表示装置
【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路、または回路間の接続部が壊れることを低減する表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】表示装置を構成する素子基板を折曲した折曲部を設ける構成である。そして当該折曲部に表示装置を駆動するための回路を設ける構成とし、そこから配線を延設することで表示装置を駆動するための回路が設けられた部分の強度の向上を計り、回路の破断を低減する。また、外部端子電極と外部接続配線（ＦＰＣ）との接続部において表示装置の素子基板を折曲した形態とし、外部端子電極が形成される素子基板と外部接続配線とを嵌合するように設けられる構成とし、接続部の強度の向上を図る。
【解決手段】表示装置を構成する素子基板を折曲した折曲部を設ける構成である。そして当該折曲部に表示装置を駆動するための回路を設ける構成とし、そこから配線を延設することで表示装置を駆動するための回路が設けられた部分の強度の向上を計り、回路の破断を低減する。また、外部端子電極と外部接続配線（ＦＰＣ）との接続部において表示装置の素子基板を折曲した形態とし、外部端子電極が形成される素子基板と外部接続配線とを嵌合するように設けられる構成とし、接続部の強度の向上を図る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の技術分野は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル化技術の進歩に伴い、新聞、雑誌などの文字情報や画像情報を電子データとして提供するという提供態様がとられるようになっている。この種の電子データは、一般に、ＰＣなどが備える表示装置に表示されることで、その内容が閲覧されるという特徴を有している。
【０００３】
しかしながら、ＰＣなどが備える表示装置は、新聞、雑誌などの紙媒体とは大きく異なり、持ち運びのし難さ等の利便性に問題がある。
【０００４】
一方で、上述の紙媒体との利便性の違いによる問題を解消すべく、可撓性を有する電子ペーパーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、当該トランジスタを駆動するための回路を設ける必要がある。可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、電子ペーパーを折り曲げる（折曲する）ことにより、回路が破壊されるおそれがある。また可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、駆動回路により電子ペーパーの折曲が制限される場合も考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３３７３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
開示する発明の一態様では、可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくい表示装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
開示する本発明の一態様は、表示装置の素子基板を折曲した折曲部を設ける構成である。そして当該折曲部に表示装置を駆動するための回路を設ける構成とし、そこから配線を延設することで表示装置を駆動するための回路が設けられた部分の強度の向上を計り、回路の破断を低減する。また、外部端子電極と外部接続配線（ＦＰＣ）との接続部において素子基板を折曲した形態とし、外部端子電極が形成される基板端部と外部接続配線とを嵌合するように設けられる構成とし、接続部の強度の向上を図る。
【０００８】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、折曲部は、表示部を駆動するための駆動回路を有する表示装置である。
【０００９】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、可撓性を有する封止基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、折曲部は、表示部を駆動するための駆動回路を有し、素子基板は、封止基板をはみ出て設けられている表示装置である。
【００１０】
開示する本発明の一態様において、表示装置は、素子基板を拘持するための支持部を有する表示装置でもよい。
【００１１】
開示する本発明の一態様において、折曲部は、支持部の長軸方向に対し、垂直方向または水平方向に設けられている表示装置でもよい。
【００１２】
開示する本発明の一態様において、駆動回路及び表示部が有する薄膜トランジスタは、素子基板上に形成されている表示装置でもよい。
【００１３】
開示する本発明の一態様において、素子基板には、外端部と、湾曲部とが設けられており、駆動回路は、外端部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
【００１４】
開示する本発明の一態様において、素子基板には、湾曲部が設けられており、駆動回路は、表示部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
【００１５】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折曲して設けられ、支持部に内包された折曲部と、を有し、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置である。
【００１６】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、可撓性を有する封止基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折曲して設けられ、支持部に内包された折曲部と、を有し、素子基板は、封止基板をはみ出て設けられており、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置である。
【００１７】
開示する本発明の一態様において、支持部は表示部を駆動するための駆動回路を内包しており、駆動回路は、外部接続配線に電気的に接続されて設けられる表示装置でもよい。
【００１８】
開示する本発明の一態様において、表示部が有する表示素子は、電気泳動素子、液晶素子、または発光素子である表示装置でもよい。
【発明の効果】
【００１９】
開示する発明の一態様によれば、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくく、丈夫な表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一態様について説明するための斜視図。
【図２】本発明の一態様について説明するための斜視図。
【図３】本発明の一態様について説明するための上面図及び断面図。
【図４】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図５】本発明の一態様について説明するための斜視図及び断面図。
【図６】本発明の一態様について説明するための斜視図及び断面図。
【図７】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図８】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図９】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１０】本発明の一態様について説明するための斜視図及び断面図。
【図１１】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１２】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１３】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１４】本発明の一態様の電子機器を説明するための図。
【図１５】本発明の一態様の電子機器を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２３】
なお、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」等などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１、図５を参照して、本実施の形態で開示する構成の概略について説明する。
【００２５】
本実施の形態で示す表示装置は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示部と、可撓性を有する素子基板の一辺を拘持（動かないように拘束した状態で支持すること）する支持部と、素子基板を折曲して形成した折曲部と、を有し、折曲部には、表示部を駆動するための駆動回路、一例としては走査線側駆動回路を具備する構成である。また、支持部には、一例として、信号線に信号を出力する信号線側駆動回路を有している。
【００２６】
図１は、表示装置の一例として、素子基板１０１の一辺に支持部１０２を設ける場合を示している。以下に図１を参照して、表示装置の具体的な構成について説明する。なお、図１（Ａ）は表示装置の表示部を上側にした斜視図を示し、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の裏面側からの斜視図を示している。
【００２７】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は、表示部１０３が設けられた素子基板１０１と、素子基板１０１の一辺を拘持する支持部１０２と、表示部１０３の走査線側の表示制御を行う駆動回路１０８（走査線駆動回路ともいう）と、表示部１０３の信号線側の表示制御を行う駆動回路１０６（信号線駆動回路ともいう）とを有している。図１（Ａ）、（Ｂ）では、走査線側駆動回路１０８から延在する複数の走査線１０５、信号線側駆動回路１０６から延在する複数の信号線１０４について併せて示している。図１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は可撓性を有する表示装置であり、走査線側駆動回路１０８は可撓性を有する基板（例えば、プラスチック基板）上で表示面側より走査線１０５を伝って、図１（Ｂ）の裏面側の折曲部１０７に設けられるようにする。なお、図１（Ａ）、（Ｂ）では図示しないが、素子基板１０１には封止基板が重畳して設けられている。素子基板１０１は、封止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部１０７を素子基板１０１のみで構成することができるため、折曲部１０７の厚みを減らすことができる。そのため素子基板１０１として封止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部１０７の折り曲げ易さの向上等をはかることが出来る。
【００２８】
なお走査線駆動回路１０８は素子基板１０１の表面に設けられればよい。また走査線駆動回路１０８は素子基板１０１に複数設けてもよい。また信号線側駆動回路１０６は支持部１０２の内部に設けられている構成とすることが好ましい。当該構成により、信号線側駆動回路１０６の破損の軽減を図ることが出来る。一例として、支持部１０２を、中空を有する柱状または円柱状の筐体で設け、当該中空部分に信号線側駆動回路１０６を設けることができる。また、支持部１０２を板状の筐体で設ける場合には、当該筐体と重なるように（例えば、筐体に接して）信号線側駆動回路１０６を設けることができる。
【００２９】
支持部１０２は、少なくとも素子基板１０１より曲がりにくい（剛性が高い）構成とすることが好ましい。一例として、支持部１０２を構成する筐体を、素子基板１０１より厚いプラスチックや金属等で形成することができる。この場合、表示装置は、支持部１０２以外の部分で曲がる構成とすることができる。
【００３０】
また、支持部１０２を設ける場所は特に限定されないが、一例としては、素子基板１０１の一辺に沿って支持部１０２を設けることができる。例えば、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１０１を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って（一辺を固定するように）支持部１０２を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸まっている場合も含むものとする。また支持部１０２の大きさ、または形状については、特に限定されない。
【００３１】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、走査線側駆動回路１０８は、支持部１０２の長軸方向に対し、垂直方向に設けられた折曲部１０７に設けられている。そして、走査線１０５は、折曲部１０７に設けられた走査線側駆動回路１０８より折曲部を伝って素子基板の裏面側から表面側に延在させて設ける構成としている。そのため、走査線側駆動回路１０８は裏面側に向けて素子基板１０１が折れ曲がって２重になった領域に設けられることとなり、走査線側駆動回路１０８の強度の向上を図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、その結果丈夫な表示装置とすることができる。また、可撓性を有する基板を曲げて形成した折曲部には、素子基板を折り曲げることによる湾曲部（丸みを帯びて湾曲形状となった箇所）が形成され、指等を滑らせることによる使用者の負傷を低減することができる。
【００３２】
なお折曲部１０７は、素子基板１０１を折り曲げて形成した領域に相当する。折曲部１０７では、素子基板１０１を折り曲げて外端部を素子基板１０１に接着して固定してもよいし、別の部材で押さえて固定する構成でもよい。外端部とは、基板の縁のことをいう。
【００３３】
なお、走査線側駆動回路１０８を設ける折曲部１０７の設け方は、図１（Ａ）、（Ｂ）に限らない。一例としては、図５（Ａ）に示す素子基板５０１のように、表示部１０３のある表面側に基板を折り曲げることで、走査線側駆動回路１０８を折曲部１０７の基板の間に内包する構成としてもよい。図５（Ａ）に示す構成においては、素子基板５０１の内側に走査線側駆動回路１０８を設ける構成とすることができるため、走査線側駆動回路１０８の強度の向上をさらに図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、その結果丈夫な表示装置とすることができる。
【００３４】
なお図１、図５（Ａ）で示す走査線側駆動回路１０８を設ける折曲部１０７の断面では、駆動回路１０８を、素子基板が折れ曲がることで重畳する領域にくるように設ければよい。一例としては、図５（Ｂ）に示すように、湾曲部５０２（折曲部にて基板を曲げたことにより丸みを帯びて湾曲形状となった箇所）と、素子基板の外端部５０３との間に、駆動回路１０８を設けてもよい。また別の一例としては、湾曲部５０２と、表示部５０４との間に、駆動回路１０８を設けてもよい。
【００３５】
また、走査線側駆動回路１０８と表示部１０３の各画素を構成する画素回路を同じプロセスで可撓性を有する基板上に形成することにより、低コスト化を図ることができる。
【００３６】
表示部１０３を構成する画素回路及び走査線側駆動回路１０８を構成する素子としては、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一方で、信号線側駆動回路１０６等の高速動作する回路は、シリコン等の半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されたＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いて形成し、当該ＩＣを支持部１０２の内部に設けることができる。
【００３７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００３８】
（実施の形態２）
実施の形態１とは別の構成について、図２乃至図４を用いて説明する。
【００３９】
本実施の形態では、図２に示すように、支持部１０２の向かい側の辺、即ち支持部１０２の長軸方向に対し、平行な方向に折曲部２０１を設ける表示装置について示している。また、上記実施の形態と同様に、可撓性を有する素子基板の周辺を折り曲げることによる湾曲部を形成することができ、表示装置の縁において指等を滑らせることによる使用者の負傷を低減することができる。
【００４０】
次に図３（Ａ）にて表示装置の平面図を示し、図３（Ｂ）にて図３（Ａ）のＡ−Ｂ間の断面を示し、図３（Ｃ）は図３（Ｂ）の断面の拡大図を示している。
【００４１】
図３（Ａ）に示す表示装置は、支持部１０２が中空を有する筐体で形成され、当該筐体の内部に信号線側駆動回路が設けられている。ここでは、信号線側駆動回路がＩＣ３０３で形成され、当該ＩＣ３０３が支持部１０２の内部に設けられている。ＩＣ３０３は、シリコン等の半導体基板やＳＯＩ基板等を用いて形成することができる。もちろん、信号線側駆動回路以外の回路（例えば、ＣＰＵ、メモリ等）をＩＣに設けることができる。
【００４２】
また、図３（Ａ）では、支持部１０２の内部に設けられるＩＣ３０３を、外部接続配線（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に実装する場合を示している。より具体的には、表示部１０３を制御するＩＣ３０３が外部接続配線３０１上に設けられ、当該外部接続配線３０１がプリント基板３０２と電気的に接続されている。そして素子基板６０１及び封止基板６０３を貼り合わせて形成される表示装置と外部接続配線３０１との電気的な接続をとるための接続部３０４にて、外部接続電極を有する素子基板６０１での外部接続電極と外部接続配線３０１とを図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示すように、折り曲げて嵌合するように形成し、外部接続電極と外部接続配線が電気的な接続をとるようにする。そのため、端子の接触面積の増加、及び接続部の固着強度の向上を図ることができ、端子間の接続不良の低減、及び丈夫な表示装置とすることができる。
【００４３】
なお、素子基板６０１、封止基板６０３としては、プラスチックなどの可撓性基板を用いることができる。可撓性基板の一例としては、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂などを用いることができる。また、繊維に有機樹脂が含浸された構造体であるプリプレグを用いてもよい。
【００４４】
なお接続部３０４での素子基板６０１と外部接続配線３０１との接続は、図４（Ａ）に示すように空間４０１を設け、所定の間隙のある状態で嵌合する構成としてもよい。図４（Ａ）の構成とすることで、表示装置の可動領域を広げることが出来る。
【００４５】
また、接続部３０４での素子基板６０１と外部接続配線３０１との接続は、図４（Ｂ）に示すように外端部４０２まで互いに密着するように設けて嵌合する構成としてもよい。図４（Ｂ）の構成とすることで、素子基板６０１と外部接続配線３０１との固着強度を高めることができる。
【００４６】
また、接続部３０４での素子基板６０１と外部接続配線３０１との接続の周辺を、図４（Ｃ）に示すように、接着部材４０３によって充填する構成としてもよい。図４（Ｃ）の構成とすることで、素子基板６０１と外部接続配線３０１との固着強度をさらに高めることができる。
【００４７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００４８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置の構造例について斜視図及び断面図を用いて説明する。
【００４９】
表示装置としては、電気泳動素子等を表示素子とする電子ペーパー、発光表示装置（ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネル）、液晶表示装置などを用いることができる。表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルであり、外部から信号が供給される端子電極（外部端子電極）に、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等の外部接続配線が取り付けられ、駆動回路を含む外部回路と電気的に接続する。駆動回路であるＩＣが、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により表示装置に直接実装されてもよい。
【００５０】
表示装置の一形態について、図６乃至図１１に、斜視図及び断面図を示し、説明する。まず図６（Ａ）では、図１（Ａ）で示した表示装置の斜視図について示している。図６（Ｂ）では図６（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について示し、表示部１０３及び折曲部１０７の断面構造について示している。なお図６（Ａ）については、図１（Ａ）と同様の図であり、図６（Ａ）の裏面側は図１（Ｂ）のようになっており、ここでは詳細な説明については省略する。
【００５１】
図６（Ｂ）は、画素回路を有する表示部１０３及び走査線側駆動回路１０８を有する例であり、素子基板６０１上（第１の基板ともいう）に設けられた表示部１０３及び走査線側駆動回路１０８は、シール材６０２によって封止基板６０３（第２の基板ともいう）で封止されている。
【００５２】
また素子基板６０１上に設けられた表示部１０３と、走査線側駆動回路１０８は、薄膜トランジスタを複数有しており、図６（Ｂ）では、表示部１０３に含まれる薄膜トランジスタ６０４と、走査線側駆動回路１０８含まれる薄膜トランジスタ６０５とを例示している。薄膜トランジスタ６０４、６０５上には絶縁層６０６、６０７が設けられている。なお、薄膜トランジスタ６０４、６０５下には下地膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。
【００５３】
薄膜トランジスタ６０４、６０５は、特に限定されず様々な薄膜トランジスタを適用することができる。図６（Ｂ）では、薄膜トランジスタ６０４、６０５として、ボトムゲート構造の逆スタガ薄膜トランジスタを用いる例を示す。薄膜トランジスタ６０４、６０５はチャネルエッチ型を示すが、半導体層上にチャネル保護膜を設けたチャネル保護型の逆スタガ薄膜トランジスタを用いてもよい。なお薄膜トランジスタに用いられる半導体層の半導体材料としては、シリコン、ゲルマニウムの他、有機半導体、化合物半導体、酸化物半導体等を用いることが出来る。有機半導体を半導体材料に用いた薄膜トランジスタとすることで、曲げ、衝撃に対して強くすることができる。また、半導体層に加えて、絶縁膜、及び／または導電層を有機材料、または導電性高分子材料で構成することにより、曲げ、衝撃に対して強くすることができる。
【００５４】
表示部１０３に設けられた薄膜トランジスタ６０４は表示素子と電気的に接続し、表示装置を構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図６（Ｂ）では、電子ペーパーに用いられる表示方式であるツイストボール方式を用い、表示素子にツイストボールを用いた例について示している。他にも電子ペーパに用いられる表示方式としては、電気泳動方式、粉体系方式（トナーディスプレイとも呼ばれる）、液晶方式などが挙げられる。電子ペーパーは、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
【００５５】
図６（Ｂ）に示すツイストボール表示方式は、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
【００５６】
薄膜トランジスタ６０４と接続する第１の電極層６０８と、封止基板６０３に設けられた第２の電極層６０９との間には黒色領域６１０ａ及び白色領域６１０ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ６１１を含む球形粒子６１２が設けられており、球形粒子６１２の周囲は樹脂等の充填材６１３で充填されている。第２の電極層６０９が共通電極（対向電極）に相当する。第２の電極層６０９は、共通電位線と電気的に接続される。
【００５７】
図６（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置の周辺を折り曲げた折曲部１０７の断面では、折れ曲がった素子基板６０１を、折れ曲がった封止基板６０３で外側より覆う構成となっている。すなわち、素子基板６０１の曲率が封止基板６０３の曲率より大きくなっている。その結果、封止基板６０３に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部６１４を形成することができ、使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
【００５８】
また、表示素子としてツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。表示部１０３における表示素子として電気泳動素子を用いる例を図７（Ａ）に示す。なお図７（Ａ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。したがって図７（Ａ）において、図６（Ｂ）と同様の構成については、図示および説明を省略している。図７（Ａ）に示す表示素子は、透明な液体７０１と、第１の粒子として負に帯電した黒い微粒子７０２ａと、第２の粒子として正に帯電した白い微粒子７０２ｂとを封入した直径１０μｍ〜２００μｍ程度のマイクロカプセル７０３を用いる。
【００５９】
第１の電極層６０８と第２の電極層６０９との間に設けられるマイクロカプセル７０３は、第１の電極層６０８と第２の電極層６０９によって、電場が与えられると、白い微粒子７０２ｂと、黒い微粒子７０２ａが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示装置を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくことが可能となる。
【００６０】
なお、第１の粒子および第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第１の粒子および第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とする。
【００６１】
上記マイクロカプセル７０３を溶媒７０４中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【００６２】
なお、マイクロカプセル７０３中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。
【００６３】
また、粉体系方式として電子粉粒体（登録商標）を用いることも可能である。表示素子として電子粉粒体を用いる例を図７（Ｂ）に示す。なお図７（Ｂ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及びリブ７５１に区切られた空間７５２に、正に帯電した黒い粉粒体７５３ａと負に帯電した白い粉粒体７５３ｂとを充填する。なお空間７５２は空気である。
【００６４】
第１の電極層６０８と第２の電極層６０９によって、電場が与えられると、黒い粉粒体７５３ａと、白い粉粒体７５３ｂが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。粉粒体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。
【００６５】
また、表示素子としては、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子（ＥＬ素子）を用いてもよい。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【００６６】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【００６７】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明する。
【００６８】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。
【００６９】
図８（Ａ）に表示装置として発光表示装置（ＥＬパネル）を用いた例を示す。なお図８（Ａ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。表示素子である発光素子８０１は、表示部１０３に設けられた薄膜トランジスタ６０４と電気的に接続している。なお発光素子８０１の構成は、第１の電極層６０８、電界発光層８０２、第２の電極層８０３の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子８０１から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子８０１の構成は適宜変えることができる。
【００７０】
隔壁８０４は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特に感光性の材料を用い、第１の電極層６０８上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【００７１】
電界発光層８０２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
【００７２】
発光素子８０１に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層８０３及び隔壁８０４上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。また、素子基板６０１、封止基板６０３、及びシール材６０２によって封止された空間には充填材８０５が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【００７３】
充填材８０５としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
【００７４】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【００７５】
図８（Ｂ）に表示装置として液晶表示装置を用いた例を示す。なお図８（Ｂ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。図８（Ｂ）において、表示素子である液晶素子８５１は、第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及び液晶層８５２を含む。なお、液晶層８５２を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜８５３、絶縁膜８５４が設けられている。第２の電極層６０９は封止基板６０３側に設けられ、第１の電極層６０８と第２の電極層６０９とは液晶層８５２を介して積層する構成となっている。
【００７６】
また図８（Ｂ）では絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ８５５を示しており、スペーサ８５５は液晶層８５２の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
【００７７】
また、図８（Ｂ）の液晶表示装置では図示しないが、カラーフィルタ（着色層）、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。バックライトとしてはＥＬパネルを用いると薄型化できるために好ましい。
【００７８】
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層８５２に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１０μｓ〜１００μｓと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
【００７９】
なお図８（Ｂ）は透過型液晶表示装置の例であるが、反射型液晶表示装置でも半透過型液晶表示装置でも適用できる。
【００８０】
なお、図７（Ａ）、（Ｂ）、図８（Ａ）、及び（Ｂ）において、素子基板６０１、封止基板６０３としては、透光性を有するプラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【００８１】
なお薄膜トランジスタ６０４上には、保護膜として機能する絶縁層を設けてもよい。なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【００８２】
また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁層６０７は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
【００８３】
絶縁層６０７の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。絶縁層として材料液を用いて形成する場合、ベークする工程で同時に、半導体層のアニール（２００℃〜４００℃）を行ってもよい。絶縁層の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示装置を作製することが可能となる。
【００８４】
表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する表示部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
【００８５】
表示素子に電圧を印加する第１の電極層及び第２の電極層（画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【００８６】
第１の電極層６０８、第２の電極層６０９は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【００８７】
また、第１の電極層６０８、第２の電極層６０９はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【００８８】
また、第１の電極層６０８、第２の電極層６０９として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【００８９】
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【００９０】
また図６（Ｂ）とは異なる表示装置の断面の構造について、図９に示す。図９では図６（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について、図６（Ｂ）とは異なる断面構造を示している。図９が図６（Ｂ）と異なる点は、折曲部１０７の断面構造において、シール材６０２の内側の領域にある第１の電極層６０８と第２の電極層６０９とが挟持された表示素子、及び封止基板６０３を折曲部１０７の断面構造において形成せず、絶縁層６０７上を封止層９０１で覆った点にある。折曲部１０７では、表示に寄与する第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及び封止基板６０３等を削減することができ、表示装置の周辺部の折り曲げやすさを向上させることができる。
【００９１】
次いで、図６（Ａ）、（Ｂ）とは異なる表示装置の構造について、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す。まず図１０（Ａ）では、図５（Ａ）で示した表示装置の斜視図について示している。図１０（Ｂ）では図１０（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について示し、表示部１０３及び折曲部１０７の断面構造について示している。なお図１０（Ａ）については、図５（Ａ）と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。また、図１０（Ｂ）の表示部１０３の構成については、図６（Ｂ）の表示部１０３と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。また、図１０（Ｂ）の折曲部１０７の構成について図６（Ｂ）の折曲部１０７と異なる点は、折れ曲がった封止基板６０３を、折れ曲がった素子基板６０１で外側より覆う構成となっている点にあり、その他の構成については、図６（Ｂ）と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
【００９２】
図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置の周辺を折り曲げた折曲部１０７の断面では、折れ曲がった封止基板６０３を、折れ曲がった素子基板６０１で外側より覆う構成となっている。すなわち、封止基板６０３の曲率が素子基板６０１の曲率より大きくなっている。その結果、素子基板６０１に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部６１４を形成することができ、使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
【００９３】
なお図１０（Ｂ）では、図７（Ａ）、図７（Ｂ）図８（Ａ）、及び図８（Ｂ）と同様に、表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用いた電気泳動素子、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能である。
【００９４】
また図１０（Ｂ）とは異なる表示装置の断面の構造について、図１１に示す。図１１では図１０（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について、図１０（Ｂ）とは異なる断面構造を示している。図１１が図１０（Ｂ）と異なる点は、折曲部１０７の断面構造において、シール材６０２の内側の領域にある第１の電極層６０８と第２の電極層６０９とが挟持された表示素子、及び封止基板６０３を折曲部１０７の断面構造において形成せず、絶縁層６０６上を封止層９０１で覆った点にある。折曲部１０７では、図９と同様に、表示に寄与する第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及び封止基板６０３等を削減することができ、表示装置の周辺の折り曲げやすさを向上させることができる。
【００９５】
次いで、図６（Ａ）、（Ｂ）、図１０（Ａ）、（Ｂ）とは異なる表示装置の構造について、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す。まず図１２（Ａ）では、図４（Ｃ）で示した表示装置の断面図について示している。図１２（Ｂ）では図１２（Ａ）の断面図の詳細について示し、具体的には表示部１０３及び折曲部１２０１の断面構造について示している。また図１２（Ａ）については、図４（Ｃ）と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。なお図１２（Ｂ）の表示部１０３の構成については、図６（Ｂ）、図１０（Ｂ）の表示部１０３と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
【００９６】
図１２（Ｂ）の折曲部１２０１の構成について説明する。図１２（Ｂ）の折曲部１２０１は、表示部１０３より延びて折れ曲がった素子基板６０１、素子基板６０１と嵌合するよう設けられた外部接続配線１２０２、表示部１０３の画素電極として機能する第１の電極層６０８と同時に形成された外部接続電極１２０３、薄膜トランジスタ６０４のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電層で形成された端子電極１２０４、異方性導電膜１２０５を有する。なお図１２（Ｂ）では、素子基板６０１上に、外部接続電極１２０３、端子電極１２０４の他に、薄膜トランジスタ６０４のゲート絶縁膜、及び層間絶縁層に相当する絶縁層が積層して設けられている。なお外部接続電極１２０３は、外部接続配線１２０２が有する端子と、異方性導電膜１２０５を介して電気的に接続されている。
【００９７】
外部接続配線１２０２は、単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成されたＩＣが別途用意された基板に実装されている。なお、別途形成したＩＣと外部接続電極１２０３との外部接続配線１２０２を介した接続方式は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方式、ワイヤボンディング方式、またはＴＡＢ方式などを用いることができる。
【００９８】
図１２（Ｂ）に示す表示装置を折り曲げた折曲部１２０１の断面では、素子基板６０１と外部接続配線１２０２が互いに嵌合するようにする構成となっている。その結果、素子基板６０１と外部接続配線１２０２との接触面積を大きくとることが出来、固着強度を高めることができる。
【００９９】
なお図１２（Ｂ）の表示部１０３では、図７（Ａ）、図７（Ｂ）図８（Ａ）、及び図８（Ｂ）と同様に、表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用いた電気泳動素子、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能である。
【０１００】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１０１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、表示装置が有するトランジスタの例を、図１３（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。図１３（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態３における薄膜トランジスタ６０４に用いることのできる薄膜トランジスタの例である。
【０１０２】
図１３（Ａ）乃至（Ｄ）において、素子基板６０１上に絶縁膜１３０１が形成され、絶縁膜１３０１上に薄膜トランジスタ６０４が設けられている。薄膜トランジスタ６０４上に絶縁層１３０２、絶縁層６０７が形成され、薄膜トランジスタ６０４と電気的に接続する第１の電極層６０８が設けられている。
【０１０３】
図１３（Ａ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する配線層１３０３ａ、１３０３ｂと半導体層１３０４とがｎ＋層を介さずに接する構成である。
【０１０４】
図１３（Ｂ）に図示する薄膜トランジスタ６０４はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である素子基板６０１、絶縁膜１３０１上に、ゲート電極層１３０５、ゲート絶縁層１３０７、半導体層１３０４、ソース領域又はドレイン領域として機能するｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層１３０３ａ、１３０３ｂを含む。ｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂは、半導体層１３０４より低抵抗な半導体層である。
【０１０５】
なお、ｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂを、ゲート絶縁層１３０７と配線層１３０３ａ、１３０３ｂの間に設ける構造としてもよい。また、ｎ＋層をゲート絶縁層及び配線層の間と、配線層と半導体層の間と両方に設ける構造としてもよい。
【０１０６】
図１３（Ｃ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、薄膜トランジスタ６０４において、ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層とが、ｎ＋層を介さずに接する構成である。
【０１０７】
図１３（Ｃ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、図１３（Ｃ）に図示する薄膜トランジスタ６０４を含む領域全てにおいてゲート絶縁層１３０７が存在し、ゲート絶縁層１３０７と絶縁表面を有する基板である素子基板６０１の間にゲート電極層１３０５が設けられている。ゲート絶縁層１３０７上には配線層１３０３ａ、１３０３ｂが設けられている。そして、ゲート絶縁層１３０７、配線層１３０３ａ、１３０３ｂ上に半導体層１３０４が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層１３０７上には配線層１３０３ａ、１３０３ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層１３０４の外周部より外側に延在している。
【０１０８】
図１３（Ｄ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、トップゲート型の薄膜トランジスタである。絶縁表面を有する基板である素子基板６０１、絶縁膜１３０１上に、ソース領域又はドレイン領域として機能するｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂを含む半導体層１３０４、半導体層１３０４上にゲート絶縁層１３０７が形成され、ゲート絶縁層１３０７上にゲート電極層１３０５が形成されている。またｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂと接してソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層１３０３ａ、１３０３ｂが形成されている。ｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂは、半導体層１３０４より低抵抗な半導体領域である。
【０１０９】
本実施の形態では、シングルゲート構造を説明したが、ダブルゲート構造などのマルチゲート構造でもよい。この場合、半導体層の上方及び下方にゲート電極層を設ける構造でも良く、半導体層の片側（上方又は下方）にのみ複数ゲート電極層を設ける構造でもよい。
【０１１０】
半導体層に用いられる半導体材料は特に限定されない。薄膜トランジスタの半導体層に用いることのできる材料の例を説明する。
【０１１１】
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。
【０１１２】
微結晶半導体膜は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られる。
【０１１３】
この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３などの水素化珪素や、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などのハロゲン化化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。
【０１１４】
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１１５】
また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほかＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用いることができる。
【０１１６】
半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。
【０１１７】
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【０１１８】
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いることができる。
【０１１９】
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半導体膜を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
【０１２０】
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【０１２１】
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
【０１２２】
また半導体層に、酸化物半導体を用いてもよい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）なども用いることができる。ＺｎＯを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いることができる。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。
【０１２３】
酸化物半導体としてＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。なお、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）及びコバルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜を用いることができる。
【０１２４】
酸化物半導体層（ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜）としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜のかわりに、Ｍを他の金属元素とするＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜を用いてもよい。また、酸化物半導体層に適用する酸化物半導体として上記の他にも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の酸化物半導体を適用することができる。
【０１２５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１２６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で述べた表示装置の応用形態について具体例を示し、説明する。
【０１２７】
図１４（Ａ）は携帯情報端末であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５等を含む。上記実施の形態で述べた表示装置は、可撓性基板で形成される表示部３００３を具備する表示装置に適用できる。このように表示部の形状を自由に設計することができるので、所望な形状の携帯情報端末を作製することができる。加えて上記実施の形態で述べた表示装置は、駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくくし、丈夫な表示装置を提供することができる。
【０１２８】
図１４（Ｂ）は、上記実施の形態で述べた表示装置を搭載した電子書籍の例である。第１の筐体３１０１は第１の表示部３１０２を有し、第１の筐体３１０１は操作ボタン３１０３を有し、第２の筐体３１０４は、第２の表示部３１０５を有し、第１の筐体３１０１及び第２の筐体３１０４は、支持部３１０６によって開閉動作が可能となっている。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となり、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を第１の表示部３１０２及び第２の表示部３１０５に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくくし、丈夫な電子書籍を提供することができる。
【０１２９】
図１５（Ａ）は、電車１５０１などの乗り物の車内広告用途の表示装置１５０２を示している。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、表示素子による表示を行う表示装置を用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を表示装置１５０２に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくく丈夫な広告用途の表示装置を提供することができる。
【０１３０】
また、図１５（Ｂ）は、屋外広告用途の表示装置１５１１を示している。可撓性を有する基板を用いて作製された表示装置１５１１を揺動させて表示部の１５１２の広告媒体としの広告効果を高めることができる。広告の交換は人手によって行われるが、表示素子による表示を行う表示装置を用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を表示部１５１２に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくくし丈夫な広告媒体を提供することができる。
【０１３１】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１３２】
１０１ 素子基板
１０２ 支持部
１０３ 表示部
１０４ 信号線
１０５ 走査線
１０６ 駆動回路
１０６ 駆動回路
１０７ 折曲部
１０８ 駆動回路
２０１ 折曲部
３０１ 外部接続配線
３０２ プリント基板
３０３ ＩＣ
３０４ 接続部
４０１ 空間
４０２ 外端部
４０３ 接着部材
５００ 窒素雰囲気下
５０１ 素子基板
５０２ 湾曲部
５０３ 外端部
５０４ 表示部
６０１ 素子基板
６０２ シール材
６０３ 封止基板
６０４ 薄膜トランジスタ
６０５ 薄膜トランジスタ
６０６ 絶縁層
６０７ 絶縁層
６０８ 電極層
６０９ 電極層
６１０ａ 黒色領域
６１０ｂ 白色領域
６１１ キャビティ
６１２ 球形粒子
６１３ 充填材
６１４ 湾曲部
７０１ 液体
７０２ａ 微粒子
７０２ｂ 微粒子
７０３ マイクロカプセル
７０４ 溶媒
７５１ リブ
７５２ 空間
７５３ａ 粉粒体
７５３ｂ 粉粒体
８０１ 発光素子
８０２ 電界発光層
８０３ 電極層
８０４ 隔壁
８０５ 充填材
８５１ 液晶素子
８５２ 液晶層
８５３ 絶縁膜
８５４ 絶縁膜
８５５ スペーサ
９０１ 封止層
１２０１ 折曲部
１２０２ 外部接続配線
１２０３ 外部接続電極
１２０４ 端子電極
１２０５ 異方性導電膜
１３０１ 絶縁膜
１３０２ 絶縁層
１３０３ａ 配線層
１３０４ 半導体層
１３０５ ゲート電極層
１３０６ａ ｎ＋層
１３０７ ゲート絶縁層
１５０１ 電車
１５０２ 表示装置
１５１１ 表示装置
１５１２ 表示部
３００１ 本体
３００２ 表示部
３００３ 表示部
３００４ 記憶媒体
３００５ 操作スイッチ
３１０１ 筐体
３１０２ 表示部
３１０３ 操作ボタン
３１０４ 筐体
３１０５ 表示部
３１０６ 支持部
４３１１ 表示装置
【技術分野】
【０００１】
本発明の技術分野は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル化技術の進歩に伴い、新聞、雑誌などの文字情報や画像情報を電子データとして提供するという提供態様がとられるようになっている。この種の電子データは、一般に、ＰＣなどが備える表示装置に表示されることで、その内容が閲覧されるという特徴を有している。
【０００３】
しかしながら、ＰＣなどが備える表示装置は、新聞、雑誌などの紙媒体とは大きく異なり、持ち運びのし難さ等の利便性に問題がある。
【０００４】
一方で、上述の紙媒体との利便性の違いによる問題を解消すべく、可撓性を有する電子ペーパーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、当該トランジスタを駆動するための回路を設ける必要がある。可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、電子ペーパーを折り曲げる（折曲する）ことにより、回路が破壊されるおそれがある。また可撓性を有する電子ペーパーの表示部をトランジスタ等の素子を用いて形成する場合には、駆動回路により電子ペーパーの折曲が制限される場合も考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３３７３５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
開示する発明の一態様では、可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくい表示装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
開示する本発明の一態様は、表示装置の素子基板を折曲した折曲部を設ける構成である。そして当該折曲部に表示装置を駆動するための回路を設ける構成とし、そこから配線を延設することで表示装置を駆動するための回路が設けられた部分の強度の向上を計り、回路の破断を低減する。また、外部端子電極と外部接続配線（ＦＰＣ）との接続部において素子基板を折曲した形態とし、外部端子電極が形成される基板端部と外部接続配線とを嵌合するように設けられる構成とし、接続部の強度の向上を図る。
【０００８】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、折曲部は、表示部を駆動するための駆動回路を有する表示装置である。
【０００９】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、可撓性を有する封止基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板上を折曲して設けられた折曲部と、を有し、折曲部は、表示部を駆動するための駆動回路を有し、素子基板は、封止基板をはみ出て設けられている表示装置である。
【００１０】
開示する本発明の一態様において、表示装置は、素子基板を拘持するための支持部を有する表示装置でもよい。
【００１１】
開示する本発明の一態様において、折曲部は、支持部の長軸方向に対し、垂直方向または水平方向に設けられている表示装置でもよい。
【００１２】
開示する本発明の一態様において、駆動回路及び表示部が有する薄膜トランジスタは、素子基板上に形成されている表示装置でもよい。
【００１３】
開示する本発明の一態様において、素子基板には、外端部と、湾曲部とが設けられており、駆動回路は、外端部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
【００１４】
開示する本発明の一態様において、素子基板には、湾曲部が設けられており、駆動回路は、表示部と湾曲部との間に設けられている表示装置でもよい。
【００１５】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折曲して設けられ、支持部に内包された折曲部と、を有し、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置である。
【００１６】
開示する本発明の一態様は、可撓性を有する素子基板と、可撓性を有する封止基板と、素子基板上に設けられた表示部と、素子基板を拘持するための支持部と、素子基板上を折曲して設けられ、支持部に内包された折曲部と、を有し、素子基板は、封止基板をはみ出て設けられており、折曲部は、外部接続電極を有し、外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置である。
【００１７】
開示する本発明の一態様において、支持部は表示部を駆動するための駆動回路を内包しており、駆動回路は、外部接続配線に電気的に接続されて設けられる表示装置でもよい。
【００１８】
開示する本発明の一態様において、表示部が有する表示素子は、電気泳動素子、液晶素子、または発光素子である表示装置でもよい。
【発明の効果】
【００１９】
開示する発明の一態様によれば、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくく、丈夫な表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一態様について説明するための斜視図。
【図２】本発明の一態様について説明するための斜視図。
【図３】本発明の一態様について説明するための上面図及び断面図。
【図４】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図５】本発明の一態様について説明するための斜視図及び断面図。
【図６】本発明の一態様について説明するための斜視図及び断面図。
【図７】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図８】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図９】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１０】本発明の一態様について説明するための斜視図及び断面図。
【図１１】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１２】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１３】本発明の一態様について説明するための断面図。
【図１４】本発明の一態様の電子機器を説明するための図。
【図１５】本発明の一態様の電子機器を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２３】
なお、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」等などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１、図５を参照して、本実施の形態で開示する構成の概略について説明する。
【００２５】
本実施の形態で示す表示装置は、可撓性を有する素子基板と、素子基板上に設けられた表示部と、可撓性を有する素子基板の一辺を拘持（動かないように拘束した状態で支持すること）する支持部と、素子基板を折曲して形成した折曲部と、を有し、折曲部には、表示部を駆動するための駆動回路、一例としては走査線側駆動回路を具備する構成である。また、支持部には、一例として、信号線に信号を出力する信号線側駆動回路を有している。
【００２６】
図１は、表示装置の一例として、素子基板１０１の一辺に支持部１０２を設ける場合を示している。以下に図１を参照して、表示装置の具体的な構成について説明する。なお、図１（Ａ）は表示装置の表示部を上側にした斜視図を示し、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の裏面側からの斜視図を示している。
【００２７】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は、表示部１０３が設けられた素子基板１０１と、素子基板１０１の一辺を拘持する支持部１０２と、表示部１０３の走査線側の表示制御を行う駆動回路１０８（走査線駆動回路ともいう）と、表示部１０３の信号線側の表示制御を行う駆動回路１０６（信号線駆動回路ともいう）とを有している。図１（Ａ）、（Ｂ）では、走査線側駆動回路１０８から延在する複数の走査線１０５、信号線側駆動回路１０６から延在する複数の信号線１０４について併せて示している。図１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置は可撓性を有する表示装置であり、走査線側駆動回路１０８は可撓性を有する基板（例えば、プラスチック基板）上で表示面側より走査線１０５を伝って、図１（Ｂ）の裏面側の折曲部１０７に設けられるようにする。なお、図１（Ａ）、（Ｂ）では図示しないが、素子基板１０１には封止基板が重畳して設けられている。素子基板１０１は、封止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部１０７を素子基板１０１のみで構成することができるため、折曲部１０７の厚みを減らすことができる。そのため素子基板１０１として封止基板より面積が大きいものを用いることにより、折曲部１０７の折り曲げ易さの向上等をはかることが出来る。
【００２８】
なお走査線駆動回路１０８は素子基板１０１の表面に設けられればよい。また走査線駆動回路１０８は素子基板１０１に複数設けてもよい。また信号線側駆動回路１０６は支持部１０２の内部に設けられている構成とすることが好ましい。当該構成により、信号線側駆動回路１０６の破損の軽減を図ることが出来る。一例として、支持部１０２を、中空を有する柱状または円柱状の筐体で設け、当該中空部分に信号線側駆動回路１０６を設けることができる。また、支持部１０２を板状の筐体で設ける場合には、当該筐体と重なるように（例えば、筐体に接して）信号線側駆動回路１０６を設けることができる。
【００２９】
支持部１０２は、少なくとも素子基板１０１より曲がりにくい（剛性が高い）構成とすることが好ましい。一例として、支持部１０２を構成する筐体を、素子基板１０１より厚いプラスチックや金属等で形成することができる。この場合、表示装置は、支持部１０２以外の部分で曲がる構成とすることができる。
【００３０】
また、支持部１０２を設ける場所は特に限定されないが、一例としては、素子基板１０１の一辺に沿って支持部１０２を設けることができる。例えば、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１０１を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って（一辺を固定するように）支持部１０２を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸まっている場合も含むものとする。また支持部１０２の大きさ、または形状については、特に限定されない。
【００３１】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、走査線側駆動回路１０８は、支持部１０２の長軸方向に対し、垂直方向に設けられた折曲部１０７に設けられている。そして、走査線１０５は、折曲部１０７に設けられた走査線側駆動回路１０８より折曲部を伝って素子基板の裏面側から表面側に延在させて設ける構成としている。そのため、走査線側駆動回路１０８は裏面側に向けて素子基板１０１が折れ曲がって２重になった領域に設けられることとなり、走査線側駆動回路１０８の強度の向上を図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、その結果丈夫な表示装置とすることができる。また、可撓性を有する基板を曲げて形成した折曲部には、素子基板を折り曲げることによる湾曲部（丸みを帯びて湾曲形状となった箇所）が形成され、指等を滑らせることによる使用者の負傷を低減することができる。
【００３２】
なお折曲部１０７は、素子基板１０１を折り曲げて形成した領域に相当する。折曲部１０７では、素子基板１０１を折り曲げて外端部を素子基板１０１に接着して固定してもよいし、別の部材で押さえて固定する構成でもよい。外端部とは、基板の縁のことをいう。
【００３３】
なお、走査線側駆動回路１０８を設ける折曲部１０７の設け方は、図１（Ａ）、（Ｂ）に限らない。一例としては、図５（Ａ）に示す素子基板５０１のように、表示部１０３のある表面側に基板を折り曲げることで、走査線側駆動回路１０８を折曲部１０７の基板の間に内包する構成としてもよい。図５（Ａ）に示す構成においては、素子基板５０１の内側に走査線側駆動回路１０８を設ける構成とすることができるため、走査線側駆動回路１０８の強度の向上をさらに図ることが出来、駆動回路が破断しにくく、その結果丈夫な表示装置とすることができる。
【００３４】
なお図１、図５（Ａ）で示す走査線側駆動回路１０８を設ける折曲部１０７の断面では、駆動回路１０８を、素子基板が折れ曲がることで重畳する領域にくるように設ければよい。一例としては、図５（Ｂ）に示すように、湾曲部５０２（折曲部にて基板を曲げたことにより丸みを帯びて湾曲形状となった箇所）と、素子基板の外端部５０３との間に、駆動回路１０８を設けてもよい。また別の一例としては、湾曲部５０２と、表示部５０４との間に、駆動回路１０８を設けてもよい。
【００３５】
また、走査線側駆動回路１０８と表示部１０３の各画素を構成する画素回路を同じプロセスで可撓性を有する基板上に形成することにより、低コスト化を図ることができる。
【００３６】
表示部１０３を構成する画素回路及び走査線側駆動回路１０８を構成する素子としては、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一方で、信号線側駆動回路１０６等の高速動作する回路は、シリコン等の半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されたＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いて形成し、当該ＩＣを支持部１０２の内部に設けることができる。
【００３７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００３８】
（実施の形態２）
実施の形態１とは別の構成について、図２乃至図４を用いて説明する。
【００３９】
本実施の形態では、図２に示すように、支持部１０２の向かい側の辺、即ち支持部１０２の長軸方向に対し、平行な方向に折曲部２０１を設ける表示装置について示している。また、上記実施の形態と同様に、可撓性を有する素子基板の周辺を折り曲げることによる湾曲部を形成することができ、表示装置の縁において指等を滑らせることによる使用者の負傷を低減することができる。
【００４０】
次に図３（Ａ）にて表示装置の平面図を示し、図３（Ｂ）にて図３（Ａ）のＡ−Ｂ間の断面を示し、図３（Ｃ）は図３（Ｂ）の断面の拡大図を示している。
【００４１】
図３（Ａ）に示す表示装置は、支持部１０２が中空を有する筐体で形成され、当該筐体の内部に信号線側駆動回路が設けられている。ここでは、信号線側駆動回路がＩＣ３０３で形成され、当該ＩＣ３０３が支持部１０２の内部に設けられている。ＩＣ３０３は、シリコン等の半導体基板やＳＯＩ基板等を用いて形成することができる。もちろん、信号線側駆動回路以外の回路（例えば、ＣＰＵ、メモリ等）をＩＣに設けることができる。
【００４２】
また、図３（Ａ）では、支持部１０２の内部に設けられるＩＣ３０３を、外部接続配線（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に実装する場合を示している。より具体的には、表示部１０３を制御するＩＣ３０３が外部接続配線３０１上に設けられ、当該外部接続配線３０１がプリント基板３０２と電気的に接続されている。そして素子基板６０１及び封止基板６０３を貼り合わせて形成される表示装置と外部接続配線３０１との電気的な接続をとるための接続部３０４にて、外部接続電極を有する素子基板６０１での外部接続電極と外部接続配線３０１とを図３（Ｂ）、図３（Ｃ）に示すように、折り曲げて嵌合するように形成し、外部接続電極と外部接続配線が電気的な接続をとるようにする。そのため、端子の接触面積の増加、及び接続部の固着強度の向上を図ることができ、端子間の接続不良の低減、及び丈夫な表示装置とすることができる。
【００４３】
なお、素子基板６０１、封止基板６０３としては、プラスチックなどの可撓性基板を用いることができる。可撓性基板の一例としては、アラミド樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂などを用いることができる。また、繊維に有機樹脂が含浸された構造体であるプリプレグを用いてもよい。
【００４４】
なお接続部３０４での素子基板６０１と外部接続配線３０１との接続は、図４（Ａ）に示すように空間４０１を設け、所定の間隙のある状態で嵌合する構成としてもよい。図４（Ａ）の構成とすることで、表示装置の可動領域を広げることが出来る。
【００４５】
また、接続部３０４での素子基板６０１と外部接続配線３０１との接続は、図４（Ｂ）に示すように外端部４０２まで互いに密着するように設けて嵌合する構成としてもよい。図４（Ｂ）の構成とすることで、素子基板６０１と外部接続配線３０１との固着強度を高めることができる。
【００４６】
また、接続部３０４での素子基板６０１と外部接続配線３０１との接続の周辺を、図４（Ｃ）に示すように、接着部材４０３によって充填する構成としてもよい。図４（Ｃ）の構成とすることで、素子基板６０１と外部接続配線３０１との固着強度をさらに高めることができる。
【００４７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【００４８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置の構造例について斜視図及び断面図を用いて説明する。
【００４９】
表示装置としては、電気泳動素子等を表示素子とする電子ペーパー、発光表示装置（ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネル）、液晶表示装置などを用いることができる。表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルであり、外部から信号が供給される端子電極（外部端子電極）に、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等の外部接続配線が取り付けられ、駆動回路を含む外部回路と電気的に接続する。駆動回路であるＩＣが、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により表示装置に直接実装されてもよい。
【００５０】
表示装置の一形態について、図６乃至図１１に、斜視図及び断面図を示し、説明する。まず図６（Ａ）では、図１（Ａ）で示した表示装置の斜視図について示している。図６（Ｂ）では図６（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について示し、表示部１０３及び折曲部１０７の断面構造について示している。なお図６（Ａ）については、図１（Ａ）と同様の図であり、図６（Ａ）の裏面側は図１（Ｂ）のようになっており、ここでは詳細な説明については省略する。
【００５１】
図６（Ｂ）は、画素回路を有する表示部１０３及び走査線側駆動回路１０８を有する例であり、素子基板６０１上（第１の基板ともいう）に設けられた表示部１０３及び走査線側駆動回路１０８は、シール材６０２によって封止基板６０３（第２の基板ともいう）で封止されている。
【００５２】
また素子基板６０１上に設けられた表示部１０３と、走査線側駆動回路１０８は、薄膜トランジスタを複数有しており、図６（Ｂ）では、表示部１０３に含まれる薄膜トランジスタ６０４と、走査線側駆動回路１０８含まれる薄膜トランジスタ６０５とを例示している。薄膜トランジスタ６０４、６０５上には絶縁層６０６、６０７が設けられている。なお、薄膜トランジスタ６０４、６０５下には下地膜として機能する絶縁膜を設けてもよい。
【００５３】
薄膜トランジスタ６０４、６０５は、特に限定されず様々な薄膜トランジスタを適用することができる。図６（Ｂ）では、薄膜トランジスタ６０４、６０５として、ボトムゲート構造の逆スタガ薄膜トランジスタを用いる例を示す。薄膜トランジスタ６０４、６０５はチャネルエッチ型を示すが、半導体層上にチャネル保護膜を設けたチャネル保護型の逆スタガ薄膜トランジスタを用いてもよい。なお薄膜トランジスタに用いられる半導体層の半導体材料としては、シリコン、ゲルマニウムの他、有機半導体、化合物半導体、酸化物半導体等を用いることが出来る。有機半導体を半導体材料に用いた薄膜トランジスタとすることで、曲げ、衝撃に対して強くすることができる。また、半導体層に加えて、絶縁膜、及び／または導電層を有機材料、または導電性高分子材料で構成することにより、曲げ、衝撃に対して強くすることができる。
【００５４】
表示部１０３に設けられた薄膜トランジスタ６０４は表示素子と電気的に接続し、表示装置を構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図６（Ｂ）では、電子ペーパーに用いられる表示方式であるツイストボール方式を用い、表示素子にツイストボールを用いた例について示している。他にも電子ペーパに用いられる表示方式としては、電気泳動方式、粉体系方式（トナーディスプレイとも呼ばれる）、液晶方式などが挙げられる。電子ペーパーは、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
【００５５】
図６（Ｂ）に示すツイストボール表示方式は、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
【００５６】
薄膜トランジスタ６０４と接続する第１の電極層６０８と、封止基板６０３に設けられた第２の電極層６０９との間には黒色領域６１０ａ及び白色領域６１０ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ６１１を含む球形粒子６１２が設けられており、球形粒子６１２の周囲は樹脂等の充填材６１３で充填されている。第２の電極層６０９が共通電極（対向電極）に相当する。第２の電極層６０９は、共通電位線と電気的に接続される。
【００５７】
図６（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置の周辺を折り曲げた折曲部１０７の断面では、折れ曲がった素子基板６０１を、折れ曲がった封止基板６０３で外側より覆う構成となっている。すなわち、素子基板６０１の曲率が封止基板６０３の曲率より大きくなっている。その結果、封止基板６０３に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部６１４を形成することができ、使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
【００５８】
また、表示素子としてツイストボールの代わりに、電気泳動素子を用いることも可能である。表示部１０３における表示素子として電気泳動素子を用いる例を図７（Ａ）に示す。なお図７（Ａ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。したがって図７（Ａ）において、図６（Ｂ）と同様の構成については、図示および説明を省略している。図７（Ａ）に示す表示素子は、透明な液体７０１と、第１の粒子として負に帯電した黒い微粒子７０２ａと、第２の粒子として正に帯電した白い微粒子７０２ｂとを封入した直径１０μｍ〜２００μｍ程度のマイクロカプセル７０３を用いる。
【００５９】
第１の電極層６０８と第２の電極層６０９との間に設けられるマイクロカプセル７０３は、第１の電極層６０８と第２の電極層６０９によって、電場が与えられると、白い微粒子７０２ｂと、黒い微粒子７０２ａが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示装置を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくことが可能となる。
【００６０】
なお、第１の粒子および第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第１の粒子および第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とする。
【００６１】
上記マイクロカプセル７０３を溶媒７０４中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【００６２】
なお、マイクロカプセル７０３中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。
【００６３】
また、粉体系方式として電子粉粒体（登録商標）を用いることも可能である。表示素子として電子粉粒体を用いる例を図７（Ｂ）に示す。なお図７（Ｂ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及びリブ７５１に区切られた空間７５２に、正に帯電した黒い粉粒体７５３ａと負に帯電した白い粉粒体７５３ｂとを充填する。なお空間７５２は空気である。
【００６４】
第１の電極層６０８と第２の電極層６０９によって、電場が与えられると、黒い粉粒体７５３ａと、白い粉粒体７５３ｂが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。粉粒体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。
【００６５】
また、表示素子としては、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子（ＥＬ素子）を用いてもよい。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれている。
【００６６】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【００６７】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明する。
【００６８】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。
【００６９】
図８（Ａ）に表示装置として発光表示装置（ＥＬパネル）を用いた例を示す。なお図８（Ａ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。表示素子である発光素子８０１は、表示部１０３に設けられた薄膜トランジスタ６０４と電気的に接続している。なお発光素子８０１の構成は、第１の電極層６０８、電界発光層８０２、第２の電極層８０３の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子８０１から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子８０１の構成は適宜変えることができる。
【００７０】
隔壁８０４は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特に感光性の材料を用い、第１の電極層６０８上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【００７１】
電界発光層８０２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。
【００７２】
発光素子８０１に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極層８０３及び隔壁８０４上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。また、素子基板６０１、封止基板６０３、及びシール材６０２によって封止された空間には充填材８０５が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【００７３】
充填材８０５としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
【００７４】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【００７５】
図８（Ｂ）に表示装置として液晶表示装置を用いた例を示す。なお図８（Ｂ）は、図６（Ｂ）と同様に、素子基板６０１上に設けられた表示部１０３が、シール材６０２によって封止基板６０３で封止されている断面図について示したものである。図８（Ｂ）において、表示素子である液晶素子８５１は、第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及び液晶層８５２を含む。なお、液晶層８５２を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜８５３、絶縁膜８５４が設けられている。第２の電極層６０９は封止基板６０３側に設けられ、第１の電極層６０８と第２の電極層６０９とは液晶層８５２を介して積層する構成となっている。
【００７６】
また図８（Ｂ）では絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサ８５５を示しており、スペーサ８５５は液晶層８５２の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
【００７７】
また、図８（Ｂ）の液晶表示装置では図示しないが、カラーフィルタ（着色層）、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。バックライトとしてはＥＬパネルを用いると薄型化できるために好ましい。
【００７８】
また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層８５２に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１０μｓ〜１００μｓと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
【００７９】
なお図８（Ｂ）は透過型液晶表示装置の例であるが、反射型液晶表示装置でも半透過型液晶表示装置でも適用できる。
【００８０】
なお、図７（Ａ）、（Ｂ）、図８（Ａ）、及び（Ｂ）において、素子基板６０１、封止基板６０３としては、透光性を有するプラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【００８１】
なお薄膜トランジスタ６０４上には、保護膜として機能する絶縁層を設けてもよい。なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【００８２】
また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁層６０７は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
【００８３】
絶縁層６０７の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。絶縁層として材料液を用いて形成する場合、ベークする工程で同時に、半導体層のアニール（２００℃〜４００℃）を行ってもよい。絶縁層の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく表示装置を作製することが可能となる。
【００８４】
表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する表示部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
【００８５】
表示素子に電圧を印加する第１の電極層及び第２の電極層（画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいう）においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【００８６】
第１の電極層６０８、第２の電極層６０９は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【００８７】
また、第１の電極層６０８、第２の電極層６０９はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【００８８】
また、第１の電極層６０８、第２の電極層６０９として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【００８９】
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【００９０】
また図６（Ｂ）とは異なる表示装置の断面の構造について、図９に示す。図９では図６（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について、図６（Ｂ）とは異なる断面構造を示している。図９が図６（Ｂ）と異なる点は、折曲部１０７の断面構造において、シール材６０２の内側の領域にある第１の電極層６０８と第２の電極層６０９とが挟持された表示素子、及び封止基板６０３を折曲部１０７の断面構造において形成せず、絶縁層６０７上を封止層９０１で覆った点にある。折曲部１０７では、表示に寄与する第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及び封止基板６０３等を削減することができ、表示装置の周辺部の折り曲げやすさを向上させることができる。
【００９１】
次いで、図６（Ａ）、（Ｂ）とは異なる表示装置の構造について、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す。まず図１０（Ａ）では、図５（Ａ）で示した表示装置の斜視図について示している。図１０（Ｂ）では図１０（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について示し、表示部１０３及び折曲部１０７の断面構造について示している。なお図１０（Ａ）については、図５（Ａ）と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。また、図１０（Ｂ）の表示部１０３の構成については、図６（Ｂ）の表示部１０３と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。また、図１０（Ｂ）の折曲部１０７の構成について図６（Ｂ）の折曲部１０７と異なる点は、折れ曲がった封止基板６０３を、折れ曲がった素子基板６０１で外側より覆う構成となっている点にあり、その他の構成については、図６（Ｂ）と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
【００９２】
図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置の周辺を折り曲げた折曲部１０７の断面では、折れ曲がった封止基板６０３を、折れ曲がった素子基板６０１で外側より覆う構成となっている。すなわち、封止基板６０３の曲率が素子基板６０１の曲率より大きくなっている。その結果、素子基板６０１に丸みを帯びて折れ曲がった湾曲部６１４を形成することができ、使用者が指等を滑らせることによる負傷を低減することができる。
【００９３】
なお図１０（Ｂ）では、図７（Ａ）、図７（Ｂ）図８（Ａ）、及び図８（Ｂ）と同様に、表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用いた電気泳動素子、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能である。
【００９４】
また図１０（Ｂ）とは異なる表示装置の断面の構造について、図１１に示す。図１１では図１０（Ａ）内の点線Ａ−Ｂ間の断面図について、図１０（Ｂ）とは異なる断面構造を示している。図１１が図１０（Ｂ）と異なる点は、折曲部１０７の断面構造において、シール材６０２の内側の領域にある第１の電極層６０８と第２の電極層６０９とが挟持された表示素子、及び封止基板６０３を折曲部１０７の断面構造において形成せず、絶縁層６０６上を封止層９０１で覆った点にある。折曲部１０７では、図９と同様に、表示に寄与する第１の電極層６０８、第２の電極層６０９、及び封止基板６０３等を削減することができ、表示装置の周辺の折り曲げやすさを向上させることができる。
【００９５】
次いで、図６（Ａ）、（Ｂ）、図１０（Ａ）、（Ｂ）とは異なる表示装置の構造について、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す。まず図１２（Ａ）では、図４（Ｃ）で示した表示装置の断面図について示している。図１２（Ｂ）では図１２（Ａ）の断面図の詳細について示し、具体的には表示部１０３及び折曲部１２０１の断面構造について示している。また図１２（Ａ）については、図４（Ｃ）と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。なお図１２（Ｂ）の表示部１０３の構成については、図６（Ｂ）、図１０（Ｂ）の表示部１０３と同様の図であり、ここでは詳細な説明については省略する。
【００９６】
図１２（Ｂ）の折曲部１２０１の構成について説明する。図１２（Ｂ）の折曲部１２０１は、表示部１０３より延びて折れ曲がった素子基板６０１、素子基板６０１と嵌合するよう設けられた外部接続配線１２０２、表示部１０３の画素電極として機能する第１の電極層６０８と同時に形成された外部接続電極１２０３、薄膜トランジスタ６０４のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電層で形成された端子電極１２０４、異方性導電膜１２０５を有する。なお図１２（Ｂ）では、素子基板６０１上に、外部接続電極１２０３、端子電極１２０４の他に、薄膜トランジスタ６０４のゲート絶縁膜、及び層間絶縁層に相当する絶縁層が積層して設けられている。なお外部接続電極１２０３は、外部接続配線１２０２が有する端子と、異方性導電膜１２０５を介して電気的に接続されている。
【００９７】
外部接続配線１２０２は、単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成されたＩＣが別途用意された基板に実装されている。なお、別途形成したＩＣと外部接続電極１２０３との外部接続配線１２０２を介した接続方式は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方式、ワイヤボンディング方式、またはＴＡＢ方式などを用いることができる。
【００９８】
図１２（Ｂ）に示す表示装置を折り曲げた折曲部１２０１の断面では、素子基板６０１と外部接続配線１２０２が互いに嵌合するようにする構成となっている。その結果、素子基板６０１と外部接続配線１２０２との接触面積を大きくとることが出来、固着強度を高めることができる。
【００９９】
なお図１２（Ｂ）の表示部１０３では、図７（Ａ）、図７（Ｂ）図８（Ａ）、及び図８（Ｂ）と同様に、表示素子としてツイストボールの代わりとして、マイクロカプセルを用いた電気泳動素子、粉体系方式の電気泳動素子、発光素子、液晶素子、を用いることも可能である。
【０１００】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１０１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、表示装置が有するトランジスタの例を、図１３（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。図１３（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態３における薄膜トランジスタ６０４に用いることのできる薄膜トランジスタの例である。
【０１０２】
図１３（Ａ）乃至（Ｄ）において、素子基板６０１上に絶縁膜１３０１が形成され、絶縁膜１３０１上に薄膜トランジスタ６０４が設けられている。薄膜トランジスタ６０４上に絶縁層１３０２、絶縁層６０７が形成され、薄膜トランジスタ６０４と電気的に接続する第１の電極層６０８が設けられている。
【０１０３】
図１３（Ａ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、ソース電極層及びドレイン電極層として機能する配線層１３０３ａ、１３０３ｂと半導体層１３０４とがｎ＋層を介さずに接する構成である。
【０１０４】
図１３（Ｂ）に図示する薄膜トランジスタ６０４はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である素子基板６０１、絶縁膜１３０１上に、ゲート電極層１３０５、ゲート絶縁層１３０７、半導体層１３０４、ソース領域又はドレイン領域として機能するｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層１３０３ａ、１３０３ｂを含む。ｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂは、半導体層１３０４より低抵抗な半導体層である。
【０１０５】
なお、ｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂを、ゲート絶縁層１３０７と配線層１３０３ａ、１３０３ｂの間に設ける構造としてもよい。また、ｎ＋層をゲート絶縁層及び配線層の間と、配線層と半導体層の間と両方に設ける構造としてもよい。
【０１０６】
図１３（Ｃ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、薄膜トランジスタ６０４において、ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層とが、ｎ＋層を介さずに接する構成である。
【０１０７】
図１３（Ｃ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、図１３（Ｃ）に図示する薄膜トランジスタ６０４を含む領域全てにおいてゲート絶縁層１３０７が存在し、ゲート絶縁層１３０７と絶縁表面を有する基板である素子基板６０１の間にゲート電極層１３０５が設けられている。ゲート絶縁層１３０７上には配線層１３０３ａ、１３０３ｂが設けられている。そして、ゲート絶縁層１３０７、配線層１３０３ａ、１３０３ｂ上に半導体層１３０４が設けられている。また、図示しないが、ゲート絶縁層１３０７上には配線層１３０３ａ、１３０３ｂに加えて配線層を有し、該配線層は半導体層１３０４の外周部より外側に延在している。
【０１０８】
図１３（Ｄ）に図示する薄膜トランジスタ６０４は、トップゲート型の薄膜トランジスタである。絶縁表面を有する基板である素子基板６０１、絶縁膜１３０１上に、ソース領域又はドレイン領域として機能するｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂを含む半導体層１３０４、半導体層１３０４上にゲート絶縁層１３０７が形成され、ゲート絶縁層１３０７上にゲート電極層１３０５が形成されている。またｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂと接してソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層１３０３ａ、１３０３ｂが形成されている。ｎ＋層１３０６ａ、１３０６ｂは、半導体層１３０４より低抵抗な半導体領域である。
【０１０９】
本実施の形態では、シングルゲート構造を説明したが、ダブルゲート構造などのマルチゲート構造でもよい。この場合、半導体層の上方及び下方にゲート電極層を設ける構造でも良く、半導体層の片側（上方又は下方）にのみ複数ゲート電極層を設ける構造でもよい。
【０１１０】
半導体層に用いられる半導体材料は特に限定されない。薄膜トランジスタの半導体層に用いることのできる材料の例を説明する。
【０１１１】
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。
【０１１２】
微結晶半導体膜は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られる。
【０１１３】
この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３などの水素化珪素や、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などのハロゲン化化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。
【０１１４】
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１１５】
また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほかＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用いることができる。
【０１１６】
半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。
【０１１７】
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【０１１８】
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いることができる。
【０１１９】
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半導体膜を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
【０１２０】
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【０１２１】
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
【０１２２】
また半導体層に、酸化物半導体を用いてもよい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）なども用いることができる。ＺｎＯを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いることができる。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。
【０１２３】
酸化物半導体としてＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。なお、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）及びコバルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜を用いることができる。
【０１２４】
酸化物半導体層（ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜）としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜のかわりに、Ｍを他の金属元素とするＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜を用いてもよい。また、酸化物半導体層に適用する酸化物半導体として上記の他にも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の酸化物半導体を適用することができる。
【０１２５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１２６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で述べた表示装置の応用形態について具体例を示し、説明する。
【０１２７】
図１４（Ａ）は携帯情報端末であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５等を含む。上記実施の形態で述べた表示装置は、可撓性基板で形成される表示部３００３を具備する表示装置に適用できる。このように表示部の形状を自由に設計することができるので、所望な形状の携帯情報端末を作製することができる。加えて上記実施の形態で述べた表示装置は、駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくくし、丈夫な表示装置を提供することができる。
【０１２８】
図１４（Ｂ）は、上記実施の形態で述べた表示装置を搭載した電子書籍の例である。第１の筐体３１０１は第１の表示部３１０２を有し、第１の筐体３１０１は操作ボタン３１０３を有し、第２の筐体３１０４は、第２の表示部３１０５を有し、第１の筐体３１０１及び第２の筐体３１０４は、支持部３１０６によって開閉動作が可能となっている。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となり、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を第１の表示部３１０２及び第２の表示部３１０５に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくくし、丈夫な電子書籍を提供することができる。
【０１２９】
図１５（Ａ）は、電車１５０１などの乗り物の車内広告用途の表示装置１５０２を示している。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、表示素子による表示を行う表示装置を用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を表示装置１５０２に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部を壊れにくく丈夫な広告用途の表示装置を提供することができる。
【０１３０】
また、図１５（Ｂ）は、屋外広告用途の表示装置１５１１を示している。可撓性を有する基板を用いて作製された表示装置１５１１を揺動させて表示部の１５１２の広告媒体としの広告効果を高めることができる。広告の交換は人手によって行われるが、表示素子による表示を行う表示装置を用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られ、加えて上記実施の形態で述べた表示装置を表示部１５１２に適用することで、駆動回路、または回路間の接続部が壊れにくくし丈夫な広告媒体を提供することができる。
【０１３１】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１３２】
１０１ 素子基板
１０２ 支持部
１０３ 表示部
１０４ 信号線
１０５ 走査線
１０６ 駆動回路
１０６ 駆動回路
１０７ 折曲部
１０８ 駆動回路
２０１ 折曲部
３０１ 外部接続配線
３０２ プリント基板
３０３ ＩＣ
３０４ 接続部
４０１ 空間
４０２ 外端部
４０３ 接着部材
５００ 窒素雰囲気下
５０１ 素子基板
５０２ 湾曲部
５０３ 外端部
５０４ 表示部
６０１ 素子基板
６０２ シール材
６０３ 封止基板
６０４ 薄膜トランジスタ
６０５ 薄膜トランジスタ
６０６ 絶縁層
６０７ 絶縁層
６０８ 電極層
６０９ 電極層
６１０ａ 黒色領域
６１０ｂ 白色領域
６１１ キャビティ
６１２ 球形粒子
６１３ 充填材
６１４ 湾曲部
７０１ 液体
７０２ａ 微粒子
７０２ｂ 微粒子
７０３ マイクロカプセル
７０４ 溶媒
７５１ リブ
７５２ 空間
７５３ａ 粉粒体
７５３ｂ 粉粒体
８０１ 発光素子
８０２ 電界発光層
８０３ 電極層
８０４ 隔壁
８０５ 充填材
８５１ 液晶素子
８５２ 液晶層
８５３ 絶縁膜
８５４ 絶縁膜
８５５ スペーサ
９０１ 封止層
１２０１ 折曲部
１２０２ 外部接続配線
１２０３ 外部接続電極
１２０４ 端子電極
１２０５ 異方性導電膜
１３０１ 絶縁膜
１３０２ 絶縁層
１３０３ａ 配線層
１３０４ 半導体層
１３０５ ゲート電極層
１３０６ａ ｎ＋層
１３０７ ゲート絶縁層
１５０１ 電車
１５０２ 表示装置
１５１１ 表示装置
１５１２ 表示部
３００１ 本体
３００２ 表示部
３００３ 表示部
３００４ 記憶媒体
３００５ 操作スイッチ
３１０１ 筐体
３１０２ 表示部
３１０３ 操作ボタン
３１０４ 筐体
３１０５ 表示部
３１０６ 支持部
４３１１ 表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する素子基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板を折曲して設けられた折曲部と、を有し、
前記折曲部は、前記表示部を駆動するための駆動回路を有する表示装置。
【請求項２】
可撓性を有する素子基板と、
可撓性を有する封止基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板を折曲して設けられた折曲部と、を有し、
前記折曲部は、前記表示部を駆動するための駆動回路を有し、
前記素子基板は、前記封止基板より面積の広い基板である表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記表示装置は、前記素子基板を拘持するための支持部を有する表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記折曲部は、前記支持部の長軸方向に対し、垂直方向または水平方向に設けられている表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記駆動回路及び前記表示部が有する薄膜トランジスタは、前記素子基板上に形成されている表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記素子基板には、外端部と、湾曲部とが設けられており、
前記駆動回路は、前記外端部と前記湾曲部との間に設けられている表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至
５のいずれか一項において、
前記素子基板には、湾曲部が設けられており、
前記駆動回路は、前記表示部と前記湾曲部との間に設けられている表示装置。
【請求項８】
可撓性を有する素子基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板の外端部を拘持するための支持部と、
前記素子基板を折曲して設けられ、前記支持部に内包された折曲部と、を有し、
前記折曲部は、外部接続電極を有し、前記外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置。
【請求項９】
可撓性を有する素子基板と、
可撓性を有する封止基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板の外端部を拘持するための支持部と、
前記素子基板を折曲して設けられ、前記支持部に内包された折曲部と、を有し、
前記素子基板は、前記封止基板より面積の広い基板であり、
前記折曲部は、外部接続電極を有し、前記外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記支持部は前記表示部を駆動するための駆動回路を内包しており、
前記駆動回路は、前記外部接続配線に電気的に接続されて設けられる表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記表示部が有する表示素子は、電気泳動素子、液晶素子、または発光素子である表示装置。
【請求項１】
可撓性を有する素子基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板を折曲して設けられた折曲部と、を有し、
前記折曲部は、前記表示部を駆動するための駆動回路を有する表示装置。
【請求項２】
可撓性を有する素子基板と、
可撓性を有する封止基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板を折曲して設けられた折曲部と、を有し、
前記折曲部は、前記表示部を駆動するための駆動回路を有し、
前記素子基板は、前記封止基板より面積の広い基板である表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記表示装置は、前記素子基板を拘持するための支持部を有する表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記折曲部は、前記支持部の長軸方向に対し、垂直方向または水平方向に設けられている表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記駆動回路及び前記表示部が有する薄膜トランジスタは、前記素子基板上に形成されている表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記素子基板には、外端部と、湾曲部とが設けられており、
前記駆動回路は、前記外端部と前記湾曲部との間に設けられている表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至
５のいずれか一項において、
前記素子基板には、湾曲部が設けられており、
前記駆動回路は、前記表示部と前記湾曲部との間に設けられている表示装置。
【請求項８】
可撓性を有する素子基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板の外端部を拘持するための支持部と、
前記素子基板を折曲して設けられ、前記支持部に内包された折曲部と、を有し、
前記折曲部は、外部接続電極を有し、前記外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置。
【請求項９】
可撓性を有する素子基板と、
可撓性を有する封止基板と、
前記素子基板上に設けられた表示部と、
前記素子基板の外端部を拘持するための支持部と、
前記素子基板を折曲して設けられ、前記支持部に内包された折曲部と、を有し、
前記素子基板は、前記封止基板より面積の広い基板であり、
前記折曲部は、外部接続電極を有し、前記外部接続電極と外部接続配線とが嵌合して設けられる表示装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記支持部は前記表示部を駆動するための駆動回路を内包しており、
前記駆動回路は、前記外部接続配線に電気的に接続されて設けられる表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記表示部が有する表示素子は、電気泳動素子、液晶素子、または発光素子である表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１１−３４０６６（Ｐ２０１１−３４０６６Ａ）
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５１５１８（Ｐ２０１０−１５１５１８）
【出願日】平成２２年７月２日（２０１０．７．２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２日（２０１０．７．２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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