堆積膜形成装置
【課題】良好な電子写真特性を持つ電子写真感光体を、生産性良く製造することが可能な電子写真感光体製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器の中に複数の円筒状基体１０５がそれぞれ設置され、反応容器の側壁を兼ねた放電電極１０１により囲まれている。そして、仕切板１０４が、円筒状基体１０５の被堆積面が互いに直接対向することがないように円筒状基体１０５同士の間に設けられ、かつ、放電電極１０１と電気的に接続されている。仕切板１０４は反応容器より取り外し可能な構成であり、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる。
【解決手段】反応容器の中に複数の円筒状基体１０５がそれぞれ設置され、反応容器の側壁を兼ねた放電電極１０１により囲まれている。そして、仕切板１０４が、円筒状基体１０５の被堆積面が互いに直接対向することがないように円筒状基体１０５同士の間に設けられ、かつ、放電電極１０１と電気的に接続されている。仕切板１０４は反応容器より取り外し可能な構成であり、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、光起電力デバイス等における堆積膜形成に用いられる、高周波電力を用いた堆積膜形成装置に関するものである。特には、電子写真装置に使用される電子写真感光体の製造装置に関するものである。より具体的には、グロー放電プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いたアモルファスシリコン電子写真感光体の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体に用いられる素子部材を、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、フタロシアニン、アモルファスシリコン等の各種材料から構成する技術が提案され、実用化されているものもある。中でも珪素を主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素及び／又はハロゲン（例えばフッ素や塩素等）で補償されたアモルファスシリコン膜を用いた感光体は、高性能、高耐久、無公害といった特徴を持つ。このような堆積膜の形成法として、従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する熱ＣＶＤ法、光により原料ガスを分解する光ＣＶＤ法、プラズマにより原料ガスを分解するプラズマＣＶＤ法等、多数の方法が知られている。プラズマＣＶＤ法では、原料ガスを直流または高周波（ＲＦやＶＨＦ）やマイクロ波等のグロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の導電性基体上に薄膜状堆積膜を形成する。このプラズマＣＶＤ法は、電子写真用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法等において、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も多数提案されている。
【０００３】
図６は、電子写真感光体を作製するために供される、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法を行なう堆積膜形成装置の一例（特許文献１参照）を模式的に示している。
この堆積膜形成装置は、反応容器６００と、反応容器６００内を減圧するための排気装置６１６から構成されている。反応容器６００内には、アースに接続された補助基体６０６と、補助基体６０６に設置された円筒状基体６０５を加熱するための基体加熱ヒーター６０７と、ガス導入管６０８が設置されている。また、反応容器６００の側壁部は導電性材料からなる放電電極６０１で構成され、放電電極６０１と反応容器６００の他の部分は絶縁碍子６１０によって絶縁されている。放電電極６０１にはマッチングボックス６１１を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源６１２が接続されている。
【０００４】
不図示の原料ガス供給手段を構成する各ボンベは、原料ガス導入バルブ６１３を介して反応容器６００内のガス導入管６０８に接続されている。
【０００５】
反応容器６００は排気管６０９を有し、真空計６１４、メインバルブ６１５を介して排気装置６１６で真空排気される構成である。
【特許文献１】特開平１０−６３０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の堆積膜形成装置により、ある程度実用的な特性と均一性を持つ堆積膜を得ることが可能になっている。特に、プラズマＣＶＤ法による成膜方法の中でも、高周波電力としてＲＦ帯を用いるＲＦプラズマＣＶＤ法は、良好な特性の膜を容易に得られるという特徴があるため、アモルファスシリコンを用いた電子写真感光体の製造等に広く用いられている。
【０００７】
しかし、近年、電子写真装置において、市場からの要求スペックが年々厳しくなり、さらなる高画質化、高速化、高耐久性、高機能化が求められるのみならず、本体価格やランニングコストの低減を図る価格競争も激化している。これに伴って、アモルファスシリコンを用いた電子写真感光体にも従来のような電気特性の向上や画像品質の向上にとどまらず、よりコストの低い、安価な部材が要求されるようになってきた。
【０００８】
ところが、アモルファスシリコンを用いた電子写真感光体は、アモルファスシリコンの誘電率の高さゆえに、充分な帯電能を得るためには膜厚を厚くせざるを得ず、場合によっては１０μｍ〜１００μｍの厚さを有する堆積膜を形成しなければならない。しかし、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた製造方法では、堆積速度を速くすることが難しいため、成膜工程に長時間を要し、生産コストが上昇しがちであった。
【０００９】
又、従来のプラズマＣＶＤ装置は、図６に示したとおり、同軸型の成膜装置が多く、この場合、円筒状基体６０５の周囲のプラズマ状態が対称であり、均一な膜厚及び膜質が得られるというメリットがある。しかし、このプラズマＣＶＤ装置は、成膜炉１炉当り１本の電子写真感光体しか得ることができず、生産量がどうしても低くならざるを得ないというデメリットもある。
【００１０】
従来、成膜炉一炉当りの生産量を増やす試みとして、堆積速度の向上が検討されてきた。しかし、堆積速度を速めると堆積膜の膜質が低下してしまい、電子写真感光体としての特性が劣ってしまうという、生産能力と特性のトレードオフの関係が発生するのが現状であった。
【００１１】
そこで本発明の目的は、上記従来の電子写真感光体における諸問題を解決し、具体的には電子写真感光体の電気的特性を犠牲にすることなくその製造コストを下げ、かつ歩留まりよく安定して製造し得る堆積膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係わる堆積膜形成装置は複数の円筒状基体に堆積膜を形成する装置であり、排気手段と原料ガス導入手段を備えた真空気密可能な反応容器を備える。反応容器の中に複数の円筒状基体を夫々設置する設置部が設けられ、反応容器の側壁を兼ねて該複数の円筒状基体を取り囲むように放電電極が設けられている。そして、本装置の特徴は、設置部に設置された円筒状基体の被堆積面が互いに直接対向することがないように、設置部に配置される円筒状基体同士の間に仕切板が設けられることにある。この仕切板は放電電極と電気的に接続されたものである。さらに、仕切板は反応容器より取り外し可能であり、堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とが異なることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、電子写真感光体の電気的特性を犠牲にすることなくその製造コストを下げ、歩留まりよく安定して一様な電子写真感光体を製造し得る、円筒状基体上への堆積膜の形成装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１５】
まず、本発明に至った経緯について説明する。本発明者らは前述した目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、従来の同軸型の堆積膜形成装置に変えて、複数の円筒状基体を配置し、これらの円筒状基体を取り囲むように放電電極を設置した構成の堆積膜形成装置を考えた。この堆積膜形成装置では、放電電極に高周波電力を印加して円筒状基体と放電電極の間にグロー放電を発生させることにより、一回の成膜で多数の電子写真感光体が製造できる。この場合、成膜炉一炉当たりの感光体の製造数量が大幅に増加すると同時に、原料ガスの利用効率も向上するため、結果的に大幅なコストダウンが見込める。
【００１６】
ところが、実際に実験を行ってみると、得られた電子写真感光体の電気特性は、何れも限られた処方範囲でしか良好な特性が得られず、処方の選択可能範囲が狭い為に生産に供するためには必ずしも十分に満足する結果が得られないことが判明した。さらには、得られた電子写真感光体間の電気特性のバラツキも大きいことが判明した。
【００１７】
この原因を探るために、円筒状基体を静止した状態で成膜を行い、円筒状基体の周方向の特性ムラを調べた。その結果、円筒状基体における、放電電極を兼ねた反応容器と対向する面での堆積膜の特性は、１炉当たり１本の感光体を得る同軸型の成膜炉（以下、同軸型１本炉）の場合と同等かそれ以上の良好な結果が得られた。しかし、それ以外の面、すなわち円筒状基体と円筒状基体が直接対向している面での堆積膜の特性は、同軸型１本炉の場合に比べてかなり劣っている場合があることが判明した。この堆積膜形成装置では、放電電極に高周波電力を印加しているため、その放電電極の対向電極として機能しているのは内部に複数配置されているアースされた円筒状基体である。つまり、各円筒状基体における放電電極と対向する面には十分な高周波電界が働いており、良質な堆積膜が形成される。ところが、各円筒状基体における隣接する他の円筒状基体と対向する面、すなわちアースされた面同士が向き合う領域には、放電電極からの高周波電力が充分に働いておらず、弱電界になる。そのため、原料ガスの分解および励起が不十分になり、放電電極と対向している所と比べると、堆積された膜の特性が劣ると推測される。さらには、放電電極からの高周波電力が充分に働かない領域においては放電が不安定となり、そのために堆積膜の膜特性のばらつきが大きくなると推察される。
【００１８】
本発明者らは、この問題を解決する簡単で安価な方法として、アースされた面同士が向き合う円筒状基体同士の間に仕切板を設けて、いわゆる目隠しをすればよいのではないかと考えた。そして、その仕切板を放電電極と接触させて電気的に導通させることにより、各円筒状基体における他の円筒状基体と対向する面にも効果的に高周波電界を印加できるようにした。すなわち、円筒状基体の周方向を見渡したとき、全ての面に放電電極からの高周波電力が印加されており、アース面が向き合って存在しない構成にすることを考えた。その結果、同軸型１本炉の場合と何ら見劣りしない特性を持つ堆積膜が円筒状基体の全周に渡って得られることが判明した。
【００１９】
更に、本発明者らは仕切板の構成について鋭意検討を行った。その結果、仕切板を取り外し可能とし、さらには、堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とが異なるようにした。こうすることによって、装置コストやメンテナンス性の面で有利であり、さらには得られる電子写真感光体の一様性が良好となることが判明した。
【００２０】
堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とを異なることにすることによって、得られる電子写真感光体の一様性が良好となる理由は明らかではないが、現時点で次のように想像している。
【００２１】
本発明においては、装置コストやメンテナンス性の観点から、仕切板を反応容器から取り外し可能な構成としている。その上で、仕切板を反応容器内に設置した状態では、仕切板と放電電極とを接触させて電気的に導通させることにより、各円筒状基体における他の円筒状基体と対向する面にも効果的に高周波電界を印加できるようにしている。そのため、仕切板と放電電極の接触状況によっては、各円筒状基体に働く高周波電界にバラツキが生じ、その結果、得られる電子写真感光体間に特性のバラツキが発生する場合があるのではないかと考えられる。しかしながら、堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とを異ならせることによって、仕切板が反応容器内に設置された際に、仕切板に放電電極への押し付け力が働くことになる。そのため、堆積膜形成時における仕切板と放電電極との接触を常に良好に保つことが可能となり、得られる電子写真感光体の一様性が良好になるのではないかと考えている。
【００２２】
本発明は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法やＶＨＦプラズマＣＶＤ法といった、ＲＦ帯以外を用いたプラズマＣＶＤ法を用いた場合にももちろん適用できるが、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた場合に特に大きな効果が得られた。その詳細な理由は現在不明であるが、ＲＦプラズマＣＶＤ法の場合、高周波電力の波長が数１０ｍに及び、放電電極及び仕切板を組み合わせた複雑な形状の放電形態であっても定在波等の影響が出にくく、均一に電力を供給できるためではないかと考えている。
【００２３】
前述したように、ＲＦプラズマＣＶＤ法は、良好な特性の堆積膜を容易に得やすいという特徴があるため、広く普及している技術であるが、その反面、堆積速度が低く生産コストが高かった。しかし、本発明によって一度に多数の電子写真感光体を一様に良好な特性で成膜できるようになることで、コストダウンを実現した。本発明は、以上の経緯によって完成されたものである。
【００２４】
以下、本発明の堆積膜形成装置について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明によるところの、複数の電子写真感光体を同時に形成できる、生産性の極めて高い堆積膜形成装置の一例を模式的に示したものである。図１（Ａ）はその概略縦断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ‘線に沿って切断した概略横断面図である。
【００２５】
本実施形態の堆積膜形成装置において、反応容器１００は反応炉壁を兼ねる放電電極１０１と、上蓋１０２と、底板１０３とにより真空気密可能に構成され、減圧可能になっている。放電電極１０１と上蓋１０２及び底板１０３は絶縁碍子１１０で絶縁されている。反応容器１００の内部には、同一円周上に複数の円筒状基体を夫々設置する不図示の設置部が存在する。放電電極１０１が円筒状であり、それらの設置部は、複数の円筒状基体を円筒状放電電極１０１と同一の中心軸を持つ円周上に設置するよう配置されている。各設置部では、円筒状基体１０５とこの上下端にセットされた補助基体１０６とが回転軸１０７に取り付けられている。また、円筒状基体１０５と円筒状基体１０５の間には効果的に高周波電界を印加できるように、放電電極１０１と電気的に導通した仕切板１０４が設けられている。
【００２６】
底板１０３の下部には排気配管１０９が接続され、排気配管１０９の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続され、これにより反応容器１０９内が真空排気可能になっている。また、ガス導入管１０８により反応容器内に原料ガスが導入されるようになっている。放電電極１０１には、整合器（マッチングボックス）１１１を介して高周波電源１１２が接続されている。
【００２７】
そして、本装置は、放電電極１０１に高周波電力を印加し、反応容器１００内にグロー放電を発生させることにより、反応容器１００内に導入された原料ガスを分解し、円筒状基体１０５の被堆積面に堆積膜を形成するものである。
【００２８】
この堆積膜形成装置の構成を、より詳細に説明する。
【００２９】
本発明においては、複数の円筒状基体１０５同士の間には、接地面同士が直接向かい合わないように仕切板１０４が設けられている。仕切板１０４は、放電電極１０１に取り付けられているために、放電電極１０１を介して仕切板１０４にも高周波電力が印加されるようになっている。従って、円筒状基体１０５から見た周囲の構造物にはアース電位を有する面は存在しない。この点で従来の同軸型１本炉とかなり近い環境となっているため、本発明の堆積膜形成装置では従来の同軸型１本炉で得られた電子写真感光体と同等レベルの特性の感光体が得られることになる。
【００３０】
また、本発明の堆積膜形成装置においては、放電電極１０１に仕切板１０４を組み合わせた複雑な形状となるため、装置コストやメンテナンス性の点を考慮して仕切板１０４を放電電極１０１から取り外し可能な形態としている。これにより、電子写真感光体の製造コストをさらに下げることができる。
【００３１】
さらには、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とを異なる形状とすることによって、得られる電子写真感光体の一様性が良好となる効果を得られることができる。
【００３２】
また、仕切板１０４と放電電極１０１の接続部分の構成としては、放電電極１０１側に溝２０１を形成し、溝２０１に仕切板１０４をはめ込む構成とすることが好ましい。そのような構成とすることで、仕切板１０４と放電電極１０１の接触をより良好に保つことができ、本発明の効果をより顕著に得ることができる。
【００３３】
図２は本発明によるところの、反応容器に取り付けた（堆積膜形成時の）状態における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる様子の一例を模式的に示したものである。図２（Ａ）は、反応容器に取り付けた（堆積膜形成時の）状態における仕切板１０４の形状を示し、図２（Ｂ）は仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状を示す。尚、図２（Ａ）においては、放電電極１０１に溝２０１が形成され、溝部分に仕切板をはめ込む構成としている。また、図２（Ｃ）には、仕切板１０４を反応容器に取り付けた（堆積膜形成時の）状態と仕切板１０４を反応容器から取り外した状態との間での仕切板端部での変形量を示す。図２（Ｃ）中の実線が、反応容器から取り外したときの仕切板の形を示し、破線が、反応容器内に取り付けられた仕切板の形を示す。仕切板１０４は、板部材同士を組み合わせて交差させた形状であり、各板部材が交差部を中心に回転変位するようになっている。
【００３４】
また本発明の堆積膜形成装置としては、反応容器１００内のクリーン度を考えた場合、仕切板１０４を反応容器１００に設置する際に、仕切板１０４と放電電極１０１が接触して擦れることによる発塵を極力防止することが重要となる。仕切板１０４と放電電極１０１が接触して擦れることにより発生するダストが円筒状基体１０５に付着し、その結果、画像欠陥の原因となる堆積膜の異常成長を発生させる場合があるからである。
【００３５】
このような観点から考えると、本発明における仕切板１０４は、反応容器１００に仕切板１０４を設置する際には放電電極１０１との接触を極力抑制する形状とすることがより好ましい。その上で、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とを異なるものとすることがより好ましい構成となる。このような条件を満たす仕切板１０４としては、例えば図３に示すように、熱膨張係数が異なる二つの材料からなる板状部材３０１、３０２をはり合わせたものを交差状に組み合わせた構成等が挙げられる。
【００３６】
上記したような構成の仕切板１０４を使用した場合、堆積膜形成時においては、円筒状基体１０５が加熱されるとともに、反応容器１００内に発生するグロー放電の影響により仕切板１０４も加熱されるため、仕切板がたわむこととなる。その結果、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なることとなる。
【００３７】
また、ここでいう堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる状態とは、熱膨張等による多少の伸び縮みによる相似的な変化は含まれない。
【００３８】
また、図１に記載したように、仕切板１０４の長さ（円筒状基体軸方向の長さを意味する）は放電電極１０１より短くし、かつ、円筒状基体１０５の軸方向長さ以上の長さにすることが効果的であった。特に、円筒状基体１０５の上下に補助基体１０６を設ける場合には、仕切板１０４は補助基体１０６と円筒状基体１０５の合計の長さより短くし、円筒状基体１０５の軸方向長さ以上の長さにすることが効果的であった。
【００３９】
仕切板１０４の長さを放電電極１０１より短くすることで、反応炉内のポリシランと呼ばれる副生成物の形成量が抑えられ、電子写真感光体の電気特性もより向上することが判明した。
【００４０】
これは、仕切板１０４と上蓋１０２、或いは底板１０３の距離が離れ、その間で起きる放電が軽減されたためと考えられる。その結果、余分な領域での原料ガスの分解が抑えられてポリシランが減少する。また、高周波電力が仕切板１０４と上蓋１０２や底板１０３との間の放電によって消費されるのを防ぎ、効果的に円筒状基体１０５との間で消費されたために感光体特性の向上に役立ったものと考えている。
【００４１】
また、仕切板１０４を円筒状基体１０５の軸方向長さ以上の長さにすることにより、円筒状基体１０５上のプラズマ分布が均一になり、その結果、堆積膜の膜厚、膜質が均一になるという効果が得られた。
【００４２】
この堆積膜形成装置の仕切板１０４、放電電極１０１、上蓋１０２、及び底板１０３は導電性材料から成る。これらの構成部材は導電性材料なら何でも使用できる。とりわけ、アルミニウム、鉄、ステンレス、ニッケル、クロム、チタン等の金属材料から構成する場合、加工が容易で耐久性が高く、又、再利用の利便性等の点でも好ましい。また、これらの材料中の二種以上からなる複合材料等も好適に用いられる。例えば、熱膨張係数の異なるステンレスを張り合わせた材料等が挙げられる。
【００４３】
仕切板１０４の表面の少なくとも一部は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に基づいて求めた算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。これは、Ｒａを１μｍ以上とすることで仕切板１０４上に堆積する膜の密着性に良好な影響を及ぼすからである。一方、Ｒａが大き過ぎると逆にダストを取り込みやすくなり、これが吐き出された際に堆積膜の異常成長を発生させる原因になることがある。よって、Ｒａは１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００４４】
上記の表面粗さＲａの測定は、フォームトレーサー ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４（株式会社ミツトヨ） を用いて測定した。測定環境は気温２５℃、湿度６５％とした。触針先端形状は６０°円錐形、先端半径２μｍのものを用いた。測定力は０．７５ｍＮ、スキャン速度は０．１ｍｍ／ｓｅｃとして測定を行った。その他、特に記載していない条件に関しては、全て ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ に基づいて行った。また、具体的なフォームトレーサー ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４ による測定方法は、全て装置付属の取扱説明書に従った。
【００４５】
仕切板１０４の表面粗さを上記の範囲に制御するためには、仕切板にブラスト加工を行ったり、仕切板を溶射材で被覆したりすれば良い。ブラスト加工や溶射加工は、コスト面から、或いは表面粗さの制御性の高さや、コーティング対象物の大きさ・形状の制限を受けにくいため好ましい。
【００４６】
溶射の具体的手段に特に制限はないが、例えばプラズマ溶射、減圧プラズマ溶射、高速フレーム溶射、低温溶射等のコーティング法により表面をコーティングしても良い。具体的な溶射材料としては、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、二酸化チタン等が挙げられるが、経済性や耐久性の面でアルミニウムがより好ましい。
【００４７】
本発明の装置で用いられる高周波電力は、いかなる周波数帯でも用いることができるが、良好な電子写真特性が得られやすいのは１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯、代表的には１３．５６ＭＨｚであった。これは、前述したようにＲＦ帯は波長が数１０ｍに及び、放電電極１０１及び仕切板１０４を組み合わせた複雑な形状の放電形態であっても定在波等の影響が出にくく、均一に電力を供給できることからプラズマ均一性や安定性が高いことによる。さらに、分解種として良好な膜質を得やすいＳｉＨ3が安定的に得られ易いことも関係しているのであろうと推測される。
【００４８】
図４には、本発明の堆積膜形成装置において、円筒状基体１０５の設置本数が異なる場合の模式図を示してある。（Ａ）は２本の円筒状基体を設置する場合、（Ｂ）は３本の場合、（Ｃ）は６本の場合の一例である。符号については図１の説明と同様である。
【００４９】
本発明の装置においては円筒状基体１０５は２本以上設置されるが、良好な特性の電子写真感光体を得る上では、４〜８本程度が適当である。円筒状基体１０５の本数が増えると、円筒状基体１０５と仕切板１０４の間隔が狭くなる。この結果、僅かな円筒状基体の傾きや位置ずれによって電子写真用感光体特性の軸ムラ（円筒状基体の軸方向での特性ムラ）や周ムラ（円筒状基体の周方向での特性ムラ）が出やすくなるため、製造上の歩留まりに影響する場合がある。逆に円筒状基体１０５の本数が少なすぎると、感光体１本当りが消費する原料ガス量が増えることになり、コストダウンの効果が少なくなる。尚、ここで言う『円筒状基体の本数』とは、言い換えれば円筒状基体１０５を取り付ける回転軸１０７の本数を意味している。例えば、円筒状基体１０５を２段重ねで成膜する構成の堆積膜形成装置においては、回転軸の本数が例えば４本の場合は、一度に２倍の８本の円筒状基体１０５が成膜できることになる。
【００５０】
以上説明した図１の堆積膜形成装置を用いた堆積膜の形成は、例えば概略以下のようにして行われる。
【００５１】
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工が施された複数の円筒状基体１０５を反応容器１００内に設置し、不図示の排気装置により排気配管１０９を通して反応容器１００内を排気する。充分に排気ができた段階で、不図示のガス供給装置からガス導入管１０８を介して、加熱用の不活性ガス、例えばアルゴンを反応容器１００内に導入する。そして、反応容器１００内が所望の圧力になるように、加熱用ガスの流量或いは不図示の排気装置の排気速度を調整する。続いて、不図示の基体加熱用ヒーターにより円筒状基体１０５を加熱し、５０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。
【００５２】
円筒状基体１０５が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、成膜用の所定の原料ガスを反応容器１００内に徐々に導入する。原料ガスは、例えばＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6等の材料ガスや、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等のドーピングガスであり、不図示のガス供給手段により混合された後に、反応容器１００内に導入される。次に、原料ガスの流量を設定流量に調整し、不図示の排気装置の排気速度を調整して反応容器１００内の圧力を数十Ｐａから数百Ｐａの所望の圧力にする。こうして所望の流量及び圧力になったことを確認した後に、高周波電源１１２からマッチングボックス１１１を介して放電電極１０１へ所定の高周波電力を供給する。このときマッチングボックス１１１を調整し、反射波が最小となるようにし、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた実効値の値にする。この高周波電力によって、反応容器１００内にグロー放電が生起する。このとき、回転軸１０７に取り付けられた不図示の回転手段により円筒状基体１０５を回転させる。
【００５３】
放電は、円筒状基体１０５と放電電極１０１及び仕切板１０４の間で生起するため、円筒状基体１０５の周囲では均一な放電が発生し、特性ムラが最小限に抑えられる。
【００５４】
所望の膜厚の堆積膜形成が行われた後に、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間においては、上述したように一つの層の形成を終了した後に一定時間かけて、ガス流量と圧力と高周波電力を次層のためのガス流量及び圧力に設定が変更された後に、再度放電を生起して次層の形成を行ってもよい。或いは、一つの層の形成を終了した後に一定時間かけて、ガス流量と圧力と高周波電力を次層のための設定値に徐々に変化させ、連続的に複数層を形成してもよい。
【００５５】
図５に本発明の堆積膜形成装置の別の一例の模式図を示す。図５（Ａ）はその概略縦断面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＡ−Ａ'線に沿って切断した概略横断面図である。
【００５６】
図５の堆積膜形成装置では、反応炉壁を兼ねる放電電極５０１は角型をしており、複数の円筒状基体５０５は一列に並んでいる。円筒状基体５０５同士の間には、円筒状基体５０５が互いに直接向き合わないように、放電電極５０１経由で高周波電力が印加される仕切板５０４が設けられる。その他の部分は図１の堆積膜形成装置と同様である。尚、図５において、符号５００は反応容器、符号５０２は上蓋、符号５０３は底板、符号５０６は補助基体、符号５０７は回転軸、符号５０８はガス導入管、符号５０９は排気配管、符号５１０は絶縁碍子を示している。
【００５７】
図５に示す装置においても仕切板５０４を取り外し可能とし、さらには、堆積膜形成時における仕切板５０４の形状と、仕切板５０４が反応容器から取り外された状態における仕切板５０４の形状とが異なるようにした。こうすることにより、装置コストやメンテナンス性の面で有利になり、得られる電子写真感光体の一様性が良好となる効果を得られる。
【実施例】
【００５８】
（実施例１）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に円筒状基体１０５として、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、円筒状基体を５ｒｐｍで回転させながら、発振周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源１１２を使用し、表１に示す条件下で、下部阻止層、光導電層及び表面層からなる電子写真感光体を２ロット計８本製造した。
【００５９】
尚、本実施例の堆積膜形成装置においては、図２に示した構成の仕切板１０４を使用し、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なっている。そして、図２（Ｃ）に示す変形量は端部で５ｍｍである。
【００６０】
また、本実施例においては、仕切板１０４の長さを、
円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．７
とした。但し、ここで言う円筒状基体１０５の長さには補助基体１０６の長さを含んでいない。
【００６１】
また、本実施例においては、仕切板１０４表面は未処理で、算術平均粗さは０．７μｍであった。
【００６２】
また、円筒状基体１０５、仕切板１０４及び放電電極１０１の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。又、仕切板１０４の配置は、仕切板１０４から上蓋１０２までの間隔と仕切板１０４から底板１０３までの間隔が均等になるように設置した。
【００６３】
また本実施例においては、電子写真感光体を１ロット製造した後、仕切板１０４を反応容器１００から一旦取り外し、反応容器１００内や仕切板１０４等にＣｌＦ3ガスによるドライクリーニングを実施し、付着した膜の除去を行っている。
【００６４】
クリーニング実施後、再び反応容器１００内に仕切板１０４を設置し、２ロット目の電子写真感光体の製造を行っている。
【００６５】
【表１】
【００６６】
（実施例２）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に円筒状基体１０５として、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、円筒状基体を５ｒｐｍで回転させながら、発振周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源１１２を使用し、表１に示す条件下で、下部阻止層、光導電層及び表面層からなる電子写真感光体を２ロット計８本製造した。
【００６７】
尚、本実施例の堆積膜形成装置においては、図３に示すように熱膨張係数が異なるＳＵＳ３０４とＳＵＳ３１６の板状部材をはり合わせたものを交差状に組み合わせた仕切板１０４を使用した。そして、反応容器１００に仕切板１０４を設置する際には、仕切板１０４と放電電極１０１間の接触を極力抑制可能な構成とした。その上で、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なるようにしている。仕切板１０４の変形に関しては、透明な石英ガラス製の上蓋１０２を使用した予備実験において、堆積膜形成条件における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なることを目視で確認した。さらには、堆積膜形成条件においては、仕切板１０４の変形により仕切板１０４と溝２０１が接触していることも目視により確認した。仕切板の変形量としては２ｍｍ程度である。
【００６８】
また、本実施例においては、仕切板１０４の長さを、
円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．７
とした。ここで言う円筒状基体１０５の長さには補助基体１０６の長さを含んでいない。又、円筒状基体１０５、仕切板１０４及び放電電極１０１の長さとは、円筒状基体１０５の軸方向における長さを言う。
【００６９】
また、本実施例においては、仕切板１０４表面は未処理で、算術平均粗さは０．７μｍであった。
また、仕切板１０４の配置は、上蓋１０２と底板１０３までの間隔が均等になるように設置した。
【００７０】
また本実施例においても実施例１と同様に、電子写真感光体を１ロット製造した後、仕切板１０４を反応容器１００から一旦取り外し、反応容器１００内や仕切板１０４等に付着した膜等のクリーニングを実施している。クリーニング実施後、再度反応容器１００内に仕切板１０４を設置し、２ロット目の電子写真感光体の製造を行っている。
【００７１】
（比較例１）
実施例１で用いた堆積膜形成装置から仕切板１０４を取り外して使用しない以外は、実施例１と同様の手順で表１に示す条件下で電子写真感光体を２ロット計８本製造した。
【００７２】
（比較例２）
本比較例では、図６に示す従来の堆積膜形成装置に円筒状基体６０５として、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、発振周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源６１２を使用し、表２に示す条件下で、下部阻止層、光導電層及び表面層からなる電子写真感光体を８ロット計８本製造した。
【００７３】
【表２】
【００７４】
（実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２の評価）
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２において作製した、各８本の電子写真感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、比較例２で作製した電子写真感光体を基準としてそれぞれ比較を行った。
【００７５】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン株式会社製の複写機ＧＰ５５（商品名）に設置して評価を行った。評価項目は、『帯電能』、『感度』、『画像評価』、『帯電能バラツキ』及び『感度バラツキ』の５項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００７６】
『帯電能』
複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を『帯電能』とする（但し、電子写真感光体周方向一周の平均値とし、また、本例においては、感光体となった円筒状基体の軸方向（以下、母線方向と称す。）の中位置を測定する）。従って、数値が大きいほど良好である。表面電位計としては、米国のトレック・インコーポレーテッド社製Ｍｏｄｅｌ３４４（商品名）を使用した。実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２において作成した、それぞれ８本の電子写真感光体の『帯電能』を測定し、それぞれの８本の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し１１０％以上
Ｂ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｅ：比較例２に対し９０％未満
『感度』
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射する。ついで像露光光源の光量を調整して、現像器位置における表面電位（明電位）が所定の値となるようにし、そのときの露光量を『感度』とする（但し、電子写真感光体周方向一周の平均値とし、また、本例においては、母線方向の中位置を測定する）。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２において作成した、それぞれ８本の電子写真感光体の『感度』を測定し、それぞれ８本の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し９０％未満
Ｂ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｅ：比較例２に対し１１０％以上
『画像評価』
反射濃度１．５のＡ３サイズのベタ黒原稿を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。従って数値が小さいほど良好である。実施例１、実施例２及び比較例１及び比較例２において作成した、それぞれ８本の電子写真感光体の『画像評価』を実施し、それぞれ８本の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。又、本評価におけるＡ〜Ｄまでは実用上問題無いレベルであった。
Ａ：比較例２に対し８０％未満
Ｂ：比較例２に対し８０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１２０％未満
Ｅ：比較例２に対し１２０％以上
『帯電能バラツキ』
実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２において作製した、それぞれ８本の電子写真感光体の『帯電能』を測定し、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２毎に８本の平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙを求める。そして、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２のそれぞれにおいて、（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『帯電能バラツキ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。また、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し５０％未満
Ｂ：比較例２に対し５０％以上９０％未満
Ｃ：比較例２に対し９０％以上１１０％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１１０％以上１５０％未満
Ｅ：比較例２に対し１５０％以上
『感度バラツキ』
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２において作製した、それぞれ８本の電子写真感光体の『感度』を測定し、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２毎に８本の平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙを求める。そして、実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２それぞれにおいて、（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『感度バラツキ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。また、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し５０％未満
Ｂ：比較例２に対し５０％以上９０％未満
Ｃ：比較例２に対し９０％以上１１０％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１１０％以上１５０％未満
Ｅ：比較例２に対し１５０％以上
その結果を表３に示す。
【００７７】
【表３】
【００７８】
表３から明かなように、本発明の堆積膜形成装置を用いることで、複数の電子写真感光体を同時に成膜しているにもかかわらず、従来の同軸型１本炉と同等以上の電子写真感光体特性を実現している。しかも、画像や電子写真特性のバラツキレベルも実用性問題無いレベルを維持していることが分かる。反応炉１台あたりのスループットは４倍であることから、装置コストまで含めて考えると、大幅なコストダウンのメリットがあることが分かる。
【００７９】
(実施例３)
本例では、実施例１で使用した堆積膜形成装置において、仕切板１０４の長さを以下の５パターンに変化させて、１ロット各４本の電子写真感光体の成膜を行った。尚、その他は実施例１と同様の条件としている。
（イ）放電電極の長さと同等
（ロ）円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．８
（ハ）円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．５
（ニ）円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．２
（ホ）円筒状基体の長さと同等の長さ
但し、ここで言う円筒状基体１０５の長さには補助基体１０６の長さを含んでいない。また、円筒状基体１０５、仕切板１０４及び放電電極１０１の長さとは、円筒状基体１０５の軸方向における長さを言う。また、仕切板１０４の配置は、上蓋１０２と底板１０３までの間隔が均等になるように設置した。
【００８０】
（実施例３の評価）
実施例３において作製した、各４本の電子写真感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、比較例２で作製した電子写真感光体を基準としてそれぞれ比較を行った。
【００８１】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン株式会社製の複写機ＧＰ５５（商品名）に設置して評価を行った。評価項目は、『帯電能』、『感度』、『帯電能軸ムラ』及び『感度軸ムラ』の４項目とし、『帯電能』と『感度』は実施例１と同様に、『帯電能軸ムラ』と『感度軸ムラ』を以下に示す具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００８２】
『帯電能軸ムラ』
実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２で得られたそれぞれの電子写真感光体において、母線方向に２ｃｍ刻みで『帯電能』を測定し、電子写真感光体毎に平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙより（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『帯電能軸ムラ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２毎に各電子写真感光体の『帯電能軸ムラ』を測定して４本間の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し９０％未満
Ｂ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｅ：比較例２に対し１１０％以上
『感度軸ムラ』
実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２で得られたそれぞれの電子写真感光体において、母線方向に２ｃｍ刻みで『感度』を測定し、電子写真感光体毎に平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙより（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『感度軸ムラ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２毎に各電子写真感光体の『感度軸ムラ』を測定して４本間の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し９０％未満
Ｂ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｅ：比較例２に対し１１０％以上
その結果を表４に示す。
【００８３】
【表４】
【００８４】
表４の結果から分かるように、仕切板の長さを放電電極より短くし、円筒状基体の軸方向長さ以上の長さとすることで、より特性が良好で、かつ、特性軸ムラも良好な電子写真感光体が得られることが分かる。
【００８５】
（実施例４）
本例においては、実施例２で使用した堆積膜形成装置に変えて、図４（Ｃ）に示した堆積膜形成装置を使用し、表５に示す条件下で、実施例２と同様の方法で、２ロット計１２本の電子写真感光体の製造を行った。
【００８６】
尚、その他は実施例２と同じ条件としている。
【００８７】
得られた電子写真感光体を実施例２と同様の評価を行い、その結果を表６に示す。
【００８８】
【表５】
【００８９】
【表６】
【００９０】
表６の結果から分かるように、本発明の効果は、円筒状基体の本数を変更した場合においても、十分効果が得られることが確認できる。
【００９１】
（実施例５）
本例においては、実施例４で使用した堆積膜形成装置を使用し、仕切板１０４の表面性を以下に示す（イ）〜（ヘ）の状態に変化させた以外は、実施例４と同様の手順を用い、表５に示す条件下で電子写真感光体を２ロット計１２本ずつ製造した。
（イ）仕切板表面は未処理で、算術平均粗さは０．５μｍ
(ロ)仕切板表面にブラスト処理を施し、算術平均粗さを１．２μｍとする
（ハ）仕切板表面にブラスト処理を施し、算術平均粗さを５．４μｍとする
（ニ）仕切板表面にアルミ溶射を施し、算術平均粗さを９．８μｍとする
(ホ)仕切板表面にアルミ溶射を施し、算術平均粗さを１９．６μｍとする
（ヘ）仕切板表面にアルミ溶射を施し、算術平均粗さを２１．３μｍとする
尚、本実施例における仕切板１０４の表面粗さＲａの測定は、前記した方法により、フォームトレーサー ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４（株式会社ミツトヨ）を用いて測定している。
【００９２】
得られた電子写真感光体を実施例４と同様の評価を行い、その結果を表７に示す。
【００９３】
【表７】
【００９４】
表７の結果から、仕切板の表面粗さは算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上、２０μｍ以下で特に白点が減少し、画像評価レベルが良好な結果が得られることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明で使用した堆積膜形成装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明で使用した仕切板の一例を示す模式図である。
【図３】本発明で使用した仕切板の一例を示す模式図である。
【図４】本発明で使用した堆積膜形成装置の別の一例を示す模式図である。
【図５】本発明で使用した堆積膜形成装置の別の一例を示す模式図である。
【図６】従来型の堆積膜形成装置の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９６】
１００、６００ 反応容器
１０１、６０１ 放電電極
１０４、６０４ 仕切板
１０５、６０５ 円筒状基体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、光起電力デバイス等における堆積膜形成に用いられる、高周波電力を用いた堆積膜形成装置に関するものである。特には、電子写真装置に使用される電子写真感光体の製造装置に関するものである。より具体的には、グロー放電プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いたアモルファスシリコン電子写真感光体の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体に用いられる素子部材を、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、フタロシアニン、アモルファスシリコン等の各種材料から構成する技術が提案され、実用化されているものもある。中でも珪素を主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素及び／又はハロゲン（例えばフッ素や塩素等）で補償されたアモルファスシリコン膜を用いた感光体は、高性能、高耐久、無公害といった特徴を持つ。このような堆積膜の形成法として、従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する熱ＣＶＤ法、光により原料ガスを分解する光ＣＶＤ法、プラズマにより原料ガスを分解するプラズマＣＶＤ法等、多数の方法が知られている。プラズマＣＶＤ法では、原料ガスを直流または高周波（ＲＦやＶＨＦ）やマイクロ波等のグロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の導電性基体上に薄膜状堆積膜を形成する。このプラズマＣＶＤ法は、電子写真用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法等において、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も多数提案されている。
【０００３】
図６は、電子写真感光体を作製するために供される、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法を行なう堆積膜形成装置の一例（特許文献１参照）を模式的に示している。
この堆積膜形成装置は、反応容器６００と、反応容器６００内を減圧するための排気装置６１６から構成されている。反応容器６００内には、アースに接続された補助基体６０６と、補助基体６０６に設置された円筒状基体６０５を加熱するための基体加熱ヒーター６０７と、ガス導入管６０８が設置されている。また、反応容器６００の側壁部は導電性材料からなる放電電極６０１で構成され、放電電極６０１と反応容器６００の他の部分は絶縁碍子６１０によって絶縁されている。放電電極６０１にはマッチングボックス６１１を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源６１２が接続されている。
【０００４】
不図示の原料ガス供給手段を構成する各ボンベは、原料ガス導入バルブ６１３を介して反応容器６００内のガス導入管６０８に接続されている。
【０００５】
反応容器６００は排気管６０９を有し、真空計６１４、メインバルブ６１５を介して排気装置６１６で真空排気される構成である。
【特許文献１】特開平１０−６３０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の堆積膜形成装置により、ある程度実用的な特性と均一性を持つ堆積膜を得ることが可能になっている。特に、プラズマＣＶＤ法による成膜方法の中でも、高周波電力としてＲＦ帯を用いるＲＦプラズマＣＶＤ法は、良好な特性の膜を容易に得られるという特徴があるため、アモルファスシリコンを用いた電子写真感光体の製造等に広く用いられている。
【０００７】
しかし、近年、電子写真装置において、市場からの要求スペックが年々厳しくなり、さらなる高画質化、高速化、高耐久性、高機能化が求められるのみならず、本体価格やランニングコストの低減を図る価格競争も激化している。これに伴って、アモルファスシリコンを用いた電子写真感光体にも従来のような電気特性の向上や画像品質の向上にとどまらず、よりコストの低い、安価な部材が要求されるようになってきた。
【０００８】
ところが、アモルファスシリコンを用いた電子写真感光体は、アモルファスシリコンの誘電率の高さゆえに、充分な帯電能を得るためには膜厚を厚くせざるを得ず、場合によっては１０μｍ〜１００μｍの厚さを有する堆積膜を形成しなければならない。しかし、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた製造方法では、堆積速度を速くすることが難しいため、成膜工程に長時間を要し、生産コストが上昇しがちであった。
【０００９】
又、従来のプラズマＣＶＤ装置は、図６に示したとおり、同軸型の成膜装置が多く、この場合、円筒状基体６０５の周囲のプラズマ状態が対称であり、均一な膜厚及び膜質が得られるというメリットがある。しかし、このプラズマＣＶＤ装置は、成膜炉１炉当り１本の電子写真感光体しか得ることができず、生産量がどうしても低くならざるを得ないというデメリットもある。
【００１０】
従来、成膜炉一炉当りの生産量を増やす試みとして、堆積速度の向上が検討されてきた。しかし、堆積速度を速めると堆積膜の膜質が低下してしまい、電子写真感光体としての特性が劣ってしまうという、生産能力と特性のトレードオフの関係が発生するのが現状であった。
【００１１】
そこで本発明の目的は、上記従来の電子写真感光体における諸問題を解決し、具体的には電子写真感光体の電気的特性を犠牲にすることなくその製造コストを下げ、かつ歩留まりよく安定して製造し得る堆積膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係わる堆積膜形成装置は複数の円筒状基体に堆積膜を形成する装置であり、排気手段と原料ガス導入手段を備えた真空気密可能な反応容器を備える。反応容器の中に複数の円筒状基体を夫々設置する設置部が設けられ、反応容器の側壁を兼ねて該複数の円筒状基体を取り囲むように放電電極が設けられている。そして、本装置の特徴は、設置部に設置された円筒状基体の被堆積面が互いに直接対向することがないように、設置部に配置される円筒状基体同士の間に仕切板が設けられることにある。この仕切板は放電電極と電気的に接続されたものである。さらに、仕切板は反応容器より取り外し可能であり、堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とが異なることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、電子写真感光体の電気的特性を犠牲にすることなくその製造コストを下げ、歩留まりよく安定して一様な電子写真感光体を製造し得る、円筒状基体上への堆積膜の形成装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１５】
まず、本発明に至った経緯について説明する。本発明者らは前述した目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、従来の同軸型の堆積膜形成装置に変えて、複数の円筒状基体を配置し、これらの円筒状基体を取り囲むように放電電極を設置した構成の堆積膜形成装置を考えた。この堆積膜形成装置では、放電電極に高周波電力を印加して円筒状基体と放電電極の間にグロー放電を発生させることにより、一回の成膜で多数の電子写真感光体が製造できる。この場合、成膜炉一炉当たりの感光体の製造数量が大幅に増加すると同時に、原料ガスの利用効率も向上するため、結果的に大幅なコストダウンが見込める。
【００１６】
ところが、実際に実験を行ってみると、得られた電子写真感光体の電気特性は、何れも限られた処方範囲でしか良好な特性が得られず、処方の選択可能範囲が狭い為に生産に供するためには必ずしも十分に満足する結果が得られないことが判明した。さらには、得られた電子写真感光体間の電気特性のバラツキも大きいことが判明した。
【００１７】
この原因を探るために、円筒状基体を静止した状態で成膜を行い、円筒状基体の周方向の特性ムラを調べた。その結果、円筒状基体における、放電電極を兼ねた反応容器と対向する面での堆積膜の特性は、１炉当たり１本の感光体を得る同軸型の成膜炉（以下、同軸型１本炉）の場合と同等かそれ以上の良好な結果が得られた。しかし、それ以外の面、すなわち円筒状基体と円筒状基体が直接対向している面での堆積膜の特性は、同軸型１本炉の場合に比べてかなり劣っている場合があることが判明した。この堆積膜形成装置では、放電電極に高周波電力を印加しているため、その放電電極の対向電極として機能しているのは内部に複数配置されているアースされた円筒状基体である。つまり、各円筒状基体における放電電極と対向する面には十分な高周波電界が働いており、良質な堆積膜が形成される。ところが、各円筒状基体における隣接する他の円筒状基体と対向する面、すなわちアースされた面同士が向き合う領域には、放電電極からの高周波電力が充分に働いておらず、弱電界になる。そのため、原料ガスの分解および励起が不十分になり、放電電極と対向している所と比べると、堆積された膜の特性が劣ると推測される。さらには、放電電極からの高周波電力が充分に働かない領域においては放電が不安定となり、そのために堆積膜の膜特性のばらつきが大きくなると推察される。
【００１８】
本発明者らは、この問題を解決する簡単で安価な方法として、アースされた面同士が向き合う円筒状基体同士の間に仕切板を設けて、いわゆる目隠しをすればよいのではないかと考えた。そして、その仕切板を放電電極と接触させて電気的に導通させることにより、各円筒状基体における他の円筒状基体と対向する面にも効果的に高周波電界を印加できるようにした。すなわち、円筒状基体の周方向を見渡したとき、全ての面に放電電極からの高周波電力が印加されており、アース面が向き合って存在しない構成にすることを考えた。その結果、同軸型１本炉の場合と何ら見劣りしない特性を持つ堆積膜が円筒状基体の全周に渡って得られることが判明した。
【００１９】
更に、本発明者らは仕切板の構成について鋭意検討を行った。その結果、仕切板を取り外し可能とし、さらには、堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とが異なるようにした。こうすることによって、装置コストやメンテナンス性の面で有利であり、さらには得られる電子写真感光体の一様性が良好となることが判明した。
【００２０】
堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とを異なることにすることによって、得られる電子写真感光体の一様性が良好となる理由は明らかではないが、現時点で次のように想像している。
【００２１】
本発明においては、装置コストやメンテナンス性の観点から、仕切板を反応容器から取り外し可能な構成としている。その上で、仕切板を反応容器内に設置した状態では、仕切板と放電電極とを接触させて電気的に導通させることにより、各円筒状基体における他の円筒状基体と対向する面にも効果的に高周波電界を印加できるようにしている。そのため、仕切板と放電電極の接触状況によっては、各円筒状基体に働く高周波電界にバラツキが生じ、その結果、得られる電子写真感光体間に特性のバラツキが発生する場合があるのではないかと考えられる。しかしながら、堆積膜形成時における仕切板の形状と、仕切板が反応容器から取り外された状態における仕切板の形状とを異ならせることによって、仕切板が反応容器内に設置された際に、仕切板に放電電極への押し付け力が働くことになる。そのため、堆積膜形成時における仕切板と放電電極との接触を常に良好に保つことが可能となり、得られる電子写真感光体の一様性が良好になるのではないかと考えている。
【００２２】
本発明は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法やＶＨＦプラズマＣＶＤ法といった、ＲＦ帯以外を用いたプラズマＣＶＤ法を用いた場合にももちろん適用できるが、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた場合に特に大きな効果が得られた。その詳細な理由は現在不明であるが、ＲＦプラズマＣＶＤ法の場合、高周波電力の波長が数１０ｍに及び、放電電極及び仕切板を組み合わせた複雑な形状の放電形態であっても定在波等の影響が出にくく、均一に電力を供給できるためではないかと考えている。
【００２３】
前述したように、ＲＦプラズマＣＶＤ法は、良好な特性の堆積膜を容易に得やすいという特徴があるため、広く普及している技術であるが、その反面、堆積速度が低く生産コストが高かった。しかし、本発明によって一度に多数の電子写真感光体を一様に良好な特性で成膜できるようになることで、コストダウンを実現した。本発明は、以上の経緯によって完成されたものである。
【００２４】
以下、本発明の堆積膜形成装置について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明によるところの、複数の電子写真感光体を同時に形成できる、生産性の極めて高い堆積膜形成装置の一例を模式的に示したものである。図１（Ａ）はその概略縦断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ‘線に沿って切断した概略横断面図である。
【００２５】
本実施形態の堆積膜形成装置において、反応容器１００は反応炉壁を兼ねる放電電極１０１と、上蓋１０２と、底板１０３とにより真空気密可能に構成され、減圧可能になっている。放電電極１０１と上蓋１０２及び底板１０３は絶縁碍子１１０で絶縁されている。反応容器１００の内部には、同一円周上に複数の円筒状基体を夫々設置する不図示の設置部が存在する。放電電極１０１が円筒状であり、それらの設置部は、複数の円筒状基体を円筒状放電電極１０１と同一の中心軸を持つ円周上に設置するよう配置されている。各設置部では、円筒状基体１０５とこの上下端にセットされた補助基体１０６とが回転軸１０７に取り付けられている。また、円筒状基体１０５と円筒状基体１０５の間には効果的に高周波電界を印加できるように、放電電極１０１と電気的に導通した仕切板１０４が設けられている。
【００２６】
底板１０３の下部には排気配管１０９が接続され、排気配管１０９の他端は不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に接続され、これにより反応容器１０９内が真空排気可能になっている。また、ガス導入管１０８により反応容器内に原料ガスが導入されるようになっている。放電電極１０１には、整合器（マッチングボックス）１１１を介して高周波電源１１２が接続されている。
【００２７】
そして、本装置は、放電電極１０１に高周波電力を印加し、反応容器１００内にグロー放電を発生させることにより、反応容器１００内に導入された原料ガスを分解し、円筒状基体１０５の被堆積面に堆積膜を形成するものである。
【００２８】
この堆積膜形成装置の構成を、より詳細に説明する。
【００２９】
本発明においては、複数の円筒状基体１０５同士の間には、接地面同士が直接向かい合わないように仕切板１０４が設けられている。仕切板１０４は、放電電極１０１に取り付けられているために、放電電極１０１を介して仕切板１０４にも高周波電力が印加されるようになっている。従って、円筒状基体１０５から見た周囲の構造物にはアース電位を有する面は存在しない。この点で従来の同軸型１本炉とかなり近い環境となっているため、本発明の堆積膜形成装置では従来の同軸型１本炉で得られた電子写真感光体と同等レベルの特性の感光体が得られることになる。
【００３０】
また、本発明の堆積膜形成装置においては、放電電極１０１に仕切板１０４を組み合わせた複雑な形状となるため、装置コストやメンテナンス性の点を考慮して仕切板１０４を放電電極１０１から取り外し可能な形態としている。これにより、電子写真感光体の製造コストをさらに下げることができる。
【００３１】
さらには、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とを異なる形状とすることによって、得られる電子写真感光体の一様性が良好となる効果を得られることができる。
【００３２】
また、仕切板１０４と放電電極１０１の接続部分の構成としては、放電電極１０１側に溝２０１を形成し、溝２０１に仕切板１０４をはめ込む構成とすることが好ましい。そのような構成とすることで、仕切板１０４と放電電極１０１の接触をより良好に保つことができ、本発明の効果をより顕著に得ることができる。
【００３３】
図２は本発明によるところの、反応容器に取り付けた（堆積膜形成時の）状態における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる様子の一例を模式的に示したものである。図２（Ａ）は、反応容器に取り付けた（堆積膜形成時の）状態における仕切板１０４の形状を示し、図２（Ｂ）は仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状を示す。尚、図２（Ａ）においては、放電電極１０１に溝２０１が形成され、溝部分に仕切板をはめ込む構成としている。また、図２（Ｃ）には、仕切板１０４を反応容器に取り付けた（堆積膜形成時の）状態と仕切板１０４を反応容器から取り外した状態との間での仕切板端部での変形量を示す。図２（Ｃ）中の実線が、反応容器から取り外したときの仕切板の形を示し、破線が、反応容器内に取り付けられた仕切板の形を示す。仕切板１０４は、板部材同士を組み合わせて交差させた形状であり、各板部材が交差部を中心に回転変位するようになっている。
【００３４】
また本発明の堆積膜形成装置としては、反応容器１００内のクリーン度を考えた場合、仕切板１０４を反応容器１００に設置する際に、仕切板１０４と放電電極１０１が接触して擦れることによる発塵を極力防止することが重要となる。仕切板１０４と放電電極１０１が接触して擦れることにより発生するダストが円筒状基体１０５に付着し、その結果、画像欠陥の原因となる堆積膜の異常成長を発生させる場合があるからである。
【００３５】
このような観点から考えると、本発明における仕切板１０４は、反応容器１００に仕切板１０４を設置する際には放電電極１０１との接触を極力抑制する形状とすることがより好ましい。その上で、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とを異なるものとすることがより好ましい構成となる。このような条件を満たす仕切板１０４としては、例えば図３に示すように、熱膨張係数が異なる二つの材料からなる板状部材３０１、３０２をはり合わせたものを交差状に組み合わせた構成等が挙げられる。
【００３６】
上記したような構成の仕切板１０４を使用した場合、堆積膜形成時においては、円筒状基体１０５が加熱されるとともに、反応容器１００内に発生するグロー放電の影響により仕切板１０４も加熱されるため、仕切板がたわむこととなる。その結果、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なることとなる。
【００３７】
また、ここでいう堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる状態とは、熱膨張等による多少の伸び縮みによる相似的な変化は含まれない。
【００３８】
また、図１に記載したように、仕切板１０４の長さ（円筒状基体軸方向の長さを意味する）は放電電極１０１より短くし、かつ、円筒状基体１０５の軸方向長さ以上の長さにすることが効果的であった。特に、円筒状基体１０５の上下に補助基体１０６を設ける場合には、仕切板１０４は補助基体１０６と円筒状基体１０５の合計の長さより短くし、円筒状基体１０５の軸方向長さ以上の長さにすることが効果的であった。
【００３９】
仕切板１０４の長さを放電電極１０１より短くすることで、反応炉内のポリシランと呼ばれる副生成物の形成量が抑えられ、電子写真感光体の電気特性もより向上することが判明した。
【００４０】
これは、仕切板１０４と上蓋１０２、或いは底板１０３の距離が離れ、その間で起きる放電が軽減されたためと考えられる。その結果、余分な領域での原料ガスの分解が抑えられてポリシランが減少する。また、高周波電力が仕切板１０４と上蓋１０２や底板１０３との間の放電によって消費されるのを防ぎ、効果的に円筒状基体１０５との間で消費されたために感光体特性の向上に役立ったものと考えている。
【００４１】
また、仕切板１０４を円筒状基体１０５の軸方向長さ以上の長さにすることにより、円筒状基体１０５上のプラズマ分布が均一になり、その結果、堆積膜の膜厚、膜質が均一になるという効果が得られた。
【００４２】
この堆積膜形成装置の仕切板１０４、放電電極１０１、上蓋１０２、及び底板１０３は導電性材料から成る。これらの構成部材は導電性材料なら何でも使用できる。とりわけ、アルミニウム、鉄、ステンレス、ニッケル、クロム、チタン等の金属材料から構成する場合、加工が容易で耐久性が高く、又、再利用の利便性等の点でも好ましい。また、これらの材料中の二種以上からなる複合材料等も好適に用いられる。例えば、熱膨張係数の異なるステンレスを張り合わせた材料等が挙げられる。
【００４３】
仕切板１０４の表面の少なくとも一部は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に基づいて求めた算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。これは、Ｒａを１μｍ以上とすることで仕切板１０４上に堆積する膜の密着性に良好な影響を及ぼすからである。一方、Ｒａが大き過ぎると逆にダストを取り込みやすくなり、これが吐き出された際に堆積膜の異常成長を発生させる原因になることがある。よって、Ｒａは１μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００４４】
上記の表面粗さＲａの測定は、フォームトレーサー ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４（株式会社ミツトヨ） を用いて測定した。測定環境は気温２５℃、湿度６５％とした。触針先端形状は６０°円錐形、先端半径２μｍのものを用いた。測定力は０．７５ｍＮ、スキャン速度は０．１ｍｍ／ｓｅｃとして測定を行った。その他、特に記載していない条件に関しては、全て ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４ に基づいて行った。また、具体的なフォームトレーサー ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４ による測定方法は、全て装置付属の取扱説明書に従った。
【００４５】
仕切板１０４の表面粗さを上記の範囲に制御するためには、仕切板にブラスト加工を行ったり、仕切板を溶射材で被覆したりすれば良い。ブラスト加工や溶射加工は、コスト面から、或いは表面粗さの制御性の高さや、コーティング対象物の大きさ・形状の制限を受けにくいため好ましい。
【００４６】
溶射の具体的手段に特に制限はないが、例えばプラズマ溶射、減圧プラズマ溶射、高速フレーム溶射、低温溶射等のコーティング法により表面をコーティングしても良い。具体的な溶射材料としては、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、二酸化チタン等が挙げられるが、経済性や耐久性の面でアルミニウムがより好ましい。
【００４７】
本発明の装置で用いられる高周波電力は、いかなる周波数帯でも用いることができるが、良好な電子写真特性が得られやすいのは１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯、代表的には１３．５６ＭＨｚであった。これは、前述したようにＲＦ帯は波長が数１０ｍに及び、放電電極１０１及び仕切板１０４を組み合わせた複雑な形状の放電形態であっても定在波等の影響が出にくく、均一に電力を供給できることからプラズマ均一性や安定性が高いことによる。さらに、分解種として良好な膜質を得やすいＳｉＨ3が安定的に得られ易いことも関係しているのであろうと推測される。
【００４８】
図４には、本発明の堆積膜形成装置において、円筒状基体１０５の設置本数が異なる場合の模式図を示してある。（Ａ）は２本の円筒状基体を設置する場合、（Ｂ）は３本の場合、（Ｃ）は６本の場合の一例である。符号については図１の説明と同様である。
【００４９】
本発明の装置においては円筒状基体１０５は２本以上設置されるが、良好な特性の電子写真感光体を得る上では、４〜８本程度が適当である。円筒状基体１０５の本数が増えると、円筒状基体１０５と仕切板１０４の間隔が狭くなる。この結果、僅かな円筒状基体の傾きや位置ずれによって電子写真用感光体特性の軸ムラ（円筒状基体の軸方向での特性ムラ）や周ムラ（円筒状基体の周方向での特性ムラ）が出やすくなるため、製造上の歩留まりに影響する場合がある。逆に円筒状基体１０５の本数が少なすぎると、感光体１本当りが消費する原料ガス量が増えることになり、コストダウンの効果が少なくなる。尚、ここで言う『円筒状基体の本数』とは、言い換えれば円筒状基体１０５を取り付ける回転軸１０７の本数を意味している。例えば、円筒状基体１０５を２段重ねで成膜する構成の堆積膜形成装置においては、回転軸の本数が例えば４本の場合は、一度に２倍の８本の円筒状基体１０５が成膜できることになる。
【００５０】
以上説明した図１の堆積膜形成装置を用いた堆積膜の形成は、例えば概略以下のようにして行われる。
【００５１】
例えば旋盤を用いて表面に鏡面加工が施された複数の円筒状基体１０５を反応容器１００内に設置し、不図示の排気装置により排気配管１０９を通して反応容器１００内を排気する。充分に排気ができた段階で、不図示のガス供給装置からガス導入管１０８を介して、加熱用の不活性ガス、例えばアルゴンを反応容器１００内に導入する。そして、反応容器１００内が所望の圧力になるように、加熱用ガスの流量或いは不図示の排気装置の排気速度を調整する。続いて、不図示の基体加熱用ヒーターにより円筒状基体１０５を加熱し、５０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。
【００５２】
円筒状基体１０５が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、成膜用の所定の原料ガスを反応容器１００内に徐々に導入する。原料ガスは、例えばＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6等の材料ガスや、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等のドーピングガスであり、不図示のガス供給手段により混合された後に、反応容器１００内に導入される。次に、原料ガスの流量を設定流量に調整し、不図示の排気装置の排気速度を調整して反応容器１００内の圧力を数十Ｐａから数百Ｐａの所望の圧力にする。こうして所望の流量及び圧力になったことを確認した後に、高周波電源１１２からマッチングボックス１１１を介して放電電極１０１へ所定の高周波電力を供給する。このときマッチングボックス１１１を調整し、反射波が最小となるようにし、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた実効値の値にする。この高周波電力によって、反応容器１００内にグロー放電が生起する。このとき、回転軸１０７に取り付けられた不図示の回転手段により円筒状基体１０５を回転させる。
【００５３】
放電は、円筒状基体１０５と放電電極１０１及び仕切板１０４の間で生起するため、円筒状基体１０５の周囲では均一な放電が発生し、特性ムラが最小限に抑えられる。
【００５４】
所望の膜厚の堆積膜形成が行われた後に、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。多層構造の堆積膜を形成する場合には、同様の操作を複数回繰り返す。この場合、各層間においては、上述したように一つの層の形成を終了した後に一定時間かけて、ガス流量と圧力と高周波電力を次層のためのガス流量及び圧力に設定が変更された後に、再度放電を生起して次層の形成を行ってもよい。或いは、一つの層の形成を終了した後に一定時間かけて、ガス流量と圧力と高周波電力を次層のための設定値に徐々に変化させ、連続的に複数層を形成してもよい。
【００５５】
図５に本発明の堆積膜形成装置の別の一例の模式図を示す。図５（Ａ）はその概略縦断面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＡ−Ａ'線に沿って切断した概略横断面図である。
【００５６】
図５の堆積膜形成装置では、反応炉壁を兼ねる放電電極５０１は角型をしており、複数の円筒状基体５０５は一列に並んでいる。円筒状基体５０５同士の間には、円筒状基体５０５が互いに直接向き合わないように、放電電極５０１経由で高周波電力が印加される仕切板５０４が設けられる。その他の部分は図１の堆積膜形成装置と同様である。尚、図５において、符号５００は反応容器、符号５０２は上蓋、符号５０３は底板、符号５０６は補助基体、符号５０７は回転軸、符号５０８はガス導入管、符号５０９は排気配管、符号５１０は絶縁碍子を示している。
【００５７】
図５に示す装置においても仕切板５０４を取り外し可能とし、さらには、堆積膜形成時における仕切板５０４の形状と、仕切板５０４が反応容器から取り外された状態における仕切板５０４の形状とが異なるようにした。こうすることにより、装置コストやメンテナンス性の面で有利になり、得られる電子写真感光体の一様性が良好となる効果を得られる。
【実施例】
【００５８】
（実施例１）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に円筒状基体１０５として、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、円筒状基体を５ｒｐｍで回転させながら、発振周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源１１２を使用し、表１に示す条件下で、下部阻止層、光導電層及び表面層からなる電子写真感光体を２ロット計８本製造した。
【００５９】
尚、本実施例の堆積膜形成装置においては、図２に示した構成の仕切板１０４を使用し、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なっている。そして、図２（Ｃ）に示す変形量は端部で５ｍｍである。
【００６０】
また、本実施例においては、仕切板１０４の長さを、
円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．７
とした。但し、ここで言う円筒状基体１０５の長さには補助基体１０６の長さを含んでいない。
【００６１】
また、本実施例においては、仕切板１０４表面は未処理で、算術平均粗さは０．７μｍであった。
【００６２】
また、円筒状基体１０５、仕切板１０４及び放電電極１０１の長さとは、円筒状基体の軸方向における長さを言う。又、仕切板１０４の配置は、仕切板１０４から上蓋１０２までの間隔と仕切板１０４から底板１０３までの間隔が均等になるように設置した。
【００６３】
また本実施例においては、電子写真感光体を１ロット製造した後、仕切板１０４を反応容器１００から一旦取り外し、反応容器１００内や仕切板１０４等にＣｌＦ3ガスによるドライクリーニングを実施し、付着した膜の除去を行っている。
【００６４】
クリーニング実施後、再び反応容器１００内に仕切板１０４を設置し、２ロット目の電子写真感光体の製造を行っている。
【００６５】
【表１】
【００６６】
（実施例２）
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置に円筒状基体１０５として、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、円筒状基体を５ｒｐｍで回転させながら、発振周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源１１２を使用し、表１に示す条件下で、下部阻止層、光導電層及び表面層からなる電子写真感光体を２ロット計８本製造した。
【００６７】
尚、本実施例の堆積膜形成装置においては、図３に示すように熱膨張係数が異なるＳＵＳ３０４とＳＵＳ３１６の板状部材をはり合わせたものを交差状に組み合わせた仕切板１０４を使用した。そして、反応容器１００に仕切板１０４を設置する際には、仕切板１０４と放電電極１０１間の接触を極力抑制可能な構成とした。その上で、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なるようにしている。仕切板１０４の変形に関しては、透明な石英ガラス製の上蓋１０２を使用した予備実験において、堆積膜形成条件における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器１００から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なることを目視で確認した。さらには、堆積膜形成条件においては、仕切板１０４の変形により仕切板１０４と溝２０１が接触していることも目視により確認した。仕切板の変形量としては２ｍｍ程度である。
【００６８】
また、本実施例においては、仕切板１０４の長さを、
円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．７
とした。ここで言う円筒状基体１０５の長さには補助基体１０６の長さを含んでいない。又、円筒状基体１０５、仕切板１０４及び放電電極１０１の長さとは、円筒状基体１０５の軸方向における長さを言う。
【００６９】
また、本実施例においては、仕切板１０４表面は未処理で、算術平均粗さは０．７μｍであった。
また、仕切板１０４の配置は、上蓋１０２と底板１０３までの間隔が均等になるように設置した。
【００７０】
また本実施例においても実施例１と同様に、電子写真感光体を１ロット製造した後、仕切板１０４を反応容器１００から一旦取り外し、反応容器１００内や仕切板１０４等に付着した膜等のクリーニングを実施している。クリーニング実施後、再度反応容器１００内に仕切板１０４を設置し、２ロット目の電子写真感光体の製造を行っている。
【００７１】
（比較例１）
実施例１で用いた堆積膜形成装置から仕切板１０４を取り外して使用しない以外は、実施例１と同様の手順で表１に示す条件下で電子写真感光体を２ロット計８本製造した。
【００７２】
（比較例２）
本比較例では、図６に示す従来の堆積膜形成装置に円筒状基体６０５として、直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、発振周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源６１２を使用し、表２に示す条件下で、下部阻止層、光導電層及び表面層からなる電子写真感光体を８ロット計８本製造した。
【００７３】
【表２】
【００７４】
（実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２の評価）
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２において作製した、各８本の電子写真感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、比較例２で作製した電子写真感光体を基準としてそれぞれ比較を行った。
【００７５】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン株式会社製の複写機ＧＰ５５（商品名）に設置して評価を行った。評価項目は、『帯電能』、『感度』、『画像評価』、『帯電能バラツキ』及び『感度バラツキ』の５項目とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００７６】
『帯電能』
複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を『帯電能』とする（但し、電子写真感光体周方向一周の平均値とし、また、本例においては、感光体となった円筒状基体の軸方向（以下、母線方向と称す。）の中位置を測定する）。従って、数値が大きいほど良好である。表面電位計としては、米国のトレック・インコーポレーテッド社製Ｍｏｄｅｌ３４４（商品名）を使用した。実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２において作成した、それぞれ８本の電子写真感光体の『帯電能』を測定し、それぞれの８本の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し１１０％以上
Ｂ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｅ：比較例２に対し９０％未満
『感度』
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように、主帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射する。ついで像露光光源の光量を調整して、現像器位置における表面電位（明電位）が所定の値となるようにし、そのときの露光量を『感度』とする（但し、電子写真感光体周方向一周の平均値とし、また、本例においては、母線方向の中位置を測定する）。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２において作成した、それぞれ８本の電子写真感光体の『感度』を測定し、それぞれ８本の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し９０％未満
Ｂ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｅ：比較例２に対し１１０％以上
『画像評価』
反射濃度１．５のＡ３サイズのベタ黒原稿を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ以上の白点を数え、その数により評価した。従って数値が小さいほど良好である。実施例１、実施例２及び比較例１及び比較例２において作成した、それぞれ８本の電子写真感光体の『画像評価』を実施し、それぞれ８本の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。又、本評価におけるＡ〜Ｄまでは実用上問題無いレベルであった。
Ａ：比較例２に対し８０％未満
Ｂ：比較例２に対し８０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１２０％未満
Ｅ：比較例２に対し１２０％以上
『帯電能バラツキ』
実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２において作製した、それぞれ８本の電子写真感光体の『帯電能』を測定し、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２毎に８本の平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙを求める。そして、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２のそれぞれにおいて、（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『帯電能バラツキ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。また、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し５０％未満
Ｂ：比較例２に対し５０％以上９０％未満
Ｃ：比較例２に対し９０％以上１１０％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１１０％以上１５０％未満
Ｅ：比較例２に対し１５０％以上
『感度バラツキ』
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２において作製した、それぞれ８本の電子写真感光体の『感度』を測定し、実施例１、実施例２、比較例１、及び比較例２毎に８本の平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙを求める。そして、実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２それぞれにおいて、（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『感度バラツキ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。また、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し５０％未満
Ｂ：比較例２に対し５０％以上９０％未満
Ｃ：比較例２に対し９０％以上１１０％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１１０％以上１５０％未満
Ｅ：比較例２に対し１５０％以上
その結果を表３に示す。
【００７７】
【表３】
【００７８】
表３から明かなように、本発明の堆積膜形成装置を用いることで、複数の電子写真感光体を同時に成膜しているにもかかわらず、従来の同軸型１本炉と同等以上の電子写真感光体特性を実現している。しかも、画像や電子写真特性のバラツキレベルも実用性問題無いレベルを維持していることが分かる。反応炉１台あたりのスループットは４倍であることから、装置コストまで含めて考えると、大幅なコストダウンのメリットがあることが分かる。
【００７９】
(実施例３)
本例では、実施例１で使用した堆積膜形成装置において、仕切板１０４の長さを以下の５パターンに変化させて、１ロット各４本の電子写真感光体の成膜を行った。尚、その他は実施例１と同様の条件としている。
（イ）放電電極の長さと同等
（ロ）円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．８
（ハ）円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．５
（ニ）円筒状基体の長さ＋（放電電極の長さ−円筒状基体の長さ）×０．２
（ホ）円筒状基体の長さと同等の長さ
但し、ここで言う円筒状基体１０５の長さには補助基体１０６の長さを含んでいない。また、円筒状基体１０５、仕切板１０４及び放電電極１０１の長さとは、円筒状基体１０５の軸方向における長さを言う。また、仕切板１０４の配置は、上蓋１０２と底板１０３までの間隔が均等になるように設置した。
【００８０】
（実施例３の評価）
実施例３において作製した、各４本の電子写真感光体の電子写真特性を以下に記載した方法で評価し、比較例２で作製した電子写真感光体を基準としてそれぞれ比較を行った。
【００８１】
『電子写真特性評価方法』
作成した各々の電子写真感光体を本テスト用に改造されたキヤノン株式会社製の複写機ＧＰ５５（商品名）に設置して評価を行った。評価項目は、『帯電能』、『感度』、『帯電能軸ムラ』及び『感度軸ムラ』の４項目とし、『帯電能』と『感度』は実施例１と同様に、『帯電能軸ムラ』と『感度軸ムラ』を以下に示す具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００８２】
『帯電能軸ムラ』
実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２で得られたそれぞれの電子写真感光体において、母線方向に２ｃｍ刻みで『帯電能』を測定し、電子写真感光体毎に平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙより（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『帯電能軸ムラ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２毎に各電子写真感光体の『帯電能軸ムラ』を測定して４本間の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し９０％未満
Ｂ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｅ：比較例２に対し１１０％以上
『感度軸ムラ』
実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２で得られたそれぞれの電子写真感光体において、母線方向に２ｃｍ刻みで『感度』を測定し、電子写真感光体毎に平均値Ｚ、最大値Ｘ、最小値Ｙより（Ｘ−Ｙ）／Ｚを求め、『感度軸ムラ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例３のパターン（イ）〜（ホ）及び比較例２毎に各電子写真感光体の『感度軸ムラ』を測定して４本間の平均値を求め、比較例２を基準として以下のランクに区分した。
Ａ：比較例２に対し９０％未満
Ｂ：比較例２に対し９０％以上９５％未満
Ｃ：比較例２に対し９５％以上１０５％未満で同等レベル
Ｄ：比較例２に対し１０５％以上１１０％未満
Ｅ：比較例２に対し１１０％以上
その結果を表４に示す。
【００８３】
【表４】
【００８４】
表４の結果から分かるように、仕切板の長さを放電電極より短くし、円筒状基体の軸方向長さ以上の長さとすることで、より特性が良好で、かつ、特性軸ムラも良好な電子写真感光体が得られることが分かる。
【００８５】
（実施例４）
本例においては、実施例２で使用した堆積膜形成装置に変えて、図４（Ｃ）に示した堆積膜形成装置を使用し、表５に示す条件下で、実施例２と同様の方法で、２ロット計１２本の電子写真感光体の製造を行った。
【００８６】
尚、その他は実施例２と同じ条件としている。
【００８７】
得られた電子写真感光体を実施例２と同様の評価を行い、その結果を表６に示す。
【００８８】
【表５】
【００８９】
【表６】
【００９０】
表６の結果から分かるように、本発明の効果は、円筒状基体の本数を変更した場合においても、十分効果が得られることが確認できる。
【００９１】
（実施例５）
本例においては、実施例４で使用した堆積膜形成装置を使用し、仕切板１０４の表面性を以下に示す（イ）〜（ヘ）の状態に変化させた以外は、実施例４と同様の手順を用い、表５に示す条件下で電子写真感光体を２ロット計１２本ずつ製造した。
（イ）仕切板表面は未処理で、算術平均粗さは０．５μｍ
(ロ)仕切板表面にブラスト処理を施し、算術平均粗さを１．２μｍとする
（ハ）仕切板表面にブラスト処理を施し、算術平均粗さを５．４μｍとする
（ニ）仕切板表面にアルミ溶射を施し、算術平均粗さを９．８μｍとする
(ホ)仕切板表面にアルミ溶射を施し、算術平均粗さを１９．６μｍとする
（ヘ）仕切板表面にアルミ溶射を施し、算術平均粗さを２１．３μｍとする
尚、本実施例における仕切板１０４の表面粗さＲａの測定は、前記した方法により、フォームトレーサー ＳＶ−Ｃ４０００Ｓ４（株式会社ミツトヨ）を用いて測定している。
【００９２】
得られた電子写真感光体を実施例４と同様の評価を行い、その結果を表７に示す。
【００９３】
【表７】
【００９４】
表７の結果から、仕切板の表面粗さは算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上、２０μｍ以下で特に白点が減少し、画像評価レベルが良好な結果が得られることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明で使用した堆積膜形成装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明で使用した仕切板の一例を示す模式図である。
【図３】本発明で使用した仕切板の一例を示す模式図である。
【図４】本発明で使用した堆積膜形成装置の別の一例を示す模式図である。
【図５】本発明で使用した堆積膜形成装置の別の一例を示す模式図である。
【図６】従来型の堆積膜形成装置の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９６】
１００、６００ 反応容器
１０１、６０１ 放電電極
１０４、６０４ 仕切板
１０５、６０５ 円筒状基体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気手段と原料ガス導入手段を備えた真空気密可能な反応容器と、該反応容器の中に複数の円筒状基体をそれぞれ設置する設置部と、前記反応容器の側壁を兼ねて前記複数の円筒状基体を取り囲むように設けられた放電電極とを有し、前記複数の円筒状基体に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記設置部に設置された前記円筒状基体の被堆積面が互いに直接対向することがないように、該設置部に設置される該円筒状基体同士の間に設けられ、かつ前記放電電極と電気的に接続された仕切板をさらに備え、
該仕切板は該反応容器より取り外し可能な構成であり、堆積膜形成時における該仕切板の形状と、該仕切板が該反応容器から取り外された状態における該仕切板の形状とが異なることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記反応容器に溝を形成し、該溝に前記仕切板をはめ込むことにより、前記仕切板が前記反応容器に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記仕切板が熱膨張係数の異なる二つの材料からなる板状部材をはり合わせた構成であることを特徴とする請求項１又は２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記仕切板の円筒状基体軸方向の長さは、前記円筒状基体の軸方向長さ以上であり、且つ前記放電電極の円筒状基体軸方向の長さよりも短いことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記設置部に前記円筒状基体が端部に補助基体を有して設置され、前記仕切板が、前記補助基体を含めた前記円筒状基体の軸方向長さよりも短いことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記仕切板のＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準じて測定される算術平均粗さＲａが１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記仕切板の表面粗さが、ブラスト加工によって調整されていることを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記仕切板の表面粗さが、溶射加工によって調整されていることを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記仕切板の溶射加工に用いられる溶射材が、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、二酸化チタンの少なくとも一つ以上の材料であることを特徴とする請求項８に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記放電電極が円筒状であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１１】
前記設置部が前記複数の円筒状基体を前記放電電極と同一の中心軸を持つ円周上に設置するよう配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１２】
前記放電電極に高周波電力を印加する手段を有し、該高周波電力が１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯であることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１３】
電子写真感光体の製造に用いられる請求項1乃至１２の何れかにに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１】
排気手段と原料ガス導入手段を備えた真空気密可能な反応容器と、該反応容器の中に複数の円筒状基体をそれぞれ設置する設置部と、前記反応容器の側壁を兼ねて前記複数の円筒状基体を取り囲むように設けられた放電電極とを有し、前記複数の円筒状基体に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記設置部に設置された前記円筒状基体の被堆積面が互いに直接対向することがないように、該設置部に設置される該円筒状基体同士の間に設けられ、かつ前記放電電極と電気的に接続された仕切板をさらに備え、
該仕切板は該反応容器より取り外し可能な構成であり、堆積膜形成時における該仕切板の形状と、該仕切板が該反応容器から取り外された状態における該仕切板の形状とが異なることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記反応容器に溝を形成し、該溝に前記仕切板をはめ込むことにより、前記仕切板が前記反応容器に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記仕切板が熱膨張係数の異なる二つの材料からなる板状部材をはり合わせた構成であることを特徴とする請求項１又は２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記仕切板の円筒状基体軸方向の長さは、前記円筒状基体の軸方向長さ以上であり、且つ前記放電電極の円筒状基体軸方向の長さよりも短いことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記設置部に前記円筒状基体が端部に補助基体を有して設置され、前記仕切板が、前記補助基体を含めた前記円筒状基体の軸方向長さよりも短いことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記仕切板のＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準じて測定される算術平均粗さＲａが１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記仕切板の表面粗さが、ブラスト加工によって調整されていることを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記仕切板の表面粗さが、溶射加工によって調整されていることを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記仕切板の溶射加工に用いられる溶射材が、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、二酸化チタンの少なくとも一つ以上の材料であることを特徴とする請求項８に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記放電電極が円筒状であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１１】
前記設置部が前記複数の円筒状基体を前記放電電極と同一の中心軸を持つ円周上に設置するよう配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１２】
前記放電電極に高周波電力を印加する手段を有し、該高周波電力が１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯であることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１３】
電子写真感光体の製造に用いられる請求項1乃至１２の何れかにに記載の堆積膜形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００９−３００８８（Ｐ２００９−３００８８Ａ）
【公開日】平成２１年２月１２日（２００９．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１９３２５５（Ｐ２００７−１９３２５５）
【出願日】平成１９年７月２５日（２００７．７．２５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月１２日（２００９．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月２５日（２００７．７．２５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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