセス溶液３３が最終的に集まる。プロセス溶液３３の表面には泡３４があり、可能な限り、以下で説明する方法で泡が取り除かれる。ポンプ３６によって、プロセス溶液３３は容器３２の外へ汲み上げられ、基板１３からレジスト層を剥離するためにスプレー管３１ａ，３１ｂに再び供給される。
【００２１】
副剥離モジュールにおいて、基板１３用の上部スプレー管３８ａと下部スプレー管３８ｂがある。これらのパイプは基板１３からレジスト層の残りを剥離する目的を有する。副剥離モジュール２３における基板１３の下側の容器３９にはほとんど泡が生成されず、プロセス溶液３３のみがそこに収容されている。カスケード管４０によって、実質的に泡がないプロセス溶液が主剥離モジュール２１に沿って容器３２に供給される。更に、スプレー管３８ａ，３８ｂには、ポンプ４２によってプロセス容器３３が供給される。
【００２２】
図２の詳細図において、基板１３又は走行経路の下に、回収受け皿４４がある。この回収受け皿４４は、スプレー管３１ａ，３１ｂから排出されたプロセス溶液３３の全てを集めて、戻り管４６によって容器３２へ、正確には右側にある第２のタンク容器４９に送る。図示するように、戻り管４６は一つ以上曲がっており、泡が無いか又は少ない第２のタンク容器４９に運ぶプロセス溶液を送るように形成されている。戻り管４６の一端はプロセス溶液３３の液位の近くのいずれかの端にある。または、多くの場合、泡を減らすためにより深い端部に位置するようにすることもできる。
【００２３】
第２のタンク容器４９のプロセス溶液３３の表面では、基板１３から剥離されたレジストによって泡が増加するため、認識できる程度の泡３４がある。容器３２において、第１のタンク容器４８が分離壁５１によって形成されている。これは、容器３２内に分離壁５１を挿入することによって簡単に行われる。この場合、開口５２は分離壁５１の下部領域に設けられる。例えば、分離壁５１を底まで完全に延ばさないようにすることによって、開口５２が設けられる。または、開口又は隙間は分離壁５１に設けられる。結果として、第１のタンク容器４８と第２のタンク容器４９は、互いに接続して液体が流れる。プロセス溶液３３だけ、すなわち、泡のない状態で、溶液の交換が下部領域の開口５２を通して行われる。これは、プロセス溶液３３のみ、又は僅かな泡を有する溶液が第１のタンク容器４８に実際に収容されるという効果をもたらす。
【００２４】
拡大して示されている副剥離モジュールも、同様に、簡単な方法で容器３９にプロセス溶液３３を送る回収受け皿５５を備える。レジストの一部はプロセス溶液にめったに含まれないか、又は全く含まれないため、泡生成は確実に減少する。また、戻り管４６は主剥離モジュール２１と同じように備えてもよい。容器３９内のプロセス溶液３３は泡を含んでいないことがわかる。
【００２５】
更に、カスケード管４０が、泡やレジストがない使用可能なプロセス溶液３３を容器３２に送るために、すなわち、プロセス溶液をリフレッシュするように、設けられている。このようなカスケード管４０は、戻り管４６と同様に、泡を減らすために設けられている。カスケード管４０は、第１のタンク容器４８又は、図示するように第２のタンク容器４９のどちらかに導出している。
【００２６】
図３において、基板が流れる方向で主剥離モジュールを切断した断面が示されている。第２のタンク容器４９に生成した泡３４が、処理され、又は移動することが認識される。このため、第２のタンク容器４９に沿う泡受け皿５９がある。泡受け皿５９は右側にあり、側壁５０によって分離されている。泡３４は、泡受け皿に導かれて破壊され、プロセス溶液が再び使用できるようにする。可能な限り、泡３４のみが右側に運ばれ、プロセス溶液３３は第２のタンク容器４９から出ないように、高さ調節隔壁帯５７が設けられている。隔壁帯５７は、第２のタンク容器４９内の汚れていないプロセス溶液３３の表面位置に対応する高さまで移動できる。泡３４のみが、隔壁帯５７を超えて右側に移動し、泡受け皿５９に入る。
【００２７】
泡３４の移動のため、パイプ状の長い泡ノズル６１ａが、第２のタンク容器４９の上の左端でスプレー装置として備わり、側壁５０又は隔壁帯５７の近傍で泡ノズル６１ｂが備わっている。これらのノズルは、泡を移動させたり、泡を破壊するものであるため、泡ノズルと呼ばれる。しかしながら、これらのノズルは泡を生成するものではない。また、これらのノズルは、丸い開口又は長い開口、例えばスリット状の開口を有する。複数又は多数のノズルは、パイプ状及び細く長い形状と言われるパイプに設けられる。
【００２８】
これらの泡ノズルは全て右側の斜め下方、すなわち一方向を向き、泡ノズル６１ａは浅い角度である。これらのノズルは、プロセス溶液を高圧で微細なミストとして噴射し、第２のタンク容器４９内のプロセス溶液３３の表面から右側の泡受け皿５９の中へ泡３４を動かし、泡を破壊し減少させる。
【００２９】
泡受け皿５９の上には、第３の泡ノズル６１ｃがあり、それがプロセス溶液３３を噴射する方向は左側の斜め下向き、より詳細には、泡受け皿５９にある泡３４の表面に向かう方向である。これは泡３４を移動させないが、泡３４を破壊し、再び汚れていないプロセス溶液３３を生成する。プロセス溶液３３は、その状態又はレジスト含有量に応じて、排出管６２及び排液ポンプ６３によって泡受け皿５９から回収され、排水処理が行われたり、循環する。
【００３０】
第２のタンク容器４９に沿って左側に、第１のタンク容器４８の第１のタンク補助容器４８’がある。第１のタンク補助容器４８’は、下部領域に設けられた開口５２’を有する分離壁５０’によって分離され、スプレー管３１ａ，３１ｂに供給する上述したポンプ３６を有している。
【００３１】
図４の上面図において、第１のタンク容器４８及び第２のタンク容器４９のプロセス溶液３３の表面上の泡３４が、泡ノズル６１ａ，６１ｂによって下方の泡受け皿５９の方にどのようにして移動するかが示されている。第１のタンク容器４８と第２のタンク容器４９との間の分離壁５１が示されている。左側において、分離壁５１’によって第１のタンク容器４８から分離された上述した第１のタンク補助容器４８’がある。側壁５０は、互いに沿っている第１のタンク容器４８及び第２のタンク容器４９の全幅に亘って延びており、泡受け皿５９も同様である。泡ノズル６１ａ，６１ｂ，６１ｃも同様である。
【００３２】
図５には、図２の変形例である主剥離モジュール２１’が示されている。プロセス溶液３３を有する容器３２’と戻り管４６’は図２の構成に対応する。ここでの変形例は、基板１３がローラ搬送通路によって大気中を自由に搬送されず、複数のスプレー管３１によってスプレーされず、浸漬浴槽４５’中を通るというものである。この場合、基板の上下にあるサージ管６５ａ，６５ｂが、浸漬中でさえプロセス溶液３３を混合する目的を有し、結果として処理の効果を高める。上部サージ管６５ａは、プロセス溶液３３に浸漬されても、部分的に浸漬されてもどちらでも良く、スプレー機能を実施することが可能である。サージ管６５ａ，６５ｂは、液容器３２’のポンプ３６’によって供給される。
【００３３】
図５は、浸漬浴槽の概念が右側の副剥離モジュールにも認識されることが示されているが、必ずしも浸漬浴槽は必要ではない。従って、詳細な説明はここではなされない。スプレーする代わりに浸漬浴槽で基板を処理することは、概念として知られている。これに関して、技術的な実施は当業者にとって難しくない。有利な効果は、泡が主剥離モジュールの室内でほとんど生成されないということである。また、本発明の技術的な組み合わせも可能である。
【００３４】
本発明は、基板がスプレーされたり、処理浴槽や浸漬浴槽に浸漬されたりする個々のプロセス室又はプロセスモジュールに適用されることが示されている。しかしながら、濡らすことは浸漬せずに表面領域内で行うことができるため、定常波を有する浴槽においても適用することもできる。本発明の有利な適用は超音波との組み合わせで得ることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法、特に、光起電力モジュールを生産する方法において、
スプレーすること又はプロセス溶液で濡らすことによって、レジスト層を基板から剥離する一つの方法ステップを有し、この方法ステップにおいて、
基板は、先ず、主剥離モジュールにおいてプロセス溶液で濡らされ、その後、副剥離モジュールにおいてプロセス溶液で濡らされ、プロセス溶液は主剥離モジュールと副剥離モジュールの下の容器に集められ、少なくとも一つの容器は個々のモジュールに設けられ、異なるモジュールの容器は互いから分離し、
主剥離モジュール内のプロセス溶液が二つの容器に集められ、先ず、壁によって第１の容器と分離した第２の容器へ直接に送られ、壁にはプロセス溶液の液面より低い領域において隙間または孔が形成されて液体が通過可能であり、プロセス溶液は第１の容器から回収され、循環して再び基板を濡らすプロセスに戻ることを特徴とする方法。
【請求項２】
プロセス溶液は、主剥離モジュール内の平らな形態の回収装置から戻り管で第２の容器に送られ、泡の生成が戻り管の形状、特に、少なくとも一つ屈曲を有する形状によって減少することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
戻り管が第２の容器内のプロセス溶液の液面の下に端部があることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
プロセス溶液の表面にある第２の容器内の泡は、容器の側壁上にあるスプレー装置によって、並んで配置された泡受け皿の方へ移動し、分離した泡又はクリーニングプロセス溶液が回収され、又は泡受け皿から汲み上げられ、第１の容器へ戻ることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
泡受け皿の泡に対して、泡を破壊したり泡を取り除いたりするスプレー装置によって、上からプロセス溶液をスプレーし、泡をプロセス溶液に変えることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
副剥離モジュール又は副剥離モジュールに備わる容器からのプロセス溶液が、主剥離モジュール内の第２の容器へ導かれ、特に、少なくとも一つのカスケード管を介して導かれることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
基板を処理する装置、特に、光起電力モジュールを生産する装置、好ましくは、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法を実施する装置において、
主剥離モジュールと下流側の副剥離モジュールとが、剥離モジュール内を通過する通路内にスプレー装置又は基板にプロセス溶液を適用するための湿潤装置と共に設けられ、
主剥離モジュールはプロセス溶液を集めるための二つの容器を有し、プロセス溶液が集められた後に第２の容器に送られ、第２の容器は壁によって第１の容器から分離され、壁はプロセス溶液の液面より低い領域にある隙間などにより液体が通過可能であることを特徴とする装置。
【請求項８】
主剥離モジュール内の平らな形態の回収装置が戻り管を有し、戻り管が第２の容器に導く、特に、液面より低い位置に、より好ましくは第３の容器へ導くことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
戻り管がそこを流れるプロセス溶液の泡の生成を減少する、特に、少なくとも一つ屈曲によって泡の生成を減少することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
主剥離モジュール内の容器の上にあるスプレー装置は、少なくとも一つの容器、好ましくは二つの容器の側面に向かうスプレー方向を有し、泡受け皿が容器の側壁の上方を移動する泡を集める側面に配置され、特に、スプレー装置は泡受け皿にある泡を破壊するために泡受け皿の内側を向くことを特徴とする請求項７〜９の何れか一項に記載の装置。
【請求項１１】
主剥離モジュール内でプロセス溶液を有する湿潤装置としての浸漬浴槽は、特に、副剥離モジュール内でもプロセス溶液を有する浸漬浴槽は、好ましくは浸漬浴槽から第２の容器へオーバーフローすることを特徴とする請求項７〜１０の何れか一項に記載の装置。
【請求項１２】
特別の適用又はプロセス溶液で濡らすための浸漬浴槽を通過する基板の通路の上及び下にサージ管が設けられたことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
副剥離モジュール内の容器から主剥離モジュールの第２の容器へプロセス溶液を集めるカスケード管を備えることを特徴とする請求項７〜１２の何れか一項に記載の装置。
【請求項１】
基板を処理する方法、特に、光起電力モジュールを生産する方法において、
スプレーすること又はプロセス溶液で濡らすことによって、レジスト層を基板から剥離する一つの方法ステップを有し、この方法ステップにおいて、
基板は、先ず、主剥離モジュールにおいてプロセス溶液で濡らされ、その後、副剥離モジュールにおいてプロセス溶液で濡らされ、プロセス溶液は主剥離モジュールと副剥離モジュールの下の容器に集められ、少なくとも一つの容器は個々のモジュールに設けられ、異なるモジュールの容器は互いから分離し、
主剥離モジュール内のプロセス溶液が二つの容器に集められ、先ず、壁によって第１の容器と分離した第２の容器へ直接に送られ、壁にはプロセス溶液の液面より低い領域において隙間または孔が形成されて液体が通過可能であり、プロセス溶液は第１の容器から回収され、循環して再び基板を濡らすプロセスに戻ることを特徴とする方法。
【請求項２】
プロセス溶液は、主剥離モジュール内の平らな形態の回収装置から戻り管で第２の容器に送られ、泡の生成が戻り管の形状、特に、少なくとも一つ屈曲を有する形状によって減少することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
戻り管が第２の容器内のプロセス溶液の液面の下に端部があることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
プロセス溶液の表面にある第２の容器内の泡は、容器の側壁上にあるスプレー装置によって、並んで配置された泡受け皿の方へ移動し、分離した泡又はクリーニングプロセス溶液が回収され、又は泡受け皿から汲み上げられ、第１の容器へ戻ることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
泡受け皿の泡に対して、泡を破壊したり泡を取り除いたりするスプレー装置によって、上からプロセス溶液をスプレーし、泡をプロセス溶液に変えることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
副剥離モジュール又は副剥離モジュールに備わる容器からのプロセス溶液が、主剥離モジュール内の第２の容器へ導かれ、特に、少なくとも一つのカスケード管を介して導かれることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
基板を処理する装置、特に、光起電力モジュールを生産する装置、好ましくは、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法を実施する装置において、
主剥離モジュールと下流側の副剥離モジュールとが、剥離モジュール内を通過する通路内にスプレー装置又は基板にプロセス溶液を適用するための湿潤装置と共に設けられ、
主剥離モジュールはプロセス溶液を集めるための二つの容器を有し、プロセス溶液が集められた後に第２の容器に送られ、第２の容器は壁によって第１の容器から分離され、壁はプロセス溶液の液面より低い領域にある隙間などにより液体が通過可能であることを特徴とする装置。
【請求項８】
主剥離モジュール内の平らな形態の回収装置が戻り管を有し、戻り管が第２の容器に導く、特に、液面より低い位置に、より好ましくは第３の容器へ導くことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
戻り管がそこを流れるプロセス溶液の泡の生成を減少する、特に、少なくとも一つ屈曲によって泡の生成を減少することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
主剥離モジュール内の容器の上にあるスプレー装置は、少なくとも一つの容器、好ましくは二つの容器の側面に向かうスプレー方向を有し、泡受け皿が容器の側壁の上方を移動する泡を集める側面に配置され、特に、スプレー装置は泡受け皿にある泡を破壊するために泡受け皿の内側を向くことを特徴とする請求項７〜９の何れか一項に記載の装置。
【請求項１１】
主剥離モジュール内でプロセス溶液を有する湿潤装置としての浸漬浴槽は、特に、副剥離モジュール内でもプロセス溶液を有する浸漬浴槽は、好ましくは浸漬浴槽から第２の容器へオーバーフローすることを特徴とする請求項７〜１０の何れか一項に記載の装置。
【請求項１２】
特別の適用又はプロセス溶液で濡らすための浸漬浴槽を通過する基板の通路の上及び下にサージ管が設けられたことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
副剥離モジュール内の容器から主剥離モジュールの第２の容器へプロセス溶液を集めるカスケード管を備えることを特徴とする請求項７〜１２の何れか一項に記載の装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２０１２−５３２４７１（Ｐ２０１２−５３２４７１Ａ）
【公表日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１８９５３（Ｐ２０１２−５１８９５３）
【出願日】平成２２年７月５日（２０１０．７．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／０５９５８９
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／００３８８０
【国際公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【出願人】（５０４１７１６２８）ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (27)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月５日（２０１０．７．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／０５９５８９
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／００３８８０
【国際公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【出願人】（５０４１７１６２８）ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (27)
【Ｆターム（参考）】
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