基板浮上搬送方法及び基板浮上搬送装置及び基板処理装置
【課題】浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ、浮上用高圧気体の消費効率を改善すること。
【解決手段】このレジスト塗布装置における浮上ステージ１０は、搬送方向において塗布領域ＭCTの前後に延びる搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの浮上面をそれぞれ多数の浮上エリアに区画している。これらの浮上面には多数の噴出口１２配置されている。各々の浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力は噴出圧力制御部により独立に可変ないしオン・オフ制御されるようになっている。
【解決手段】このレジスト塗布装置における浮上ステージ１０は、搬送方向において塗布領域ＭCTの前後に延びる搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの浮上面をそれぞれ多数の浮上エリアに区画している。これらの浮上面には多数の噴出口１２配置されている。各々の浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力は噴出圧力制御部により独立に可変ないしオン・オフ制御されるようになっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ上で基板を浮上搬送する基板浮上搬送方法および装置ならびに基板に対して浮上搬送中に所望の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造のフォトリソグラフィー工程においては、被処理基板（たとえばガラス基板）をステージ上で浮上搬送しながらステージ上方に設置した長尺形のノズルよりレジスト液を吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布する浮上搬送方式のレジスト塗布装置が用いられている。
【０００３】
このような浮上搬送方式のレジスト塗布装置に用いられている浮上ステージは、その上面（浮上面）から垂直上方に高圧の気体（通常はエア）を噴き出し、その高圧気体の圧力によって基板を水平姿勢で浮かすようにしている。そして、浮上ステージの左右両側に配置されている直進運動型の搬送部が、浮上ステージ上で浮いている基板を着脱可能に保持してステージ長手方向に基板を搬送するようになっている。
【０００４】
通常、浮上ステージの上面（浮上面）は、搬送方向に沿って搬入領域、塗布領域および搬出領域の３つに分割されている。塗布領域は、ここで基板上にレジスト液が供給される領域であり、長尺形レジストノズルは塗布領域の中心部の上方に配置される。塗布領域における浮上高はレジストノズルの下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間の塗布ギャップを規定する。この塗布ギャップはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域の浮上面には、高圧気体を噴き出す噴出口に混在させて負圧で周囲の気体（空気）を吸い込む吸引口も多数設けられている。そして、基板の塗布領域を通過する部分に対して、噴出口から高圧気体による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することにより、所定の浮上高（通常３０〜６０μｍ）を大きな浮上剛性で安定に保ち、基板に反りがあればそれを水平に矯正するようになっている。また、塗布領域においては、そのように精密な浮上高を安定に保つために、たとえば光学式の浮上高センサを用いたフィードバック制御も行われている。
【０００５】
これに対して、搬入領域は基板の搬入と浮上搬送の開始が行われる領域であり、搬出領域は浮上搬送の終了と基板の搬出とが行われる領域である。通常、搬入領域および搬出領域は、吸引口が無くて噴出口だけを一面に設けており、浮上高が通常２００〜２０００μｍの範囲内に保たれるように、オープンループ制御による一定の噴出圧力で高圧エアを各噴出口より噴出させるようにしている。
【０００６】
なお、この種の浮上ステージにおける浮上高とは、基板の最下部とステージ上面（浮上面）との間の距離間隔のことである。したがって、たとえば、矩形の基板の周縁部が下がる方向に沿っている場合は、その基板周縁部の下端とステージ上面（浮上面）との間の距離間隔が浮上高となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２４４１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のこの種のレジスト塗布装置においては、浮上搬送中に基板が浮上ステージ（特に搬入領域または搬出領域）の浮上面を擦ることがないように、被処理対象の中で想定される最も浮きにくい基板あるいは最も反りの大きい基板を基準として、高圧気体の噴出圧力を高めに設定していた。しかしながら、そのことによって、浮上しやすくて反りの少ない基板が浮上ステージ上に搬入されるときは、高圧気体の噴出圧力が過剰になって、高圧気体を必要以上に消費していることが問題となっている。さらには、高圧気体の噴出圧力が過剰であると、搬入領域および搬出領域における浮上高が最適範囲（２００〜２０００μｍ）を超えることがある。そうすると、塗布領域側の負担、すなわち浮上剛性を強くして精密浮上高（３０〜６０μｍ）を保つ負担が増大し、塗布領域でも高圧気体およびバキュームの用力消費量が増えることになる。
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術の課題を解決するものであり、浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ浮上用高圧気体の消費効率を改善する基板浮上搬送方法および基板浮上搬送装置を提供する。
【００１０】
さらに、本発明は、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善する基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の基板浮上搬送方法は、浮上ステージの浮上面より噴出する気体の圧力によって基板を空中に浮かせ、空中に浮く前記基板を前記浮上ステージ上で水平方向に搬送する浮上式の基板搬送方法であって、前記浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて前記気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する。
【００１２】
また、本発明の基板浮上搬送装置は、複数の浮上エリアに区画された浮上面を有し、前記浮上面より高圧の気体を噴出して基板を空中に浮かす浮上ステージと、高圧気体を送出する高圧気体供給源と、前記高圧気体供給源と複数の前記浮上エリアとの間に設けられ、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する噴出圧力制御部と、空中に浮く前記基板を着脱可能に保持して前記浮上ステージ上で搬送する基板搬送部とを有する。
【００１３】
本発明の基板浮上搬送方法または基板浮上搬送装置においては、浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、各浮上エリアにおける噴出圧力を独立に可変し、またはオン・オフ制御することにより、基板の種類、属性もしくは反り状態に応じて基板の浮上高ないし矯正の最適化を図り、さらには高圧気体等の用力の使用効率を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の基板処理装置は、本発明の基板浮上搬送装置と、搬送方向の所定の位置にて前記浮上ステージの上方に配置され、その直下を通過する前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部とを有する。
【００１５】
本発明の基板処理装置は、本発明の基板浮上搬送装置を含む上記の構成により、浮上式塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の基板浮上搬送方法または基板浮上搬送装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ、浮上用高圧気体等の用力消費効率を改善することができる。
【００１７】
また、本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】上記レジスト塗布装置における浮上ステージの浮上面を示す平面図である。
【図３】上記レジスト塗布装置において基板上にレジスト塗布膜が形成される様子を示す側面図である。
【図４】実施形態における浮上面区分のパターンを示す図である。
【図５Ａ】実施形態における噴出圧力制御部の構成例を示す図である。
【図５Ｂ】実施形態における噴出圧力制御部の構成例を示す図である。
【図６Ａ】４辺の周縁部が中心部より垂れ下がるような反りのある基板が浮上ステージ（搬入領域）上を移動するときの作用を示す側面図である。
【図６Ｂ】４辺の周縁部が中心部より垂れ下がるような反りのある基板が浮上ステージ上を移動するときの作用を示す正面図である。
【図７】図６Ａおよび図６Ｂに示すタイプの反りがある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図８Ａ】４辺の周縁部が中心部より持ち上がるような反りのある基板が浮上ステージ（搬入領域）上を移動するときの作用を示す側面図である。
【図８Ｂ】４辺の周縁部が中心部より持ち上がるような反りのある基板が浮上ステージ（搬入領域）上を移動するときの作用を示す側面図である。
【図９】図８Ａおよび図８Ｂに示すタイプの反りがある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図１０】左右２辺の周縁部が中間部より垂れ下がるような反りのある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図１１】前後２辺の周縁部が中間部より垂れ下がるような反りのある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図１２】浮上ステージの塗布領域において基板の浮上高を設定通りの精密浮上高に制御するための浮上圧力制御機構の一例を示す図である。
【図１３】一変形例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１４】別の実施例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１５】別の実施例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１６】別の実施例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１７】図１４の実施例における噴出圧力制御部の作用を示す図である。
【図１８】図１５の実施例における噴出圧力制御部の作用を示す図である。
【図１９】図１６の実施例における噴出圧力制御部の作用を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２０】
図１〜図３につき、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の全体的な構成および作用を説明する。このレジスト塗布装置は、たとえばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用の矩形のガラス基板Ｇを被処理基板とする。
【００２１】
図１に示すように、浮上ステージ１０の上面または浮上面には、高圧の気体（たとえばエア）を噴出する多数の噴出口１２が一面に形成されている。浮上ステージ１０の左右両側には直進運動型の第１（左側）および第２（右側）の搬送部１６Ｌ，１６Ｒが配置されている。これらの搬送部１６Ｌ，１６Ｒは、各々単独で、あるいは両者協働して、ステージ１０上で浮いている基板Ｇを着脱可能に保持してステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。浮上ステージ１０上で基板Ｇは、その一対の辺が搬送方向（Ｘ方向）と平行で、他の一対の辺が搬送方向と直交するような水平姿勢をとって、浮上搬送される。
【００２２】
浮上ステージ１０は、図２に示すように、その長手方向（Ｘ方向）に沿って複数たとえば３つの領域ＭIN，ＭCT，ＭOUTに分割されている。一端の領域ＭINは搬入領域であり、レジスト塗布処理を受けるべき新規の基板Ｇはたとえば搬送方向上流側で浮上ステージ１０に隣接する第１のソーターユニット（図示せず）から平流しでこの搬入領域ＭINに搬入される。
【００２３】
搬入領域ＭINは基板Ｇの浮上搬送が開始される領域でもあり、この領域の浮上面には基板Ｇを搬入の浮上搬送に適した浮上高Ｈβで浮かせるために多数の噴出口１２が一面に設けられている。この搬入領域ＭINにおける基板Ｇの浮上高Ｈβは、特に高い精度を必要とせず、たとえば２００〜２０００μｍの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入領域ＭINのサイズは基板Ｇのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域ＭINには、基板Ｇをステージ１０上で位置合わせするためのアライメント部（図示せず）も設けられてよい。
【００２４】
浮上ステージ１０の長手方向中心部に設定された領域ＭCTはレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Ｇはこの塗布領域ＭCTを通過する際に上方のレジストノズル１８からレジスト液Ｒの供給を受ける。この塗布領域ＭCTの浮上面には、基板Ｇを浮上剛性の大きな精密浮上高Ｈα（標準値：３０〜６０μｍ）で安定に浮かせるために、高圧エアを噴き出す噴出口１２と負圧で周囲のエアを吸い込む吸引口１４とを一定の密度または配置パターンで混在させて設けている。
【００２５】
搬送方向（Ｘ方向）における塗布領域ＭCTのサイズは、レジストノズル１８の直下付近に上記のような浮上剛性の大きな精密浮上高Ｈαを保持できるほどのスペース的な余裕があればよいので、通常は基板Ｇのサイズよりも小さくてよく、たとえば１／３〜１／１０程度でよい。
【００２６】
塗布領域ＭCTの下流側に位置する浮上ステージ１０の他端の領域ＭOUTは搬出領域である。このレジスト塗布装置で塗布処理を受けた基板Ｇは、この搬出領域ＭOUTからたとえば搬送方向下流側で浮上ステージ１０に隣接する第２のソーターユニット（図示せず）を経由して次工程の基板処理装置たとえば減圧乾燥装置（図示せず）へ平流しで移送される。この搬出領域ＭOUTの浮上面には、基板Ｇを搬出の浮上搬送に適した浮上高Ｈβ（たとえば２００〜２０００μｍ）で浮かせるために噴出口１２が一面に多数設けられている。
【００２７】
レジストノズル１８は、その長手方向（Ｙ方向）で浮上ステージ１０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできるスリット状の吐出口１８ａを有し、門形または逆さコ字形のフレーム（図示せず）に取り付けられ、たとえばボールネジ機構を有するノズル昇降部（図示せず）の駆動で昇降移動可能であり、レジスト液供給部（図示せず）からのレジスト液供給管２０に接続されている。
【００２８】
第１（左側）および第２（右側）の搬送部１６Ｌ，１６Ｒは、浮上ステージ１０の左右両側に平行に配置された第１および第２のガイドレール２２Ｌ，２２Ｒと、これらのガイドレール２２Ｌ，２２Ｒ上で搬送方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた第１および第２のスライダ２４Ｌ，２４Ｒと、両ガイドレール２２Ｌ，２２Ｒ上で両スライダ２４Ｌ，２４Ｌを同時または個別に直進移動させる第１および第２の搬送駆動部（図示せず）と、基板Ｇを着脱可能に保持するために両スライダ２４Ｌ，２４Ｒに搭載されている第１および第２の保持部２６Ｌ，２６Ｒとをそれぞれ有している。各搬送駆動部は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。
【００２９】
第１（左側）の保持部２６Ｌは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド２８Ｌと、各吸着パッド２８Ｌを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部３０Ｌと、これら複数個のパッド支持部３０Ｌをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ３２Ｌとを有している。
【００３０】
第２（右側）の保持部２６Ｒは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド２８Ｒと、各吸着パッド２８Ｒを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部３０Ｒと、これら複数個のパッド支持部３０Ｒをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ３２Ｒとを有している。
【００３１】
左右両側の各吸着パッド２８Ｌ，２８Ｒは、図示省略するが、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる直方体形状のパッド本体の上面に複数個の吸引口を設けている。それらの吸引口はパッド本体内のバキューム通路および外部のバキューム管を介してパッド吸着制御部の真空源（図示せず）にそれぞれ通じている。
【００３２】
このレジスト塗布装置において、レジスト塗布処理が行われるときは、図３に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINから塗布領域ＭCTに入る際に、基板Ｇの浮上高が漸次的に下がり、ラフで大きな浮上高Ｈβから精密で小さな浮上高Ｈαへと変化する。そして、塗布領域ＭCT内では、特にレジストノズル１８の直下付近では、基板Ｇの浮上高（精密浮上高）Ｈαが標準値（３０〜６０μｍ）に保たれる。基板Ｇが塗布領域ＭCTを過ぎると、基板Ｇの浮上高は漸次的にラフ浮上高Ｈβの標準値（２００〜２０００μｍ）へと増大していく。
【００３３】
こうして、基板Ｇが塗布領域ＭCT内では上下にぶれたりせずに精密浮上高Ｈαを保って移動することにより、レジストノズル１８より帯状に供給されるレジスト液Ｒが基板Ｇ上で均一に塗布され、基板Ｇの前端から後端に向かってレジスト液Ｒの塗布膜ＲＭが一定の膜厚で形成される。
【００３４】
この実施形態では、以下に述べるような浮上ステージ１０上の空間的かつ時間的な噴出圧力の可変制御ないしオン・オフ制御機能により、浮上ステージ１０上で浮上搬送される基板Ｇの浮上高や姿勢を最適化しつつ浮上用高圧気体の消費効率ひいてはバキューム消費効率を改善している。
【００３５】
図４に点線で示すように、この実施形態の浮上ステージ１０は、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの浮上面をそれぞれ多数の浮上エリアに区画している。より詳細には、搬入領域ＭINの浮上面は、搬送方向（Ｘ方向）において複数個（ｍ個）の短冊状エリアＥ1，Ｅ2，・・，Ｅmに区画され、各々の短冊状エリアＥi（i=1,2，・・,m）が搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）において左右両端部の浮上エリアＡＬi，ＡＲiと中間部の浮上エリアＡＳiとに区画されている。全体的に見ると、左端浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ2，・・，ＡＬm）、中間浮上エリア（ＡＳ1，ＡＳ2，・・，ＡＳm）および右端浮上エリア（ＡＲ1，ＡＲ2，・・，ＡＲm）が搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ一列に並んで第１、第２および第３の浮上エリア群３８(1)，３８(2)，３８(3)を形成している。
【００３６】
一方、搬出領域ＭOUTの浮上面は、搬送方向（Ｘ方向）において複数個（ｎ個）の短冊状エリアＦ1，Ｆ2，・・，Ｆnに区画され、各々の短冊状エリアＦj（j=1,2，・・,n）が搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）において左右両端部の浮上エリアＢＬj，ＢＲjと中間部の浮上エリアＢＳjとに区画されている。全体的に見ると、左端浮上エリア（ＢＬ1，ＢＬ2，・・，ＢＬm）、中間浮上エリア（ＢＳ1，ＢＳ2，・・，ＢＳm）および右端浮上エリア（ＢＲ1，ＢＲ2，・・，ＢＲm）が搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ一列に並んで第４、第５および第６の浮上エリア群３８(4)，３８(5)，３８(6)を形成している。
【００３７】
上記のような第１〜第６の浮上エリア群３８(1)〜３８(6)の各浮上エリアＡＬi，ＡＲi，ＡＳi，ＢＬj，ＢＲj，ＢＳj内に分布する噴出口１２の密度および／または配置パターンは、同じであってもよく、あるいは異なっていてもよく、それぞれ独立に選定されてよい。この実施形態では、図２に示すように、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの左端浮上エリアＡＬi，ＢＬjおよび右端浮上エリアＡＲi，ＢＲjに同一の噴出口密度および配置パターンを設定し、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの中間浮上エリアＡＳi，ＢＳjに同一の噴出口密度および配置パターンを設定している。そして、面積の小さい両端の浮上エリアＡＬi，ＢＬj，ＡＲi，ＢＲjの単位面積当たりの応答性を高くするため、それらの噴出口密度を面積の大きい中間浮上エリアＡＳi，ＢＳjの噴出口密度よりも一段高くしている。
【００３８】
図５Ａおよび図５Ｂに、浮上ステージ１０の搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTにおける高圧気体の噴出圧力を制御するための噴出圧力制御部４０の構成を示す。
【００３９】
この実施形態における噴出圧力制御部４０は、たとえばコンプレッサからなる高圧気体供給源４２と各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjとの間に設けられ、基板Ｇの種類、属性もしくは反り状態または基板Ｇの部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲj毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御するように構成されている。
【００４０】
この噴出圧力制御部４０は、高圧気体供給源４２からの高圧気体を各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjに分配供給するための高圧気体流路網４４と、この高圧気体流路網４４において高圧気体供給源４２からの一次高圧気体を減圧して複数段階（たとえば強・中・弱の３段階）の圧力に調整された二次高圧気体をそれぞれ出力する複数（３つ）のレギュレータ４６，４８，５０と、各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjに対してこれらのレギュレータ４６，４８，５０からの３種類の二次高圧気体のいずれか１つを個別に選択するための切換弁５２ＡＬi，５２ＡＳi，５２ＡＲi，５２ＢＬj，５２ＢＳj，５２ＢＲjと、各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjにおける高圧気体の噴出を個別にオン・オフするための開閉弁５４ＡＬi，５４ＡＳi，５４ＡＲi，５４ＢＬj，５４ＢＳj，５４ＢＲjと、上記レギュレータ、切換弁および開閉弁の各々を個別に制御するコントローラ５５とを有している。
【００４１】
この噴出圧力制御部４０においては、上記の構成により、各浮上エリア毎に高圧気体の噴出をオン・オフできるとともに、噴出圧力を「強」、「中」、「弱」の３通り（３段階）に可変することができる。たとえば、浮上エリアＡＬiについては、開閉弁５４ＡＬ1をオンにして、切換弁５２ＡＬ1をレギュレータ４６に切り換えると「強」の噴出圧力が選択され、切換弁５２ＡＬ1をレギュレータ４８に切り換えると「中」の噴出圧力が選択され、切換弁５２ＡＬ1をレギュレータ５０に切り換えると「弱」の噴出圧力が選択される。開閉弁５４ＡＬ1をオフにすると、浮上エリアＡＬiから高圧エアが噴出しなくなる。
【００４２】
なお、高圧気体流路網４２の途中に、たとえば各開閉弁５４ＡＬi，５４ＡＳi，５４ＡＲi，５４ＢＬj，５４ＢＳj，５４ＢＲjと各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjとの間には、各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲj内に分布する多数の噴出口１２に均一な圧力で高圧エアを分配するためのマニホールドまたはバッファ室（図示せず）が設けられている。
【００４３】
コントローラ５５は、たとえばマイクロコンピュータからなり、上記噴出圧力制御部４０内の各部の制御を行うほか、このレジスト塗布装置内の他の機構、たとえばレジスト液供給部、基板搬送部等に対する制御も行い、さらにはレジスト塗布処理において装置全体のシーケンスを制御する。
【００４４】
コントローラ５５は、このレジスト塗布処理装置が組み込まれている上位システム（たとえば塗布現像処理装置）を統括制御するホストコンピュータ（図示せず）と種種のデータおよび信号をやりとりする。特に、このレジスト塗布処理装置に搬入される処理対象の基板Ｇに関して、基板の種類または属性（たとえば長さ×幅サイズ、厚み、材質、下地膜の層順位・種類等）の情報をたとえばロット単位でホストコンピュータから受け取るようになっている。
【００４５】
コントローラ５５は、このような属性情報を基に、所定のアルゴリズムによって、処理対象の基板Ｇについてその浮上特性や反り具合を推定することができる。たとえば、基板のサイズ、厚み、材質等のデータから、単位面積当たりの重量を求めて、当該基板を所望の浮上高に浮かせるために必要な噴出圧力を決定することができる。また、基板の反りは、主に基板上にそれまで積層形成されている複数の層（特に金属配線層）間のバイメタル効果に起因して起こる。したがって、今回レジスト塗布処理を受ける下地膜の層順位または種類に応じて反りの種類（態様）および程度が変わる。逆な見方をすれば、下地膜に関する情報を基に、反りの種類（態様）および程度を推定することができる。
【００４６】
もっとも、基板の反りに関しては、図３に示すように、たとえば浮上ステージ１０の入口付近に光学式の反り検出部５６を好適に設けることができる。この反り検出部５６は、搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）に複数個の光学式距離センサ５８を一定間隔で一列に並べて配置し、上記第１のソーターユニットから平流しで浮上ステージ１０上に搬入される基板Ｇが真下を通過する際に、それら複数の光学式距離センサ５８を通じて基板Ｇの２次元的な平坦度を光学的な走査でモニタし、基板Ｇの反りの種類（態様）および程度を正確に測定することができる。反り検出部５６における信号処理は、専用の演算回路で行ってもよく、あるいはコントローラ５５が兼用して行ってもよい。
【００４７】
次に、図６〜図１１につき、この実施形態における噴出圧力制御部４０の作用を説明する。なお、以下の説明では基板Ｇが浮上ステージ１０の搬入領域ＭINの上を移動するときの作用について述べるが、搬出領域ＭOUTの上を移動するときも基本的には同じである。
【００４８】
第１の例として、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、均一な噴出圧力で浮上させたときに４辺の周縁部が中心部より低く垂れ下がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００４９】
したがって、浮上ステージ１０上で移動する基板Ｇが図７の（ａ）に示す位置にある時は、基板Ｇの４辺の周縁部の下にある浮上エリア（ＡＬ2〜ＡＬ9）、（ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ8，ＡＳ9）、（ＡＲ2〜ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力がたとえば「強」に制御され、基板Ｇの中心部の下にある浮上エリア（ＡＳ4〜ＡＳ7）における高圧気体の噴出圧力が一段低い値たとえば「中」に制御される。そして、他の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12）、（ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12）、（ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。
【００５０】
その直後に、基板Ｇが図７の（ｂ）に示す位置にある時は、この時点で基板Ｇの４辺の周縁部の下にある浮上エリア（ＡＬ3〜ＡＬ10）、（ＡＳ3，ＡＳ4，ＡＳ9，ＡＳ10）、（ＡＲ3〜ＡＲ10）における高圧気体の噴出圧力が「強」に制御され、基板Ｇの中心部の下にある浮上エリア（ＡＳ5〜ＡＳ8）における高圧気体の噴出圧力が「中」に制御される。そして、他の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ2，ＡＬ11，ＡＬ12）、（ＡＳ1，ＡＳＬ2，ＡＳ11，ＡＳ12）、（ＡＲ1，ＡＲ2，ＡＲ11，ＡＲ12）においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。
【００５１】
さらにその直後で、基板Ｇが図７の（ｃ）に示す位置にある時は、この時点で基板Ｇの４辺の周縁部の下にある浮上エリア（ＡＬ4〜ＡＬ11）、（ＡＳ4，ＡＳ5，ＡＳ10，ＡＳ11）、（ＡＲ4〜ＡＲ11）における高圧気体の噴出圧力が「強」に制御され、基板Ｇの中心部の下にある浮上エリア（ＡＳ6〜ＡＳ9）における高圧気体の噴出圧力が「中」に制御される。そして、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ2，ＡＬ3，ＡＬ12）、（ＡＳ1，ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ12）、（ＡＲ1，ＡＲ2，ＡＲ3，ＡＲ12）においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。
【００５２】
なお、基板Ｇが薄くて軽い場合は、基板Ｇの中心部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「弱」に制御し、基板Ｇの４辺の周縁部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「中」または「強」に制御してもよい。
【００５３】
上記のように、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くすることによって、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、基板Ｇの４辺の反りをある程度まで矯正する効果も得られる。
【００５４】
第２の例として、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、均一な噴出圧力で浮上させたときに４辺の周縁部が中心部より上に持ち上がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００５５】
たとえば、図９に示すように、基板Ｇの中心部の下に位置している浮上エリア（図９の（ａ）の場面ではＡＳ4〜ＡＳ7）における高圧気体の噴出圧力を「強」に制御し、基板Ｇの４辺の周縁部の下に位置している浮上エリア（ＡＬ2〜ＡＬ9，ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ8，ＡＳ9，ＡＲ2〜ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力を「中」（または「弱」）に制御し、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12，ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12，ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。
【００５６】
あるいは、基板Ｇが薄くて軽い場合は、基板Ｇの中心部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「中」に制御し、基板Ｇの４辺の周縁部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「弱」に制御してもよい。
【００５７】
上記のように、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に低くすることによって、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、基板Ｇの４辺の反りをある程度まで矯正する効果も得られる。
【００５８】
第３の例として、図示省略するが、均一な噴出圧力で浮上させたときに搬送方向の左右２辺の周縁部が中心部より下に垂れ下がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの左右２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００５９】
たとえば、図１０に示すように、基板Ｇの左右２辺の周縁部の下に位置している各浮上エリア（図１０の（ａ）の場面ではＡＬ2〜ＡＬ9，ＡＲ2〜ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力を「強」に制御し、基板Ｇの中間部の下に位置している各浮上エリア（ＡＳ2〜ＡＳ9）における高圧エアの噴出圧力を「中」（または「弱」）に制御し、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12，ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12，ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。
【００６０】
第４の例として、図示省略するが、均一な噴出圧力で浮上させたときに搬送方向の前後２辺の周縁部が中心部より下に垂れ下がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの前後２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００６１】
たとえば、図１１に示すように、基板Ｇの前後２辺の周縁部の下に位置している浮上エリア（図１１の（ａ）の場面ではＡＬ2，ＡＬ3，ＡＬ8，ＡＬ9，ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ8，ＡＳ9，ＡＲ2，ＡＲ3，ＡＲ8，ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力を「強」に制御し、基板Ｇの中間部の下に位置している浮上エリア（ＡＬ4〜ＡＬ7，ＡＳ4〜ＡＳ7，ＡＲ4〜ＡＲ7）における高圧気体の噴出圧力を「中」（または「弱」）に制御し、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12，ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12，ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。
【００６２】
このように、基板Ｇの選択された所定の部位（たとえば周縁部／中心部）が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、各々の浮上エリアにおける高圧エアの噴出圧力を可変し、またはオン・オフ制御することにより、浮上ステージ１０上の基板Ｇの浮上高およびその反り状態に対する矯正力を最適化できるとともに、浮上搬送に用いる高圧気体の消費効率を向上させることができる。したがって、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。
【００６３】
図１２に、塗布領域ＭCTにおいて基板Ｇの浮上高（精密浮上高）Ｈαを設定値に保つための浮上圧力制御機構の一例を示す。
【００６４】
この浮上圧力制御機構において、高圧気体供給源４２は配管または高圧気体供給管６０を介して浮上ステージ１０の塗布領域ＭCT専用の高圧気体導入口６２に接続されており、この高圧気体供給管６０の途中にたとえば電空レギュレータからなる比例制御弁６４が設けられている。一方、工場用力のバキューム源６６は配管またはバキューム管６８を介して塗布領域ＭCT専用のバキューム導入口７０に接続されており、このバキューム管６８の途中にコンダクタンスバルブ７２が設けられている。
【００６５】
さらに、浮上ステージ１０には、光学式の距離センサ７４が取り付けられている。この光学式距離センサ７４は、直上の基板Ｇに向けて光ビームＬＢを照射し、基板Ｇの下面からの反射光を受光して、その受光位置から所定の測定基準高さ位置と基板Ｇの下面との間の距離ひいては基板Ｇの浮上高の測定値［Ｈα］を求める。コントローラ５５は、その測定値［Ｈα］が精密浮上高Ｈαの設定値に一致するように比例制御弁６４およびコンダクタンスバルブ７２の開度を制御する。
【００６６】
この実施形態では、上述したように搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTにおいて基板Ｇの浮上高および姿勢が最適化されるので、塗布領域ＭCTにおいて基板Ｇの浮上高（精密浮上高）Ｈαに設定値に合わせるための浮上圧力制御機構の負担が軽減される。そして、浮上圧力制御機構で消費する高圧気体の消費効率およびバキューム消費効率も改善される。
［他の実施形態または変形例］
【００６７】
以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。
【００６８】
たとえば、上記実施形態における噴出圧力制御部４０を図１３に示すような構成に変形することも可能である。この変形例は、浮上ステージ１０の左右両端部の浮上エリアＡＬ1〜ＡＬm，ＡＲ1〜ＡＲm（ＢＬ1〜ＢＬn，ＢＲ1〜ＢＲn）に対して共通の比例制御弁７６を設ける。比例制御弁７６は、たとえば電空レギュレータからなり、コントローラ５５の制御の下で連続的に可変の二次高圧気体を出力する。この変形例によっても、上述した第１〜第４の噴出圧力制御法（図７、図９、図１０、図１１）を実現することができる。
【００６９】
別の実施例として、噴出圧力制御部４０を図１４に示すような構成にすることも可能である。この構成例は、浮上ステージ１０の左右両端部の浮上エリアＡＬ1〜ＡＬm，ＡＲ1〜ＡＲm（ＢＬ1〜ＢＬm，ＢＲ1〜ＢＲm）に対して共通の比例制御弁７６を設けるとともに、中間部の浮上エリアＡＳ1〜ＡＳm（ＢＳ1〜ＢＳn）に対しても共通の比例制御弁７８を設ける、この比例制御弁７８も、たとえば電空レギュレータからなり、コントローラ５５の制御の下で連続的に可変の二次高圧気体を出力する。
【００７０】
この構成例によれば、図１７に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）の上を移動する際に、基板Ｇの左右２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御を行うことができる。これによって、搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っている基板Ｇに対して浮上高および矯正力の最適化を図れるとともに、高圧気体の消費効率を向上させることができる。
【００７１】
別の実施例として、浮上ステージ１０の搬入領域ＭIN（搬出領域ＭOUT）の浮上面を、図１８に示すように搬送方向（Ｘ方向）においてのみ複数の浮上エリアＡＰ１〜ＡＰｍに区画することも可能である。この場合、噴出圧力制御部４０をたとえば図１５に示すように構成することができる。この構成は、上述した実施形態の構成（図５Ａ）において中間部の浮上エリアＡＳ１〜ＡＳｍ（ＢＳ１〜ＢＳｎ）に対する構成部分に相当する。
【００７２】
この構成例によれば、図１８に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）の上を移動する際に、基板Ｇの前後２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御を行うことができる。これによって、搬送方向の前後両端部と中間部との間で反っている基板Ｇに対して浮上高および矯正力の最適化を図れるとともに、高圧気体の消費効率を向上させることができる。
【００７３】
別の実施例として、浮上ステージ１０の搬入領域ＭIN（搬出領域ＭOUT）の浮上面を、図１９に示すように搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）においてのみ複数の浮上エリアＡＬ，ＡＳ，ＡＲに区画することも可能である。この場合、噴出圧力制御部４０をたとえば図１６に示すように構成することができる。この構成は、図１４の実施例において、左右両端の浮上エリアＡＬ1〜ＡＬm，ＡＲ1〜ＡＲm（ＢＬ1〜ＢＬm，ＢＲ1〜ＢＲm）に対する開閉弁５４ＡＬ1〜５４ＡＬm，５４ＡＲ1〜５４ＡＲm（５４ＢＬ1〜５４ＢＬm，５４ＢＲ1〜５４ＢＲm）を比例制御弁７６の上流側に集約して１つの開閉弁８０に置き換えるとともに、中間部の浮上エリアＡＳ1〜ＡＳm（ＢＳ1〜ＢＳn）に対する開閉弁５４ＡＳ1〜５４ＡＳm（５４ＢＳ1〜５４ＢＳn）を比例制御弁７８の上流側に集約して１つの開閉弁８２に置き換えたものである。
【００７４】
この構成例によれば、図１９に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）の上を移動する際に、基板Ｇの左右２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を可変する制御を行うことができる。これによって、搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っている基板Ｇに対して浮上高および矯正力の最適化を図ることができる。
【００７５】
上記した実施形態では、塗布領域ＭCTの浮上面には一面に噴出口１２と吸引口１４とを混在させていた。しかし、図示省略するが、塗布領域ＭCTの左右両端部を噴出口１２だけを配置する１つまたは複数の浮上エリアとし、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTにおける左右両端部の浮上エリアと同様または同列に制御することも可能である。
【００７６】
上記した実施形態はＬＣＤ製造用のレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を塗布する任意の基板処理装置に適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。さらに、本発明は、浮上ステージを用いる検査装置にも適用可能である。その場合、上記実施形態における塗布領域は検査領域に置き換わり、レジストノズルはたとえば光学式検査計またはカメラ等に置き換わる。
【００７７】
本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１０ 浮上ステージ
１２ 噴出口
１４ 吸引口
１６Ｌ，１６Ｒ 搬送部
１８ レジストノズル
４０ 噴出圧力制御部
４２ 高圧気体供給源
４４ 高圧流路網
４６，４８，５０ レギュレータ
ＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲj 浮上エリア
５２ＡＬi，５２ＡＳi，５２ＡＲi，５２ＢＬj，５２ＢＳj，５２ＢＲj 切換弁
５４ＡＬi，５４ＡＳi，５４ＡＲi，５４ＢＬj，５４ＢＳj，５４ＢＲj 開閉弁
５５ コントローラ
５６ 反り検出部
７６，７８ 比例制御弁
８０，８２ 開閉弁
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージ上で基板を浮上搬送する基板浮上搬送方法および装置ならびに基板に対して浮上搬送中に所望の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造のフォトリソグラフィー工程においては、被処理基板（たとえばガラス基板）をステージ上で浮上搬送しながらステージ上方に設置した長尺形のノズルよりレジスト液を吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布する浮上搬送方式のレジスト塗布装置が用いられている。
【０００３】
このような浮上搬送方式のレジスト塗布装置に用いられている浮上ステージは、その上面（浮上面）から垂直上方に高圧の気体（通常はエア）を噴き出し、その高圧気体の圧力によって基板を水平姿勢で浮かすようにしている。そして、浮上ステージの左右両側に配置されている直進運動型の搬送部が、浮上ステージ上で浮いている基板を着脱可能に保持してステージ長手方向に基板を搬送するようになっている。
【０００４】
通常、浮上ステージの上面（浮上面）は、搬送方向に沿って搬入領域、塗布領域および搬出領域の３つに分割されている。塗布領域は、ここで基板上にレジスト液が供給される領域であり、長尺形レジストノズルは塗布領域の中心部の上方に配置される。塗布領域における浮上高はレジストノズルの下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間の塗布ギャップを規定する。この塗布ギャップはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域の浮上面には、高圧気体を噴き出す噴出口に混在させて負圧で周囲の気体（空気）を吸い込む吸引口も多数設けられている。そして、基板の塗布領域を通過する部分に対して、噴出口から高圧気体による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することにより、所定の浮上高（通常３０〜６０μｍ）を大きな浮上剛性で安定に保ち、基板に反りがあればそれを水平に矯正するようになっている。また、塗布領域においては、そのように精密な浮上高を安定に保つために、たとえば光学式の浮上高センサを用いたフィードバック制御も行われている。
【０００５】
これに対して、搬入領域は基板の搬入と浮上搬送の開始が行われる領域であり、搬出領域は浮上搬送の終了と基板の搬出とが行われる領域である。通常、搬入領域および搬出領域は、吸引口が無くて噴出口だけを一面に設けており、浮上高が通常２００〜２０００μｍの範囲内に保たれるように、オープンループ制御による一定の噴出圧力で高圧エアを各噴出口より噴出させるようにしている。
【０００６】
なお、この種の浮上ステージにおける浮上高とは、基板の最下部とステージ上面（浮上面）との間の距離間隔のことである。したがって、たとえば、矩形の基板の周縁部が下がる方向に沿っている場合は、その基板周縁部の下端とステージ上面（浮上面）との間の距離間隔が浮上高となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２４４１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のこの種のレジスト塗布装置においては、浮上搬送中に基板が浮上ステージ（特に搬入領域または搬出領域）の浮上面を擦ることがないように、被処理対象の中で想定される最も浮きにくい基板あるいは最も反りの大きい基板を基準として、高圧気体の噴出圧力を高めに設定していた。しかしながら、そのことによって、浮上しやすくて反りの少ない基板が浮上ステージ上に搬入されるときは、高圧気体の噴出圧力が過剰になって、高圧気体を必要以上に消費していることが問題となっている。さらには、高圧気体の噴出圧力が過剰であると、搬入領域および搬出領域における浮上高が最適範囲（２００〜２０００μｍ）を超えることがある。そうすると、塗布領域側の負担、すなわち浮上剛性を強くして精密浮上高（３０〜６０μｍ）を保つ負担が増大し、塗布領域でも高圧気体およびバキュームの用力消費量が増えることになる。
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術の課題を解決するものであり、浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ浮上用高圧気体の消費効率を改善する基板浮上搬送方法および基板浮上搬送装置を提供する。
【００１０】
さらに、本発明は、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善する基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の基板浮上搬送方法は、浮上ステージの浮上面より噴出する気体の圧力によって基板を空中に浮かせ、空中に浮く前記基板を前記浮上ステージ上で水平方向に搬送する浮上式の基板搬送方法であって、前記浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて前記気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する。
【００１２】
また、本発明の基板浮上搬送装置は、複数の浮上エリアに区画された浮上面を有し、前記浮上面より高圧の気体を噴出して基板を空中に浮かす浮上ステージと、高圧気体を送出する高圧気体供給源と、前記高圧気体供給源と複数の前記浮上エリアとの間に設けられ、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する噴出圧力制御部と、空中に浮く前記基板を着脱可能に保持して前記浮上ステージ上で搬送する基板搬送部とを有する。
【００１３】
本発明の基板浮上搬送方法または基板浮上搬送装置においては、浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、各浮上エリアにおける噴出圧力を独立に可変し、またはオン・オフ制御することにより、基板の種類、属性もしくは反り状態に応じて基板の浮上高ないし矯正の最適化を図り、さらには高圧気体等の用力の使用効率を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の基板処理装置は、本発明の基板浮上搬送装置と、搬送方向の所定の位置にて前記浮上ステージの上方に配置され、その直下を通過する前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部とを有する。
【００１５】
本発明の基板処理装置は、本発明の基板浮上搬送装置を含む上記の構成により、浮上式塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の基板浮上搬送方法または基板浮上搬送装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ、浮上用高圧気体等の用力消費効率を改善することができる。
【００１７】
また、本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】上記レジスト塗布装置における浮上ステージの浮上面を示す平面図である。
【図３】上記レジスト塗布装置において基板上にレジスト塗布膜が形成される様子を示す側面図である。
【図４】実施形態における浮上面区分のパターンを示す図である。
【図５Ａ】実施形態における噴出圧力制御部の構成例を示す図である。
【図５Ｂ】実施形態における噴出圧力制御部の構成例を示す図である。
【図６Ａ】４辺の周縁部が中心部より垂れ下がるような反りのある基板が浮上ステージ（搬入領域）上を移動するときの作用を示す側面図である。
【図６Ｂ】４辺の周縁部が中心部より垂れ下がるような反りのある基板が浮上ステージ上を移動するときの作用を示す正面図である。
【図７】図６Ａおよび図６Ｂに示すタイプの反りがある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図８Ａ】４辺の周縁部が中心部より持ち上がるような反りのある基板が浮上ステージ（搬入領域）上を移動するときの作用を示す側面図である。
【図８Ｂ】４辺の周縁部が中心部より持ち上がるような反りのある基板が浮上ステージ（搬入領域）上を移動するときの作用を示す側面図である。
【図９】図８Ａおよび図８Ｂに示すタイプの反りがある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図１０】左右２辺の周縁部が中間部より垂れ下がるような反りのある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図１１】前後２辺の周縁部が中間部より垂れ下がるような反りのある基板に対する噴出圧力制御部の作用を説明するための図である。
【図１２】浮上ステージの塗布領域において基板の浮上高を設定通りの精密浮上高に制御するための浮上圧力制御機構の一例を示す図である。
【図１３】一変形例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１４】別の実施例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１５】別の実施例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１６】別の実施例における噴出圧力制御部の構成を示す図である。
【図１７】図１４の実施例における噴出圧力制御部の作用を示す図である。
【図１８】図１５の実施例における噴出圧力制御部の作用を示す図である。
【図１９】図１６の実施例における噴出圧力制御部の作用を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２０】
図１〜図３につき、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布装置の全体的な構成および作用を説明する。このレジスト塗布装置は、たとえばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用の矩形のガラス基板Ｇを被処理基板とする。
【００２１】
図１に示すように、浮上ステージ１０の上面または浮上面には、高圧の気体（たとえばエア）を噴出する多数の噴出口１２が一面に形成されている。浮上ステージ１０の左右両側には直進運動型の第１（左側）および第２（右側）の搬送部１６Ｌ，１６Ｒが配置されている。これらの搬送部１６Ｌ，１６Ｒは、各々単独で、あるいは両者協働して、ステージ１０上で浮いている基板Ｇを着脱可能に保持してステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。浮上ステージ１０上で基板Ｇは、その一対の辺が搬送方向（Ｘ方向）と平行で、他の一対の辺が搬送方向と直交するような水平姿勢をとって、浮上搬送される。
【００２２】
浮上ステージ１０は、図２に示すように、その長手方向（Ｘ方向）に沿って複数たとえば３つの領域ＭIN，ＭCT，ＭOUTに分割されている。一端の領域ＭINは搬入領域であり、レジスト塗布処理を受けるべき新規の基板Ｇはたとえば搬送方向上流側で浮上ステージ１０に隣接する第１のソーターユニット（図示せず）から平流しでこの搬入領域ＭINに搬入される。
【００２３】
搬入領域ＭINは基板Ｇの浮上搬送が開始される領域でもあり、この領域の浮上面には基板Ｇを搬入の浮上搬送に適した浮上高Ｈβで浮かせるために多数の噴出口１２が一面に設けられている。この搬入領域ＭINにおける基板Ｇの浮上高Ｈβは、特に高い精度を必要とせず、たとえば２００〜２０００μｍの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入領域ＭINのサイズは基板Ｇのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域ＭINには、基板Ｇをステージ１０上で位置合わせするためのアライメント部（図示せず）も設けられてよい。
【００２４】
浮上ステージ１０の長手方向中心部に設定された領域ＭCTはレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Ｇはこの塗布領域ＭCTを通過する際に上方のレジストノズル１８からレジスト液Ｒの供給を受ける。この塗布領域ＭCTの浮上面には、基板Ｇを浮上剛性の大きな精密浮上高Ｈα（標準値：３０〜６０μｍ）で安定に浮かせるために、高圧エアを噴き出す噴出口１２と負圧で周囲のエアを吸い込む吸引口１４とを一定の密度または配置パターンで混在させて設けている。
【００２５】
搬送方向（Ｘ方向）における塗布領域ＭCTのサイズは、レジストノズル１８の直下付近に上記のような浮上剛性の大きな精密浮上高Ｈαを保持できるほどのスペース的な余裕があればよいので、通常は基板Ｇのサイズよりも小さくてよく、たとえば１／３〜１／１０程度でよい。
【００２６】
塗布領域ＭCTの下流側に位置する浮上ステージ１０の他端の領域ＭOUTは搬出領域である。このレジスト塗布装置で塗布処理を受けた基板Ｇは、この搬出領域ＭOUTからたとえば搬送方向下流側で浮上ステージ１０に隣接する第２のソーターユニット（図示せず）を経由して次工程の基板処理装置たとえば減圧乾燥装置（図示せず）へ平流しで移送される。この搬出領域ＭOUTの浮上面には、基板Ｇを搬出の浮上搬送に適した浮上高Ｈβ（たとえば２００〜２０００μｍ）で浮かせるために噴出口１２が一面に多数設けられている。
【００２７】
レジストノズル１８は、その長手方向（Ｙ方向）で浮上ステージ１０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできるスリット状の吐出口１８ａを有し、門形または逆さコ字形のフレーム（図示せず）に取り付けられ、たとえばボールネジ機構を有するノズル昇降部（図示せず）の駆動で昇降移動可能であり、レジスト液供給部（図示せず）からのレジスト液供給管２０に接続されている。
【００２８】
第１（左側）および第２（右側）の搬送部１６Ｌ，１６Ｒは、浮上ステージ１０の左右両側に平行に配置された第１および第２のガイドレール２２Ｌ，２２Ｒと、これらのガイドレール２２Ｌ，２２Ｒ上で搬送方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた第１および第２のスライダ２４Ｌ，２４Ｒと、両ガイドレール２２Ｌ，２２Ｒ上で両スライダ２４Ｌ，２４Ｌを同時または個別に直進移動させる第１および第２の搬送駆動部（図示せず）と、基板Ｇを着脱可能に保持するために両スライダ２４Ｌ，２４Ｒに搭載されている第１および第２の保持部２６Ｌ，２６Ｒとをそれぞれ有している。各搬送駆動部は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。
【００２９】
第１（左側）の保持部２６Ｌは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド２８Ｌと、各吸着パッド２８Ｌを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部３０Ｌと、これら複数個のパッド支持部３０Ｌをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ３２Ｌとを有している。
【００３０】
第２（右側）の保持部２６Ｒは、基板Ｇの左側二隅の裏面（下面）にそれぞれ真空吸着力で結合する複数個の吸着パッド２８Ｒと、各吸着パッド２８Ｒを搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた複数箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する複数個のパッド支持部３０Ｒと、これら複数個のパッド支持部３０Ｒをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる複数個のパッドアクチエータ３２Ｒとを有している。
【００３１】
左右両側の各吸着パッド２８Ｌ，２８Ｒは、図示省略するが、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる直方体形状のパッド本体の上面に複数個の吸引口を設けている。それらの吸引口はパッド本体内のバキューム通路および外部のバキューム管を介してパッド吸着制御部の真空源（図示せず）にそれぞれ通じている。
【００３２】
このレジスト塗布装置において、レジスト塗布処理が行われるときは、図３に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINから塗布領域ＭCTに入る際に、基板Ｇの浮上高が漸次的に下がり、ラフで大きな浮上高Ｈβから精密で小さな浮上高Ｈαへと変化する。そして、塗布領域ＭCT内では、特にレジストノズル１８の直下付近では、基板Ｇの浮上高（精密浮上高）Ｈαが標準値（３０〜６０μｍ）に保たれる。基板Ｇが塗布領域ＭCTを過ぎると、基板Ｇの浮上高は漸次的にラフ浮上高Ｈβの標準値（２００〜２０００μｍ）へと増大していく。
【００３３】
こうして、基板Ｇが塗布領域ＭCT内では上下にぶれたりせずに精密浮上高Ｈαを保って移動することにより、レジストノズル１８より帯状に供給されるレジスト液Ｒが基板Ｇ上で均一に塗布され、基板Ｇの前端から後端に向かってレジスト液Ｒの塗布膜ＲＭが一定の膜厚で形成される。
【００３４】
この実施形態では、以下に述べるような浮上ステージ１０上の空間的かつ時間的な噴出圧力の可変制御ないしオン・オフ制御機能により、浮上ステージ１０上で浮上搬送される基板Ｇの浮上高や姿勢を最適化しつつ浮上用高圧気体の消費効率ひいてはバキューム消費効率を改善している。
【００３５】
図４に点線で示すように、この実施形態の浮上ステージ１０は、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの浮上面をそれぞれ多数の浮上エリアに区画している。より詳細には、搬入領域ＭINの浮上面は、搬送方向（Ｘ方向）において複数個（ｍ個）の短冊状エリアＥ1，Ｅ2，・・，Ｅmに区画され、各々の短冊状エリアＥi（i=1,2，・・,m）が搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）において左右両端部の浮上エリアＡＬi，ＡＲiと中間部の浮上エリアＡＳiとに区画されている。全体的に見ると、左端浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ2，・・，ＡＬm）、中間浮上エリア（ＡＳ1，ＡＳ2，・・，ＡＳm）および右端浮上エリア（ＡＲ1，ＡＲ2，・・，ＡＲm）が搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ一列に並んで第１、第２および第３の浮上エリア群３８(1)，３８(2)，３８(3)を形成している。
【００３６】
一方、搬出領域ＭOUTの浮上面は、搬送方向（Ｘ方向）において複数個（ｎ個）の短冊状エリアＦ1，Ｆ2，・・，Ｆnに区画され、各々の短冊状エリアＦj（j=1,2，・・,n）が搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）において左右両端部の浮上エリアＢＬj，ＢＲjと中間部の浮上エリアＢＳjとに区画されている。全体的に見ると、左端浮上エリア（ＢＬ1，ＢＬ2，・・，ＢＬm）、中間浮上エリア（ＢＳ1，ＢＳ2，・・，ＢＳm）および右端浮上エリア（ＢＲ1，ＢＲ2，・・，ＢＲm）が搬送方向（Ｘ方向）にそれぞれ一列に並んで第４、第５および第６の浮上エリア群３８(4)，３８(5)，３８(6)を形成している。
【００３７】
上記のような第１〜第６の浮上エリア群３８(1)〜３８(6)の各浮上エリアＡＬi，ＡＲi，ＡＳi，ＢＬj，ＢＲj，ＢＳj内に分布する噴出口１２の密度および／または配置パターンは、同じであってもよく、あるいは異なっていてもよく、それぞれ独立に選定されてよい。この実施形態では、図２に示すように、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの左端浮上エリアＡＬi，ＢＬjおよび右端浮上エリアＡＲi，ＢＲjに同一の噴出口密度および配置パターンを設定し、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTの中間浮上エリアＡＳi，ＢＳjに同一の噴出口密度および配置パターンを設定している。そして、面積の小さい両端の浮上エリアＡＬi，ＢＬj，ＡＲi，ＢＲjの単位面積当たりの応答性を高くするため、それらの噴出口密度を面積の大きい中間浮上エリアＡＳi，ＢＳjの噴出口密度よりも一段高くしている。
【００３８】
図５Ａおよび図５Ｂに、浮上ステージ１０の搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTにおける高圧気体の噴出圧力を制御するための噴出圧力制御部４０の構成を示す。
【００３９】
この実施形態における噴出圧力制御部４０は、たとえばコンプレッサからなる高圧気体供給源４２と各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjとの間に設けられ、基板Ｇの種類、属性もしくは反り状態または基板Ｇの部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲj毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御するように構成されている。
【００４０】
この噴出圧力制御部４０は、高圧気体供給源４２からの高圧気体を各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjに分配供給するための高圧気体流路網４４と、この高圧気体流路網４４において高圧気体供給源４２からの一次高圧気体を減圧して複数段階（たとえば強・中・弱の３段階）の圧力に調整された二次高圧気体をそれぞれ出力する複数（３つ）のレギュレータ４６，４８，５０と、各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjに対してこれらのレギュレータ４６，４８，５０からの３種類の二次高圧気体のいずれか１つを個別に選択するための切換弁５２ＡＬi，５２ＡＳi，５２ＡＲi，５２ＢＬj，５２ＢＳj，５２ＢＲjと、各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjにおける高圧気体の噴出を個別にオン・オフするための開閉弁５４ＡＬi，５４ＡＳi，５４ＡＲi，５４ＢＬj，５４ＢＳj，５４ＢＲjと、上記レギュレータ、切換弁および開閉弁の各々を個別に制御するコントローラ５５とを有している。
【００４１】
この噴出圧力制御部４０においては、上記の構成により、各浮上エリア毎に高圧気体の噴出をオン・オフできるとともに、噴出圧力を「強」、「中」、「弱」の３通り（３段階）に可変することができる。たとえば、浮上エリアＡＬiについては、開閉弁５４ＡＬ1をオンにして、切換弁５２ＡＬ1をレギュレータ４６に切り換えると「強」の噴出圧力が選択され、切換弁５２ＡＬ1をレギュレータ４８に切り換えると「中」の噴出圧力が選択され、切換弁５２ＡＬ1をレギュレータ５０に切り換えると「弱」の噴出圧力が選択される。開閉弁５４ＡＬ1をオフにすると、浮上エリアＡＬiから高圧エアが噴出しなくなる。
【００４２】
なお、高圧気体流路網４２の途中に、たとえば各開閉弁５４ＡＬi，５４ＡＳi，５４ＡＲi，５４ＢＬj，５４ＢＳj，５４ＢＲjと各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲjとの間には、各浮上エリアＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲj内に分布する多数の噴出口１２に均一な圧力で高圧エアを分配するためのマニホールドまたはバッファ室（図示せず）が設けられている。
【００４３】
コントローラ５５は、たとえばマイクロコンピュータからなり、上記噴出圧力制御部４０内の各部の制御を行うほか、このレジスト塗布装置内の他の機構、たとえばレジスト液供給部、基板搬送部等に対する制御も行い、さらにはレジスト塗布処理において装置全体のシーケンスを制御する。
【００４４】
コントローラ５５は、このレジスト塗布処理装置が組み込まれている上位システム（たとえば塗布現像処理装置）を統括制御するホストコンピュータ（図示せず）と種種のデータおよび信号をやりとりする。特に、このレジスト塗布処理装置に搬入される処理対象の基板Ｇに関して、基板の種類または属性（たとえば長さ×幅サイズ、厚み、材質、下地膜の層順位・種類等）の情報をたとえばロット単位でホストコンピュータから受け取るようになっている。
【００４５】
コントローラ５５は、このような属性情報を基に、所定のアルゴリズムによって、処理対象の基板Ｇについてその浮上特性や反り具合を推定することができる。たとえば、基板のサイズ、厚み、材質等のデータから、単位面積当たりの重量を求めて、当該基板を所望の浮上高に浮かせるために必要な噴出圧力を決定することができる。また、基板の反りは、主に基板上にそれまで積層形成されている複数の層（特に金属配線層）間のバイメタル効果に起因して起こる。したがって、今回レジスト塗布処理を受ける下地膜の層順位または種類に応じて反りの種類（態様）および程度が変わる。逆な見方をすれば、下地膜に関する情報を基に、反りの種類（態様）および程度を推定することができる。
【００４６】
もっとも、基板の反りに関しては、図３に示すように、たとえば浮上ステージ１０の入口付近に光学式の反り検出部５６を好適に設けることができる。この反り検出部５６は、搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）に複数個の光学式距離センサ５８を一定間隔で一列に並べて配置し、上記第１のソーターユニットから平流しで浮上ステージ１０上に搬入される基板Ｇが真下を通過する際に、それら複数の光学式距離センサ５８を通じて基板Ｇの２次元的な平坦度を光学的な走査でモニタし、基板Ｇの反りの種類（態様）および程度を正確に測定することができる。反り検出部５６における信号処理は、専用の演算回路で行ってもよく、あるいはコントローラ５５が兼用して行ってもよい。
【００４７】
次に、図６〜図１１につき、この実施形態における噴出圧力制御部４０の作用を説明する。なお、以下の説明では基板Ｇが浮上ステージ１０の搬入領域ＭINの上を移動するときの作用について述べるが、搬出領域ＭOUTの上を移動するときも基本的には同じである。
【００４８】
第１の例として、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、均一な噴出圧力で浮上させたときに４辺の周縁部が中心部より低く垂れ下がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００４９】
したがって、浮上ステージ１０上で移動する基板Ｇが図７の（ａ）に示す位置にある時は、基板Ｇの４辺の周縁部の下にある浮上エリア（ＡＬ2〜ＡＬ9）、（ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ8，ＡＳ9）、（ＡＲ2〜ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力がたとえば「強」に制御され、基板Ｇの中心部の下にある浮上エリア（ＡＳ4〜ＡＳ7）における高圧気体の噴出圧力が一段低い値たとえば「中」に制御される。そして、他の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12）、（ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12）、（ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。
【００５０】
その直後に、基板Ｇが図７の（ｂ）に示す位置にある時は、この時点で基板Ｇの４辺の周縁部の下にある浮上エリア（ＡＬ3〜ＡＬ10）、（ＡＳ3，ＡＳ4，ＡＳ9，ＡＳ10）、（ＡＲ3〜ＡＲ10）における高圧気体の噴出圧力が「強」に制御され、基板Ｇの中心部の下にある浮上エリア（ＡＳ5〜ＡＳ8）における高圧気体の噴出圧力が「中」に制御される。そして、他の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ2，ＡＬ11，ＡＬ12）、（ＡＳ1，ＡＳＬ2，ＡＳ11，ＡＳ12）、（ＡＲ1，ＡＲ2，ＡＲ11，ＡＲ12）においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。
【００５１】
さらにその直後で、基板Ｇが図７の（ｃ）に示す位置にある時は、この時点で基板Ｇの４辺の周縁部の下にある浮上エリア（ＡＬ4〜ＡＬ11）、（ＡＳ4，ＡＳ5，ＡＳ10，ＡＳ11）、（ＡＲ4〜ＡＲ11）における高圧気体の噴出圧力が「強」に制御され、基板Ｇの中心部の下にある浮上エリア（ＡＳ6〜ＡＳ9）における高圧気体の噴出圧力が「中」に制御される。そして、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ2，ＡＬ3，ＡＬ12）、（ＡＳ1，ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ12）、（ＡＲ1，ＡＲ2，ＡＲ3，ＡＲ12）においては、高圧気体の噴出がオフに制御される。
【００５２】
なお、基板Ｇが薄くて軽い場合は、基板Ｇの中心部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「弱」に制御し、基板Ｇの４辺の周縁部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「中」または「強」に制御してもよい。
【００５３】
上記のように、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くすることによって、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、基板Ｇの４辺の反りをある程度まで矯正する効果も得られる。
【００５４】
第２の例として、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、均一な噴出圧力で浮上させたときに４辺の周縁部が中心部より上に持ち上がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００５５】
たとえば、図９に示すように、基板Ｇの中心部の下に位置している浮上エリア（図９の（ａ）の場面ではＡＳ4〜ＡＳ7）における高圧気体の噴出圧力を「強」に制御し、基板Ｇの４辺の周縁部の下に位置している浮上エリア（ＡＬ2〜ＡＬ9，ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ8，ＡＳ9，ＡＲ2〜ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力を「中」（または「弱」）に制御し、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12，ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12，ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。
【００５６】
あるいは、基板Ｇが薄くて軽い場合は、基板Ｇの中心部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「中」に制御し、基板Ｇの４辺の周縁部の下に位置している各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を「弱」に制御してもよい。
【００５７】
上記のように、基板Ｇの４辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に低くすることによって、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、基板Ｇの４辺の反りをある程度まで矯正する効果も得られる。
【００５８】
第３の例として、図示省略するが、均一な噴出圧力で浮上させたときに搬送方向の左右２辺の周縁部が中心部より下に垂れ下がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの左右２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００５９】
たとえば、図１０に示すように、基板Ｇの左右２辺の周縁部の下に位置している各浮上エリア（図１０の（ａ）の場面ではＡＬ2〜ＡＬ9，ＡＲ2〜ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力を「強」に制御し、基板Ｇの中間部の下に位置している各浮上エリア（ＡＳ2〜ＡＳ9）における高圧エアの噴出圧力を「中」（または「弱」）に制御し、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12，ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12，ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。
【００６０】
第４の例として、図示省略するが、均一な噴出圧力で浮上させたときに搬送方向の前後２辺の周縁部が中心部より下に垂れ下がるような反りがある基板Ｇが処理対象として浮上ステージ１０上に搬入されたとする。この場合は、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭINの上を移動する際に、基板Ｇの前後２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御が行われる。
【００６１】
たとえば、図１１に示すように、基板Ｇの前後２辺の周縁部の下に位置している浮上エリア（図１１の（ａ）の場面ではＡＬ2，ＡＬ3，ＡＬ8，ＡＬ9，ＡＳ2，ＡＳ3，ＡＳ8，ＡＳ9，ＡＲ2，ＡＲ3，ＡＲ8，ＡＲ9）における高圧気体の噴出圧力を「強」に制御し、基板Ｇの中間部の下に位置している浮上エリア（ＡＬ4〜ＡＬ7，ＡＳ4〜ＡＳ7，ＡＲ4〜ＡＲ7）における高圧気体の噴出圧力を「中」（または「弱」）に制御し、それ以外の浮上エリア（ＡＬ1，ＡＬ10〜ＡＬ12，ＡＳ1，ＡＳ10〜ＡＳ12，ＡＲ1，ＡＲ10〜ＡＲ12）において高圧気体の噴出をオフにする制御が行われる。
【００６２】
このように、基板Ｇの選択された所定の部位（たとえば周縁部／中心部）が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、各々の浮上エリアにおける高圧エアの噴出圧力を可変し、またはオン・オフ制御することにより、浮上ステージ１０上の基板Ｇの浮上高およびその反り状態に対する矯正力を最適化できるとともに、浮上搬送に用いる高圧気体の消費効率を向上させることができる。したがって、塗布処理の信頼性、再現性および効率を改善することができる。
【００６３】
図１２に、塗布領域ＭCTにおいて基板Ｇの浮上高（精密浮上高）Ｈαを設定値に保つための浮上圧力制御機構の一例を示す。
【００６４】
この浮上圧力制御機構において、高圧気体供給源４２は配管または高圧気体供給管６０を介して浮上ステージ１０の塗布領域ＭCT専用の高圧気体導入口６２に接続されており、この高圧気体供給管６０の途中にたとえば電空レギュレータからなる比例制御弁６４が設けられている。一方、工場用力のバキューム源６６は配管またはバキューム管６８を介して塗布領域ＭCT専用のバキューム導入口７０に接続されており、このバキューム管６８の途中にコンダクタンスバルブ７２が設けられている。
【００６５】
さらに、浮上ステージ１０には、光学式の距離センサ７４が取り付けられている。この光学式距離センサ７４は、直上の基板Ｇに向けて光ビームＬＢを照射し、基板Ｇの下面からの反射光を受光して、その受光位置から所定の測定基準高さ位置と基板Ｇの下面との間の距離ひいては基板Ｇの浮上高の測定値［Ｈα］を求める。コントローラ５５は、その測定値［Ｈα］が精密浮上高Ｈαの設定値に一致するように比例制御弁６４およびコンダクタンスバルブ７２の開度を制御する。
【００６６】
この実施形態では、上述したように搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTにおいて基板Ｇの浮上高および姿勢が最適化されるので、塗布領域ＭCTにおいて基板Ｇの浮上高（精密浮上高）Ｈαに設定値に合わせるための浮上圧力制御機構の負担が軽減される。そして、浮上圧力制御機構で消費する高圧気体の消費効率およびバキューム消費効率も改善される。
［他の実施形態または変形例］
【００６７】
以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。
【００６８】
たとえば、上記実施形態における噴出圧力制御部４０を図１３に示すような構成に変形することも可能である。この変形例は、浮上ステージ１０の左右両端部の浮上エリアＡＬ1〜ＡＬm，ＡＲ1〜ＡＲm（ＢＬ1〜ＢＬn，ＢＲ1〜ＢＲn）に対して共通の比例制御弁７６を設ける。比例制御弁７６は、たとえば電空レギュレータからなり、コントローラ５５の制御の下で連続的に可変の二次高圧気体を出力する。この変形例によっても、上述した第１〜第４の噴出圧力制御法（図７、図９、図１０、図１１）を実現することができる。
【００６９】
別の実施例として、噴出圧力制御部４０を図１４に示すような構成にすることも可能である。この構成例は、浮上ステージ１０の左右両端部の浮上エリアＡＬ1〜ＡＬm，ＡＲ1〜ＡＲm（ＢＬ1〜ＢＬm，ＢＲ1〜ＢＲm）に対して共通の比例制御弁７６を設けるとともに、中間部の浮上エリアＡＳ1〜ＡＳm（ＢＳ1〜ＢＳn）に対しても共通の比例制御弁７８を設ける、この比例制御弁７８も、たとえば電空レギュレータからなり、コントローラ５５の制御の下で連続的に可変の二次高圧気体を出力する。
【００７０】
この構成例によれば、図１７に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）の上を移動する際に、基板Ｇの左右２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御を行うことができる。これによって、搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っている基板Ｇに対して浮上高および矯正力の最適化を図れるとともに、高圧気体の消費効率を向上させることができる。
【００７１】
別の実施例として、浮上ステージ１０の搬入領域ＭIN（搬出領域ＭOUT）の浮上面を、図１８に示すように搬送方向（Ｘ方向）においてのみ複数の浮上エリアＡＰ１〜ＡＰｍに区画することも可能である。この場合、噴出圧力制御部４０をたとえば図１５に示すように構成することができる。この構成は、上述した実施形態の構成（図５Ａ）において中間部の浮上エリアＡＳ１〜ＡＳｍ（ＢＳ１〜ＢＳｎ）に対する構成部分に相当する。
【００７２】
この構成例によれば、図１８に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）の上を移動する際に、基板Ｇの前後２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を基板Ｇの移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフする制御を行うことができる。これによって、搬送方向の前後両端部と中間部との間で反っている基板Ｇに対して浮上高および矯正力の最適化を図れるとともに、高圧気体の消費効率を向上させることができる。
【００７３】
別の実施例として、浮上ステージ１０の搬入領域ＭIN（搬出領域ＭOUT）の浮上面を、図１９に示すように搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）においてのみ複数の浮上エリアＡＬ，ＡＳ，ＡＲに区画することも可能である。この場合、噴出圧力制御部４０をたとえば図１６に示すように構成することができる。この構成は、図１４の実施例において、左右両端の浮上エリアＡＬ1〜ＡＬm，ＡＲ1〜ＡＲm（ＢＬ1〜ＢＬm，ＢＲ1〜ＢＲm）に対する開閉弁５４ＡＬ1〜５４ＡＬm，５４ＡＲ1〜５４ＡＲm（５４ＢＬ1〜５４ＢＬm，５４ＢＲ1〜５４ＢＲm）を比例制御弁７６の上流側に集約して１つの開閉弁８０に置き換えるとともに、中間部の浮上エリアＡＳ1〜ＡＳm（ＢＳ1〜ＢＳn）に対する開閉弁５４ＡＳ1〜５４ＡＳm（５４ＢＳ1〜５４ＢＳn）を比例制御弁７８の上流側に集約して１つの開閉弁８２に置き換えたものである。
【００７４】
この構成例によれば、図１９に示すように、基板Ｇが浮上搬送によって搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）の上を移動する際に、基板Ｇの左右２辺の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が基板Ｇの中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高くなるように、もしくは相対的に低くなるように、噴出圧力制御部４０において搬入領域ＭIN（および搬出領域ＭOUT）内の各浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を可変する制御を行うことができる。これによって、搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っている基板Ｇに対して浮上高および矯正力の最適化を図ることができる。
【００７５】
上記した実施形態では、塗布領域ＭCTの浮上面には一面に噴出口１２と吸引口１４とを混在させていた。しかし、図示省略するが、塗布領域ＭCTの左右両端部を噴出口１２だけを配置する１つまたは複数の浮上エリアとし、搬入領域ＭINおよび搬出領域ＭOUTにおける左右両端部の浮上エリアと同様または同列に制御することも可能である。
【００７６】
上記した実施形態はＬＣＤ製造用のレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を塗布する任意の基板処理装置に適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。さらに、本発明は、浮上ステージを用いる検査装置にも適用可能である。その場合、上記実施形態における塗布領域は検査領域に置き換わり、レジストノズルはたとえば光学式検査計またはカメラ等に置き換わる。
【００７７】
本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１０ 浮上ステージ
１２ 噴出口
１４ 吸引口
１６Ｌ，１６Ｒ 搬送部
１８ レジストノズル
４０ 噴出圧力制御部
４２ 高圧気体供給源
４４ 高圧流路網
４６，４８，５０ レギュレータ
ＡＬi，ＡＳi，ＡＲi，ＢＬj，ＢＳj，ＢＲj 浮上エリア
５２ＡＬi，５２ＡＳi，５２ＡＲi，５２ＢＬj，５２ＢＳj，５２ＢＲj 切換弁
５４ＡＬi，５４ＡＳi，５４ＡＲi，５４ＢＬj，５４ＢＳj，５４ＢＲj 開閉弁
５５ コントローラ
５６ 反り検出部
７６，７８ 比例制御弁
８０，８２ 開閉弁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮上ステージの浮上面より噴出する気体の圧力によって基板を空中に浮かせ、空中に浮く前記基板を前記浮上ステージ上で水平方向に搬送する基板浮上搬送方法であって、
前記浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、
前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて前記気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する基板浮上搬送方法。
【請求項２】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項３】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項４】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向および搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項５】
搬送方向に並んで配置される少なくとも一群の前記浮上エリアについては、前記基板の選択された所定の部位が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を可変し、またはオン・オフ制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項６】
前記浮上ステージの少なくとも一部の区間においては、前記基板の選択された所定の部位に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の他の部位に対する高圧気体の噴出圧力よりも上回るように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項７】
前記基板がその中心部と周縁部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項６に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項８】
前記基板が搬送方向の前後両端部と中間部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の前後両端部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項６に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項９】
前記基板が搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の左右両端部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項６に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項１０】
前記浮上ステージの少なくとも一部の区間においては、前記基板の任意の部位が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項１１】
複数の浮上エリアに区画された浮上面を有し、前記浮上面より高圧の気体を噴出して基板を空中に浮かす浮上ステージと、
高圧気体を送出する高圧気体供給源と、
前記高圧気体供給源と複数の前記浮上エリアとの間に設けられ、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する噴出圧力制御部と、
空中に浮く前記基板を着脱可能に保持して前記浮上ステージ上で搬送する基板搬送部と
を有する基板浮上搬送装置。
【請求項１２】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１１に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１３】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１１に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１４】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向および搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１１に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１５】
前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において噴出圧力を共通にする一群の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第１の流路に設けられる比例制御弁を有し、前記一群の浮上エリアに供給する高圧気体の噴出圧力を可変するために前記比例制御弁の開度を調節する、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１６】
前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において噴出圧力を共通にする一群の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第１の流路に並列的に設けられる複数のレギュレータを有し、前記一群の浮上エリアに供給する高圧気体の噴出圧力を可変するために前記複数のレギュレータのいずれかを選択的に作動させる、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１７】
前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において各々の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第２の流路に設けられる開閉弁を有し、前記基板の選択された所定の部位もしくは任意の部位が当該浮上エリアの真上またはその近傍に在るか否かに応じて、前記開閉弁をオン・オフ制御する、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１８】
各々の前記浮上エリアには、高圧気体を噴出する多数の噴出口が一定の密度で設けられている、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１９】
基板上に処理液を塗布するための基板処理装置であって、
請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置と、
搬送方向の所定の位置にて前記浮上ステージの上方に配置され、その直下を通過する前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部と
を有する基板処理装置。
【請求項１】
浮上ステージの浮上面より噴出する気体の圧力によって基板を空中に浮かせ、空中に浮く前記基板を前記浮上ステージ上で水平方向に搬送する基板浮上搬送方法であって、
前記浮上ステージの浮上面を複数の浮上エリアに区画し、
前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて前記気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する基板浮上搬送方法。
【請求項２】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項３】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項４】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向および搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項５】
搬送方向に並んで配置される少なくとも一群の前記浮上エリアについては、前記基板の選択された所定の部位が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を可変し、またはオン・オフ制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項６】
前記浮上ステージの少なくとも一部の区間においては、前記基板の選択された所定の部位に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の他の部位に対する高圧気体の噴出圧力よりも上回るように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項７】
前記基板がその中心部と周縁部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の周縁部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中心部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項６に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項８】
前記基板が搬送方向の前後両端部と中間部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の前後両端部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項６に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項９】
前記基板が搬送方向の左右両端部と中間部との間で反っているときは、前記浮上ステージの少なくとも一部の区間において、前記基板の左右両端部に対する高圧気体の噴出圧力が前記基板の中間部に対する高圧気体の噴出圧力よりも相対的に高く、もしくは相対的に低くなるように、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項６に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項１０】
前記浮上ステージの少なくとも一部の区間においては、前記基板の任意の部位が真上またはその近傍に在るか否かに応じて、前記区間内の各々の前記浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力を前記基板の移動に合わせて順次可変し、またはオン・オフ制御する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送方法。
【請求項１１】
複数の浮上エリアに区画された浮上面を有し、前記浮上面より高圧の気体を噴出して基板を空中に浮かす浮上ステージと、
高圧気体を送出する高圧気体供給源と、
前記高圧気体供給源と複数の前記浮上エリアとの間に設けられ、前記基板の種類、属性もしくは反り状態または前記基板の部位に応じて高圧気体の噴出圧力を各々の前記浮上エリア毎に独立に可変し、またはオン・オフ制御する噴出圧力制御部と、
空中に浮く前記基板を着脱可能に保持して前記浮上ステージ上で搬送する基板搬送部と
を有する基板浮上搬送装置。
【請求項１２】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１１に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１３】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１１に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１４】
前記浮上ステージの浮上面は、搬送方向および搬送方向と交差する水平方向において複数の前記浮上エリアに区画されている、請求項１１に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１５】
前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において噴出圧力を共通にする一群の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第１の流路に設けられる比例制御弁を有し、前記一群の浮上エリアに供給する高圧気体の噴出圧力を可変するために前記比例制御弁の開度を調節する、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１６】
前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において噴出圧力を共通にする一群の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第１の流路に並列的に設けられる複数のレギュレータを有し、前記一群の浮上エリアに供給する高圧気体の噴出圧力を可変するために前記複数のレギュレータのいずれかを選択的に作動させる、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１７】
前記噴出圧力制御部は、前記気体流路網において各々の前記浮上エリアに高圧気体を分配する第２の流路に設けられる開閉弁を有し、前記基板の選択された所定の部位もしくは任意の部位が当該浮上エリアの真上またはその近傍に在るか否かに応じて、前記開閉弁をオン・オフ制御する、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１８】
各々の前記浮上エリアには、高圧気体を噴出する多数の噴出口が一定の密度で設けられている、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置。
【請求項１９】
基板上に処理液を塗布するための基板処理装置であって、
請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の基板浮上搬送装置と、
搬送方向の所定の位置にて前記浮上ステージの上方に配置され、その直下を通過する前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部と
を有する基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−１９０８９０（Ｐ２０１２−１９０８９０Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５１３４０（Ｐ２０１１−５１３４０）
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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