基板処理装置
【課題】スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さくすることができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理ユニットを備えた処理装置を提供すること。
【解決手段】 搬送機構と、レジスト塗布処理部を含む複数の処理部とを内部に備えた塗布処理部２３と、塗布処理部２３と平行に配置され、搬送機構と、レジスト現像処理部を含む複数の処理部を内部に備えた現像処理部２４と、塗布処理部２３から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、現像処理部２４へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部２７と、熱処理部２７に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構３６と、現像処理部２４と塗布処理部２３との間に設けられた直線状の空間部４０と、空間部４０内に配置され、被処理基板を搬送する処理部外搬送機構４１とを具備する。
【解決手段】 搬送機構と、レジスト塗布処理部を含む複数の処理部とを内部に備えた塗布処理部２３と、塗布処理部２３と平行に配置され、搬送機構と、レジスト現像処理部を含む複数の処理部を内部に備えた現像処理部２４と、塗布処理部２３から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、現像処理部２４へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部２７と、熱処理部２７に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構３６と、現像処理部２４と塗布処理部２３との間に設けられた直線状の空間部４０と、空間部４０内に配置され、被処理基板を搬送する処理部外搬送機構４１とを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤの製造においては、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【０００４】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２７４２６５号公報
【特許文献２】特開平１１−２６０８８３号公報
【特許文献３】特開平１１−２３８６７２号公報
【特許文献４】特開２０００−２９４６１６号公報
【特許文献５】特開平１０−１８９４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、近時、ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平面的な配置を有する処理システムではフットプリントが極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。
【０００７】
フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界がある。また、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化しており、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。
【０００８】
また、フットプリントを小さくする他の手段としては、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユニットを配置することが考えられるが、この場合には予め定められた一連のプロセスにしか対応することができず、処理の自由度が小さいという問題がある。
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さくすることができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理ユニットを備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の第１の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト液を塗布するレジスト塗布処理部を含む複数の処理部を内部に備えた塗布処理部と、前記塗布処理部と平行に配置され、被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施すレジスト現像処理部を含む複数の処理部を内部に備えた現像処理部と、前記塗布処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記現像処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、前記現像処理部と前記塗布処理部との間に設けられた直線状の空間部と、この空間部内に配置され、被処理基板を搬送する処理部外搬送機構とを具備する。
【００１１】
この発明の第２の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、前記所定の方向と同一直線状に配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、前記第１の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第２の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、を具備する。
【００１２】
この発明の第３の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、前記所定の方向と平行な方向に沿って配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、前記第２の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第１の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、を具備する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、被処理基板の搬送ラインが平行な２列となるように配置し、被処理基板を搬送ラインに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。また、２列の搬送ラインの間の空間部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの間で基板が受け渡され保持される基板保持・移動部材を設けたので、通常の処理の他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。このとき、基板保持部材は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、省スペース効果は維持される。
【００１４】
また、上述のように、前記複数の熱的処理ユニットが、前記各熱的処理に対応するもの毎に集約された複数の熱的処理ユニットセクションを構成するようにすることにより、よりフットプリントを小さくすることができ、しかも熱的処理も被処理基板の処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す斜視図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す斜視図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いた受渡機構の構造を示す斜視図。
【図１１】図１０の受渡機構を用いて図９のシャトルに基板を載置する動作を説明するための側面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
【００１７】
このレジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１８】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１９】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニット２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００２０】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００２１】
レジスト処理ユニット２３は、図２のその内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをスピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡しが可能となっている。
【００２２】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。図３の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２３】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２４】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。図４の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６の４段積層されて構成されている。第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック３４，３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２５】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。図５の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３，８４の４段積層されて構成されている。第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２６】
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２への基板Ｇの搬入は、カセットステーション１の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置３３により基板Ｇがパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に受け渡された後、一対のサブアーム５６により搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第３の搬送装置３９により搬送される。さらに全ての処理が終了した後の基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されてカセットステーションの搬送装置１１により搬出される。
【００２７】
処理ユニットステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には、空間部４０が設けられている。そして、この空間部４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能に構成されており、搬送ラインＡ，Ｂとの間で基板Ｇが受け渡し可能となっている。
【００２８】
具体的には、図６に示すように、シャトル４１は、ベース部材１０１と、ベース部材１０１の表面から突没可能に設けられ、基板Ｇを昇降する複数の昇降ピン１０２と、基板Ｇを位置決めするガイド部材１０３と、昇降ピン１０２を駆動するピン駆動部１０４と、連結部１０５を有しており、連結部１０５が空間部４０内をＸ方向に延びるガイドレール１０６にスライド可能に連結されている。そして、マグネットを用いた駆動、ベルト駆動等の適宜の方式の図示しない駆動機構によりシャトル４１がガイドレール１０６に沿って空間部４０内をＸ方向に沿って移動される。発塵を防止する観点からはマグネット駆動のほうが有利である。シャトル４１への基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３，３６，３９によって行われる。また、シャトル４１への基板Ｇの受け渡しはカセットステーション１の搬送装置１１によっても行うことができるようになっている。
【００２９】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３０】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００３１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。
【００３２】
その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【００３３】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００３４】
その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３５】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からパスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００３６】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００３７】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１，８３，８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００３８】
以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、基板Ｇの搬送ラインが２列となるように配置し、基板Ｇをこの平行な２列の搬送ラインＡ，Ｂに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができ、フットプリントを小さくすることができる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。
【００３９】
また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第１から第３の熱処理ユニットセクション２６，２７，２８を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したので、その分さらにフットプリントを小さくすることができるとともに、熱的処理を基板Ｇの搬送を極力少なくして基板Ｇの処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して各熱的処理ユニットセクション専用の第１から第３の搬送装置３３，３６，３９を設けたので、このことによってもスループットを高くすることができる。
【００４０】
以上が基本的な処理パターンであるが、本実施形態では、処理ステーション２において２列の搬送ラインＡ，Ｂの間に空間部４０が設けられており、この空間部４０を往復動可能にシャトル４１が設けられているので、上記基本的な処理パターンの他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。
【００４１】
例えば、レジスト処理だけ行いたいという場合には、以下のような手順により可能である。まず、シャトル４１をカセットステーション１に隣接した位置まで移動させておき、次いで、搬送装置１１によりカセットＣの基板Ｇを一枚取り出してシャトル４１上に載置し、シャトル４１を第１の搬送装置３３に対応する位置まで移動させ、第１の搬送装置３３によりシャトル４１上の基板Ｇをアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４，６８のいずれかに搬送し、基板Ｇに対してアドヒージョン処理を行った後、基板Ｇをクーリングユニット（ＣＯＬ）６６または６７で冷却し、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を経てレジスト処理ユニット２３へ搬入する。そして、レジスト処理ユニット２３において周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃによるレジスト除去処理が終了し、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に基板Ｇを搬出し、第２の搬送装置３６によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーション１へ戻す。なお、アドヒージョン処理を行わない場合には、シャトル４１から基板Ｇを受け取った第１の搬送装置３３が直接パスユニット（ＰＡＳＳ）６５へ基板を搬送する。
【００４２】
また、現像処理のみを行いたい場合には、以下のような手順により可能である。まずカセットステーション１から基板Ｇを受け取ったシャトル４１を、第２の搬送装置３６に対応する位置まで移動させ、第２の搬送装置３６によりシャトル４１上の基板Ｇを熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３を経て現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入する。そして、現像処理およびｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５による脱色処理が終了して基板Ｇを熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出し、第３の搬送装置３９によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーション１へ戻す。
【００４３】
なお、シャトル４１を使用しないときは、シャトル４１を空間部４０の端部に退避させておくことにより、空間部４０をメンテナンススペースとして用いることができる。
【００４４】
このようなシャトル４１は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、シャトル４１を設けても省スペース効果は維持される。
【００４５】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図７は本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。上記第１の実施形態では、基板Ｇをカセットステーション１におけるＹ方向の一方の端部から処理ステーション２に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実施形態のレジスト塗布現像処理装置１００′ではカセットステーション１の中央から基板Ｇの搬出入を行えるような処理ステーション２′を備えている。具体的には、処理ステーション２′は、上記第３の熱的処理ユニットセクション２８に代えて、カセットステーション１のＹ方向中央に対応する部分に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′を配置し、搬送ラインＢの終点に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７′を配した第３の熱的処理ユニットセクション２８′を設け、第３の搬送装置３９′を空間部４０のカセットステーション１側端部に設け、基板Ｇの処理ステーション２′に対する搬入出をいずれも熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介して第３の搬送装置３９′により行うようにしたものである。なお、基板Ｇの搬入出の形態が第１の実施形態とは異なっている関係上、本実施形態では、搬入口が第３の搬送装置３９′に対応して空間部４０側に設けられたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１′およびキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２′が第１の実施形態と同様に積層して設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７′までの基板Ｇの搬送は、例えばコロ搬送によって行われる。
【００４６】
本実施形態においても基本的に第１の実施形態と同様のフローで処理が行われる。このとき、第３の搬送装置３９′は基板Ｇの受け渡し時に必ず９０度回転するため、第３の搬送装置３９′から例えばスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入した時点では基板Ｇの向きが９０度ずれてしまう。これを防止するために、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に回転機構を設けておく。
【００４７】
本実施形態においては、カセットステーション１の中央から基板の搬入出が行えるので、カセットステーションとして、図示したような構造ではなく、例えば搬送装置がＹ方向に移動できないタイプのものが指定されたとしても対応可能であり、汎用性の高いものとなる。
【００４８】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図８は本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置１００″では、第１および第２の実施形態のシャトル４１とは異なる形態のシャトル４１′を有し、かつ空間部４０のカセットステーション１側端部に、カセットステーション１の搬送装置１１とシャトル４１′との間の基板Ｇの受け渡しを行う受渡機構１１０を有している。他は第１の実施形態と同様に構成されている。
【００４９】
シャトル４１′は、図９に示すように、ベース部材１２１と、ベース部材１２１の表面の四隅近傍に設けられ、基板Ｇを支持する４本の支持ピン１２２と、連結部１２３を有しており、連結部１２３が空間部４０内をＸ方向に延びるガイドレール１２４にスライド可能に連結されている。ベース部材１２１の中央は円形にくり抜かれたくり抜き部１２５が形成されている。
一方、受渡機構１１０は、図１０に示すように、基板Ｇを支持するための支持部１３１と、支持部１３１を昇降可能なシリンダ１３２と、シリンダ１３２を回転させることにより支持部１３１に支持された基板Ｇを回転させる回転機構１３３とを有している。そして、支持部１３１は、シリンダ１３２のピストン１３４の上端に取り付けられた十字状部材１３５と、十字状部材１３５の４つの端部から上方に突出した基板Ｇを支持する４つの支持ピン１３６とを有する。
【００５０】
搬送装置１１からシャトル４１′へ基板Ｇを渡す際には、図１０に示すように、シャトル４１′を、そのくり抜き部１２５が受渡機構１１０の支持ピン１３６に対応するようにする。具体的には図１１の（ａ）〜（ｃ）に示すようにして受け渡しを行う。まず、（ａ）に示すように、シャトル４１′を受渡機構１１０に対応する位置まで移動させ、その状態で、（ｂ）に示すように、シリンダ１３２により支持ピン１３６がくり抜き部１２５を通って上方へ突出するように支持部１３１を上昇させる。そして、搬送装置１１から支持部１３１上に基板Ｇを受け渡し、この状態で回転機構１３３によりシリンダ１３２を回転させて基板Ｇを９０°回転させる。次いでシリンダ１３２により支持部１３１を下降させ、これにより基板Ｇは、（ｃ）に示すように、ベース部材１２１に設けられた支持ピン１２２上に載置される。
【００５１】
シャトル４１′から第１〜第３の搬送装置３３，３６，３９へ基板Ｇを受け渡す場合には、各搬送装置のアームを基板Ｇとベース部材１２１との間のスペースに挿入してからアームを持ち上げることにより実現され、これら搬送装置からシャトル４１′へ基板Ｇを受け渡す場合には、ベース部材１２１上へ基板Ｇが位置した際に、アームを下降させることにより基板Ｇを支持ピン１２２上に載置させる。
【００５２】
このように受渡機構１１０を介在させることにより、搬送装置１１からシャトル４１′へ基板Ｇを受け渡した際の基板Ｇの向きを調整することができる。つまり、搬送装置１１は基板Ｇの長手方向をＸ方向にして基板Ｇを保持するから、単に搬送装置１１からシャトル４１′に基板Ｇを受け渡した場合にはシャトル４１′上では基板Ｇの長手方向がＸ方向になっている。この状態でシャトル４１′から第１〜第３の搬送装置３３，３６，３９のいずれかへ基板Ｇを受け渡すと、これら搬送装置から各処理ユニットへ基板Ｇが搬送された際に、基板Ｇの向きが９０°ずれてしまう。これに対し、受渡機構１１０で基板Ｇを９０°回転させることにより、このような不都合が解消される。このように受渡機構１１０を設けることにより、各搬送装置毎に基板Ｇを回転させる機構を設けることなく基板Ｇを所定の向きにして搬送することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、シャトル４１′にピン駆動部が存在しないので、その軽量化を図ることができ、駆動機構への負担を軽くすることができる。また、シャトル４１′にシリンダが存在しないので、移動するシャトル４１′に対するエア配管が不要となる。
【００５４】
次に、シャトルの他の例について説明する。
この例のシャトル４１″は、図１２に示すように、基板Ｇを支持するベース部材１４１と、ベース部材１４１に対して着脱自在に設けられ、ベース部材１４１の上方の空間を覆うカバー部材１４２とを有している。基板Ｇの搬送時には、図１２の（ａ）に示すように、このカバー部材１４２により基板Ｇが密閉空間に存在することとなる。カバー部材１４２の側壁はベース部材１４１の周囲を囲むようになっており、ベース部材１４１とカバー部材１４２とは図示しないロック機構により（ａ）の状態でロックされるようになっている。各搬送装置とシャトル４１″との間の基板Ｇの受け渡しに際しては、ロック機構を外した状態で、図１２の（ｂ）に示すように、シャトル４１″の受け渡しポジションに設けられた複数、例えば４本のシリンダ１４３（２本のみ図示）により、カバー部材１４２を上昇させる。このように、カバー部材１４２によりベース部材１４１上の基板Ｇ存在領域を密閉空間とするので、シャトル４１″による基板Ｇの搬送時に基板Ｇにパーティクル等が付着することを防止することができる。また、シャトル４１″にはカバー部材１４２開閉用のシリンダが設けられていないので、エア配管の煩雑さを回避することができる。
【００５５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではない。また、シャトルの構造も上記構造に限るものではなく、例えば上記実施形態におけるレジスト処理ユニット２３に用いたサブアーム５６と同様の構造のものであってもよい。また、シャトルに複数枚の基板を保持するようにしてもよい。処理に関しても上記のようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用することも可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５６】
１……カセットステーション
２……処理ステーション
３……インターフェイスステーション
２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット）
２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット）
２４……現像処理ユニット（液処理ユニット）
２６……第１の熱的処理ユニットセクション
２７……第２の熱的処理ユニットセクション
２８……第３の熱的処理ユニットセクション
３１，３２，３４，３５，３７，３８……熱的処理ユニットブロック
３３……第１の搬送装置
３６……第２の搬送装置
３９……第３の搬送装置
４０……空間
４１，４１′，４１″……シャトル
１００，１００′，１００″……レジスト塗布現像処理装置（処理装置）
Ｇ……ＬＣＤガラス基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤの製造においては、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【０００４】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２７４２６５号公報
【特許文献２】特開平１１−２６０８８３号公報
【特許文献３】特開平１１−２３８６７２号公報
【特許文献４】特開２０００−２９４６１６号公報
【特許文献５】特開平１０−１８９４５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、近時、ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平面的な配置を有する処理システムではフットプリントが極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。
【０００７】
フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界がある。また、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化しており、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。
【０００８】
また、フットプリントを小さくする他の手段としては、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユニットを配置することが考えられるが、この場合には予め定められた一連のプロセスにしか対応することができず、処理の自由度が小さいという問題がある。
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さくすることができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理ユニットを備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の第１の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト液を塗布するレジスト塗布処理部を含む複数の処理部を内部に備えた塗布処理部と、前記塗布処理部と平行に配置され、被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施すレジスト現像処理部を含む複数の処理部を内部に備えた現像処理部と、前記塗布処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記現像処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、前記現像処理部と前記塗布処理部との間に設けられた直線状の空間部と、この空間部内に配置され、被処理基板を搬送する処理部外搬送機構とを具備する。
【００１１】
この発明の第２の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、前記所定の方向と同一直線状に配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、前記第１の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第２の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、を具備する。
【００１２】
この発明の第３の態様に係る基板処理装置は、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、前記所定の方向と平行な方向に沿って配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、前記第２の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第１の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、を具備する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、被処理基板の搬送ラインが平行な２列となるように配置し、被処理基板を搬送ラインに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。また、２列の搬送ラインの間の空間部を移動可能に設けられ、前記搬送ラインとの間で基板が受け渡され保持される基板保持・移動部材を設けたので、通常の処理の他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。このとき、基板保持部材は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、省スペース効果は維持される。
【００１４】
また、上述のように、前記複数の熱的処理ユニットが、前記各熱的処理に対応するもの毎に集約された複数の熱的処理ユニットセクションを構成するようにすることにより、よりフットプリントを小さくすることができ、しかも熱的処理も被処理基板の処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す斜視図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す斜視図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いた受渡機構の構造を示す斜視図。
【図１１】図１０の受渡機構を用いて図９のシャトルに基板を載置する動作を説明するための側面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
【００１７】
このレジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１８】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１９】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニット２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００２０】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００２１】
レジスト処理ユニット２３は、図２のその内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをスピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡しが可能となっている。
【００２２】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。図３の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８の４段積層されて構成されている。第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２３】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２４】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。図４の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６の４段積層されて構成されている。第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック３４，３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２５】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。図５の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０の４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３，８４の４段積層されて構成されている。第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２６】
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２への基板Ｇの搬入は、カセットステーション１の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置３３により基板Ｇがパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に受け渡された後、一対のサブアーム５６により搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第３の搬送装置３９により搬送される。さらに全ての処理が終了した後の基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されてカセットステーションの搬送装置１１により搬出される。
【００２７】
処理ユニットステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には、空間部４０が設けられている。そして、この空間部４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１は基板Ｇを保持可能に構成されており、搬送ラインＡ，Ｂとの間で基板Ｇが受け渡し可能となっている。
【００２８】
具体的には、図６に示すように、シャトル４１は、ベース部材１０１と、ベース部材１０１の表面から突没可能に設けられ、基板Ｇを昇降する複数の昇降ピン１０２と、基板Ｇを位置決めするガイド部材１０３と、昇降ピン１０２を駆動するピン駆動部１０４と、連結部１０５を有しており、連結部１０５が空間部４０内をＸ方向に延びるガイドレール１０６にスライド可能に連結されている。そして、マグネットを用いた駆動、ベルト駆動等の適宜の方式の図示しない駆動機構によりシャトル４１がガイドレール１０６に沿って空間部４０内をＸ方向に沿って移動される。発塵を防止する観点からはマグネット駆動のほうが有利である。シャトル４１への基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３，３６，３９によって行われる。また、シャトル４１への基板Ｇの受け渡しはカセットステーション１の搬送装置１１によっても行うことができるようになっている。
【００２９】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３０】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００３１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。
【００３２】
その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【００３３】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００３４】
その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３５】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からパスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００３６】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００３７】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置された基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１，８３，８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００３８】
以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、基板Ｇの搬送ラインが２列となるように配置し、基板Ｇをこの平行な２列の搬送ラインＡ，Ｂに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができ、フットプリントを小さくすることができる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。
【００３９】
また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第１から第３の熱処理ユニットセクション２６，２７，２８を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したので、その分さらにフットプリントを小さくすることができるとともに、熱的処理を基板Ｇの搬送を極力少なくして基板Ｇの処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して各熱的処理ユニットセクション専用の第１から第３の搬送装置３３，３６，３９を設けたので、このことによってもスループットを高くすることができる。
【００４０】
以上が基本的な処理パターンであるが、本実施形態では、処理ステーション２において２列の搬送ラインＡ，Ｂの間に空間部４０が設けられており、この空間部４０を往復動可能にシャトル４１が設けられているので、上記基本的な処理パターンの他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。
【００４１】
例えば、レジスト処理だけ行いたいという場合には、以下のような手順により可能である。まず、シャトル４１をカセットステーション１に隣接した位置まで移動させておき、次いで、搬送装置１１によりカセットＣの基板Ｇを一枚取り出してシャトル４１上に載置し、シャトル４１を第１の搬送装置３３に対応する位置まで移動させ、第１の搬送装置３３によりシャトル４１上の基板Ｇをアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４，６８のいずれかに搬送し、基板Ｇに対してアドヒージョン処理を行った後、基板Ｇをクーリングユニット（ＣＯＬ）６６または６７で冷却し、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を経てレジスト処理ユニット２３へ搬入する。そして、レジスト処理ユニット２３において周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃによるレジスト除去処理が終了し、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に基板Ｇを搬出し、第２の搬送装置３６によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーション１へ戻す。なお、アドヒージョン処理を行わない場合には、シャトル４１から基板Ｇを受け取った第１の搬送装置３３が直接パスユニット（ＰＡＳＳ）６５へ基板を搬送する。
【００４２】
また、現像処理のみを行いたい場合には、以下のような手順により可能である。まずカセットステーション１から基板Ｇを受け取ったシャトル４１を、第２の搬送装置３６に対応する位置まで移動させ、第２の搬送装置３６によりシャトル４１上の基板Ｇを熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３を経て現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入する。そして、現像処理およびｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５による脱色処理が終了して基板Ｇを熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出し、第３の搬送装置３９によって基板Ｇをシャトル４１に載置し、カセットステーション１へ戻す。
【００４３】
なお、シャトル４１を使用しないときは、シャトル４１を空間部４０の端部に退避させておくことにより、空間部４０をメンテナンススペースとして用いることができる。
【００４４】
このようなシャトル４１は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、シャトル４１を設けても省スペース効果は維持される。
【００４５】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図７は本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。上記第１の実施形態では、基板Ｇをカセットステーション１におけるＹ方向の一方の端部から処理ステーション２に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実施形態のレジスト塗布現像処理装置１００′ではカセットステーション１の中央から基板Ｇの搬出入を行えるような処理ステーション２′を備えている。具体的には、処理ステーション２′は、上記第３の熱的処理ユニットセクション２８に代えて、カセットステーション１のＹ方向中央に対応する部分に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′を配置し、搬送ラインＢの終点に熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７′を配した第３の熱的処理ユニットセクション２８′を設け、第３の搬送装置３９′を空間部４０のカセットステーション１側端部に設け、基板Ｇの処理ステーション２′に対する搬入出をいずれも熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介して第３の搬送装置３９′により行うようにしたものである。なお、基板Ｇの搬入出の形態が第１の実施形態とは異なっている関係上、本実施形態では、搬入口が第３の搬送装置３９′に対応して空間部４０側に設けられたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１′およびキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２′が第１の実施形態と同様に積層して設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７′までの基板Ｇの搬送は、例えばコロ搬送によって行われる。
【００４６】
本実施形態においても基本的に第１の実施形態と同様のフローで処理が行われる。このとき、第３の搬送装置３９′は基板Ｇの受け渡し時に必ず９０度回転するため、第３の搬送装置３９′から例えばスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入した時点では基板Ｇの向きが９０度ずれてしまう。これを防止するために、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８′のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に回転機構を設けておく。
【００４７】
本実施形態においては、カセットステーション１の中央から基板の搬入出が行えるので、カセットステーションとして、図示したような構造ではなく、例えば搬送装置がＹ方向に移動できないタイプのものが指定されたとしても対応可能であり、汎用性の高いものとなる。
【００４８】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図８は本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置１００″では、第１および第２の実施形態のシャトル４１とは異なる形態のシャトル４１′を有し、かつ空間部４０のカセットステーション１側端部に、カセットステーション１の搬送装置１１とシャトル４１′との間の基板Ｇの受け渡しを行う受渡機構１１０を有している。他は第１の実施形態と同様に構成されている。
【００４９】
シャトル４１′は、図９に示すように、ベース部材１２１と、ベース部材１２１の表面の四隅近傍に設けられ、基板Ｇを支持する４本の支持ピン１２２と、連結部１２３を有しており、連結部１２３が空間部４０内をＸ方向に延びるガイドレール１２４にスライド可能に連結されている。ベース部材１２１の中央は円形にくり抜かれたくり抜き部１２５が形成されている。
一方、受渡機構１１０は、図１０に示すように、基板Ｇを支持するための支持部１３１と、支持部１３１を昇降可能なシリンダ１３２と、シリンダ１３２を回転させることにより支持部１３１に支持された基板Ｇを回転させる回転機構１３３とを有している。そして、支持部１３１は、シリンダ１３２のピストン１３４の上端に取り付けられた十字状部材１３５と、十字状部材１３５の４つの端部から上方に突出した基板Ｇを支持する４つの支持ピン１３６とを有する。
【００５０】
搬送装置１１からシャトル４１′へ基板Ｇを渡す際には、図１０に示すように、シャトル４１′を、そのくり抜き部１２５が受渡機構１１０の支持ピン１３６に対応するようにする。具体的には図１１の（ａ）〜（ｃ）に示すようにして受け渡しを行う。まず、（ａ）に示すように、シャトル４１′を受渡機構１１０に対応する位置まで移動させ、その状態で、（ｂ）に示すように、シリンダ１３２により支持ピン１３６がくり抜き部１２５を通って上方へ突出するように支持部１３１を上昇させる。そして、搬送装置１１から支持部１３１上に基板Ｇを受け渡し、この状態で回転機構１３３によりシリンダ１３２を回転させて基板Ｇを９０°回転させる。次いでシリンダ１３２により支持部１３１を下降させ、これにより基板Ｇは、（ｃ）に示すように、ベース部材１２１に設けられた支持ピン１２２上に載置される。
【００５１】
シャトル４１′から第１〜第３の搬送装置３３，３６，３９へ基板Ｇを受け渡す場合には、各搬送装置のアームを基板Ｇとベース部材１２１との間のスペースに挿入してからアームを持ち上げることにより実現され、これら搬送装置からシャトル４１′へ基板Ｇを受け渡す場合には、ベース部材１２１上へ基板Ｇが位置した際に、アームを下降させることにより基板Ｇを支持ピン１２２上に載置させる。
【００５２】
このように受渡機構１１０を介在させることにより、搬送装置１１からシャトル４１′へ基板Ｇを受け渡した際の基板Ｇの向きを調整することができる。つまり、搬送装置１１は基板Ｇの長手方向をＸ方向にして基板Ｇを保持するから、単に搬送装置１１からシャトル４１′に基板Ｇを受け渡した場合にはシャトル４１′上では基板Ｇの長手方向がＸ方向になっている。この状態でシャトル４１′から第１〜第３の搬送装置３３，３６，３９のいずれかへ基板Ｇを受け渡すと、これら搬送装置から各処理ユニットへ基板Ｇが搬送された際に、基板Ｇの向きが９０°ずれてしまう。これに対し、受渡機構１１０で基板Ｇを９０°回転させることにより、このような不都合が解消される。このように受渡機構１１０を設けることにより、各搬送装置毎に基板Ｇを回転させる機構を設けることなく基板Ｇを所定の向きにして搬送することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、シャトル４１′にピン駆動部が存在しないので、その軽量化を図ることができ、駆動機構への負担を軽くすることができる。また、シャトル４１′にシリンダが存在しないので、移動するシャトル４１′に対するエア配管が不要となる。
【００５４】
次に、シャトルの他の例について説明する。
この例のシャトル４１″は、図１２に示すように、基板Ｇを支持するベース部材１４１と、ベース部材１４１に対して着脱自在に設けられ、ベース部材１４１の上方の空間を覆うカバー部材１４２とを有している。基板Ｇの搬送時には、図１２の（ａ）に示すように、このカバー部材１４２により基板Ｇが密閉空間に存在することとなる。カバー部材１４２の側壁はベース部材１４１の周囲を囲むようになっており、ベース部材１４１とカバー部材１４２とは図示しないロック機構により（ａ）の状態でロックされるようになっている。各搬送装置とシャトル４１″との間の基板Ｇの受け渡しに際しては、ロック機構を外した状態で、図１２の（ｂ）に示すように、シャトル４１″の受け渡しポジションに設けられた複数、例えば４本のシリンダ１４３（２本のみ図示）により、カバー部材１４２を上昇させる。このように、カバー部材１４２によりベース部材１４１上の基板Ｇ存在領域を密閉空間とするので、シャトル４１″による基板Ｇの搬送時に基板Ｇにパーティクル等が付着することを防止することができる。また、シャトル４１″にはカバー部材１４２開閉用のシリンダが設けられていないので、エア配管の煩雑さを回避することができる。
【００５５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではない。また、シャトルの構造も上記構造に限るものではなく、例えば上記実施形態におけるレジスト処理ユニット２３に用いたサブアーム５６と同様の構造のものであってもよい。また、シャトルに複数枚の基板を保持するようにしてもよい。処理に関しても上記のようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用することも可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５６】
１……カセットステーション
２……処理ステーション
３……インターフェイスステーション
２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット）
２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット）
２４……現像処理ユニット（液処理ユニット）
２６……第１の熱的処理ユニットセクション
２７……第２の熱的処理ユニットセクション
２８……第３の熱的処理ユニットセクション
３１，３２，３４，３５，３７，３８……熱的処理ユニットブロック
３３……第１の搬送装置
３６……第２の搬送装置
３９……第３の搬送装置
４０……空間
４１，４１′，４１″……シャトル
１００，１００′，１００″……レジスト塗布現像処理装置（処理装置）
Ｇ……ＬＣＤガラス基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト液を塗布するレジスト塗布処理部を含む複数の処理部を内部に備えた塗布処理部と、
前記塗布処理部と平行に配置され、被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施すレジスト現像処理部を含む複数の処理部を内部に備えた現像処理部と、
前記塗布処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記現像処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、
前記現像処理部と前記塗布処理部との間に設けられた直線状の空間部と、
この空間部内に配置され、被処理基板を搬送する処理部外搬送機構と
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、
前記所定の方向と同一直線状に配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、
前記第１の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第２の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、
前記所定の方向と平行な方向に沿って配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、
前記第２の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第１の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト液を塗布するレジスト塗布処理部を含む複数の処理部を内部に備えた塗布処理部と、
前記塗布処理部と平行に配置され、被処理基板を搬送する搬送機構を内部に備えるとともに、この処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施すレジスト現像処理部を含む複数の処理部を内部に備えた現像処理部と、
前記塗布処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記現像処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、
前記現像処理部と前記塗布処理部との間に設けられた直線状の空間部と、
この空間部内に配置され、被処理基板を搬送する処理部外搬送機構と
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、
前記所定の方向と同一直線状に配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、
前記第１の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第２の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記処理部内搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた第１の処理部と、
前記所定の方向と平行な方向に沿って配置され、被処理基板を水平に搬送する処理部内搬送機構を内部に備えるとともに、前記処理部内搬送機構にて搬送される被処理基板に対して少なくともレジスト処理を施す処理部を含む複数の処理部を内部に備えた第２の処理部と、
前記第２の処理部から被処理基板を受け取る第１のパスユニットと、前記第１の処理部へ被処理基板を受け渡す第２のパスユニットとを備えた、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記熱処理部に配置された被処理基板を搬送する別の搬送機構と、
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−１８７９８７（Ｐ２０１１−１８７９８７Ａ）
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２０６４６（Ｐ２０１１−１２０６４６）
【出願日】平成２３年５月３０日（２０１１．５．３０）
【分割の表示】特願２００７−３０５６８４（Ｐ２００７−３０５６８４）の分割
【原出願日】平成１４年３月４日（２００２．３．４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月３０日（２０１１．５．３０）
【分割の表示】特願２００７−３０５６８４（Ｐ２００７−３０５６８４）の分割
【原出願日】平成１４年３月４日（２００２．３．４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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