金属−セラミックス接合基板の製造方法
【課題】簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の一方の面を複数の領域に分ける分割溝１０ａを形成し、この分割溝１０ａによって分けられたセラミックス基板１０の一方の面の複数の領域の各々に回路用金属板１２を配置するとともに、これらの回路用金属板１２の各々に対応するようにセラミックス基板１０の他方の面に金属ベース板１４を配置して、セラミックス基板１０の両面に複数の回路用金属板１２と複数の金属ベース板１４を接合した後、分割溝１０ａに沿ってセラミックス基板１０を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造する。
【解決手段】セラミックス基板１０の一方の面を複数の領域に分ける分割溝１０ａを形成し、この分割溝１０ａによって分けられたセラミックス基板１０の一方の面の複数の領域の各々に回路用金属板１２を配置するとともに、これらの回路用金属板１２の各々に対応するようにセラミックス基板１０の他方の面に金属ベース板１４を配置して、セラミックス基板１０の両面に複数の回路用金属板１２と複数の金属ベース板１４を接合した後、分割溝１０ａに沿ってセラミックス基板１０を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属−セラミックス接合基板の製造方法に関し、特に、セラミックス基板に金属板が接合した金属−セラミックス接合基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気自動車、電車、工作機械などの大電力を制御するためにパワーモジュールが使用されており、このようなパワーモジュール用の金属−セラミックス絶縁基板として、セラミックス基板の表面にアルミニウムやアルミニウム合金などの金属からなる金属回路板を接合した金属−セラミックス接合基板が使用されている。
【０００３】
このような金属−セラミックス接合基板を製造する方法として、セラミックス基板と金属板の間にろう材を介在させ、不活性雰囲気中または真空下で加熱処理して、セラミックス基板に金属板を接合させる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、特許文献１の方法によって金属−セラミックス接合基板を大量生産する場合には、１枚の大きなセラミックス基板を複数のセラミックス基板に分割した後に、個々のセラミックス基板に金属板を接合させる必要があり、製造時間が長くなって製造コストが高くなる。
【０００５】
また、金属−セラミックス接合基板を大量生産する方法として、分割線を形成したセラミックス基板上に活性金属ろう材ペーストを所望のパターンに塗布して金属板を接合し、分割線によって区画された金属板上に回路パターンをレジストで印刷し、エッチング処理により金属回路を形成した後、セラミックス基板を分割線に沿って分割する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２３０８５８号公報（段落番号００１０）
【特許文献２】特開平８−３２２０４号公報（段落番号００１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２の方法によって金属−セラミックス接合基板を大量生産する場合、金属板が厚いアルミニウム板であると、エッチング処理時間が長くなって製造コストが高くなる。
【０００８】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって、簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板（例えば、アルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなるアルミニウム板）を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に回路用金属板（例えば、アルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなる回路用アルミニウム板）を配置するとともに、これらの回路用金属板の各々に対応するようにセラミックス基板の他方の面に金属ベース板（例えば、アルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなるアルミニウムベース板）を配置して、セラミックス基板の両面に複数の回路用金属板と複数の金属ベース板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする。
【００１２】
これらの金属−セラミックス接合基板の製造方法において、分割溝が、レーザーによって所定の幅および深さの多数の穴を重ねて略直線状に配置することによって形成されるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって、簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板に分割溝（ブレークライン）を形成した状態を示す平面図である。
【図２Ａ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板上の所定の位置にアルミニウム板を配置した状態を示す平面図である。
【図２Ｂ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を配置した状態を示す側面図である。
【図３】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を配置してスペーサで挟んだ状態を示す側面図である。
【図４Ａ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板上の所定の位置にアルミニウム板を接合した状態を示す平面図である。
【図４Ｂ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を接合した状態を示す側面図である。
【図５Ａ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板上の所定の位置にアルミニウム板を接合した後に個々の金属−セラミックス接合基板に分離した状態を示す平面図である。
【図５Ｂ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を接合した後に個々の金属−セラミックス接合基板に分離した状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
まず、図１に示すように、平面形状が略矩形のセラミックス基板１０を複数の略矩形の領域に分ける略直線状の分割溝（ブレークライン）１０ａをセラミックス基板１０の一方の面に形成する。なお、セラミックス基板は、厚さ０．２〜２．０ｍｍ、抗折強度３０ｋｇｆ／ｍｍ２以上のＡｌＮ基板などのセラミックス基板であるのが好ましい。また、セラミックス基板の熱伝導率は、１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのが好ましく、１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのがさらに好ましい。また、分割溝の幅は３０〜１００μｍ、深さは５０〜２００μｍであるのが好ましい。
【００１７】
例えば、セラミックス基板１０として９８ｍｍ×８８ｍｍ×０．６４ｍｍの大きさの平面形状が略矩形のＡｌＮ基板（抗折強度３５ｋｇｆ／ｍｍ２、熱伝導率１７０Ｗ／ｍ・Ｋ）を用意し、セラミックス基板１０を３０ｍｍ×４０ｍｍ×０．６４ｍｍの大きさの６つに分割することができるように、セラミックス基板１０の一方の面を３０ｍｍ×４０ｍｍの大きさの６つの略矩形の領域に分ける分割溝１０ａをセラミックス基板１０の一方の面に形成する。なお、分割溝１０ａは、ＣＯ２レーザーなどを用いたレーザー加工によって所定の幅および深さ（例えば、幅７０μｍ、深さ１００μｍ）の多数の穴（加工ドット）を（例えば２／３だけ）重ねて略直線状に配置することによって形成することができる。なお、図１に示すように、セラミックス基板１０の周縁部に６つの略矩形の領域を取り囲む余白部（例えば、幅４ｍｍの余白部）を設けている（この余白部は後工程において分割されて除去される）が、このような余白部を設けなくてもよい。
【００１８】
次に、図２Ａに示すように、分割溝１０ａによって囲まれたセラミックス基板１０の各々の領域よりも小さい平面形状が略矩形のアルミニウム板などの回路用金属板１２をセラミックス基板１０の各々の領域に配置させるとともに、図２Ｂに示すように、セラミックス基板１０の各々の領域よりも小さい平面形状が略矩形のアルミニウム板などの金属ベース板１４を各々の回路用金属板１２に対向するようにセラミックス基板１０の他方の面に配置させる。
【００１９】
例えば、回路用金属板１２として、厚さ約０．５５ｍｍの純度９９．５％以上の純アルミニウム（例えばＡ１０５０）板と厚さ約０．０５ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系合金（例えばＡ４０４５）ろう材とのクラッド材（８％クラッド）からなる厚さ０．６ｍｍのアルミニウム圧延板の金型打ち抜きによって、２５ｍｍ×３５ｍｍ×０．６ｍｍの大きさの平面形状が略矩形の６つのアルミニウム板を用意し、金属ベース板１４として、厚さ約１．５５ｍｍの純度９９．５％以上の純アルミニウム（例えばＡ１０５０）板と厚さ約０．０５ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系合金（例えばＡ４０４５）ろう材とのクラッド材（３％クラッド）からなる厚さ１．６ｍｍのアルミニウム圧延板の金型打ち抜きによって、２５ｍｍ×３５ｍｍ×１．６ｍｍの大きさの平面形状が略矩形の６つのアルミニウム板を用意した後、図２Ａおよび２Ｂに示すように、分割溝１０ａによって囲まれたセラミックス基板１０の各々の領域の略中央に各々の回路用金属板１２のろう材側を接触させるとともに、各々の回路用金属板１２に対向するように各々の金属ベース板１４のろう材側をセラミックス基板１０に接触させる。
【００２０】
次に、図３に示すように、セラミックス基板１０の両面に配置した回路用金属板１２および金属ベース板１４を一対のスペーサ１６で挟持し、スペーサ１６の両側から０．２〜０．６ＭＰの圧力を加えながら加熱（例えば、炉内圧力１０Ｐａ以下の減圧雰囲気において６００〜６５０℃で０．５〜３時間加熱）することにより、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、回路用金属板１２および金属ベース板１４をセラミックス基板１０に接合させる。
【００２１】
最後に、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、分割溝１０ａに沿ってセラミックス基板１０を分割して、複数の金属−セラミックス接合基板を得る。
【符号の説明】
【００２２】
１０ セラミックス基板
１０ａ 分割溝
１２ 回路用金属板
１４ 金属ベース板
１６ スペーサ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属−セラミックス接合基板の製造方法に関し、特に、セラミックス基板に金属板が接合した金属−セラミックス接合基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気自動車、電車、工作機械などの大電力を制御するためにパワーモジュールが使用されており、このようなパワーモジュール用の金属−セラミックス絶縁基板として、セラミックス基板の表面にアルミニウムやアルミニウム合金などの金属からなる金属回路板を接合した金属−セラミックス接合基板が使用されている。
【０００３】
このような金属−セラミックス接合基板を製造する方法として、セラミックス基板と金属板の間にろう材を介在させ、不活性雰囲気中または真空下で加熱処理して、セラミックス基板に金属板を接合させる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、特許文献１の方法によって金属−セラミックス接合基板を大量生産する場合には、１枚の大きなセラミックス基板を複数のセラミックス基板に分割した後に、個々のセラミックス基板に金属板を接合させる必要があり、製造時間が長くなって製造コストが高くなる。
【０００５】
また、金属−セラミックス接合基板を大量生産する方法として、分割線を形成したセラミックス基板上に活性金属ろう材ペーストを所望のパターンに塗布して金属板を接合し、分割線によって区画された金属板上に回路パターンをレジストで印刷し、エッチング処理により金属回路を形成した後、セラミックス基板を分割線に沿って分割する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２３０８５８号公報（段落番号００１０）
【特許文献２】特開平８−３２２０４号公報（段落番号００１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献２の方法によって金属−セラミックス接合基板を大量生産する場合、金属板が厚いアルミニウム板であると、エッチング処理時間が長くなって製造コストが高くなる。
【０００８】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって、簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板（例えば、アルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなるアルミニウム板）を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に回路用金属板（例えば、アルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなる回路用アルミニウム板）を配置するとともに、これらの回路用金属板の各々に対応するようにセラミックス基板の他方の面に金属ベース板（例えば、アルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなるアルミニウムベース板）を配置して、セラミックス基板の両面に複数の回路用金属板と複数の金属ベース板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする。
【００１２】
これらの金属−セラミックス接合基板の製造方法において、分割溝が、レーザーによって所定の幅および深さの多数の穴を重ねて略直線状に配置することによって形成されるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって、簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板に分割溝（ブレークライン）を形成した状態を示す平面図である。
【図２Ａ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板上の所定の位置にアルミニウム板を配置した状態を示す平面図である。
【図２Ｂ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を配置した状態を示す側面図である。
【図３】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を配置してスペーサで挟んだ状態を示す側面図である。
【図４Ａ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板上の所定の位置にアルミニウム板を接合した状態を示す平面図である。
【図４Ｂ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を接合した状態を示す側面図である。
【図５Ａ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板上の所定の位置にアルミニウム板を接合した後に個々の金属−セラミックス接合基板に分離した状態を示す平面図である。
【図５Ｂ】本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態において、セラミックス基板の両面の所定の位置にアルミニウム板を接合した後に個々の金属−セラミックス接合基板に分離した状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明による金属−セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
まず、図１に示すように、平面形状が略矩形のセラミックス基板１０を複数の略矩形の領域に分ける略直線状の分割溝（ブレークライン）１０ａをセラミックス基板１０の一方の面に形成する。なお、セラミックス基板は、厚さ０．２〜２．０ｍｍ、抗折強度３０ｋｇｆ／ｍｍ２以上のＡｌＮ基板などのセラミックス基板であるのが好ましい。また、セラミックス基板の熱伝導率は、１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのが好ましく、１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのがさらに好ましい。また、分割溝の幅は３０〜１００μｍ、深さは５０〜２００μｍであるのが好ましい。
【００１７】
例えば、セラミックス基板１０として９８ｍｍ×８８ｍｍ×０．６４ｍｍの大きさの平面形状が略矩形のＡｌＮ基板（抗折強度３５ｋｇｆ／ｍｍ２、熱伝導率１７０Ｗ／ｍ・Ｋ）を用意し、セラミックス基板１０を３０ｍｍ×４０ｍｍ×０．６４ｍｍの大きさの６つに分割することができるように、セラミックス基板１０の一方の面を３０ｍｍ×４０ｍｍの大きさの６つの略矩形の領域に分ける分割溝１０ａをセラミックス基板１０の一方の面に形成する。なお、分割溝１０ａは、ＣＯ２レーザーなどを用いたレーザー加工によって所定の幅および深さ（例えば、幅７０μｍ、深さ１００μｍ）の多数の穴（加工ドット）を（例えば２／３だけ）重ねて略直線状に配置することによって形成することができる。なお、図１に示すように、セラミックス基板１０の周縁部に６つの略矩形の領域を取り囲む余白部（例えば、幅４ｍｍの余白部）を設けている（この余白部は後工程において分割されて除去される）が、このような余白部を設けなくてもよい。
【００１８】
次に、図２Ａに示すように、分割溝１０ａによって囲まれたセラミックス基板１０の各々の領域よりも小さい平面形状が略矩形のアルミニウム板などの回路用金属板１２をセラミックス基板１０の各々の領域に配置させるとともに、図２Ｂに示すように、セラミックス基板１０の各々の領域よりも小さい平面形状が略矩形のアルミニウム板などの金属ベース板１４を各々の回路用金属板１２に対向するようにセラミックス基板１０の他方の面に配置させる。
【００１９】
例えば、回路用金属板１２として、厚さ約０．５５ｍｍの純度９９．５％以上の純アルミニウム（例えばＡ１０５０）板と厚さ約０．０５ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系合金（例えばＡ４０４５）ろう材とのクラッド材（８％クラッド）からなる厚さ０．６ｍｍのアルミニウム圧延板の金型打ち抜きによって、２５ｍｍ×３５ｍｍ×０．６ｍｍの大きさの平面形状が略矩形の６つのアルミニウム板を用意し、金属ベース板１４として、厚さ約１．５５ｍｍの純度９９．５％以上の純アルミニウム（例えばＡ１０５０）板と厚さ約０．０５ｍｍのＡｌ−Ｓｉ系合金（例えばＡ４０４５）ろう材とのクラッド材（３％クラッド）からなる厚さ１．６ｍｍのアルミニウム圧延板の金型打ち抜きによって、２５ｍｍ×３５ｍｍ×１．６ｍｍの大きさの平面形状が略矩形の６つのアルミニウム板を用意した後、図２Ａおよび２Ｂに示すように、分割溝１０ａによって囲まれたセラミックス基板１０の各々の領域の略中央に各々の回路用金属板１２のろう材側を接触させるとともに、各々の回路用金属板１２に対向するように各々の金属ベース板１４のろう材側をセラミックス基板１０に接触させる。
【００２０】
次に、図３に示すように、セラミックス基板１０の両面に配置した回路用金属板１２および金属ベース板１４を一対のスペーサ１６で挟持し、スペーサ１６の両側から０．２〜０．６ＭＰの圧力を加えながら加熱（例えば、炉内圧力１０Ｐａ以下の減圧雰囲気において６００〜６５０℃で０．５〜３時間加熱）することにより、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、回路用金属板１２および金属ベース板１４をセラミックス基板１０に接合させる。
【００２１】
最後に、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、分割溝１０ａに沿ってセラミックス基板１０を分割して、複数の金属−セラミックス接合基板を得る。
【符号の説明】
【００２２】
１０ セラミックス基板
１０ａ 分割溝
１２ 回路用金属板
１４ 金属ベース板
１６ スペーサ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする、金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属板がアルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなるアルミニウム板であることを特徴とする、請求項１に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項３】
セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に回路用金属板を配置するとともに、これらの回路用金属板の各々に対応するようにセラミックス基板の他方の面に金属ベース板を配置して、セラミックス基板の両面に複数の回路用金属板と複数の金属ベース板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする、金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項４】
前記回路用金属板および前記金属ベース板が、それぞれアルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなる回路用アルミニウム板およびアルミニウムベース板であることを特徴とする、請求項３に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項５】
前記分割溝が、レーザーによって所定の幅および深さの多数の穴を重ねて略直線状に配置することによって形成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項１】
セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に金属板を配置して、セラミックス基板の一方の面に複数の金属板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする、金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属板がアルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなるアルミニウム板であることを特徴とする、請求項１に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項３】
セラミックス基板の一方の面を複数の領域に分ける分割溝を形成し、この分割溝によって分けられたセラミックス基板の一方の面の複数の領域の各々に回路用金属板を配置するとともに、これらの回路用金属板の各々に対応するようにセラミックス基板の他方の面に金属ベース板を配置して、セラミックス基板の両面に複数の回路用金属板と複数の金属ベース板を接合した後、分割溝に沿ってセラミックス基板を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造することを特徴とする、金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項４】
前記回路用金属板および前記金属ベース板が、それぞれアルミニウムとアルミニウム合金のクラッド材からなる回路用アルミニウム板およびアルミニウムベース板であることを特徴とする、請求項３に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【請求項５】
前記分割溝が、レーザーによって所定の幅および深さの多数の穴を重ねて略直線状に配置することによって形成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【公開番号】特開２０１２−７４５３２（Ｐ２０１２−７４５３２Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１８１０７（Ｐ２０１０−２１８１０７）
【出願日】平成２２年９月２９日（２０１０．９．２９）
【出願人】（５０６３６５１３１）ＤＯＷＡメタルテック株式会社 (109)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２９日（２０１０．９．２９）
【出願人】（５０６３６５１３１）ＤＯＷＡメタルテック株式会社 (109)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]