配線基板の製造方法、電子部品の製造方法、配線基板および電子部品
【課題】配線基板に形成する配線をより微細化できる技術を提供すること。
【解決手段】絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断する切断工程と、を含む配線基板の製造方法とした。
【解決手段】絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断する切断工程と、を含む配線基板の製造方法とした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子を実装する配線基板の製造方法、電子部品の製造方法、配線基板および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器の小型化、高集積化および薄型化等を図るため、配線基板に形成する配線の微細化が進められている。
例えば、特許文献１には、インクジェット法を用いて配線基板上に配線パターンを形成する際に、多孔膜部材に導電性材料を含む液滴を吐出することにより、吐出された液滴の広がりを防止して、配線をより微細化することが記載されている。
また、インクジェット法と同様に、配線の微細化を実現可能な技術として、セミアディティブ法が用いられることもあり、この場合、スパッタリング等によって金属薄膜を形成した後、銅をメッキアップすることによって配線パターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３４５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、インクジェット法あるいはセミアディティブ法等を用いた配線基板の製造方法においては、電子機器のさらなる小型化等を図る上で、形成される配線の微細化が十分なものではなかった。即ち、これらの方法では、形成される配線の幅として、現在のところ２０μｍを実現しつつある状況である。
そのため、電子機器のさらなる小型化等を図るためには、配線をより微細化することが望まれる。
本発明の課題は、配線基板に形成する配線をより微細化できる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明の一態様に係る配線基板の製造方法は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断する切断工程と、を含むことを特徴とする。
このような方法により、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を複数の層と交差する方向に沿って切断することにより、配線基板が得られる。
そのため、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【０００６】
また、本発明の他の態様に係る配線基板の製造方法は、
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする。
このような方法により、目的とする配線のパターンを、積層体を構成する層の形状によって容易に実現することができる。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係る配線基板の製造方法は、
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする。
このような方法により、ノズルの切り替えによって導電層と絶縁層とを形成することができるため、積層体を形成することが容易となる。
【０００８】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断し、前記積層体の一方によって構成され、前記切断によって形成される第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有する配線基板を形成する配線基板形成工程と、前記配線基板の前記第１の面と前記第２の面との少なくともいずれか一方に、電子素子を実装する実装工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
このような方法により、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を複数の層と交差する方向に沿って切断することにより、配線基板が得られ、この配線基板に電子素子を実装することで電子部品が構成される。
そのため、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の他の態様に係る電子部品の製造方法は、
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする。
このような方法により、目的とする配線のパターンを、積層体を構成する層の形状によって容易に実現することができる。
また、本発明の他の態様に係る電子部品の製造方法は、
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする。
このような方法により、ノズルの切り替えによって導電層と絶縁層とを形成することができるため、積層体を形成することが容易となる。
【００１１】
本発明の一態様に係る配線基板は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層した積層体が、複数の前記層と交差する面に沿って切断された構成を有し、切断面に前記絶縁層および前記導電層によって形成された配線パターンを有することを特徴とする。
このような構成により、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を複数の層と交差する方向に沿って切断することにより、配線基板が得られる。
そのため、積層体に積層された絶縁層および導電層の厚さに対応する配線の幅を有する配線基板となる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【００１２】
本発明の一態様に係る電子部品は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層が複数積層され、複数の前記層に交差する方向の外面に、前記絶縁層および前記導電層によって構成された配線パターンを有する配線基板と、前記配線基板の前記外面に搭載され、前記配線パターンの前記導電層に接続された電子素子と、を有することを特徴とする。
このような構成により、配線基板の絶縁層および導電層が積層した外面に現れた配線パターンの導電層に電子素子が実装された電子部品を構成できる。
したがって、電子部品を容易に製造することができると共に、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１工程において、板材１が液体吐出装置１００のステージＳに設置された状態を示す図である。
【図２】板材１の被吐出面Ｆに積層体Ｂ１が形成される工程を示す図である。
【図３】切断装置２００の固定台Ｒに積層体Ｂ１を設置した状態を示す図である。
【図４】積層体Ｂ１を切断する工程を示す図である。
【図５】配線基板Ｐ１にソルダーレジストを施す工程を示す図である。
【図６】配線基板Ｐ１に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る配線基板の製造方法によって製造した電子部品Ｃ１を備える電子機器の例を示す図である。
【図８】本発明における配線の微細化についての効果を示す図である。
【図９】本発明における配線の厚さについての効果を示す図である。
【図１０】第２実施形態の第２−１工程を示す図である。
【図１１】第２実施形態の第２−２，２−３工程を示す図である。
【図１２】第２実施形態の第２−４〜２−６工程を示す図である。
【図１３】第２実施形態の第２−７，２−８工程を示す図である。
【図１４】第２実施形態の第２−９，２−１０工程を示す図である。
【図１５】第２実施形態の第２−１１，２−１２工程を示す図である。
【図１６】第２実施形態の第２−１３工程を示す図である。
【図１７】第２実施形態の第２−１４工程を示す図である。
【図１８】第２実施形態の第２−１５工程を示す図である。
【図１９】第２実施形態の第２−１６，２−１７工程を示す図である。
【図２０】第２実施形態の第２−１８，２−１９工程を示す図である。
【図２１】第２実施形態の第２−２０，２−２１工程を示す図である。
【図２２】第２実施形態の第２−２２〜２−２４工程を示す図である。
【図２３】第２実施形態の第２−２５〜２−２６工程を示す図である。
【図２４】積層体Ｂ２を切断する工程を示す図である。
【図２５】配線基板Ｐ２に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
【図２６】第２実施形態の配線基板の製造方法を用いて製造した配線基板の他の例を示す図である。
【図２７】積層体から切り出す部分の幅を変化させた場合の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図を参照して本発明に係る配線基板の製造方法、電子部品の製造方法、配線基板および配線構造の積層体の実施の形態を説明する。
（第１実施形態）
まず、本発明に係る第１実施形態の配線基板の製造方法について説明する。
本実施形態においては、平行な６本の配線を配線基板に形成する場合を例として説明する。なお、以下、製造した配線基板を用いて電子部品を製造する工程（電子部品の製造方法）まで併せて説明する。
【００１５】
（配線基板の製造方法）
図１〜６は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の工程を示す図である。
初めに、インクジェット法によって配線を形成可能な液体吐出装置１００のステージＳに基材となる板材１を設置する（第１工程）。
図１は、第１工程において、板材１が液体吐出装置１００のステージＳに設置された状態を示す図である。
板材１としてガラス基板等を用いることができ、板材１は、液体吐出装置１００から吐出した液体を積層していく平坦な面（以下、適宜「被吐出面Ｆ」と称する。）を有している。
【００１６】
また、液体吐出装置１００は、揮発性の溶媒に導電性の微粒子を分散した導電性材料を吐出するノズルＮ１と、紫外線硬化型の絶縁性材料を吐出するノズルＮ２とを有している。そして、液体吐出装置１００の制御部１１０は、これらノズルＮ１およびノズルＮ２における材料の吐出を制御する。
導電性材料における導電性の微粒子として、銅、金、銀、アルミ等の金属、あるいは、カーボンナノチューブ等の有機導電性物質を用いることができる。
また、絶縁性材料としては、紫外線硬化型の樹脂等を用いることができ、例えば紫外線硬化型のソルダーレジストで用いられている材料を用いても良い。若しくは、絶縁性材料として、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なお、絶縁性材料として、板材１との接着性が低い材料を選択する。
【００１７】
次に、板材１の被吐出面ＦにノズルＮ１およびノズルＮ２から交互に導電性材料および絶縁性材料を吐出し、導電層および絶縁層からなる積層体Ｂ１を形成する（第２工程）。
図２は、板材１の被吐出面Ｆに積層体Ｂ１が形成される工程を示す図である。
第２工程においては、まず、板材１の被吐出面Ｆの全面に一様な厚さ（例えば２〜３μｍ）となるようにノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し、第１絶縁層を形成する。そして、第１絶縁層の絶縁性材料に重ねて、ノズルＮ１から導電性材料を吐出し、第１導電層を形成する。さらに、第１導電層の導電性材料に重ねて、ノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し、第２絶縁層を形成する。同様に、第２導電層〜第６導電層および第３絶縁層〜第６絶縁層を形成する。
この結果、第２工程において、第１〜第６絶縁層および第１〜第６導電層からなる積層体Ｂ１が形成される。
【００１８】
次に、積層体Ｂ１を板材１と一体のまま液体吐出装置１００のステージＳから切断装置２００の固定台Ｒに移載する（第３工程）。
図３は、切断装置２００の固定台Ｒに積層体Ｂ１を設置した状態を示す図である。
ここで、切断装置２００として、トムソン型を用いた切断装置、金型を用いた切断装置、レーザー切断装置、ウォーターカッター、ダイシングソー、あるいは、エッチングを用いた切断装置を採用することができる。以下、切断装置２００がレーザー切断装置であるものとして説明する。
【００１９】
次に、積層体Ｂ１に予め設定した分割線（図３における一点鎖線）の位置にレーザー光を照射することによって積層体Ｂ１を切断する（第４工程）。
図４は、積層体Ｂ１を切断する工程を示す図である。
なお、本実施形態においては、積層体Ｂ１を板材１によって支持するものとして説明するが（図４（ａ）参照）、図４（ｂ）に示すように、必要に応じて、側面から積層体Ｂ１を支持する側壁１ａ，１ｂを設置することも可能である。
ここで、積層体Ｂ１の分割線は、配線抵抗や浮遊容量等を考慮して算出された配線の厚み（即ち、積層体Ｂ１の上面視における切り出し幅）となる位置に設定されている。
【００２０】
そして、第４工程において、切断装置２００の制御部２１０は、上面視において分割線に沿い、側面視において積層体Ｂ１の上面に対して９０度よりも小さい入射角となるようにレーザー光を照射する。
これにより、切断時に照射するレーザー光が、切り出す部分の積層体（以下、「配線基板Ｐ１」と称する。）に照射され、絶縁性および導電性に影響が生じることを防止できる。
【００２１】
また、切断装置２００の制御部２１０は、積層体Ｂ１における絶縁層および導電層を１層ずつ、もしくは、各１層の絶縁層および導電層を１組として除去する。即ち、制御部２１０は、同時に２層の導電層が除去されないようにレーザー光の照射を行う。
これにより、異なる層の導電層に対して同時にレーザー光が照射され、切断時に配線基板Ｐ１が短絡する事態を防止できる。
なお、切り出した配線基板Ｐ１は、紫外線を照射して板材１に接する絶縁層を硬化させ、接着性を低下させることにより板材１から分離する。
【００２２】
第４工程において切り出された配線基板Ｐ１は、第４工程で切断されることにより形成された第１の面Ｓ１（切断面）および第１の面Ｓ１とは反対側（裏面側）の第２の面Ｓ２（図６参照）を有する。これら第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２は、配線基板Ｐ１の層に交差する方向の外面となる。配線基板Ｐ１は、配線の幅が第２工程において形成した導電層の厚さ（例えば２〜３μｍ）となる。
このような工程により、配線基板Ｐ１が製造される。
なお、図４（ｂ）に示すように、板材１の上面視において隣り合う２辺の位置に、積層体Ｂ１を支持するための側壁１ａ，１ｂを設置しておくと、第４工程においてより容易に切断を行うことができる。
特に、切断装置２００として、応力を加えて切断を行うものを採用した場合に、側壁１ａ，１ｂを設置すると、積層体Ｂ１の切断時における変形等を抑制でき、導電層の短絡等を防止することが可能となる。
【００２３】
次に、積層体Ｂ１から切り出した配線基板Ｐ１にソルダーレジストを施す（第５工程）。
図５は、配線基板Ｐ１にソルダーレジストを施す工程を示す図である。
第５工程では、電子素子を実装する領域以外の部分（図５中の斜線領域）にソルダーレジスト液を塗布する。このとき、配線基板Ｐ１は両面および側面に導電層が露出していることから、配線基板Ｐ１の導電層が露出している各面にソルダーレジストを施す。
【００２４】
次に、ソルダーレジストを施した配線基板Ｐ１に電子素子を実装する（第６工程）。
なお、電子素子の電極と配線基板Ｐ１の配線とは、例えばはんだボール等によって電気的に接続される。
図６は、配線基板Ｐ１に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
図６に示すように、電子素子Ｄ１と電子素子Ｄ２とは配線基板Ｐ１の配線（導電層）によって電気的に接続されており、これら配線は、第２工程における導電層の厚さに相当する配線の幅および絶縁層の厚さに相当する配線の間隔となっている。なお、図６においては、電子素子Ｄ１が第１の面Ｓ１に実装され、電子素子Ｄ２が第１の面Ｓ１とは反対側の第２の面Ｓ２に実装された状態を示している。なお、電子素子は、配線基板Ｐ１の第１の面Ｓ１（切断面）若しくは第２の面Ｓ２のいずれかに１つ実装されていれば良い。
【００２５】
この結果、電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装され、積層体Ｂ１の形成時に定まる配線幅および配線間隔と、配線基板Ｐ１の切り出し時に定まる配線の厚さとを有する電子部品Ｃ１（電子部品）が製造される。
この電子部品Ｃ１は、他の電子部品と組みつけられて、完成体としての電子機器を構成する。
【００２６】
（作用）
次に、作用を説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法では、第２工程において、板材１の被吐出面Ｆに所定の厚さを有する導電層および絶縁層を複数層形成し、積層体Ｂ１を得る。
このとき形成する導電層の厚さが配線基板Ｐ１の配線の幅に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の幅を実現するためには、その配線の幅に相当する導電層の厚さとすれば良い。同様に、第２工程における絶縁層の厚さが配線基板Ｐ１の配線の間隔に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の間隔を実現するためには、その配線の間隔に相当する絶縁層の厚さとすれば良い。
なお、この積層体Ｂ１は、配線基板Ｐ１の配線構造が積層した積層体となっている。
【００２７】
そして、切り出す部分が所定の幅となるように、第４工程において、導電層および絶縁層が重なる方向（層に平行でない方向）に積層体Ｂ１を切断し、並行した導電層が配線を形成する配線基板Ｐ１を得る。
このとき切り出す部分に設けた幅が配線基板Ｐ１の配線の厚さ（高さ）となるため、第４工程において、目的とする配線の厚さを実現するためには、その配線の厚さに相当する幅で積層体Ｂ１から配線基板Ｐ１を切り出せば良い。
このように形成した配線基板Ｐ１は、第５工程においてソルダーレジストを施され、第６工程において電子素子が実装されることにより、目的とする配線幅および配線間隔と、配線の厚さとを有する電子部品Ｃ１となる。
【００２８】
図７は、本実施形態に係る配線基板の製造方法によって製造した電子部品Ｃ１を備える電子機器の例を示す図である。
図７においては、電子機器として折り畳み式の携帯電話機に電子部品として電子部品Ｃ１が組みつけられている場合の例を示している。
図７に示す電子機器において、電子部品Ｃ１は、例えば液晶ディスプレイのドライバーＩＣを実装するフレキシブル基板として用いることができる。
【００２９】
以上のように、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を層が重なる方向に切断することにより、配線基板を得ている。
そのため、極めて細い場合（例えば２〜３μｍ）を含め、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【００３０】
図８は、本発明における配線の微細化についての効果を示す図である。
なお、図８（ａ）は、導電性材料および絶縁性材料を低粘度で吐出した場合を示し、図８（ｂ）は、導電性材料および絶縁性材料を図８（ａ）の場合よりも高い粘度である高粘度で吐出した場合を示している。
図８に示すように、第２工程において、絶縁性材料および導電性材料として吐出する液の粘度を調整することにより、種々の配線の幅および間隔を有する配線基板を形成することが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、積層体を切断する際の幅を選択することにより、配線の厚さを容易に調整することができる。
したがって、従来のインクジェット法あるいはセミアディティブ法等の配線形成技術に比べ、配線を容易に厚くすることができる。
図９は、本発明における配線の厚さについての効果を示す図である。
低電圧で薄さを求められる配線基板であれば、図９（ａ）に示すように、第４工程において積層体Ｂ１から切り出す部分の幅を狭くし、高電圧で配線抵抗の減少を求められる配線基板であれば、図９（ｂ）に示すように、第４工程において積層体Ｂ１から切り出す部分の幅を広くすれば良い。
【００３２】
また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、導電層によって形成された配線の間に絶縁層が配置された状態で配線基板を得ることができるため、配線の間隔がより小さくなっても、配線間の絶縁性をより確実に行うことができる。また、配線に電子素子を実装した際に、絶縁層によって配線を支持することができるため、一定の厚さを有する配線に電子素子を実装した際に、配線が潰れる事態を防止することができる。
【００３３】
また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、両面に配線が露出した配線基板を得ることができるため、電子素子の両面実装が容易な配線基板とすることができる。
さらに、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、積層体を層が重なる方向に切断して配線を形成しているため、基材に液滴を吐出して平面上に配線を形成した場合に比べ、配線の形状にムラが少ない。
そのため、配線基板が屈曲した際に応力が集中し難く、亀裂の発生を防ぐことができる。また、高周波信号が入力した時に、配線の形状が信号伝達に影響を与えることを防止できる。
【００３４】
なお、第１実施形態では、第２工程において、インクジェット法によって絶縁層および導電層を形成する場合を例に挙げて説明したが、絶縁層および導電層を積層させることができれば、セミアディティブ法等のインクジェット法以外の技術を用いることができる。
ここで、第１実施形態において、主に第１工程から第４工程が本発明における配線基板の製造方法に対応し、主に第１工程から第６工程が本発明における電子部品の製造方法に対応する。また、第２工程が積層体形成工程に対応し、第４工程が配線基板形成工程に対応し、第６工程が実装工程に対応する。また、配線基板Ｐ１が本発明における配線基板に対応し、積層体Ｂ１が配線構造の積層体に対応する。
【００３５】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態の配線基板の製造方法について説明する。
本実施形態においては、第１実施形態の場合よりも複雑な配線パターンを有する配線基板を形成する場合を例として説明する。
ここで、本実施形態における配線基板の製造方法では、第１実施形態に対し、第２工程が異なっている。
したがって、以下、異なる部分である第２工程について主に説明する。
【００３６】
（配線基板の製造方法）
本実施形態においては、第１実施形態と同様に、液体吐出装置１００のステージＳに板材を設置する（第１工程）。
次に、板材１の被吐出面ＦにノズルＮ１およびノズルＮ２から導電性材料および絶縁性材料を吐出し、導電層および絶縁層からなる積層体Ｂ２を形成する（第２工程）。
このとき、本実施形態においては、導電層および絶縁層として、一様な平面状の層のみならず、同一層に導電層と絶縁層とが混在した層を含む積層体Ｂ２を形成する。なお、インクジェット法を用いた液体吐出装置１００の場合、ノズルの切り替えによって導電層と絶縁層とを形成することができるため、同一層に導電層と絶縁層とを混在させて積層体Ｂ２を形成することが容易である。
【００３７】
図１０〜２３は、板材１の被吐出面Ｆに積層体Ｂ２が形成される工程を示す図であり、各図の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。なお、図１０〜２０においては、説明の便宜のために、積層体Ｂ２の幅方向にｘ軸、奥行き方向にｙ軸、ｘ軸およびｙ軸に垂直な方向（上下方向）にｚ軸を設定する。
第２工程においては、まず、図１０に示すように、板材１の被吐出面Ｆの全面に一様な厚さ（例えば２〜３μｍ）となるようにノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し、第１配線層を形成する（第２−１工程）。本実施形態において、第１配線層は、板材１に接する層であるため、導電層を形成せずに全面を絶縁層とする。
【００３８】
そして、図１１に示すように、第１配線層に重ねて、ｘ＝０（積層体Ｂ２の一端）からｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘ（積層体Ｂ２の他端）の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−３工程）、第２配線層を形成する。
次に、図１２に示すように、第２配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ２の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−４工程）、ｘ＝ｘ２からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−５工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−６工程）、第３配線層を形成する。
【００３９】
次に、図１３に示すように、第３配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ４の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−７工程）、ｘ＝ｘ４からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−８工程）、第４配線層を形成する。
次に、図１４に示すように、第４配線層に重ねて、ｘ＝０からからｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−９工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１０工程）、第５配線層を形成する。
【００４０】
次に、図１５に示すように、第５配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１１工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１２工程）、第６配線層を形成する。
次に、図１６に示すように、第６配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１３工程）、第７配線層を形成する。即ち、第７配線層は、全面が絶縁層となる。
【００４１】
次に、図１７に示すように、第７配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１４工程）、第８配線層を形成する。即ち、第８配線層は、全面が導電層となる。
次に、図１８に示すように、第８配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１５工程）、第９配線層を形成する。即ち、第９配線層は、全面が絶縁層となる。
【００４２】
次に、図１９に示すように、第９配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１６工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１７工程）、第１０配線層を形成する。
次に、図２０に示すように、第１０配線層に重ねて、ｘ＝０からからｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１８工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１９工程）、第１１配線層を形成する。
【００４３】
次に、図２１に示すように、第１１配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ４の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−２０工程）、ｘ＝ｘ４からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２１工程）、第１２配線層を形成する。
次に、図２２に示すように、第１２配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ２の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２２工程）、ｘ＝ｘ２からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−２３工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２４工程）、第１３配線層を形成する。
【００４４】
次に、図２３に示すように、第１３配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２５工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−２６工程）、第１４配線層を形成する。
この結果、第２工程において、第１〜第１４配線層からなる積層体Ｂ２が形成される。
次に、積層体Ｂ２を板材１と一体のまま液体吐出装置１００のステージＳから切断装置２００の固定台Ｒに移載する（第３工程）。
【００４５】
次に、積層体Ｂ２に予め設定した分割線（図２４における一点鎖線）の位置にレーザー光を照射することによって積層体Ｂ２を切断する（第４工程）。
図２４は、積層体Ｂ２を切断する工程を示す図である。
本実施形態では、積層体Ｂ２を切断した場合の配線基板Ｐ２が、第１実施形態における平行な配線よりも複雑なパターンとなるように、各配線層を形成してある。
具体的には、第４工程において切り出された配線基板Ｐ２は、図２４に示すように、一端において配線が等間隔に形成されている一方、他端においては配線の間隔が広がるパターンとなっている。
このような工程により、配線基板Ｐ２が製造される。
【００４６】
次に、積層体Ｂ２から切り出した配線基板Ｐ２にソルダーレジストを施し（第５工程）、ソルダーレジストを施した配線基板Ｐ２に電子素子を実装する（第６工程）。
図２５は、配線基板Ｐ２に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
第２実施形態における配線基板Ｐ２は、一端よりも他端の方が配線の間隔が広い形状となっているため、例えば、配線間隔の狭い領域に電子素子Ｄ１としてＬＣＤコントローラ等の集積回路を実装し、配線間隔の広い領域に電子素子Ｄ２として規定のインターフェース用の信号処理回路等を実装することができる。
この結果、積層体Ｂ２の各配線層の形状に対応した配線基板Ｐ２と、配線基板Ｐ２の切り出し時に定まる配線の厚さとを有する電子部品Ｃ２が製造される。
この電子部品Ｃ２は、他の電子部品と組みつけられて、完成体としての電子機器を構成する。
【００４７】
（作用）
次に、作用を説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法では、第２工程において、板材１の被吐出面Ｆに所定の形状を有する配線層を複数層形成し、積層体Ｂ２を得る。
このとき形成する導電層の厚さが配線基板Ｐ２の配線の幅に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の幅を実現するためには、その配線の幅に相当する厚さの導電層を有する配線層の構造とすれば良い。同様に、第２工程における絶縁層の厚さが配線基板Ｐ２の配線の間隔に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の間隔を実現するためには、その配線の間隔に相当する厚さの絶縁層を有する配線層の構造とすれば良い。さらに、第２工程において、目的とするパターンの配線を実現するためには、そのパターンを断面とする複数の配線層を順次形成すれば良い。なお、目的とする配線のパターンが複雑な場合であっても、より多くの配線が沿う方向と板材１の被吐出面Ｆとが平行になるように積層の向きを定めると、より簡単に各配線層を形成することができる。
なお、この積層体Ｂ２は、配線基板Ｐ２の配線構造が積層した積層体となっている。
【００４８】
そして、切り出す部分が所定の幅となるように、第４工程において、導電層および絶縁層が重なる方向（層に平行でない方向）に積層体Ｂ２を切断し、目的とするパターンの配線が形成された配線基板Ｐ２を得る。
このとき切り出す部分に設けた幅が配線基板Ｐ２の配線の厚さ（高さ）となるため、第４工程において、目的とする配線の厚さを実現するためには、その配線の厚さに相当する幅で積層体Ｂ２から配線基板Ｐ２を切り出せば良い。
このように形成した配線基板Ｐ２は、第５工程においてソルダーレジストを施され、第６工程において電子素子が実装されることにより、目的とする配線幅および配線間隔と、配線の厚さと、配線のパターンとを有する電子部品Ｃ２となる。
【００４９】
以上のように、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、絶縁層および導電層が混在した配線層を含む積層体を層が重なる方向に切断することにより、配線基板を得ている。
そのため、極めて細い場合（例えば２〜３μｍ）を含め、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
さらに、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、目的とする配線のパターンを配線層の形状によって容易に実現することができる。
【００５０】
図２６は、第２実施形態の配線基板の製造方法を用いて製造した配線基板の他の例を示す図である。
図２６に示すように、隣接する配線層において導電層同士を重ねて形成することで、積層体Ｂ２を分割したときに、配線の幅がより広い配線基板Ｐ２を形成することができる。
なお、同様に、隣接する配線層において絶縁層同士を重ねて形成することで、積層体Ｂ２を分割したときに、配線の間隔がより広い配線基板Ｐ２を形成することも可能である。
【００５１】
ここで、第２実施形態において、主に第１工程から第４工程が本発明における配線基板の製造方法に対応し、主に第１工程から第６工程が本発明における電子部品の製造方法に対応する。また、第２工程が積層体形成工程に対応し、第４工程が切断工程に対応し、第６工程が実装工程に対応する。また、配線基板Ｐ２が本発明における配線基板に対応し、積層体Ｂ２が配線構造の積層体に対応する。
【００５２】
（応用例）
第１および第２実施形態において、第４工程で積層体Ｂ１，Ｂ２を切断する際に、１本の直線からなる分割線を設定し、この分割線に沿う平面によって積層体Ｂ１，Ｂ２から配線基板Ｐ１，Ｐ２を切り出すこととした。
これに対し、本応用例では、積層体Ｂ１，Ｂ２の分割線を１本の直線ではなく、屈曲する線等にすることにより、切り出される配線基板Ｐ１，Ｐ２の形状をより複雑なものとする。即ち、切り出す部分の幅（配線基板Ｐ１，Ｐ２の配線の厚さ）が位置によって異なるように積層体Ｂ１，Ｂ２を切断するものとする。
例えば、分割線として、配線基板Ｐ１，Ｐ２を切り出す幅が狭い部分と広い部分とを設定したり、切り出す幅が徐々に変化する部分を設定したりする。
【００５３】
図２７は、積層体から切り出す部分の幅を変化させた場合の例を示す図である。
なお、図２７では、積層体Ｂ１を切断する場合を例として示している。
図２７に示す例においては、ｘ軸の原点に近い範囲では、一定の狭い幅で配線基板を切り出し、次いで、ｘ軸の増加と共に、幅を増加させて配線基板を切り出し、以降、積層体の端部まで、一定の広い幅で配線基板を切り出している。
これにより、切り出された配線基板Ｐ１は、部分によって厚さが異なる複雑な形状となる。
したがって、配線基板の厚さを厚くすることで、配線基板の強度を高めることができ、電子素子を実装する際の取り扱いが容易となる。
また、１つの配線基板において、可撓性の高い部分と剛性の高い部分とを混在させることができるため、配線基板に要求される強度の特性を容易に実現することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 板材、Ｂ１，Ｂ２ 積層体、Ｃ１，Ｃ２電子部品、Ｄ１，Ｄ２ 電子素子、Ｆ 被吐出面、Ｎ１，Ｎ２ ノズル、Ｐ１，Ｐ２ 配線基板、Ｒ 固定台、Ｓ ステージ、１ａ，１ｂ 側壁、１００ 液体吐出装置、１１０，２１０ 制御部、２００ 切断装置。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子を実装する配線基板の製造方法、電子部品の製造方法、配線基板および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器の小型化、高集積化および薄型化等を図るため、配線基板に形成する配線の微細化が進められている。
例えば、特許文献１には、インクジェット法を用いて配線基板上に配線パターンを形成する際に、多孔膜部材に導電性材料を含む液滴を吐出することにより、吐出された液滴の広がりを防止して、配線をより微細化することが記載されている。
また、インクジェット法と同様に、配線の微細化を実現可能な技術として、セミアディティブ法が用いられることもあり、この場合、スパッタリング等によって金属薄膜を形成した後、銅をメッキアップすることによって配線パターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３４５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、インクジェット法あるいはセミアディティブ法等を用いた配線基板の製造方法においては、電子機器のさらなる小型化等を図る上で、形成される配線の微細化が十分なものではなかった。即ち、これらの方法では、形成される配線の幅として、現在のところ２０μｍを実現しつつある状況である。
そのため、電子機器のさらなる小型化等を図るためには、配線をより微細化することが望まれる。
本発明の課題は、配線基板に形成する配線をより微細化できる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明の一態様に係る配線基板の製造方法は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断する切断工程と、を含むことを特徴とする。
このような方法により、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を複数の層と交差する方向に沿って切断することにより、配線基板が得られる。
そのため、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【０００６】
また、本発明の他の態様に係る配線基板の製造方法は、
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする。
このような方法により、目的とする配線のパターンを、積層体を構成する層の形状によって容易に実現することができる。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係る配線基板の製造方法は、
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする。
このような方法により、ノズルの切り替えによって導電層と絶縁層とを形成することができるため、積層体を形成することが容易となる。
【０００８】
本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断し、前記積層体の一方によって構成され、前記切断によって形成される第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有する配線基板を形成する配線基板形成工程と、前記配線基板の前記第１の面と前記第２の面との少なくともいずれか一方に、電子素子を実装する実装工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
このような方法により、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を複数の層と交差する方向に沿って切断することにより、配線基板が得られ、この配線基板に電子素子を実装することで電子部品が構成される。
そのため、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の他の態様に係る電子部品の製造方法は、
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする。
このような方法により、目的とする配線のパターンを、積層体を構成する層の形状によって容易に実現することができる。
また、本発明の他の態様に係る電子部品の製造方法は、
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする。
このような方法により、ノズルの切り替えによって導電層と絶縁層とを形成することができるため、積層体を形成することが容易となる。
【００１１】
本発明の一態様に係る配線基板は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層した積層体が、複数の前記層と交差する面に沿って切断された構成を有し、切断面に前記絶縁層および前記導電層によって形成された配線パターンを有することを特徴とする。
このような構成により、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を複数の層と交差する方向に沿って切断することにより、配線基板が得られる。
そのため、積層体に積層された絶縁層および導電層の厚さに対応する配線の幅を有する配線基板となる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【００１２】
本発明の一態様に係る電子部品は、
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層が複数積層され、複数の前記層に交差する方向の外面に、前記絶縁層および前記導電層によって構成された配線パターンを有する配線基板と、前記配線基板の前記外面に搭載され、前記配線パターンの前記導電層に接続された電子素子と、を有することを特徴とする。
このような構成により、配線基板の絶縁層および導電層が積層した外面に現れた配線パターンの導電層に電子素子が実装された電子部品を構成できる。
したがって、電子部品を容易に製造することができると共に、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１工程において、板材１が液体吐出装置１００のステージＳに設置された状態を示す図である。
【図２】板材１の被吐出面Ｆに積層体Ｂ１が形成される工程を示す図である。
【図３】切断装置２００の固定台Ｒに積層体Ｂ１を設置した状態を示す図である。
【図４】積層体Ｂ１を切断する工程を示す図である。
【図５】配線基板Ｐ１にソルダーレジストを施す工程を示す図である。
【図６】配線基板Ｐ１に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る配線基板の製造方法によって製造した電子部品Ｃ１を備える電子機器の例を示す図である。
【図８】本発明における配線の微細化についての効果を示す図である。
【図９】本発明における配線の厚さについての効果を示す図である。
【図１０】第２実施形態の第２−１工程を示す図である。
【図１１】第２実施形態の第２−２，２−３工程を示す図である。
【図１２】第２実施形態の第２−４〜２−６工程を示す図である。
【図１３】第２実施形態の第２−７，２−８工程を示す図である。
【図１４】第２実施形態の第２−９，２−１０工程を示す図である。
【図１５】第２実施形態の第２−１１，２−１２工程を示す図である。
【図１６】第２実施形態の第２−１３工程を示す図である。
【図１７】第２実施形態の第２−１４工程を示す図である。
【図１８】第２実施形態の第２−１５工程を示す図である。
【図１９】第２実施形態の第２−１６，２−１７工程を示す図である。
【図２０】第２実施形態の第２−１８，２−１９工程を示す図である。
【図２１】第２実施形態の第２−２０，２−２１工程を示す図である。
【図２２】第２実施形態の第２−２２〜２−２４工程を示す図である。
【図２３】第２実施形態の第２−２５〜２−２６工程を示す図である。
【図２４】積層体Ｂ２を切断する工程を示す図である。
【図２５】配線基板Ｐ２に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
【図２６】第２実施形態の配線基板の製造方法を用いて製造した配線基板の他の例を示す図である。
【図２７】積層体から切り出す部分の幅を変化させた場合の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図を参照して本発明に係る配線基板の製造方法、電子部品の製造方法、配線基板および配線構造の積層体の実施の形態を説明する。
（第１実施形態）
まず、本発明に係る第１実施形態の配線基板の製造方法について説明する。
本実施形態においては、平行な６本の配線を配線基板に形成する場合を例として説明する。なお、以下、製造した配線基板を用いて電子部品を製造する工程（電子部品の製造方法）まで併せて説明する。
【００１５】
（配線基板の製造方法）
図１〜６は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の工程を示す図である。
初めに、インクジェット法によって配線を形成可能な液体吐出装置１００のステージＳに基材となる板材１を設置する（第１工程）。
図１は、第１工程において、板材１が液体吐出装置１００のステージＳに設置された状態を示す図である。
板材１としてガラス基板等を用いることができ、板材１は、液体吐出装置１００から吐出した液体を積層していく平坦な面（以下、適宜「被吐出面Ｆ」と称する。）を有している。
【００１６】
また、液体吐出装置１００は、揮発性の溶媒に導電性の微粒子を分散した導電性材料を吐出するノズルＮ１と、紫外線硬化型の絶縁性材料を吐出するノズルＮ２とを有している。そして、液体吐出装置１００の制御部１１０は、これらノズルＮ１およびノズルＮ２における材料の吐出を制御する。
導電性材料における導電性の微粒子として、銅、金、銀、アルミ等の金属、あるいは、カーボンナノチューブ等の有機導電性物質を用いることができる。
また、絶縁性材料としては、紫外線硬化型の樹脂等を用いることができ、例えば紫外線硬化型のソルダーレジストで用いられている材料を用いても良い。若しくは、絶縁性材料として、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なお、絶縁性材料として、板材１との接着性が低い材料を選択する。
【００１７】
次に、板材１の被吐出面ＦにノズルＮ１およびノズルＮ２から交互に導電性材料および絶縁性材料を吐出し、導電層および絶縁層からなる積層体Ｂ１を形成する（第２工程）。
図２は、板材１の被吐出面Ｆに積層体Ｂ１が形成される工程を示す図である。
第２工程においては、まず、板材１の被吐出面Ｆの全面に一様な厚さ（例えば２〜３μｍ）となるようにノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し、第１絶縁層を形成する。そして、第１絶縁層の絶縁性材料に重ねて、ノズルＮ１から導電性材料を吐出し、第１導電層を形成する。さらに、第１導電層の導電性材料に重ねて、ノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し、第２絶縁層を形成する。同様に、第２導電層〜第６導電層および第３絶縁層〜第６絶縁層を形成する。
この結果、第２工程において、第１〜第６絶縁層および第１〜第６導電層からなる積層体Ｂ１が形成される。
【００１８】
次に、積層体Ｂ１を板材１と一体のまま液体吐出装置１００のステージＳから切断装置２００の固定台Ｒに移載する（第３工程）。
図３は、切断装置２００の固定台Ｒに積層体Ｂ１を設置した状態を示す図である。
ここで、切断装置２００として、トムソン型を用いた切断装置、金型を用いた切断装置、レーザー切断装置、ウォーターカッター、ダイシングソー、あるいは、エッチングを用いた切断装置を採用することができる。以下、切断装置２００がレーザー切断装置であるものとして説明する。
【００１９】
次に、積層体Ｂ１に予め設定した分割線（図３における一点鎖線）の位置にレーザー光を照射することによって積層体Ｂ１を切断する（第４工程）。
図４は、積層体Ｂ１を切断する工程を示す図である。
なお、本実施形態においては、積層体Ｂ１を板材１によって支持するものとして説明するが（図４（ａ）参照）、図４（ｂ）に示すように、必要に応じて、側面から積層体Ｂ１を支持する側壁１ａ，１ｂを設置することも可能である。
ここで、積層体Ｂ１の分割線は、配線抵抗や浮遊容量等を考慮して算出された配線の厚み（即ち、積層体Ｂ１の上面視における切り出し幅）となる位置に設定されている。
【００２０】
そして、第４工程において、切断装置２００の制御部２１０は、上面視において分割線に沿い、側面視において積層体Ｂ１の上面に対して９０度よりも小さい入射角となるようにレーザー光を照射する。
これにより、切断時に照射するレーザー光が、切り出す部分の積層体（以下、「配線基板Ｐ１」と称する。）に照射され、絶縁性および導電性に影響が生じることを防止できる。
【００２１】
また、切断装置２００の制御部２１０は、積層体Ｂ１における絶縁層および導電層を１層ずつ、もしくは、各１層の絶縁層および導電層を１組として除去する。即ち、制御部２１０は、同時に２層の導電層が除去されないようにレーザー光の照射を行う。
これにより、異なる層の導電層に対して同時にレーザー光が照射され、切断時に配線基板Ｐ１が短絡する事態を防止できる。
なお、切り出した配線基板Ｐ１は、紫外線を照射して板材１に接する絶縁層を硬化させ、接着性を低下させることにより板材１から分離する。
【００２２】
第４工程において切り出された配線基板Ｐ１は、第４工程で切断されることにより形成された第１の面Ｓ１（切断面）および第１の面Ｓ１とは反対側（裏面側）の第２の面Ｓ２（図６参照）を有する。これら第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２は、配線基板Ｐ１の層に交差する方向の外面となる。配線基板Ｐ１は、配線の幅が第２工程において形成した導電層の厚さ（例えば２〜３μｍ）となる。
このような工程により、配線基板Ｐ１が製造される。
なお、図４（ｂ）に示すように、板材１の上面視において隣り合う２辺の位置に、積層体Ｂ１を支持するための側壁１ａ，１ｂを設置しておくと、第４工程においてより容易に切断を行うことができる。
特に、切断装置２００として、応力を加えて切断を行うものを採用した場合に、側壁１ａ，１ｂを設置すると、積層体Ｂ１の切断時における変形等を抑制でき、導電層の短絡等を防止することが可能となる。
【００２３】
次に、積層体Ｂ１から切り出した配線基板Ｐ１にソルダーレジストを施す（第５工程）。
図５は、配線基板Ｐ１にソルダーレジストを施す工程を示す図である。
第５工程では、電子素子を実装する領域以外の部分（図５中の斜線領域）にソルダーレジスト液を塗布する。このとき、配線基板Ｐ１は両面および側面に導電層が露出していることから、配線基板Ｐ１の導電層が露出している各面にソルダーレジストを施す。
【００２４】
次に、ソルダーレジストを施した配線基板Ｐ１に電子素子を実装する（第６工程）。
なお、電子素子の電極と配線基板Ｐ１の配線とは、例えばはんだボール等によって電気的に接続される。
図６は、配線基板Ｐ１に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
図６に示すように、電子素子Ｄ１と電子素子Ｄ２とは配線基板Ｐ１の配線（導電層）によって電気的に接続されており、これら配線は、第２工程における導電層の厚さに相当する配線の幅および絶縁層の厚さに相当する配線の間隔となっている。なお、図６においては、電子素子Ｄ１が第１の面Ｓ１に実装され、電子素子Ｄ２が第１の面Ｓ１とは反対側の第２の面Ｓ２に実装された状態を示している。なお、電子素子は、配線基板Ｐ１の第１の面Ｓ１（切断面）若しくは第２の面Ｓ２のいずれかに１つ実装されていれば良い。
【００２５】
この結果、電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装され、積層体Ｂ１の形成時に定まる配線幅および配線間隔と、配線基板Ｐ１の切り出し時に定まる配線の厚さとを有する電子部品Ｃ１（電子部品）が製造される。
この電子部品Ｃ１は、他の電子部品と組みつけられて、完成体としての電子機器を構成する。
【００２６】
（作用）
次に、作用を説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法では、第２工程において、板材１の被吐出面Ｆに所定の厚さを有する導電層および絶縁層を複数層形成し、積層体Ｂ１を得る。
このとき形成する導電層の厚さが配線基板Ｐ１の配線の幅に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の幅を実現するためには、その配線の幅に相当する導電層の厚さとすれば良い。同様に、第２工程における絶縁層の厚さが配線基板Ｐ１の配線の間隔に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の間隔を実現するためには、その配線の間隔に相当する絶縁層の厚さとすれば良い。
なお、この積層体Ｂ１は、配線基板Ｐ１の配線構造が積層した積層体となっている。
【００２７】
そして、切り出す部分が所定の幅となるように、第４工程において、導電層および絶縁層が重なる方向（層に平行でない方向）に積層体Ｂ１を切断し、並行した導電層が配線を形成する配線基板Ｐ１を得る。
このとき切り出す部分に設けた幅が配線基板Ｐ１の配線の厚さ（高さ）となるため、第４工程において、目的とする配線の厚さを実現するためには、その配線の厚さに相当する幅で積層体Ｂ１から配線基板Ｐ１を切り出せば良い。
このように形成した配線基板Ｐ１は、第５工程においてソルダーレジストを施され、第６工程において電子素子が実装されることにより、目的とする配線幅および配線間隔と、配線の厚さとを有する電子部品Ｃ１となる。
【００２８】
図７は、本実施形態に係る配線基板の製造方法によって製造した電子部品Ｃ１を備える電子機器の例を示す図である。
図７においては、電子機器として折り畳み式の携帯電話機に電子部品として電子部品Ｃ１が組みつけられている場合の例を示している。
図７に示す電子機器において、電子部品Ｃ１は、例えば液晶ディスプレイのドライバーＩＣを実装するフレキシブル基板として用いることができる。
【００２９】
以上のように、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、積層した絶縁層および導電層からなる積層体を層が重なる方向に切断することにより、配線基板を得ている。
そのため、極めて細い場合（例えば２〜３μｍ）を含め、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
【００３０】
図８は、本発明における配線の微細化についての効果を示す図である。
なお、図８（ａ）は、導電性材料および絶縁性材料を低粘度で吐出した場合を示し、図８（ｂ）は、導電性材料および絶縁性材料を図８（ａ）の場合よりも高い粘度である高粘度で吐出した場合を示している。
図８に示すように、第２工程において、絶縁性材料および導電性材料として吐出する液の粘度を調整することにより、種々の配線の幅および間隔を有する配線基板を形成することが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、積層体を切断する際の幅を選択することにより、配線の厚さを容易に調整することができる。
したがって、従来のインクジェット法あるいはセミアディティブ法等の配線形成技術に比べ、配線を容易に厚くすることができる。
図９は、本発明における配線の厚さについての効果を示す図である。
低電圧で薄さを求められる配線基板であれば、図９（ａ）に示すように、第４工程において積層体Ｂ１から切り出す部分の幅を狭くし、高電圧で配線抵抗の減少を求められる配線基板であれば、図９（ｂ）に示すように、第４工程において積層体Ｂ１から切り出す部分の幅を広くすれば良い。
【００３２】
また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、導電層によって形成された配線の間に絶縁層が配置された状態で配線基板を得ることができるため、配線の間隔がより小さくなっても、配線間の絶縁性をより確実に行うことができる。また、配線に電子素子を実装した際に、絶縁層によって配線を支持することができるため、一定の厚さを有する配線に電子素子を実装した際に、配線が潰れる事態を防止することができる。
【００３３】
また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、両面に配線が露出した配線基板を得ることができるため、電子素子の両面実装が容易な配線基板とすることができる。
さらに、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、積層体を層が重なる方向に切断して配線を形成しているため、基材に液滴を吐出して平面上に配線を形成した場合に比べ、配線の形状にムラが少ない。
そのため、配線基板が屈曲した際に応力が集中し難く、亀裂の発生を防ぐことができる。また、高周波信号が入力した時に、配線の形状が信号伝達に影響を与えることを防止できる。
【００３４】
なお、第１実施形態では、第２工程において、インクジェット法によって絶縁層および導電層を形成する場合を例に挙げて説明したが、絶縁層および導電層を積層させることができれば、セミアディティブ法等のインクジェット法以外の技術を用いることができる。
ここで、第１実施形態において、主に第１工程から第４工程が本発明における配線基板の製造方法に対応し、主に第１工程から第６工程が本発明における電子部品の製造方法に対応する。また、第２工程が積層体形成工程に対応し、第４工程が配線基板形成工程に対応し、第６工程が実装工程に対応する。また、配線基板Ｐ１が本発明における配線基板に対応し、積層体Ｂ１が配線構造の積層体に対応する。
【００３５】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態の配線基板の製造方法について説明する。
本実施形態においては、第１実施形態の場合よりも複雑な配線パターンを有する配線基板を形成する場合を例として説明する。
ここで、本実施形態における配線基板の製造方法では、第１実施形態に対し、第２工程が異なっている。
したがって、以下、異なる部分である第２工程について主に説明する。
【００３６】
（配線基板の製造方法）
本実施形態においては、第１実施形態と同様に、液体吐出装置１００のステージＳに板材を設置する（第１工程）。
次に、板材１の被吐出面ＦにノズルＮ１およびノズルＮ２から導電性材料および絶縁性材料を吐出し、導電層および絶縁層からなる積層体Ｂ２を形成する（第２工程）。
このとき、本実施形態においては、導電層および絶縁層として、一様な平面状の層のみならず、同一層に導電層と絶縁層とが混在した層を含む積層体Ｂ２を形成する。なお、インクジェット法を用いた液体吐出装置１００の場合、ノズルの切り替えによって導電層と絶縁層とを形成することができるため、同一層に導電層と絶縁層とを混在させて積層体Ｂ２を形成することが容易である。
【００３７】
図１０〜２３は、板材１の被吐出面Ｆに積層体Ｂ２が形成される工程を示す図であり、各図の（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。なお、図１０〜２０においては、説明の便宜のために、積層体Ｂ２の幅方向にｘ軸、奥行き方向にｙ軸、ｘ軸およびｙ軸に垂直な方向（上下方向）にｚ軸を設定する。
第２工程においては、まず、図１０に示すように、板材１の被吐出面Ｆの全面に一様な厚さ（例えば２〜３μｍ）となるようにノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し、第１配線層を形成する（第２−１工程）。本実施形態において、第１配線層は、板材１に接する層であるため、導電層を形成せずに全面を絶縁層とする。
【００３８】
そして、図１１に示すように、第１配線層に重ねて、ｘ＝０（積層体Ｂ２の一端）からｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘ（積層体Ｂ２の他端）の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−３工程）、第２配線層を形成する。
次に、図１２に示すように、第２配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ２の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−４工程）、ｘ＝ｘ２からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−５工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−６工程）、第３配線層を形成する。
【００３９】
次に、図１３に示すように、第３配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ４の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−７工程）、ｘ＝ｘ４からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−８工程）、第４配線層を形成する。
次に、図１４に示すように、第４配線層に重ねて、ｘ＝０からからｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−９工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１０工程）、第５配線層を形成する。
【００４０】
次に、図１５に示すように、第５配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１１工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１２工程）、第６配線層を形成する。
次に、図１６に示すように、第６配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１３工程）、第７配線層を形成する。即ち、第７配線層は、全面が絶縁層となる。
【００４１】
次に、図１７に示すように、第７配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１４工程）、第８配線層を形成する。即ち、第８配線層は、全面が導電層となる。
次に、図１８に示すように、第８配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１５工程）、第９配線層を形成する。即ち、第９配線層は、全面が絶縁層となる。
【００４２】
次に、図１９に示すように、第９配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１６工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１７工程）、第１０配線層を形成する。
次に、図２０に示すように、第１０配線層に重ねて、ｘ＝０からからｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−１８工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−１９工程）、第１１配線層を形成する。
【００４３】
次に、図２１に示すように、第１１配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ４の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−２０工程）、ｘ＝ｘ４からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２１工程）、第１２配線層を形成する。
次に、図２２に示すように、第１２配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ２の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２２工程）、ｘ＝ｘ２からｘ＝ｘ３の範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−２３工程）、ｘ＝ｘ３からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２４工程）、第１３配線層を形成する。
【００４４】
次に、図２３に示すように、第１３配線層に重ねて、ｘ＝０からｘ＝ｘ１の範囲にノズルＮ２から絶縁性材料を吐出し（第２−２５工程）、ｘ＝ｘ１からｘ＝Ｘの範囲にノズルＮ１から導電性材料を吐出し（第２−２６工程）、第１４配線層を形成する。
この結果、第２工程において、第１〜第１４配線層からなる積層体Ｂ２が形成される。
次に、積層体Ｂ２を板材１と一体のまま液体吐出装置１００のステージＳから切断装置２００の固定台Ｒに移載する（第３工程）。
【００４５】
次に、積層体Ｂ２に予め設定した分割線（図２４における一点鎖線）の位置にレーザー光を照射することによって積層体Ｂ２を切断する（第４工程）。
図２４は、積層体Ｂ２を切断する工程を示す図である。
本実施形態では、積層体Ｂ２を切断した場合の配線基板Ｐ２が、第１実施形態における平行な配線よりも複雑なパターンとなるように、各配線層を形成してある。
具体的には、第４工程において切り出された配線基板Ｐ２は、図２４に示すように、一端において配線が等間隔に形成されている一方、他端においては配線の間隔が広がるパターンとなっている。
このような工程により、配線基板Ｐ２が製造される。
【００４６】
次に、積層体Ｂ２から切り出した配線基板Ｐ２にソルダーレジストを施し（第５工程）、ソルダーレジストを施した配線基板Ｐ２に電子素子を実装する（第６工程）。
図２５は、配線基板Ｐ２に電子素子Ｄ１，Ｄ２が実装された状態を示す図である。
第２実施形態における配線基板Ｐ２は、一端よりも他端の方が配線の間隔が広い形状となっているため、例えば、配線間隔の狭い領域に電子素子Ｄ１としてＬＣＤコントローラ等の集積回路を実装し、配線間隔の広い領域に電子素子Ｄ２として規定のインターフェース用の信号処理回路等を実装することができる。
この結果、積層体Ｂ２の各配線層の形状に対応した配線基板Ｐ２と、配線基板Ｐ２の切り出し時に定まる配線の厚さとを有する電子部品Ｃ２が製造される。
この電子部品Ｃ２は、他の電子部品と組みつけられて、完成体としての電子機器を構成する。
【００４７】
（作用）
次に、作用を説明する。
本実施形態に係る配線基板の製造方法では、第２工程において、板材１の被吐出面Ｆに所定の形状を有する配線層を複数層形成し、積層体Ｂ２を得る。
このとき形成する導電層の厚さが配線基板Ｐ２の配線の幅に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の幅を実現するためには、その配線の幅に相当する厚さの導電層を有する配線層の構造とすれば良い。同様に、第２工程における絶縁層の厚さが配線基板Ｐ２の配線の間隔に相当するものとなるため、第２工程において、目的とする配線の間隔を実現するためには、その配線の間隔に相当する厚さの絶縁層を有する配線層の構造とすれば良い。さらに、第２工程において、目的とするパターンの配線を実現するためには、そのパターンを断面とする複数の配線層を順次形成すれば良い。なお、目的とする配線のパターンが複雑な場合であっても、より多くの配線が沿う方向と板材１の被吐出面Ｆとが平行になるように積層の向きを定めると、より簡単に各配線層を形成することができる。
なお、この積層体Ｂ２は、配線基板Ｐ２の配線構造が積層した積層体となっている。
【００４８】
そして、切り出す部分が所定の幅となるように、第４工程において、導電層および絶縁層が重なる方向（層に平行でない方向）に積層体Ｂ２を切断し、目的とするパターンの配線が形成された配線基板Ｐ２を得る。
このとき切り出す部分に設けた幅が配線基板Ｐ２の配線の厚さ（高さ）となるため、第４工程において、目的とする配線の厚さを実現するためには、その配線の厚さに相当する幅で積層体Ｂ２から配線基板Ｐ２を切り出せば良い。
このように形成した配線基板Ｐ２は、第５工程においてソルダーレジストを施され、第６工程において電子素子が実装されることにより、目的とする配線幅および配線間隔と、配線の厚さと、配線のパターンとを有する電子部品Ｃ２となる。
【００４９】
以上のように、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、絶縁層および導電層が混在した配線層を含む積層体を層が重なる方向に切断することにより、配線基板を得ている。
そのため、極めて細い場合（例えば２〜３μｍ）を含め、目的とする配線の幅を絶縁層および導電層の厚さによって容易に実現することができる。
したがって、配線基板に形成する配線をより微細化することが可能となる。
さらに、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、目的とする配線のパターンを配線層の形状によって容易に実現することができる。
【００５０】
図２６は、第２実施形態の配線基板の製造方法を用いて製造した配線基板の他の例を示す図である。
図２６に示すように、隣接する配線層において導電層同士を重ねて形成することで、積層体Ｂ２を分割したときに、配線の幅がより広い配線基板Ｐ２を形成することができる。
なお、同様に、隣接する配線層において絶縁層同士を重ねて形成することで、積層体Ｂ２を分割したときに、配線の間隔がより広い配線基板Ｐ２を形成することも可能である。
【００５１】
ここで、第２実施形態において、主に第１工程から第４工程が本発明における配線基板の製造方法に対応し、主に第１工程から第６工程が本発明における電子部品の製造方法に対応する。また、第２工程が積層体形成工程に対応し、第４工程が切断工程に対応し、第６工程が実装工程に対応する。また、配線基板Ｐ２が本発明における配線基板に対応し、積層体Ｂ２が配線構造の積層体に対応する。
【００５２】
（応用例）
第１および第２実施形態において、第４工程で積層体Ｂ１，Ｂ２を切断する際に、１本の直線からなる分割線を設定し、この分割線に沿う平面によって積層体Ｂ１，Ｂ２から配線基板Ｐ１，Ｐ２を切り出すこととした。
これに対し、本応用例では、積層体Ｂ１，Ｂ２の分割線を１本の直線ではなく、屈曲する線等にすることにより、切り出される配線基板Ｐ１，Ｐ２の形状をより複雑なものとする。即ち、切り出す部分の幅（配線基板Ｐ１，Ｐ２の配線の厚さ）が位置によって異なるように積層体Ｂ１，Ｂ２を切断するものとする。
例えば、分割線として、配線基板Ｐ１，Ｐ２を切り出す幅が狭い部分と広い部分とを設定したり、切り出す幅が徐々に変化する部分を設定したりする。
【００５３】
図２７は、積層体から切り出す部分の幅を変化させた場合の例を示す図である。
なお、図２７では、積層体Ｂ１を切断する場合を例として示している。
図２７に示す例においては、ｘ軸の原点に近い範囲では、一定の狭い幅で配線基板を切り出し、次いで、ｘ軸の増加と共に、幅を増加させて配線基板を切り出し、以降、積層体の端部まで、一定の広い幅で配線基板を切り出している。
これにより、切り出された配線基板Ｐ１は、部分によって厚さが異なる複雑な形状となる。
したがって、配線基板の厚さを厚くすることで、配線基板の強度を高めることができ、電子素子を実装する際の取り扱いが容易となる。
また、１つの配線基板において、可撓性の高い部分と剛性の高い部分とを混在させることができるため、配線基板に要求される強度の特性を容易に実現することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 板材、Ｂ１，Ｂ２ 積層体、Ｃ１，Ｃ２電子部品、Ｄ１，Ｄ２ 電子素子、Ｆ 被吐出面、Ｎ１，Ｎ２ ノズル、Ｐ１，Ｐ２ 配線基板、Ｒ 固定台、Ｓ ステージ、１ａ，１ｂ 側壁、１００ 液体吐出装置、１１０，２１０ 制御部、２００ 切断装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断し、前記積層体の一方によって構成され、前記切断によって形成される第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有する配線基板を形成する配線基板形成工程と、
前記配線基板の前記第１の面と前記第２の面との少なくともいずれか一方に、電子素子を実装する実装工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする請求項４記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする請求項４または５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層した積層体が、複数の前記層と交差する面に沿って切断された構成を有し、切断面に前記絶縁層および前記導電層によって形成された配線パターンを有することを特徴とする配線基板。
【請求項８】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層が複数積層され、複数の前記層に交差する方向の外面に、前記絶縁層および前記導電層によって構成された配線パターンを有する配線基板と、
前記配線基板の前記外面に搭載され、前記配線パターンの前記導電層に接続された電子素子と、
を有することを特徴とする電子部品。
【請求項１】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層させて前記絶縁層および前記導電層を含む積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程において形成した前記積層体を、複数の前記層と交差する面に沿って切断し、前記積層体の一方によって構成され、前記切断によって形成される第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有する配線基板を形成する配線基板形成工程と、
前記配線基板の前記第１の面と前記第２の面との少なくともいずれか一方に、電子素子を実装する実装工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記積層体形成工程において、少なくとも１つの前記層を前記絶縁層からなる部分と前記導電層からなる部分とによって形成することを特徴とする請求項４記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記積層体形成工程において、前記複数の層をインクジェット法によって形成することを特徴とする請求項４または５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層を複数積層した積層体が、複数の前記層と交差する面に沿って切断された構成を有し、切断面に前記絶縁層および前記導電層によって形成された配線パターンを有することを特徴とする配線基板。
【請求項８】
絶縁層と導電層との少なくともいずれかによって形成した層が複数積層され、複数の前記層に交差する方向の外面に、前記絶縁層および前記導電層によって構成された配線パターンを有する配線基板と、
前記配線基板の前記外面に搭載され、前記配線パターンの前記導電層に接続された電子素子と、
を有することを特徴とする電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２０１２−１９９３６７（Ｐ２０１２−１９９３６７Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６２１８５（Ｐ２０１１−６２１８５）
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２２日（２０１１．３．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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