配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器
【課題】導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、任意の基材表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層を有する配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器を提供する。
【解決手段】基材１１の表面のパターン部分２２にのみ導電性微粒子３１が配列した導電性微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線１、３であって、基材１１の表面のパターン部分２２には、分子の一端に第１の官能基を有する第１の膜化合物の被膜１３が形成され、導電性微粒子３１の表面には、分子の一端に第２の官能基を有する第２の膜化合物の被膜３３が形成され、導電性微粒子３１は、第１及び第２の官能基と第１のカップリング剤とのカップリング反応により形成された結合を介して基材１１上に固定されている。
【解決手段】基材１１の表面のパターン部分２２にのみ導電性微粒子３１が配列した導電性微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線１、３であって、基材１１の表面のパターン部分２２には、分子の一端に第１の官能基を有する第１の膜化合物の被膜１３が形成され、導電性微粒子３１の表面には、分子の一端に第２の官能基を有する第２の膜化合物の被膜３３が形成され、導電性微粒子３１は、第１及び第２の官能基と第１のカップリング剤とのカップリング反応により形成された結合を介して基材１１上に固定されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスやプリント基板に用いる導体配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器に関する。さらに詳しくは、表面に反応性を有する官能基を導入した導電性微粒子とを有する配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子デバイスやプリント基板に用いる導体配線及びその製造方法として、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー等の方法により所定のパターン状に選択的に塗布された導電性ペーストを加熱処理して配線を形成する方法（例えば、特許文献１及び２参照）や、フォトリソグラフィー法とエッチング法を用いて、基板表面の導電体層を選択的に除去して配線を形成する方法（例えば、特許文献３参照）等が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３５６０５３号公報
【特許文献２】特開２００４−２７３２０５号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、印刷やフォトリソグラフィーでは、電子デバイスやプリント基板の微細化高密度化に十分対応しきれなくなってきている。
【０００５】
一方、電子デバイスやプリント基板上の配線を微細化するためには、基板上で導電性微粒子を均一な膜厚の被膜にする必要がある。しかしながら、任意の基体表面に導電性微粒子を１層のみ配列させた、粒子サイズレベルで均一な厚さを有する導電性微粒子よりなる導電性微粒子層、及び複数層累積した導電性微粒子層並びにそれらの製造方法は未だ開発及び提供されておらず、使用する導電性微粒子のサイズや積層数によって導電性微粒子膜の膜厚を制御するという技術的思想もこれまで提案されていない。
【０００６】
本発明は、導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、任意の基材表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層よりなる配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う第１の発明に係る配線は、基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線であって、前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されている。
【０００８】
第１の発明に係る配線において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【０００９】
第１の発明に係る配線において、前記第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の一方又は双方が単分子膜であることが好ましい。
【００１０】
第１の発明に係る配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１１】
第２の発明に係る配線は、基材の表面のパターン部分にのみ、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したパターン状の配線であって、前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されており、前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されている。
【００１２】
第２の発明に係る配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、並びに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。
【００１３】
第２の発明に係る配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
【００１４】
第２の発明に係る配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１５】
第３の発明に係る配線の製造方法は、基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が結合固定されたパターン状の配線を製造する方法であって、分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基材の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基材の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基材の表面を被覆する工程Ａと、前記パターン部分を覆うマスクを通して、前記被覆された基材の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記パターン形成処理を行った基材及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記基材の表面に結合固定し、次いで、前記基材の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄとを有する。
【００１６】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われてもよい。
【００１７】
第３の発明に係る配線の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われてもよい。
【００１８】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記パターン形成処理を行った基材の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された基材と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定してもよい。
【００１９】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記パターン形成処理を行った基材とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定してもよい。
【００２０】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００２１】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基材及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２２】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有していてもよい。
【００２３】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物でであることが好ましい。
【００２４】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記導電性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２５】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有していてもよい。
【００２６】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含んでいてもよい。
この場合、更に助触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を含んでいてもよい。
【００２７】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含んでいてもよい。
【００２８】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００２９】
第４の発明に係る電子部品は、第１及び第２の発明に係る配線を用いている。
【００３０】
第５の発明に係る電子機器は、第１及び第２の発明に係る配線を用いている。
【発明の効果】
【００３１】
請求項１〜８に記載の配線及び請求項９〜２５に記載の配線の製造方法においては、導電性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基材上の任意のパターン上に任意の膜厚で形成可能であり、膜厚が均一でかつ品質にばらつきの少ないパターン状の配線を低コストで製造できる。
また、基材の表面に配列した導電性微粒子層は基材の表面に結合固定されているので、高い耐剥離強度を有すると共に、カップリング反応により形成された結合を介して配線を１層ずつ積層固定するので、パターン状の配線の膜厚を導電性微粒子のサイズのレベルで容易に制御できる。
さらに、導電性微粒子層の積層固定にバインダーを用いないため、導体密度が高く電気伝導性の高い配線を形成できる。
【００３２】
請求項２に記載の配線においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００３３】
請求項３に記載の配線においては、第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の一方又は双方が単分子膜であるので、基材及び導電性微粒子のいずれか一方又は双方の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３４】
請求項４に記載の配線においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３５】
請求項５に記載の配線においては、基材側から空気との界面側に向かって導電性微粒子層が順次積層した導電性微粒子層について、積層された導電性微粒子層の数、各導電性微粒子層を構成する導電性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、導電性微粒子層の膜厚、電気伝導度等を容易に制御できる。また、各導電性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物及びカップリング剤を選択できる。
【００３６】
請求項６に記載の配線においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物及び第１〜第ｎのカップリング剤それぞれが同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項７に記載の配線においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基材及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３７】
請求項８に記載の配線においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３８】
請求項１０に記載の配線の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いてパターン部分以外の第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００３９】
請求項１１に記載の配線の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、エネルギー線の照射によりパターン部分以外の第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００４０】
請求項１２に記載の配線の製造方法においては、工程Ｄでは、まず、パターン形成処理を行った基材の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分の表面のみに選択的に第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された基材と第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分の表面のみに選択的に導電性微粒子を結合固定するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００４１】
請求項１３に記載の配線の製造方法においては、工程Ｄでは、まず、第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とパターン形成処理を行った基材とを接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分の表面のみに選択的に導電性微粒子を結合固定するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基材に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基材の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を結合固定することができる。
【００４２】
請求項１４に記載の配線の製造方法においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００４３】
請求項１５に記載の配線の製造方法においては、第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、基材及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４４】
請求項１６に記載の配線の製造方法においては、３種類の膜化合物、及び２種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の配線を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００４５】
請求項１７に記載の配線の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項１８に記載の配線の製造方法においては、第３の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であるので、導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４６】
請求項１９に記載の配線の製造方法においては、３種類の膜化合物、及び１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の配線を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００４７】
請求項２０及び２２に記載の配線の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むので、膜化合物の被膜の形成に要する時間を短縮し、配線の製造をより高効率に行うことができる。
【００４８】
請求項２１、２３及び２４に記載の配線の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からからなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含むので、膜化合物の被膜の形成に要する時間を短縮し、配線の製造をより高効率に行うことができる。特に、これらの化合物と上述の縮合触媒の両者を共に含む場合には、調製時間を更に短縮できる。
【００４９】
請求項２５に記載の配線の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００５０】
請求項２６記載の配線の電子部品及び請求項２７記載の電子機器においては、高い電気伝導性を有し、耐剥離強度が高い請求項１〜８記載の配線を用いているので、内部損失やそれに伴う発熱が少なく、信頼性及び耐久性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図１（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図２（ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図２（ｂ）は本発明の第４の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図３は、本発明の第１〜第４の実施の形態に係るパターン状の配線の製造方法において、ガラス基板の表面に第１の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図３（ａ）は反応前のガラス基板の断面構造、図３（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたガラス基板の断面構造をそれぞれ表し、図４（ａ）は同配線の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図４（ｂ）は変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図、図５は本発明の第１〜第４の実施の形態に係る配線の製造方法において、銀微粒子の表面に第２の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図５（ａ）は反応前の銀微粒子の断面構造、図５（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された銀微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【００５２】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る単層配線１について説明する。
図１（ａ）に示すように、単層配線１は、ガラス基板１１（基材の一例）の表面のパターン部分にのみ銀微粒子３１（導電性微粒子の一例）が配列した銀微粒子層（導電性微粒子層の一例）が１層結合固定されたパターン状の配線である。
ガラス基板１１の表面のパターン部分には、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有し、他端でパターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の単分子膜１３（被膜の一例）が形成され、更にその表面には、エポキシ基とカップリング反応して結合を形成するアミノ基及びイミノ基（第１及び第２のカップリング反応基の一例）を分子内に１つずつ有する２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）のアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜１５（被膜の一例）が形成されている。
銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基（第２の官能基の一例）を有し、銀微粒子３１の表面に結合した第２の膜化合物の単分子膜３３（被膜の一例）が形成されている。
ガラス基板１１と銀微粒子３１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【００５３】
単層配線１の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図１（ａ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射（エネルギー線の照射）するパターン形成処理を行い、パターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、パターン形成処理を行ったガラス基板１１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、パターン部分２２の表面にのみ選択的に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成させ、次いで、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されたガラス基板１１と第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有する。
【００５４】
以下、工程Ａ〜Ｄについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物をガラス基板１１に接触させ、第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する（図３参照）。
なお、ガラス基板１１の大きさには特に制限はない。
【００５５】
エポキシ基を有する膜化合物としては、ガラス基板１１の表面に吸着又は結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。
【００５６】
【化１】
【００５７】
上式において、Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００５８】
(１) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(３) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)１１Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(４) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)２Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(５) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)４Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(６) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)６Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(７) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(８) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(９) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)１１Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１０) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)２Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１１) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)４Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１２) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)６Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
【００５９】
ここで、（ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２−基は、化２で表される官能基（グリシジル基）を表し、（ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。
【００６０】
【化２】
【００６１】
【化３】
【００６２】
ガラス基板１１の表面上への第１の膜化合物の単分子膜１３の形成は、エポキシ基及びアルコキシシリル基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とガラス基板１１の表面の水酸基１２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液をガラス基板１１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
【００６３】
縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル及びチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。
【００６４】
カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。
【００６５】
カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチルチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
【００６６】
チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
【００６７】
アルコキシシリル基とガラス基板１１の表面の水酸基１２とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合はガラス基板１１の表面又は隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本はガラス基板１１の表面のケイ素原子と結合している。
【００６８】
【化４】
【００６９】
アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、ガラス基板１１の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、ガラス基板１１をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。
【００７０】
上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。
【００７１】
あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間を更に短縮できる。
【００７２】
例えば、縮合触媒として、カルボン酸金属塩キレートであるジブチルスズビスアセチルアセテートの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化銀微粒子２１の製造を行うと、エポキシ化銀微粒子２１の品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。
【００７３】
更に、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にして第１の膜化合物の単分子膜１３の形成を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。
【００７４】
なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。
【００７５】
また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。
【００７６】
反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、及びこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤又は蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。
【００７７】
具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
更に、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
【００７８】
また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。更に、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。
【００７９】
反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。
【００８０】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物及び縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化ガラス基板１４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化ガラス基板１４の断面構造の模式図を図３（ｂ）に示す。
【００８１】
洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００８２】
反応後、ガラス基板１１の表面を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化ガラス基板１４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、ガラス基板１１の表面に必ずしも全てが共有結合により固定されているわけではないが、エポキシ基を含んでいるため、第１の膜化合物の単分子膜１３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｂ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００８３】
なお、本実施の形態においては、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。なお、イミノ基やアミノ基と反応するカップリング剤としては、両端にグリシジル基を有するものが使用できる。
【００８４】
【化５】
【００８５】
上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００８６】
(２１) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２２) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２３) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２４) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)９Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２５) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２６) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２７) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２８) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)９Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
【００８７】
ただし、この場合には、反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独で又は２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類及びそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、及び助触媒の濃度、反応条件並びに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００８８】
本実施の形態においては、ガラス基材を基材として用いたが、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有するガラス以外の材料よりなる基材についても、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基材の具体例としては、セラミックス、ほうろう、ＩＴＯ（インジウムスズオキシド）等の透明電極、アルミニウム板、銅板、アルミニウム板、シリコンウェーハ等の金属板等が挙げられる。
また、基材材料として合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
【００８９】
本実施の形態においては、第１の膜化合物として基材の表面の活性水素基と縮合反応するシラン化合物を用いたが、例えば、金メッキ層を有する基材の場合には、膜化合物として金原子と強い結合を形成するチオール誘導体又はトリアジンチオール誘導体を用いることができる。
（以上工程Ａ）
【００９０】
工程Ｂでは、パターン部分２２を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されたガラス基板１１の表面を露光して、レーザーアブレーション法によりパターン部分２２にのみ選択的に第１の膜化合物の単分子膜１３を残した、パターン形成処理を行う（図４参照）。
露光に用いるマスクとしては、半導体素子の製造等におけるフォトリソグラフィーに用いられるレチクル用材料等の、光を透過せず、少なくとも露光の間は照射光による損傷を受けない任意の材質のものを用いることができる。また、露光は等倍露光でもよく、微細なパターンを形成する場合等には縮小投影露光を用いてもよい。
【００９１】
光源としては、ＸｅＦ（３５３ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザー等のレーザー光が好ましく用いられる。図４（ａ）に示すように、レーザー光の照射により、照射した部位の温度が上昇し、露光した部分を被覆していたアルコキシシラン化合物が選択的に除去され（図４中の２３）る。その結果、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３が残る（図４（ａ）参照）。
照射した部分以外への入熱を抑制するため、パルスレーザーを用いるパルスレーザーアブレーション法により、エポキシ化された膜化合物を除去することが好ましい。
レーザー光の強度は、０．１〜０．３Ｊ・ｃｍ−２であることが好ましい。レーザー光の強度が０．１Ｊ・ｃｍ−２未満である場合には、十分にエポキシ基を有する膜化合物を除去することができず、０．３Ｊ・ｃｍ−２を上回る場合には、エポキシ化ガラス基板１４のガラス部材が除去されるため、いずれも好ましくない。
また、レーザー光の強度が上記範囲内である場合、パルス幅としては５〜５０ｎｓが好ましい。
【００９２】
上記の実施の形態においては、パルスレーザーアブレーション法により第１の膜化合物を除去したが、電子線、Ｘ線等の他のエネルギー照射を用いてもよい。また、マスクを通して露光する代わりに、直接第１の膜化合物の単分子膜１３に電子ビーム等で選択的にパターンを描画することにより、パターン以外の部分の第１の膜化合物を除去してもよい。
【００９３】
変形例に係るパターン形成処理を図４（ｂ）に示す。このパターン形成処理においては、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光重合開始剤を塗布した後、パターン部分２４を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射を行い、露光した部分のエポキシ基を開環重合させ、パターン部分２４にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３を残す。
用いることができる光重合開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩等のカチオン性光重合開始剤が挙げられる。光源としては、高圧水銀灯、キセノンランプ等が挙げられる。
（以上工程Ｂ）
【００９４】
工程Ｃでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のアルコキシシラン化合物（エポキシ基を有する第２の膜化合物）を銀微粒子３１と接触させ、その表面にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する。
【００９５】
用いることのできる銀微粒子３１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜０．１ｍｍの範囲内であることが好ましい。銀微粒子３１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が０．１ｍｍを上回る場合には、銀微粒子３１の表面積に対する質量の割合が大きくなるため、架橋反応によりその質量を支持できなくなる。
【００９６】
第２の膜化合物の単分子膜３３の形成は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中に銀微粒子３１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。
【００９７】
工程Ｃにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類及びそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、及び助触媒の濃度、反応条件並びに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。
【００９８】
アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２とが縮合反応（脱アルコール反応）を起こし、前記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合は銀微粒子３１の表面又は隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本は銀微粒子３１の表面のケイ素原子と結合している。
なお、ハロシラン化合物を用いた場合と異なり、縮合反応の際に生成するハロゲン化水素により銀微粒子３１の表面が腐食を受けることはない。
【００９９】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物及び縮合触媒を除去すると、図５（ｂ）に示すように、エポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１、すなわちエポキシ化銀微粒子３４が得られる。
【０１００】
洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、銀微粒子３１の表面を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化銀微粒子３４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、銀微粒子３１の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、第２の膜化合物の単分子膜３３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｄ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【０１０１】
なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｄにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。
【０１０２】
なお、本実施の形態では、導電性微粒子として銀微粒子を用いたが、他の導電性微粒子を用いることもできる。他の導電性微粒子としては、銅、ニッケル、或いは、銀メッキした貴金属や銅、ニッケルの金属微粒子、更には、導電性の金属酸化物微粒子であるＩＴＯやＳｎＯ２が挙げられる。
【０１０３】
銀微粒子以外の導電性微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、銀の場合と同様に、第２の膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
また、微粒子が、表面に活性水素基を有しない金（Ａｕ）や表面にＡｕメッキが施された金属微粒子等の場合には、第２の結合基として、−ＳＨ基やトリアジンチオール基を有する膜化合物（例えば、一般式Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎ−ＳＨ（ｎは整数）で表される化合物（ω−アミノアルカンチオール）で、具体例としては、３−アミノプロパンチオール（前記一般式においてｎ＝３である化合物）等が挙げられる）を用いれば、硫黄原子を介して結合したアミノ基を含む膜化合物の単分子膜が形成された金微粒子を製造することができる。勿論、アミノ基の代わりにエポキシ基を有するチオールやトリアジン誘導体を用いることもできる。
【０１０４】
なお、粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍの銀ナノ粒子を用いる場合には、体積に対する表面積の割合が増大することにより、例えば、２３０℃程度の低温で加熱することにより焼結が進行し、より緻密で導電性に優れた配線を形成できる。このような銀ナノ粒子を導電性微粒子として用いる場合には、焼結温度以下で銀ナノ粒子の表面から脱離するような膜化合物を用いることが好ましい。
【０１０５】
本実施の形態においては、第１及び第２の膜化合物として、共にエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、両者は同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。更に、第１及び第２の膜化合物が異なる官能基（例えば、一方がエポキシ基で他方がイソシアネート基）を有していてもよい。
（以上工程Ｃ）
【０１０６】
工程Ｄでは、まず、第１の膜化合物の単分子膜１３が表面に形成されたガラス基板１１、すなわちエポキシ化ガラス基板１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、その表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成し、次いで、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１、すなわちエポキシ化銀微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、ガラス基板１１の表面に銀微粒子３１を結合固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する。
【０１０７】
２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基及びイミノ基をそれぞれ１−位及び３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。
【０１０８】
【化６】
【０１０９】
２−メチルイミダゾールの単分子膜１５の形成は、２−メチルイミダゾールと溶媒とを混合した反応液をガラス基板１１の表面に形成された第１の膜化合物の単分子膜１３の上に塗布し、加熱して反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
反応液の製造には、２−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、及び毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
２−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度及び反応時間は、用いる基材及び導電性微粒子の種類、形成する配線の膜厚等に応じて適宜調節される。
【０１１０】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分な２−メチルイミダゾールを除去すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基との反応により形成された結合を介して２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成される。
このようにして得られた、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が表面に形成されたガラス基板１１の表面に、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の分散液を塗布後加熱し、エポキシ基と２−メチルイミダゾールに由来するイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して銀微粒子３１をガラス基板１１の表面に結合固定し、単層の銀微粒子層を有する単層配線１を製造する。
加熱温度は、１００〜２００℃が好ましい。加熱温度が１００℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜１３、３３及び２−メチルイミダゾールの単分子膜１５の分解反応が起こり、均一な単層配線１が得られない。
【０１１１】
反応後、水やアルコール等の溶媒で洗浄することにより、ガラス基板１１の表面に結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する。
【０１１２】
本実施の形態においては、カップリング剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。
【０１１３】
【化７】
【０１１４】
化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１） ２−メチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３２） ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１１Ｈ２３、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３３） ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１５Ｈ３１、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３４） ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３５） ２−フェニルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３６） ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３７） ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｍｅ、Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
（３８） ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、及びＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、及びフェニル基を表す。
【０１１５】
イミダゾール誘導体以外では、メルカプトトリアゾール、メラミン、イソシアヌル酸、トリアジン、バルビツール酸、パラバン酸、ウラシル、チミン等の２個以上の窒素を含む複素環化合物を用いることができる。更に、イミダゾール−銅錯体等のイミダゾール−金属錯体を用いてもよい。
【０１１６】
また、エポキシ樹脂のカップリング剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。
【０１１７】
なお、本実施の形態においては官能基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、官能基としてアミノ基又はイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、カップリング反応基として２若しくは３以上のエポキシ基又は２若しくは３以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化銀微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、反応液の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、イミノ基やアミノ基を有する膜化合物を用いる場合、カップリング剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２又は３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
（以上工程Ｄ）
【０１１８】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る積層配線３について説明する。
図１（ｂ）に示すように、積層配線３において、銀微粒子層はガラス基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１１９】
ガラス基板１１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面は、分子の一端にエポキシ基（第３の官能基の一例）を有する第３の膜化合物の単分子膜４３（被膜の一例）が形成され、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜４５（被膜の一例）が更に形成されている。
【０１２０】
ガラス基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、及び第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図１（ｂ）に示すように、２-メチルイミダゾールの単分子膜４５の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１（エポキシ化銀微粒子３４）の側面にも結合することができるが、図１（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。
【０１２１】
積層配線３の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図１（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射するパターン形成処理を行いパターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、図３（ｂ）に示すように、まず、パターン形成処理を行ったガラス基板１１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、パターン部分２２の表面にのみ選択的に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成させ、次いで、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されたガラス基板１１と第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。
【０１２２】
更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４３を形成し、次いで、第３の膜化合物の単分子膜４３の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する単分子膜４５（被膜の一例）被膜を更に形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆとを有する。
【０１２３】
以下、工程Ａ〜Ｆについてより詳細に説明する。
工程Ａ〜Ｄは、単層配線１の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０１２４】
工程Ｅでは、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４３を形成し、次いで、第３の膜化合物の単分子膜４３の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する単分子膜４５を更に形成する。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、銀微粒子４１を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Ｄにおけるガラス基板１１の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成する場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Ｄと同様である。
【０１２５】
本実施の形態においては、第３の膜化合物として、共にエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、第１及び第２の膜化合物の一方又は双方と同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。更に、第１及び第２の膜化合物と異なる官能基（例えば、アミノ基）を有していてもよい。
（以上工程Ｅ）
【０１２６】
工程Ｆでは、銀微粒子層の表層に位置する、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する。
工程Ｆにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程Ｆ）
【０１２７】
本実施の形態においては、銀微粒子層を２層有する配線の調製について説明したが、ｎ≧３の場合には、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。なお、工程Ｇにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。
【０１２８】
なお、本実施の形態においては、基材及び銀微粒子の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として３種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、基材及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、第１及び第２のカップリング剤として共に２−メチルイミダゾールを用いているが、それぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。或いは、基材と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。
【０１２９】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る単層配線２について説明する。
図２（ａ）に示すように、単層配線２は、ガラス基板１１の表面のパターン部分２２にのみ銀微粒子３１が配列した銀微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線である。
ガラス基板１１の表面のパターン部分２２には、分子の一端にエポキシ基を有し、他端でパターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されている。
銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有し、銀微粒子３１の表面に結合した第２の膜化合物の単分子膜３３が形成され、更にその表面には、エポキシ基とカップリング反応して結合を形成するアミノ基及びイミノ基とを分子内に１つずつ有する２−メチルイミダゾールのアミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）の単分子膜３５が形成されている。
ガラス基板１１と銀微粒子３１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【０１３０】
単層配線２の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図２（ａ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射（エネルギー線の照射）するパターン形成処理を行い、パターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、第２の膜化合物の単分子膜３３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５を形成させ、次いで、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されたガラス基板１１と２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有する。
【０１３１】
次に、本発明の第４の実施の形態に係る積層配線４について説明する。
図２（ｂ）に示すように、積層配線４においては、銀微粒子層は、ガラス基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１３２】
ガラス基板１１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面は、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有し他端に第３の結合基を有する第３の膜化合物の単分子膜４６（被膜の一例）が形成されている。
【０１３３】
ガラス基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、及び第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図２（ｂ）に示すように、第３の膜化合物の単分子膜４６の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している、２-メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１の側面にも結合することができるが、図２（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。
【０１３４】
積層配線４の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図２（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射するパターン形成処理を行い、パターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１に、２−メチルイミダゾールを接触させてエポキシ基とアミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とをカップリング反応により形成された結合を介して、第２の膜化合物の単分子膜３３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５を形成させ、次いで、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されたガラス基板１１と２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。
【０１３５】
更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４６を形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆとを有する。
【０１３６】
工程Ａ〜Ｆについては、第１の実施の形態に係る単層配線１及び第２の実施の形態に係る積層配線３の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
なお、積層配線４の製造方法においても、ｎ≧３の場合、銀微粒子層の表層に位置する、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。
【０１３７】
なお、本実施の形態においては、基材及び銀微粒子の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として３種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、基材及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、１種類のカップリング剤（２−メチルイミダゾール）を用いているが、基材と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。
【０１３８】
このようにして得られた単層配線１、３及び積層配線２、４は、０．１〜０．２５×１０６Ｓ・ｃｍ−１程度の電気伝導度を有している。これは、バルク銀の電気伝導度（約０．６×１０６Ｓ・ｃｍ−１）にほぼ匹敵する値である。単層配線１、３を形成しているエポキシ化銀微粒子３４は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３でその表面が被覆されているが、その厚さは高々数ｎｍであり、導電性には殆ど影響を与えていないと考えられる。
同様に、積層配線２、４を形成しているエポキシ化銀微粒子は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３、４３でその表面が被覆されているが、その厚さは高々数ｎｍであり、導電性には殆ど影響を与えていないと考えられる。
【０１３９】
単層配線１、３及び積層配線２、４が用いられた電子部品の一例としては、半導体集積回路、プリント基板、多層基板におけるビア導体、タッチパネルにおける透明電極等が挙げられる。電子機器としては、これらの電子部品が用いられた任意の電子機器が挙げられる。
【実施例】
【０１４０】
次に、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。
【０１４１】
実施例１：ガラス基板表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
ガラス基板を用意し、洗浄後よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１４２】
【化８】
【０１４３】
このようにして得られた反応液をガラス基板に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、ガラス基板の表面にエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜（膜厚約１ｎｍ）を形成できた。
【０１４４】
実施例２：パターン形成処理
実施例１でガラス基板の表面に形成したエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜に、形成されるパターン部分を覆うマスクを介してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ、レーザー強度０．１５Ｊ／ｃｍ２）を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜を、レーザーアブレーションにより除去した。この方法によりパターン形成処理を行うことができた。
【０１４５】
あるいは、カチオン性光重合開始剤であるイルガキュア（登録商標）２５０（（４−メチルフェニル）［４−（２−メチルプロピル）フェニル］ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートと炭酸プロピレンとの３：１混合物、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）で希釈して、ガラス基板の表面に形成したエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の表面に塗布した後、形成されるパターン部分を覆うマスクを介して遠紫外線を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜のエポキシ基を開環重合させることによっても、パターン形成処理を行うことができた。
【０１４６】
実施例３：銀微粒子表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
粒径が１００ｎｍ程度の銀微粒子を用意し、よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１４７】
このようにして得られた反応液中に銀微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、銀微粒子の表面にも水酸基が存在するので、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成できた。
【０１４８】
実施例４：ガラス基板表面への２−メチルイミダゾールの単分子膜の形成
実施例２でパターン形成処理を行ったガラス基板の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して２−メチルイミダゾールの単分子膜が形成された。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１４９】
実施例５：銀微粒子表面への２−メチルイミダゾールの単分子膜の形成
実施例３で表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成した銀微粒子を、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して、銀微粒子表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成できた。その後、エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１５０】
実施例６：単層配線及び積層配線の調製（１）
実施例４で、２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成したガラス基板の表面に、実施例３で表面にエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去した。このようにして得られた単層配線の膜厚は、銀微粒子の平均粒径とほぼ同一の１００ｎｍであり、極めて均一性が高いため、干渉色は観測されなかった。
このようにして得られた、銀微粒子層が１層積層した単層配線の表面に、実施例５で表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を更に形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去すると、２層の銀微粒子層が積層した積層配線が得られた。
また、積層配線について電気伝導度を測定したところ、約０．２×１０６Ｓ・ｃｍ−１という測定値を得た。
【０１５１】
実施例７：単層配線及び積層配線の調製（２）
実施例２でパターン形成処理したエポキシ化ガラス基板の表面に、表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を更に形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な銀微粒子を除去した。
このようにして得られた、銀微粒子層が１層積層した単層配線の表面に、実施例３で表面に３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランの単分子膜を形成した銀微粒子のエタノール分散液を更に塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な銀微粒子を除去すると、２層の銀微粒子層が積層した積層配線が得られた。このようにして得られた積層配線についても電気伝導度を測定したところ、約０．２×１０６Ｓ・ｃｍ−１という実施例６と同様の測定値を得た。
【０１５２】
なお、単層配線及び積層配線が形成された基板を用いた電子部品及び電子機器は、それぞれ公知の方法を用いて製造できるので、詳しい説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第４の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図である。
【図３】本発明の第１〜第４の実施の形態に係るパターン状の配線の製造方法において、ガラス基板の表面に第１の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のガラス基板の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたガラス基板の断面構造をそれぞれ表す。
【図４】（ａ）は、本発明の第１〜第４の実施の形態に係る配線の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ｂ）は、変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図である。
【図５】本発明の第１〜第４の実施の形態に係る配線の製造方法において、銀微粒子の表面に第２の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前の銀微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された銀微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【符号の説明】
【０１５４】
１、２：単層配線、３、４：積層配線、１１：ガラス基板、１２：水酸基、１３：第１の膜化合物の単分子膜、１４：エポキシ化ガラス基板、１５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、２１：マスク、２２：パターン部分、２３：除去されたアルコキシシラン化合物、２４：パターン部分、３１：銀微粒子、３２：水酸基、３３：第２の膜化合物の単分子膜、３４：エポキシ化銀微粒子、３５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、４１：銀微粒子、４３：第３の膜化合物の単分子膜、４５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、４６：第３の膜化合物の単分子膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスやプリント基板に用いる導体配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器に関する。さらに詳しくは、表面に反応性を有する官能基を導入した導電性微粒子とを有する配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子デバイスやプリント基板に用いる導体配線及びその製造方法として、スクリーン印刷、フォトリソグラフィー等の方法により所定のパターン状に選択的に塗布された導電性ペーストを加熱処理して配線を形成する方法（例えば、特許文献１及び２参照）や、フォトリソグラフィー法とエッチング法を用いて、基板表面の導電体層を選択的に除去して配線を形成する方法（例えば、特許文献３参照）等が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３５６０５３号公報
【特許文献２】特開２００４−２７３２０５号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、印刷やフォトリソグラフィーでは、電子デバイスやプリント基板の微細化高密度化に十分対応しきれなくなってきている。
【０００５】
一方、電子デバイスやプリント基板上の配線を微細化するためには、基板上で導電性微粒子を均一な膜厚の被膜にする必要がある。しかしながら、任意の基体表面に導電性微粒子を１層のみ配列させた、粒子サイズレベルで均一な厚さを有する導電性微粒子よりなる導電性微粒子層、及び複数層累積した導電性微粒子層並びにそれらの製造方法は未だ開発及び提供されておらず、使用する導電性微粒子のサイズや積層数によって導電性微粒子膜の膜厚を制御するという技術的思想もこれまで提案されていない。
【０００６】
本発明は、導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、任意の基材表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層よりなる配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的に沿う第１の発明に係る配線は、基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線であって、前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されている。
【０００８】
第１の発明に係る配線において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【０００９】
第１の発明に係る配線において、前記第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の一方又は双方が単分子膜であることが好ましい。
【００１０】
第１の発明に係る配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１１】
第２の発明に係る配線は、基材の表面のパターン部分にのみ、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したパターン状の配線であって、前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されており、前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されている。
【００１２】
第２の発明に係る配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、並びに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることが好ましい。
【００１３】
第２の発明に係る配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることが好ましい。
【００１４】
第２の発明に係る配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１５】
第３の発明に係る配線の製造方法は、基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が結合固定されたパターン状の配線を製造する方法であって、分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基材の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基材の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基材の表面を被覆する工程Ａと、前記パターン部分を覆うマスクを通して、前記被覆された基材の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記パターン形成処理を行った基材及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記基材の表面に結合固定し、次いで、前記基材の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄとを有する。
【００１６】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われてもよい。
【００１７】
第３の発明に係る配線の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われてもよい。
【００１８】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記パターン形成処理を行った基材の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された基材と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定してもよい。
【００１９】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記パターン形成処理を行った基材とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定してもよい。
【００２０】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることが好ましい。
【００２１】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基材及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２２】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有していてもよい。
【００２３】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物でであることが好ましい。
【００２４】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記導電性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることが好ましい。
【００２５】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有していてもよい。
【００２６】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含んでいてもよい。
この場合、更に助触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を含んでいてもよい。
【００２７】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物、或いは前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含んでいてもよい。
【００２８】
第３の発明に係る配線の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００２９】
第４の発明に係る電子部品は、第１及び第２の発明に係る配線を用いている。
【００３０】
第５の発明に係る電子機器は、第１及び第２の発明に係る配線を用いている。
【発明の効果】
【００３１】
請求項１〜８に記載の配線及び請求項９〜２５に記載の配線の製造方法においては、導電性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基材上の任意のパターン上に任意の膜厚で形成可能であり、膜厚が均一でかつ品質にばらつきの少ないパターン状の配線を低コストで製造できる。
また、基材の表面に配列した導電性微粒子層は基材の表面に結合固定されているので、高い耐剥離強度を有すると共に、カップリング反応により形成された結合を介して配線を１層ずつ積層固定するので、パターン状の配線の膜厚を導電性微粒子のサイズのレベルで容易に制御できる。
さらに、導電性微粒子層の積層固定にバインダーを用いないため、導体密度が高く電気伝導性の高い配線を形成できる。
【００３２】
請求項２に記載の配線においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００３３】
請求項３に記載の配線においては、第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の一方又は双方が単分子膜であるので、基材及び導電性微粒子のいずれか一方又は双方の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３４】
請求項４に記載の配線においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３５】
請求項５に記載の配線においては、基材側から空気との界面側に向かって導電性微粒子層が順次積層した導電性微粒子層について、積層された導電性微粒子層の数、各導電性微粒子層を構成する導電性微粒子の材質、粒径等を任意に定めることができるため、導電性微粒子層の膜厚、電気伝導度等を容易に制御できる。また、各導電性微粒子層の材質に応じて、最適な膜化合物及びカップリング剤を選択できる。
【００３６】
請求項６に記載の配線においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物及び第１〜第ｎのカップリング剤それぞれが同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項７に記載の配線においては、第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物の形成する被膜が全て単分子膜であるので、基材及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００３７】
請求項８に記載の配線においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００３８】
請求項１０に記載の配線の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いてパターン部分以外の第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００３９】
請求項１１に記載の配線の製造方法においては、工程Ｂにおけるパターン形成処理は、エネルギー線の照射によりパターン部分以外の第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われるので、微細なパターンを精度よく形成できる。
【００４０】
請求項１２に記載の配線の製造方法においては、工程Ｄでは、まず、パターン形成処理を行った基材の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分の表面のみに選択的に第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された基材と第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分の表面のみに選択的に導電性微粒子を結合固定するので、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子に対して前処理を行うことなく、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により、第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を表面に結合固定することができる。
【００４１】
請求項１３に記載の配線の製造方法においては、工程Ｄでは、まず、第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に第１のカップリング剤を接触させ、第２の官能基と第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とパターン形成処理を行った基材とを接触させ、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分の表面のみに選択的に導電性微粒子を結合固定するので、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基材に対して前処理を行うことなく、第１の官能基と第１のカップリング反応基とのカップリング反応により、第１の膜化合物の形成する被膜で覆われた基材の表面に第２の膜化合物の形成する被膜で覆われた導電性微粒子を結合固定することができる。
【００４２】
請求項１４に記載の配線の製造方法においては、第１の膜化合物と第２の膜化合物とが同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００４３】
請求項１５に記載の配線の製造方法においては、第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜が単分子膜であるので、基材及び導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４４】
請求項１６に記載の配線の製造方法においては、３種類の膜化合物、及び２種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の配線を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００４５】
請求項１７に記載の配線の製造方法においては、第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であるので、製造コストを更に低減できる。
請求項１８に記載の配線の製造方法においては、第３の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であるので、導電性微粒子の本来の物性や機能を損なうことがない。
【００４６】
請求項１９に記載の配線の製造方法においては、３種類の膜化合物、及び１種類のカップリング剤を用いて任意の膜厚の配線を製造できるので、製造コストを低減できる。
【００４７】
請求項２０及び２２に記載の配線の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むので、膜化合物の被膜の形成に要する時間を短縮し、配線の製造をより高効率に行うことができる。
【００４８】
請求項２１、２３及び２４に記載の配線の製造方法においては、膜化合物を含む溶液が、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からからなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含むので、膜化合物の被膜の形成に要する時間を短縮し、配線の製造をより高効率に行うことができる。特に、これらの化合物と上述の縮合触媒の両者を共に含む場合には、調製時間を更に短縮できる。
【００４９】
請求項２５に記載の配線の製造方法においては、カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００５０】
請求項２６記載の配線の電子部品及び請求項２７記載の電子機器においては、高い電気伝導性を有し、耐剥離強度が高い請求項１〜８記載の配線を用いているので、内部損失やそれに伴う発熱が少なく、信頼性及び耐久性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図１（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図２（ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図２（ｂ）は本発明の第４の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図、図３は、本発明の第１〜第４の実施の形態に係るパターン状の配線の製造方法において、ガラス基板の表面に第１の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図３（ａ）は反応前のガラス基板の断面構造、図３（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたガラス基板の断面構造をそれぞれ表し、図４（ａ）は同配線の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図４（ｂ）は変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図、図５は本発明の第１〜第４の実施の形態に係る配線の製造方法において、銀微粒子の表面に第２の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、図５（ａ）は反応前の銀微粒子の断面構造、図５（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された銀微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【００５２】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る単層配線１について説明する。
図１（ａ）に示すように、単層配線１は、ガラス基板１１（基材の一例）の表面のパターン部分にのみ銀微粒子３１（導電性微粒子の一例）が配列した銀微粒子層（導電性微粒子層の一例）が１層結合固定されたパターン状の配線である。
ガラス基板１１の表面のパターン部分には、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有し、他端でパターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の単分子膜１３（被膜の一例）が形成され、更にその表面には、エポキシ基とカップリング反応して結合を形成するアミノ基及びイミノ基（第１及び第２のカップリング反応基の一例）を分子内に１つずつ有する２−メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）のアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜１５（被膜の一例）が形成されている。
銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基（第２の官能基の一例）を有し、銀微粒子３１の表面に結合した第２の膜化合物の単分子膜３３（被膜の一例）が形成されている。
ガラス基板１１と銀微粒子３１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【００５３】
単層配線１の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図１（ａ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射（エネルギー線の照射）するパターン形成処理を行い、パターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、パターン形成処理を行ったガラス基板１１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、パターン部分２２の表面にのみ選択的に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成させ、次いで、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されたガラス基板１１と第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有する。
【００５４】
以下、工程Ａ〜Ｄについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物をガラス基板１１に接触させ、第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する（図３参照）。
なお、ガラス基板１１の大きさには特に制限はない。
【００５５】
エポキシ基を有する膜化合物としては、ガラス基板１１の表面に吸着又は結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。
【００５６】
【化１】
【００５７】
上式において、Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００５８】
(１) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(３) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)１１Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(４) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)２Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(５) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)４Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(６) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)６Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(７) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(８) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(９) （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)１１Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１０) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)２Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１１) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)４Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１２) （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)６Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
【００５９】
ここで、（ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２−基は、化２で表される官能基（グリシジル基）を表し、（ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。
【００６０】
【化２】
【００６１】
【化３】
【００６２】
ガラス基板１１の表面上への第１の膜化合物の単分子膜１３の形成は、エポキシ基及びアルコキシシリル基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とガラス基板１１の表面の水酸基１２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液をガラス基板１１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
【００６３】
縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル及びチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。
【００６４】
カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。
【００６５】
カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチルチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
【００６６】
チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
【００６７】
アルコキシシリル基とガラス基板１１の表面の水酸基１２とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合はガラス基板１１の表面又は隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本はガラス基板１１の表面のケイ素原子と結合している。
【００６８】
【化４】
【００６９】
アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、ガラス基板１１の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、ガラス基板１１をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。
【００７０】
上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。
【００７１】
あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間を更に短縮できる。
【００７２】
例えば、縮合触媒として、カルボン酸金属塩キレートであるジブチルスズビスアセチルアセテートの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化銀微粒子２１の製造を行うと、エポキシ化銀微粒子２１の品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。
【００７３】
更に、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にして第１の膜化合物の単分子膜１３の形成を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。
【００７４】
なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。
【００７５】
また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。
【００７６】
反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、及びこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤又は蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。
【００７７】
具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
更に、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
【００７８】
また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。更に、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。
【００７９】
反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。
【００８０】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物及び縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３で表面が覆われたエポキシ化ガラス基板１４が得られる。このようにして製造されるエポキシ化ガラス基板１４の断面構造の模式図を図３（ｂ）に示す。
【００８１】
洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００８２】
反応後、ガラス基板１１の表面を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化ガラス基板１４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、ガラス基板１１の表面に必ずしも全てが共有結合により固定されているわけではないが、エポキシ基を含んでいるため、第１の膜化合物の単分子膜１３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｂ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００８３】
なお、本実施の形態においては、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。なお、イミノ基やアミノ基と反応するカップリング剤としては、両端にグリシジル基を有するものが使用できる。
【００８４】
【化５】
【００８５】
上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００８６】
(２１) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２２) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２３) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２４) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)９Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２５) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２６) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２７) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２８) Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)９Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
【００８７】
ただし、この場合には、反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独で又は２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類及びそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、及び助触媒の濃度、反応条件並びに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００８８】
本実施の形態においては、ガラス基材を基材として用いたが、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有するガラス以外の材料よりなる基材についても、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基材の具体例としては、セラミックス、ほうろう、ＩＴＯ（インジウムスズオキシド）等の透明電極、アルミニウム板、銅板、アルミニウム板、シリコンウェーハ等の金属板等が挙げられる。
また、基材材料として合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
【００８９】
本実施の形態においては、第１の膜化合物として基材の表面の活性水素基と縮合反応するシラン化合物を用いたが、例えば、金メッキ層を有する基材の場合には、膜化合物として金原子と強い結合を形成するチオール誘導体又はトリアジンチオール誘導体を用いることができる。
（以上工程Ａ）
【００９０】
工程Ｂでは、パターン部分２２を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されたガラス基板１１の表面を露光して、レーザーアブレーション法によりパターン部分２２にのみ選択的に第１の膜化合物の単分子膜１３を残した、パターン形成処理を行う（図４参照）。
露光に用いるマスクとしては、半導体素子の製造等におけるフォトリソグラフィーに用いられるレチクル用材料等の、光を透過せず、少なくとも露光の間は照射光による損傷を受けない任意の材質のものを用いることができる。また、露光は等倍露光でもよく、微細なパターンを形成する場合等には縮小投影露光を用いてもよい。
【００９１】
光源としては、ＸｅＦ（３５３ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザー等のレーザー光が好ましく用いられる。図４（ａ）に示すように、レーザー光の照射により、照射した部位の温度が上昇し、露光した部分を被覆していたアルコキシシラン化合物が選択的に除去され（図４中の２３）る。その結果、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３が残る（図４（ａ）参照）。
照射した部分以外への入熱を抑制するため、パルスレーザーを用いるパルスレーザーアブレーション法により、エポキシ化された膜化合物を除去することが好ましい。
レーザー光の強度は、０．１〜０．３Ｊ・ｃｍ−２であることが好ましい。レーザー光の強度が０．１Ｊ・ｃｍ−２未満である場合には、十分にエポキシ基を有する膜化合物を除去することができず、０．３Ｊ・ｃｍ−２を上回る場合には、エポキシ化ガラス基板１４のガラス部材が除去されるため、いずれも好ましくない。
また、レーザー光の強度が上記範囲内である場合、パルス幅としては５〜５０ｎｓが好ましい。
【００９２】
上記の実施の形態においては、パルスレーザーアブレーション法により第１の膜化合物を除去したが、電子線、Ｘ線等の他のエネルギー照射を用いてもよい。また、マスクを通して露光する代わりに、直接第１の膜化合物の単分子膜１３に電子ビーム等で選択的にパターンを描画することにより、パターン以外の部分の第１の膜化合物を除去してもよい。
【００９３】
変形例に係るパターン形成処理を図４（ｂ）に示す。このパターン形成処理においては、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光重合開始剤を塗布した後、パターン部分２４を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射を行い、露光した部分のエポキシ基を開環重合させ、パターン部分２４にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３を残す。
用いることができる光重合開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩等のカチオン性光重合開始剤が挙げられる。光源としては、高圧水銀灯、キセノンランプ等が挙げられる。
（以上工程Ｂ）
【００９４】
工程Ｃでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のアルコキシシラン化合物（エポキシ基を有する第２の膜化合物）を銀微粒子３１と接触させ、その表面にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する。
【００９５】
用いることのできる銀微粒子３１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜０．１ｍｍの範囲内であることが好ましい。銀微粒子３１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が０．１ｍｍを上回る場合には、銀微粒子３１の表面積に対する質量の割合が大きくなるため、架橋反応によりその質量を支持できなくなる。
【００９６】
第２の膜化合物の単分子膜３３の形成は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中に銀微粒子３１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。
【００９７】
工程Ｃにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類及びそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、及び助触媒の濃度、反応条件並びに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。
【００９８】
アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２とが縮合反応（脱アルコール反応）を起こし、前記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合は銀微粒子３１の表面又は隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本は銀微粒子３１の表面のケイ素原子と結合している。
なお、ハロシラン化合物を用いた場合と異なり、縮合反応の際に生成するハロゲン化水素により銀微粒子３１の表面が腐食を受けることはない。
【００９９】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なアルコキシシラン化合物及び縮合触媒を除去すると、図５（ｂ）に示すように、エポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１、すなわちエポキシ化銀微粒子３４が得られる。
【０１００】
洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、銀微粒子３１の表面を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化銀微粒子３４の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、銀微粒子３１の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、第２の膜化合物の単分子膜３３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｄ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【０１０１】
なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｄにおいて用いるカップリング剤のカップリング反応基と反応して結合を形成する官能基を有するものでなければならない。
【０１０２】
なお、本実施の形態では、導電性微粒子として銀微粒子を用いたが、他の導電性微粒子を用いることもできる。他の導電性微粒子としては、銅、ニッケル、或いは、銀メッキした貴金属や銅、ニッケルの金属微粒子、更には、導電性の金属酸化物微粒子であるＩＴＯやＳｎＯ２が挙げられる。
【０１０３】
銀微粒子以外の導電性微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、銀の場合と同様に、第２の膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
また、微粒子が、表面に活性水素基を有しない金（Ａｕ）や表面にＡｕメッキが施された金属微粒子等の場合には、第２の結合基として、−ＳＨ基やトリアジンチオール基を有する膜化合物（例えば、一般式Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎ−ＳＨ（ｎは整数）で表される化合物（ω−アミノアルカンチオール）で、具体例としては、３−アミノプロパンチオール（前記一般式においてｎ＝３である化合物）等が挙げられる）を用いれば、硫黄原子を介して結合したアミノ基を含む膜化合物の単分子膜が形成された金微粒子を製造することができる。勿論、アミノ基の代わりにエポキシ基を有するチオールやトリアジン誘導体を用いることもできる。
【０１０４】
なお、粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍの銀ナノ粒子を用いる場合には、体積に対する表面積の割合が増大することにより、例えば、２３０℃程度の低温で加熱することにより焼結が進行し、より緻密で導電性に優れた配線を形成できる。このような銀ナノ粒子を導電性微粒子として用いる場合には、焼結温度以下で銀ナノ粒子の表面から脱離するような膜化合物を用いることが好ましい。
【０１０５】
本実施の形態においては、第１及び第２の膜化合物として、共にエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、両者は同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。更に、第１及び第２の膜化合物が異なる官能基（例えば、一方がエポキシ基で他方がイソシアネート基）を有していてもよい。
（以上工程Ｃ）
【０１０６】
工程Ｄでは、まず、第１の膜化合物の単分子膜１３が表面に形成されたガラス基板１１、すなわちエポキシ化ガラス基板１４の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、その表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成し、次いで、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１、すなわちエポキシ化銀微粒子３４を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、ガラス基板１１の表面に銀微粒子３１を結合固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する。
【０１０７】
２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基及びイミノ基をそれぞれ１−位及び３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。
【０１０８】
【化６】
【０１０９】
２−メチルイミダゾールの単分子膜１５の形成は、２−メチルイミダゾールと溶媒とを混合した反応液をガラス基板１１の表面に形成された第１の膜化合物の単分子膜１３の上に塗布し、加熱して反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
反応液の製造には、２−メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、及び毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
２−メチルイミダゾールの添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度及び反応時間は、用いる基材及び導電性微粒子の種類、形成する配線の膜厚等に応じて適宜調節される。
【０１１０】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分な２−メチルイミダゾールを除去すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基との反応により形成された結合を介して２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成される。
このようにして得られた、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が表面に形成されたガラス基板１１の表面に、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の分散液を塗布後加熱し、エポキシ基と２−メチルイミダゾールに由来するイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して銀微粒子３１をガラス基板１１の表面に結合固定し、単層の銀微粒子層を有する単層配線１を製造する。
加熱温度は、１００〜２００℃が好ましい。加熱温度が１００℃未満だと、カップリング反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、エポキシ基を有する単分子膜１３、３３及び２−メチルイミダゾールの単分子膜１５の分解反応が起こり、均一な単層配線１が得られない。
【０１１１】
反応後、水やアルコール等の溶媒で洗浄することにより、ガラス基板１１の表面に結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する。
【０１１２】
本実施の形態においては、カップリング剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。
【０１１３】
【化７】
【０１１４】
化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１） ２−メチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３２） ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１１Ｈ２３、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３３） ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１５Ｈ３１、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３４） ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３５） ２−フェニルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３６） ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３７） ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｍｅ、Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
（３８） ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、及びＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、及びフェニル基を表す。
【０１１５】
イミダゾール誘導体以外では、メルカプトトリアゾール、メラミン、イソシアヌル酸、トリアジン、バルビツール酸、パラバン酸、ウラシル、チミン等の２個以上の窒素を含む複素環化合物を用いることができる。更に、イミダゾール−銅錯体等のイミダゾール−金属錯体を用いてもよい。
【０１１６】
また、エポキシ樹脂のカップリング剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。
【０１１７】
なお、本実施の形態においては官能基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、官能基としてアミノ基又はイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、カップリング反応基として２若しくは３以上のエポキシ基又は２若しくは３以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化銀微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、反応液の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、イミノ基やアミノ基を有する膜化合物を用いる場合、カップリング剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２又は３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
（以上工程Ｄ）
【０１１８】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る積層配線３について説明する。
図１（ｂ）に示すように、積層配線３において、銀微粒子層はガラス基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１１９】
ガラス基板１１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面は、分子の一端にエポキシ基（第３の官能基の一例）を有する第３の膜化合物の単分子膜４３（被膜の一例）が形成され、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）のアミノ基（第３のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜４５（被膜の一例）が更に形成されている。
【０１２０】
ガラス基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、及び第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図１（ｂ）に示すように、２-メチルイミダゾールの単分子膜４５の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１（エポキシ化銀微粒子３４）の側面にも結合することができるが、図１（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。
【０１２１】
積層配線３の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図１（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射するパターン形成処理を行いパターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、図３（ｂ）に示すように、まず、パターン形成処理を行ったガラス基板１１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、パターン部分２２の表面にのみ選択的に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成させ、次いで、２−メチルイミダゾールの単分子膜１５が形成されたガラス基板１１と第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。
【０１２２】
更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４３を形成し、次いで、第３の膜化合物の単分子膜４３の表面に、２−メチルイミダゾール（第２のカップリング剤の一例）を接触させ、エポキシ基（第３の官能基の一例）とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する単分子膜４５（被膜の一例）被膜を更に形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆとを有する。
【０１２３】
以下、工程Ａ〜Ｆについてより詳細に説明する。
工程Ａ〜Ｄは、単層配線１の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０１２４】
工程Ｅでは、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４３を形成し、次いで、第３の膜化合物の単分子膜４３の表面に、２−メチルイミダゾールを接触させ、エポキシ基とアミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２−メチルイミダゾールの形成する単分子膜４５を更に形成する。
用いられる２−メチルイミダゾール溶液の濃度、反応条件等は、溶液を塗布するのではなく、銀微粒子４１を溶液中に分散させて加熱することを除くと、工程Ｄにおけるガラス基板１１の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜１５を形成する場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。他に用いることのできるカップリング剤についても、工程Ｄと同様である。
【０１２５】
本実施の形態においては、第３の膜化合物として、共にエポキシ基を有する膜化合物を用いているが、第１及び第２の膜化合物の一方又は双方と同一の化合物であってもよく、また異なる化合物であってもよい。更に、第１及び第２の膜化合物と異なる官能基（例えば、アミノ基）を有していてもよい。
（以上工程Ｅ）
【０１２６】
工程Ｆでは、銀微粒子層の表層に位置する、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１を第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する。
工程Ｆにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
（以上工程Ｆ）
【０１２７】
本実施の形態においては、銀微粒子層を２層有する配線の調製について説明したが、ｎ≧３の場合には、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、第２の膜化合物の単分子膜３３が表面に形成された銀微粒子３１を２−メチルイミダゾールの単分子膜４５が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。なお、工程Ｇにおける反応条件については、工程Ｅと同様であるので、詳しい説明を省略する。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。
【０１２８】
なお、本実施の形態においては、基材及び銀微粒子の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として３種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、基材及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、第１及び第２のカップリング剤として共に２−メチルイミダゾールを用いているが、それぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。或いは、基材と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。
【０１２９】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る単層配線２について説明する。
図２（ａ）に示すように、単層配線２は、ガラス基板１１の表面のパターン部分２２にのみ銀微粒子３１が配列した銀微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線である。
ガラス基板１１の表面のパターン部分２２には、分子の一端にエポキシ基を有し、他端でパターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されている。
銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有し、銀微粒子３１の表面に結合した第２の膜化合物の単分子膜３３が形成され、更にその表面には、エポキシ基とカップリング反応して結合を形成するアミノ基及びイミノ基とを分子内に１つずつ有する２−メチルイミダゾールのアミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾール（第１のカップリング剤の一例）の単分子膜３５が形成されている。
ガラス基板１１と銀微粒子３１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
【０１３０】
単層配線２の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図２（ａ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第１の膜化合物の一例）を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第１の結合基の一例）とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して、第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射（エネルギー線の照射）するパターン形成処理を行い、パターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物（第２の膜化合物の一例）を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第２の結合基の一例）と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１に、２−メチルイミダゾールを接触させて、エポキシ基とアミノ基とをカップリング反応により形成された結合を介して、第２の膜化合物の単分子膜３３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５を形成させ、次いで、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されたガラス基板１１と２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで、固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有する。
【０１３１】
次に、本発明の第４の実施の形態に係る積層配線４について説明する。
図２（ｂ）に示すように、積層配線４においては、銀微粒子層は、ガラス基板１１側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数で、本実施の形態においてはｎ＝２）まで順次積層している。
【０１３２】
ガラス基板１１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されている。
第１層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子３１の表面には、分子の一端にエポキシ基を有する第２の膜化合物の単分子膜３３が形成され、更にその表面には、２−メチルイミダゾールのアミノ基とエポキシ基とのカップリング反応により形成された結合を介して固定された２-メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成されている。
第２層目の銀微粒子層を形成している銀微粒子４１の表面は、分子の一端にエポキシ基（第１の官能基の一例）を有し他端に第３の結合基を有する第３の膜化合物の単分子膜４６（被膜の一例）が形成されている。
【０１３３】
ガラス基板１１と第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１、及び第１層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子３１と第２層目の銀微粒子層を形成する銀微粒子４１との間は、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基又はイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに結合固定されている。
なお、図２（ｂ）に示すように、第３の膜化合物の単分子膜４６の被膜が表面に形成された銀微粒子４１は、第１層目の銀微粒子層を形成している、２-メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１の側面にも結合することができるが、図２（ｂ）では、説明のために、実際のパターンの大きさに対して導電性微粒子の大きさを誇張して描写しているので、実際にはそれによりパターン形状が損なわれることは殆どない。
【０１３４】
積層配線４の製造方法は、図３（ａ）、（ｂ）、図４（ａ）、図５（ａ）、（ｂ）、及び図２（ｂ）に示すように、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液をガラス基板１１の表面に接触させ、アルコキシシリル基とガラス基板１１の表面の水酸基１２との間で結合を形成させ、ガラス基板１１の表面に第１の膜化合物の単分子膜１３を形成する工程Ａ（図３参照）と、パターン部分を覆うマスク２１を通して第１の膜化合物の単分子膜１３の表面に光照射するパターン形成処理を行い、パターン部分２２にのみエポキシ基を残したパターン形成処理を行う工程Ｂ（図４参照）と、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を銀微粒子３１の表面に接触させ、アルコキシシリル基と銀微粒子３１の表面の水酸基３２との間で結合を形成させ、銀微粒子３１の表面に第２の膜化合物の単分子膜３３を形成する工程Ｃ（図５参照）と、まず、表面に第２の膜化合物の単分子膜３３が形成された銀微粒子３１に、２−メチルイミダゾールを接触させてエポキシ基とアミノ基（第２のカップリング反応基の一例）とをカップリング反応により形成された結合を介して、第２の膜化合物の単分子膜３３の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５を形成させ、次いで、パターン部分２２にのみ第１の膜化合物の単分子膜１３が形成されたガラス基板１１と２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が形成された銀微粒子３１とを接触させ、エポキシ基とイミノ基（第１のカップリング反応基の一例）とのカップリング反応により形成された結合を介してパターン部分２２の表面にのみ選択的に銀微粒子３１を固定し、次いで固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｄとを有している。
【０１３５】
更に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を含む溶液を銀微粒子４１の表面に接触させ、アルコキシシリル基（第３の結合基の一例）と銀微粒子４１の表面の水酸基との間で結合を形成させ、その表面に第３の膜化合物の単分子膜４６を形成する工程Ｅと、銀微粒子層の表層に位置する、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の表面に、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により形成された結合を介して、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１を２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった銀微粒子４１を除去する工程Ｆとを有する。
【０１３６】
工程Ａ〜Ｆについては、第１の実施の形態に係る単層配線１及び第２の実施の形態に係る積層配線３の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。
なお、積層配線４の製造方法においても、ｎ≧３の場合、銀微粒子層の表層に位置する、第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を接触させ、エポキシ基とイミノ基とのカップリング反応により結合を形成させ、２−メチルイミダゾールの単分子膜３５が表面に形成された銀微粒子３１を第３の膜化合物の単分子膜４６が表面に形成された銀微粒子４１の銀微粒子層の上に結合固定し、次いで結合固定されなかった銀微粒子３１を除去する工程Ｇを更に有している。
更に、ｎ≧４の場合には、ｎ層の銀微粒子層が形成されるまで工程Ｆ及び工程Ｇを交互に繰り返し行う工程Ｈを更に有する。なお、工程Ｈは、工程Ｆ及び工程Ｇのいずれで終えてもよい。例えば、ｎ＝４の場合、工程Ｈにおいて、工程Ｆのみを１度だけ行う。ｎ＝５の場合には、工程Ｆの後に工程Ｇを行い、ｎ＝６の場合には、工程Ｇを行った後に更にもう１度工程Ｆを行う。
【０１３７】
なお、本実施の形態においては、基材及び銀微粒子の表面を被覆する被膜を形成する膜化合物として３種類の膜化合物を用いているが、これらは全て同一の化合物であってもよい。或いは、基材及び銀微粒子層の各層を形成している銀微粒子の表面は、それぞれ異なる膜化合物の被膜で被覆されていてもよい。
また、本実施の形態において、１種類のカップリング剤（２−メチルイミダゾール）を用いているが、基材と第１番目の銀微粒子層との間、及び各銀微粒子層の間毎にそれぞれ異なるカップリング剤を用いてもよい。
【０１３８】
このようにして得られた単層配線１、３及び積層配線２、４は、０．１〜０．２５×１０６Ｓ・ｃｍ−１程度の電気伝導度を有している。これは、バルク銀の電気伝導度（約０．６×１０６Ｓ・ｃｍ−１）にほぼ匹敵する値である。単層配線１、３を形成しているエポキシ化銀微粒子３４は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３でその表面が被覆されているが、その厚さは高々数ｎｍであり、導電性には殆ど影響を与えていないと考えられる。
同様に、積層配線２、４を形成しているエポキシ化銀微粒子は、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３、４３でその表面が被覆されているが、その厚さは高々数ｎｍであり、導電性には殆ど影響を与えていないと考えられる。
【０１３９】
単層配線１、３及び積層配線２、４が用いられた電子部品の一例としては、半導体集積回路、プリント基板、多層基板におけるビア導体、タッチパネルにおける透明電極等が挙げられる。電子機器としては、これらの電子部品が用いられた任意の電子機器が挙げられる。
【実施例】
【０１４０】
次に、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。
【０１４１】
実施例１：ガラス基板表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
ガラス基板を用意し、洗浄後よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１４２】
【化８】
【０１４３】
このようにして得られた反応液をガラス基板に塗布し、空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、ガラス基板の表面にエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜（膜厚約１ｎｍ）を形成できた。
【０１４４】
実施例２：パターン形成処理
実施例１でガラス基板の表面に形成したエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜に、形成されるパターン部分を覆うマスクを介してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ、レーザー強度０．１５Ｊ／ｃｍ２）を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜を、レーザーアブレーションにより除去した。この方法によりパターン形成処理を行うことができた。
【０１４５】
あるいは、カチオン性光重合開始剤であるイルガキュア（登録商標）２５０（（４−メチルフェニル）［４−（２−メチルプロピル）フェニル］ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートと炭酸プロピレンとの３：１混合物、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）で希釈して、ガラス基板の表面に形成したエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の表面に塗布した後、形成されるパターン部分を覆うマスクを介して遠紫外線を照射し、パターン部分以外の部分を被覆するエポキシ基を有する単分子膜のエポキシ基を開環重合させることによっても、パターン形成処理を行うことができた。
【０１４６】
実施例３：銀微粒子表面へのエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜の形成
粒径が１００ｎｍ程度の銀微粒子を用意し、よく乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化８）０．９９重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【０１４７】
このようにして得られた反応液中に銀微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４５％）で２時間程度反応させた。
その後、トリクレンで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。この方法により、銀微粒子の表面にも水酸基が存在するので、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成できた。
【０１４８】
実施例４：ガラス基板表面への２−メチルイミダゾールの単分子膜の形成
実施例２でパターン形成処理を行ったガラス基板の表面に、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液を塗布し、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して２−メチルイミダゾールの単分子膜が形成された。エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１４９】
実施例５：銀微粒子表面への２−メチルイミダゾールの単分子膜の形成
実施例３で表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成した銀微粒子を、２−メチルイミダゾールのエタノール溶液中に分散して、１００℃で加熱すると、エポキシ基と２−メチルイミダゾールのアミノ基とが反応して、銀微粒子表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成できた。その後、エタノールで洗浄することにより余分な２−メチルイミダゾールを除去した。
【０１５０】
実施例６：単層配線及び積層配線の調製（１）
実施例４で、２−メチルイミダゾールの単分子膜を形成したガラス基板の表面に、実施例３で表面にエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜を形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去した。このようにして得られた単層配線の膜厚は、銀微粒子の平均粒径とほぼ同一の１００ｎｍであり、極めて均一性が高いため、干渉色は観測されなかった。
このようにして得られた、銀微粒子層が１層積層した単層配線の表面に、実施例５で表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を更に形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分な銀微粒子を除去すると、２層の銀微粒子層が積層した積層配線が得られた。
また、積層配線について電気伝導度を測定したところ、約０．２×１０６Ｓ・ｃｍ−１という測定値を得た。
【０１５１】
実施例７：単層配線及び積層配線の調製（２）
実施例２でパターン形成処理したエポキシ化ガラス基板の表面に、表面に２−メチルイミダゾールの単分子膜を更に形成した銀微粒子のエタノール分散液を塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な銀微粒子を除去した。
このようにして得られた、銀微粒子層が１層積層した単層配線の表面に、実施例３で表面に３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランの単分子膜を形成した銀微粒子のエタノール分散液を更に塗布し、１００℃で加熱した。反応後、水で洗浄し、余分な銀微粒子を除去すると、２層の銀微粒子層が積層した積層配線が得られた。このようにして得られた積層配線についても電気伝導度を測定したところ、約０．２×１０６Ｓ・ｃｍ−１という実施例６と同様の測定値を得た。
【０１５２】
なお、単層配線及び積層配線が形成された基板を用いた電子部品及び電子機器は、それぞれ公知の方法を用いて製造できるので、詳しい説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るパターン状の単層配線の断面構造を模式的に表した説明図、（ｂ）は本発明の第４の実施の形態に係るパターン状の積層配線の断面構造を模式的に表した説明図である。
【図３】本発明の第１〜第４の実施の形態に係るパターン状の配線の製造方法において、ガラス基板の表面に第１の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のガラス基板の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたガラス基板の断面構造をそれぞれ表す。
【図４】（ａ）は、本発明の第１〜第４の実施の形態に係る配線の製造方法におけるパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ｂ）は、変形例に係るパターン形成処理を行う工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図である。
【図５】本発明の第１〜第４の実施の形態に係る配線の製造方法において、銀微粒子の表面に第２の膜化合物の被膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前の銀微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成された銀微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【符号の説明】
【０１５４】
１、２：単層配線、３、４：積層配線、１１：ガラス基板、１２：水酸基、１３：第１の膜化合物の単分子膜、１４：エポキシ化ガラス基板、１５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、２１：マスク、２２：パターン部分、２３：除去されたアルコキシシラン化合物、２４：パターン部分、３１：銀微粒子、３２：水酸基、３３：第２の膜化合物の単分子膜、３４：エポキシ化銀微粒子、３５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、４１：銀微粒子、４３：第３の膜化合物の単分子膜、４５：２−メチルイミダゾールの単分子膜、４６：第３の膜化合物の単分子膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線であって、
前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されていることを特徴とする配線。
【請求項２】
請求項１記載の配線において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする配線。
【請求項３】
請求項１及び２のいずれか１項に記載の配線において、前記第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の一方又は双方が単分子膜であることを特徴とする配線。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする配線。
【請求項５】
基材の表面のパターン部分にのみ、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したパターン状の配線であって、
前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、
前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されており、
前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする配線。
【請求項６】
請求項５記載の配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、並びに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする配線。
【請求項７】
請求項５及び６のいずれか１項に記載の配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする配線。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする配線。
【請求項９】
基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が結合固定されたパターン状の配線を製造する方法であって、
分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基材の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基材の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基材の表面を被覆する工程Ａと、
前記パターン部分を覆うマスクを通して、前記被覆された基材の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、
分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、
前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記パターン形成処理を行った基材及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記基材の表面に結合固定し、次いで、前記基材の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄとを有することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の配線の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の配線の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記パターン形成処理を行った基材の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された基材と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記パターン形成処理を行った基材とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基材及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、
前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６及び１７のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記導電性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１９】
請求項１３記載の配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、
前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２０】
請求項９〜１５のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２１】
請求項９〜１５のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２２】
請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２３】
請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２４】
請求項２０及び２２のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、更に助触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２５】
請求項９〜２４のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２６】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の配線を用いた電子部品。
【請求項２７】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の配線を用いた電子機器。
【請求項１】
基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が１層結合固定されたパターン状の配線であって、
前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
前記導電性微粒子の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
前記導電性微粒子は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されていることを特徴とする配線。
【請求項２】
請求項１記載の配線において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする配線。
【請求項３】
請求項１及び２のいずれか１項に記載の配線において、前記第１及び第２の膜化合物の形成する被膜の一方又は双方が単分子膜であることを特徴とする配線。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする配線。
【請求項５】
基材の表面のパターン部分にのみ、導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が、前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層したパターン状の配線であって、
前記基材の表面の前記パターン部分には、分子の一端に第１の官能基を有し、他端で該パターン部分の表面に結合した第１の膜化合物の被膜が形成され、
前記導電性微粒子の第１層の表面には、分子の一端に第２の官能基を有し、他端で該導電性微粒子の表面に結合した第２の膜化合物の被膜が形成され、
第ｘ番目（ｘは整数で、２≦ｘ≦ｎ）の前記導電性微粒子層を形成している前記導電性微粒子の表面は、第（ｘ＋１）の官能基を有する第（ｘ＋１）の膜化合物の形成する被膜で被覆され、
前記導電性微粒子の第１層は、前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤と、前記第１及び前記第２の官能基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記基材上に固定されており、
前記導電性微粒子層の第（ｘ−１）層と第ｘ層は、第ｘの官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第ｘのカップリング反応基と、前記第（ｘ＋１）の官能基とカップリング反応して結合を形成する少なくとも１つの第（ｘ＋１）のカップリング反応基とを有する第ｘのカップリング剤と、前記第ｘの官能基と前記第ｘのカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合、及び前記第（ｘ＋１）の官能基と前記第（ｘ＋１）のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して互いに固定されていることを特徴とする配線。
【請求項６】
請求項５記載の配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物、並びに前記第１〜第ｎのカップリング剤がそれぞれ同一の化合物であることを特徴とする配線。
【請求項７】
請求項５及び６のいずれか１項に記載の配線において、前記第１〜第（ｎ＋１）の膜化合物が形成する被膜が全て単分子膜であることを特徴とする配線。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の配線において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする配線。
【請求項９】
基材の表面のパターン部分にのみ導電性微粒子が配列した導電性微粒子層が結合固定されたパターン状の配線を製造する方法であって、
分子の両端にそれぞれ第１の官能基及び第１の結合基を有する第１の膜化合物を含む溶液を前記基材の表面に接触させ、前記第１の結合基と前記基材の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で前記基材の表面を被覆する工程Ａと、
前記パターン部分を覆うマスクを通して、前記被覆された基材の表面にエネルギー線の照射を行い、前記パターン部分にのみ前記第１の膜化合物の形成する被膜を残すパターン形成処理を行う工程Ｂと、
分子の両端にそれぞれ第２の官能基及び第２の結合基を有する第２の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第２の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｃと、
前記第１の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第１のカップリング反応基と、前記第２の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第２のカップリング反応基とを有する第１のカップリング剤を、前記パターン形成処理を行った基材及び前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面にそれぞれ接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応、及び前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記導電性微粒子からなる１層の前記導電性微粒子層を前記基材の表面に結合固定し、次いで、前記基材の表面に固定されなかった前記導電性微粒子を除去する工程Ｄとを有することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の配線の製造方法において、前記工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、レーザーアブレーション法を用いて前記パターン部分以外の前記第１の膜化合物の被膜を除去することにより行われることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の配線の製造方法において、工程Ｂにおける前記パターン形成処理は、前記エネルギー線の照射により前記パターン部分以外の前記第１の官能基を他の官能基に変換することにより行われることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記パターン形成処理を行った基材の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された基材と前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ｄでは、まず、前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第１のカップリング剤を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介してその表面に該第１のカップリング剤の被膜を更に形成し、次いで、該第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記パターン形成処理を行った基材とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記パターン部分の表面のみに選択的に前記導電性微粒子を結合固定することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１の膜化合物と前記第２の膜化合物とが同一の化合物であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ａ及び前記工程Ｃにおいて、未反応の前記第１及び第２の膜化合物は洗浄除去され、前記基材及び前記導電性微粒子の表面上で前記第１及び第２の膜化合物がそれぞれ形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ第３の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の被膜を形成し、次いで、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に、前記第２のカップリング反応基と、前記第３の官能基とカップリング反応して結合を形成する１つ又は２つ以上の第３のカップリング反応基とを有する第２のカップリング剤を接触させ、前記第３の官能基と前記第３のカップリング反応基とのカップリング反応により形成させた結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の表面に前記第２のカップリング剤の被膜を更に形成する工程Ｅと、
前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第２のカップリング剤の被膜を有する導電性微粒子の表面に前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を接触させ、前記第２の官能基と前記第２のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第２のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第２の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６及び１７のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記工程Ｅにおいて、未反応の前記第３の膜化合物は洗浄除去され、前記導電性微粒子の表面上で前記第３の膜化合物が形成する被膜は、単分子膜であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１９】
請求項１３記載の配線の製造方法において、前記基材上には、前記導電性微粒子層が前記基材側から空気との界面側に向かって第１層から第ｎ層（ｎは２以上の整数）まで順次積層した配線の製造方法であって、
分子の両端にそれぞれ前記第１の官能基及び第３の結合基を有する第３の膜化合物を含む溶液を前記導電性微粒子の表面に接触させ、前記第３の結合基と前記導電性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記導電性微粒子の表面に前記第３の膜化合物の形成する被膜を形成する工程Ｅと、
前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子と前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して、前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｆとを有し、
ｎ≧３の場合、前記導電性微粒子層の表層に位置する前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子と前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子とを接触させ、前記第１の官能基と前記第１のカップリング反応基とのカップリング反応により形成された結合を介して前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を前記第３の膜化合物の被膜が形成された導電性微粒子の上に結合固定し、次いで、結合固定されなかった前記第１のカップリング剤の被膜が形成された導電性微粒子を除去する工程Ｇを更に有し、ｎ≧４の場合、ｎ層の前記導電性微粒子層が形成されるまで前記工程Ｆ及びＧを交互に繰り返し行う工程Ｈとを更に有することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２０】
請求項９〜１５のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２１】
請求項９〜１５のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１及び第２の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１及び第２の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２２】
請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２３】
請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記第１〜第３の膜化合物は全てアルコキシシラン化合物であり、前記第１〜第３の膜化合物を含む溶液は、更に縮合触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を更に含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２４】
請求項２０及び２２のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、更に助触媒として、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、及びアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１つ又は２つ以上の化合物を含むことを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２５】
請求項９〜２４のいずれか１項に記載の配線の製造方法において、前記カップリング反応により形成された結合が、アミノ基又はイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする配線の製造方法。
【請求項２６】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の配線を用いた電子部品。
【請求項２７】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の配線を用いた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−３８１３１（Ｐ２００９−３８１３１Ａ）
【公開日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１９９６１７（Ｐ２００７−１９９６１７）
【出願日】平成１９年７月３１日（２００７．７．３１）
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月３１日（２００７．７．３１）
【出願人】（３０４０２８３４６）国立大学法人 香川大学 (285)
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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