電子回路
【課題】発振回路部の信号反転素子及びインターフェース回路部のインターフェース回路部のインターフェース集積回路素子で消費される電流を抑えて消費電力が少ない電子回路を提供する。
【解決手段】発振回路部とインターフェース回路部と被駆動回路部と備えた電子回路であって、発振回路部用電源電圧印加端子と発振回路部の間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、インターフェース回路部用電源電圧印加端子とインターフェース回路部との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、発振回路部用電流制限抵抗の両端部からグランドに接続されている第一のコンデンサが設けられ、インターフェース回路部用電流制限抵抗の両端部からグランドに接続されている第二のコンデンサが設けられ、インターフェース回路部から出力され被駆動回路部に入力される信号電圧が被駆動回路部が動作するために必要な電圧より大きいことを特徴とする。
【解決手段】発振回路部とインターフェース回路部と被駆動回路部と備えた電子回路であって、発振回路部用電源電圧印加端子と発振回路部の間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、インターフェース回路部用電源電圧印加端子とインターフェース回路部との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、発振回路部用電流制限抵抗の両端部からグランドに接続されている第一のコンデンサが設けられ、インターフェース回路部用電流制限抵抗の両端部からグランドに接続されている第二のコンデンサが設けられ、インターフェース回路部から出力され被駆動回路部に入力される信号電圧が被駆動回路部が動作するために必要な電圧より大きいことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路素子を用いている電子回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路素子の一例であるＣ−ＭＯＳ集積回路素子は、他の集積回路素子と比較して消費電力が少ないことから、電力を消費して動作する電子機器に搭載されている電子回路に非常に多く用いられている。
【０００３】
Ｃ−ＭＯＳ集積回路素子を用いた電子回路は、例えば、発振回路部と、発振回路部に接続され発振回路部から信号が入力されるインターフェース回路部と、インターフェース回路部に接続されインターフェース回路部から信号が入力される被駆動回路部とを含んでいる。このとき、発振回路部及びインターフェース回路部にＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられている。
【０００４】
ここで、インターフェース回路部とは、少なくとも２つの電子回路に接続されており、一方の接続されている電子回路から信号が入力されると、他方の接続されている電子回路に適した信号となるように変換し、他方の接続されている電子回路に信号を出力する回路である。
【０００５】
また、インターフェース回路部から出力された信号が入力される電子回路を被駆動回路部とする。
【０００６】
従って、このような電子回路は、例えば、インターフェース回路部が発振回路部及び被駆動回路部に接続され、発振回路部から出力された信号がインターフェース回路部に入力され、インターフェース回路部に入力された信号がインターフェース回路部で被駆動回路部に適した信号に変換され、インターフェース回路部で変換された信号が被駆動回路部に入力される回路構成となっている。
【０００７】
このような電子回路３００は、例えば、図５に示すように、発振回路部３１０とインターフェース回路部３２０と被駆動回路部３３０と電圧制限回路部３４０とから構成されている。
【０００８】
発振回路部３１０は、例えば、図５に示すように、信号反転素子３１１と帰還抵抗３１２と水晶振動子３１３と発振コンデンサ３１４ａ，３１４ｂとから構成されている。
【０００９】
信号反転素子３１１は、信号反転機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられ、例えば、インバータ集積回路素子が用いられる。
【００１０】
ここで、信号反転機能とは、信号が入力されたときに入力された信号を反転させて出力する機能である。
【００１１】
また、信号反転素子３１１は、信号反転素子電源電圧入力端子（図示せず）と信号反転素子グランド端子（図示せず）と信号反転素子信号入力端子（図示せず）と信号反転素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【００１２】
信号反転素子電源電圧入力端子は、信号反転素子３１１の信号反転機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子である。
また、信号反転素子電源電圧入力端子は、後述する電圧制限回路部３４０に接続され後述する電圧制限回路部から電圧が供給される端子である。
【００１３】
信号反転素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【００１４】
信号反転素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
【００１５】
信号反転素子信号出力端子は、信号が出力される端子である。
【００１６】
従って、信号反転素子３１１は、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で信号反転素子信号入力端子に信号が入力されると、入力された信号が反転されて信号反転素子信号出力端子から出力される機能を備えている。
【００１７】
帰還抵抗３１２は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
また、帰還抵抗３１２は、信号反転素子３１１をアナログ反転動作させるために用いられる。
【００１８】
水晶振動子３１３は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
【００１９】
また、水晶振動子３１３は、例えば、矩形形状の平板状の水晶片の両主面に励振電極が設けられている水晶振動素子と、水晶振動素子が搭載される素子搭載部材と、素子搭載部材と接合され水晶振動素子を気密封止する蓋部材と、から構成されている。
また、水晶振動子３１３は、例えば、水晶振動素子が搭載されている面に対向する素子搭載部材の面に設けられている外部接続端子と水晶振動素子の励振電極とが電気的に接続されている。
また、水晶振動子３１３は、外部接続端子から直流電圧が印加されると、逆圧電効果及び圧電効果によって水晶振動素子の水晶片が振動を開始し、その後振動する構造となっている。
【００２０】
ここで、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片が所定の周波数で振動する原理について説明する。
水晶振動素子は、前述したように、水晶片と水晶片の両主面に設けられている励振電極とから主に構成されている。
水晶片は、例えば、圧電材料である水晶部材が用いられている。従って、水晶片は、圧電効果及び逆圧電効果の特性を有している。
水晶振動子は、外部接続端子に直流電圧が印加されることで、水晶振動素子の励振電極に電荷が蓄えられる。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が変形する。次に、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、最初に直流電圧が印加されたときに蓄えられた電荷の極性が反転した電荷が励振電極に発生する。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が最初とは別の方向に変形する。また、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、励振電極に更に反転した極性の電荷が発生する。
【００２１】
従って、水晶振動子３１３は、外部接続端子に直流電圧が印加されると、励振電極の電荷が充放電を開始し逆圧電効果及び圧電効果が繰り返されて水晶振動素子の水晶片が所定の周波数で振動する構造となっている。
【００２２】
ここで、水晶振動素子の水晶片の一部が所定の周波数で振動している状態を水晶振動子３１３が振動している状態とする。
【００２３】
発振コンデンサ３１４ａ，３１４ｂは、例えば、図５に示すように、２つ設けられており、水晶振動子３１３の両端部とグランドに接続されている。
【００２４】
一方の発振コンデンサ３１４ａは、一方の端部が水晶振動子３１３の一方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００２５】
他方の発振コンデンサ３１４ｂは、一方の端部が水晶振動子３１３の他方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００２６】
発振コンデンサ３１４ａ，３１４ｂは、水晶振動子３１３の両端部とグランドに接続されているので、水晶振動素子の励振電極に発生した電荷を安定して充放電し、水晶振動子３１３を安定して振動させる役割を果たす。
【００２７】
従って、発振回路部３１０は、直流電圧が水晶振動子３１３に印加されると、信号反転素子３１１及び帰還抵抗３１２がアナログ反転増幅器の機能を果たし、水晶振動子３１３が振動し続ける回路構成となっている。
【００２８】
ここで、発振回路部３１０で用いられる信号反転素子３１１の信号反転素子信号出力端子から出力される信号の周波数を、発振周波数とする。
【００２９】
また、信号が１秒間に繰り返される数を信号周波数とし、信号が電圧の場合に信号電圧とする。
【００３０】
電圧制限回路部３４０は、前述したように、信号反転素子３１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続しており、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧を供給する。
また、電圧制限回路部３４０は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１に接続されている。
【００３１】
発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１は、電子回路とは別の電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加されて電流が流入する端子である。
【００３２】
また、電圧制限回路部３４０は、信号反転素子で消費される電力を抑えるために発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１に印加された電圧より低い電圧を信号反転素子電源電圧入力端子に印加させている。
【００３３】
インターフェース回路部３２０は、例えば、図５に示すように、発振回路部３１０と被駆動回路部３３０とに接続されている。
また、インターフェース回路部３２０は、発振回路部３１０から出力された信号を被駆動回路部３３０に適した信号になるように変換している。
【００３４】
ここで、インターフェース回路部３２０は、例えば、波形整形回路機能を有している。
波形整形回路機能とは、位相の異なる２つの正弦波の信号を入力したときに変換され、波形整形された矩形波の信号を出力する機能である。
【００３５】
また、インターフェース回路部３２０は、例えば、図５に示すように、インターフェース集積回路素子３２１を用いて構成されている。
【００３６】
インターフェース集積回路素子３２１は、例えば、波形整形回路の機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられる。
また、インターフェース集積回路素子３２１は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子グランド端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【００３７】
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース集積回路素子３２１の波形整形回路の機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子であり、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２に接続されている。
【００３８】
インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２は、前述した発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１と同じ電源供給回路に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
従って、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２には、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１と同じ電位の電圧が印加される。
【００３９】
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２に電圧が印加され電流が流入すると、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２に流入した電流がそのまま流入する。
【００４０】
インターフェース集積回路素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【００４１】
インターフェース集積回路素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
また、インターフェース集積回路素子信号入力端子は、例えば、２つ設けられており、それぞれ発振回路部３１０に接続されている。
一方のインターフェース集積回路素子信号入力端子は、例えば、図５に示すように、信号反転素子３１１の信号反転素子信号入力端子に接続されている。
他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子は、例えば、図５に示すように、信号反転素子３１１の信号反転素子信号出力端子に接続されている。
従って、インターフェース集積回路素子信号入力端子には、位相が１８０度異なる信号が入力される。
【００４２】
インターフェース集積回路素子信号出力端子は、インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号が変換されて出力される端子である。
【００４３】
従って、インターフェース集積回路部３２０は、インターフェース集積回路電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で発振回路部３１０からインターフェース集積回路素子信号入力端子に信号が入力されると、被駆動回路部３３０に適した信号となるように変換されてインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力する回路構成となっている。
【００４４】
また、インターフェース集積回路部３２０は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に印加される電圧の大きさによって、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧の大きさが小さくなる。
【００４５】
被駆動回路部３３０は、図５に示すように、インターフェース回路部３２０に接続されており、インターフェース回路部３２０から出力された信号が入力される。
ここで、被駆動回路部３３０は、例えば、インターフェース集積回路素子３２１のインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されており、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される。
このとき、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号電圧は、被駆動回路部３３０が動作するために必要な電圧より大きくなっている。
【００４６】
被駆動回路部３３０は、インターフェース集積回路素子３２１のインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されており、このインターフェース集積回路素子３２１から信号が入力される回路構成となっている。
また、被駆動回路部３３０は、被駆動回路部３３０を動作させるために必要な電圧より大きな信号電圧がインターフェース集積回路素子３２１から入力されて、動作する回路構成となっている。
【００４７】
従って、このような電子回路３００は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１と信号反転素子３１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に電圧制限回路部３４０が設けられており、信号反転素子３１１で消費される電力を抑えることができる回路構成となっている。
【００４８】
また、このような電子回路３００は、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２とインターフェース集積回路素子３２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子が接続されており、インターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加され電流が流入すると、インターフェース回路部用電源電圧印加端子に流入する電流がそのままインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する回路構成となっている。
【００４９】
また、このような電子回路３００は、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって被駆動回路部３３０に入力される信号電圧が被駆動回路部３３０を動作させるために必要な電圧より大きくなっている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５０】
【特許文献１】特開平７−０４６０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００５１】
しかしながら、従来の電子回路は、信号反転素子で消費される電力を減少させるために発振回路部用電源電圧印加端子と信号反転素子の信号反転素子電源電圧入力端子との間に電圧制限回路部が設けられているが、インターフェース回路部用電源電圧印加端子とインターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とが直接接続されているので、インターフェース集積回路素子で電力が消費される。
【００５２】
また、インターフェース回路部用電源電圧端子とインターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間に電圧制限回路部を設けた場合、従来の電子回路は、電圧制限回路部を設ける前と比較してインターフェース集積回路素子で消費される電力を抑えることができるが、電圧制限回路部を設ける前と比較してインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧が小さくなる。
このため、従来の電子回路は、インターフェース回路部から出力される信号電圧であって被駆動回路部に入力される信号電圧が被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より小さくなる恐れがあり、被駆動回路部が動作せず従来の電子回路が動作しない恐れがある。
【００５３】
そこで、本発明では、信号反転素子及びインターフェース集積回路素子で消費される電力を抑えた状態で発振回路部とインターフェース回路部と被駆動回路部とを動作させることができる電子回路を供給することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００５４】
前記課題を解決するため、信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている発振回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、
前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部に接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、
前記インターフェース集積回路素子用電源電圧入力端子に接続されている前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、を含んでいる電子回路であって、前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記発振回路部用電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、前記発振回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接続されている第一のコンデンサが設けられ、前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接地されている第二のコンデンサが設けられ、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きいことを特徴とする。
【００５５】
また、前記課題を解決するため、信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧印加端子に電圧が入力されると、
前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部が接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、
前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されかつ前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、を含んでいる電子回路であって、前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、前記電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、前記電源電圧印加端子とグランドに接続されている第三のコンデンサが設けられ、前記発振回路部用電流制限抵抗の前記信号反転素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第四のコンデンサが設けられ、前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第五のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００５６】
このような電子回路によれば、信号反転素子の信号反転素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入される発振回路部用電源電圧印加端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、インターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入されるインターフェース回路部用電源電圧印加端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、発振回路部用電源電圧印加端子及びインターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加され電流が流入すると、発振回路部用電流制限抵抗を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に流入し、
インターフェース回路部用電流制限抵抗を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較して信号反転素子に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような電子回路によれば、信号反転素子で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【００５７】
また、このような電子回路によれば、インターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって被駆動回路部に入力される信号電圧が被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きいので、被駆動回路部を動作させることができ、発振回路部とインターフェース回路部と被駆動回路部とを動作させることができる。
【００５８】
また、このような電子回路によれば、電圧が印加され電流が流入する電源電圧印加端子と信号反転素子の信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、この発振回路部用電流制限抵抗が接続されている電源電圧印加端子と、インターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、電源電圧印加端子に電圧が印加され電流が流入すると、発振回路部用電流制限抵抗を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に入力し、
インターフェース回路部用電流制限抵抗を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に入力する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較して信号反転素子に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような電子回路によれば、信号反転素子で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る電子回路の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の第二の実施形態に係る電子回路の一例を示す回路図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第二の実施形態に係る電子回路の実施例において発振回路部のみを動作させた状態で信号反転素子に流入する電流と発振回路部用電流制限抵抗の抵抗値との関係を示す関係図であり、（ｂ）は、第二の実施形態に係る電子回路の実施例において発振回路部のみを動作させた状態で発振回路部の負性抵抗と発振回路部用電流制限抵抗の抵抗値との関係を示す関係図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第二の実施形態に係る電子回路の実施例において信号反転増幅素子及びインターフェース集積回路素子に流入する電流値とインターフェース回路部電流制限抵抗の抵抗値との関係を示す関係図であり、（ｂ）は、本発明の第二の実施形態に係る電子回路の実施例においてインターフェース回路部から出力される信号電圧の振幅とインターフェース回路部用電流制限抵抗との関係を示す関係図である。
【図５】従来の電子回路の一例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、各図面において、各構成要素の状態をわかりやすくするために誇張して図示している。
【００６１】
（第一の実施形態）
本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、例えば、図１に示すように、発振回路部１１０とインターフェース回路部１２０と被駆動回路部１３０と発振回路部用電流制限回路部１４０とインターフェース回路部用電流制限回路部１５０とから主に構成されている。
【００６２】
また、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、例えば、インターフェース回路部１２０が発振回路部１１０及び被駆動回路部１３０に接続され、発振回路部１１０から出力された信号がインターフェース回路部１２０に入力され、インターフェース回路部１２０に入力された信号がインターフェース回路部１２０で変換されて出力され、インターフェース回路部１２０から出力された信号が被駆動回路部に入力されるように接続されている。
【００６３】
また、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、発振回路部用電流制限回路１４０から発振回路部１１０に電圧が供給され、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０からインターフェース回路部１２０に電圧が供給される回路構成となっている。
【００６４】
発振回路部１１０は、例えば、図１に示すように、信号反転素子１１１と帰還抵抗１１２と水晶振動子１１３と発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂとから構成されている。
【００６５】
信号反転素子１１１は、信号反転機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられており、例えば、インバータ集積回路素子が用いられる。
【００６６】
ここで、信号反転機能とは、信号が入力されたときに入力された信号を反転させて出力する機能である。
【００６７】
また、信号反転素子１１１は、信号反転素子電源電圧入力端子（図示せず）と信号反転素子グランド端子（図示せず）と信号反転素子信号入力端子（図示せず）と信号反転素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【００６８】
信号反転素子電源電圧入力端子は、信号反転素子１１１の反転増幅機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子である。
また、信号反転素子電源電圧入力端子は、後述する発振回路部用電流制限回路部１４０に接続され後述する電圧制限回路部から電圧が供給される端子である。
【００６９】
信号反転素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【００７０】
信号反転素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
【００７１】
信号反転素子信号出力端子は、信号が出力される端子である。
【００７２】
従って、信号反転素子１１１は、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で信号反転素子信号入力端子に信号が入力されると、入力された信号が反転されて信号反転素子信号出力端子から出力される機能を備えている。
【００７３】
帰還抵抗１１２は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
また、帰還抵抗１１２は、信号反転素子１１１をアナログ反転動作させるために用いられる。
【００７４】
水晶振動子１１３は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
【００７５】
また、水晶振動子１１３は、例えば、矩形形状の平板状の水晶片の両主面に励振電極が設けられている水晶振動素子と、水晶振動素子が搭載される素子搭載部材と、素子搭載部材と接合され水晶振動素子を気密封止する蓋部材と、から構成されている。
また、水晶振動子１１３は、例えば、水晶振動素子が搭載されている面に対向する素子搭載部材の面に設けられている外部接続端子と水晶振動素子の励振電極とが電気的に接続されている。
また、水晶振動子１１３は、外部接続端子から直流電圧が印加されると、逆圧電効果及び圧電効果によって水晶振動素子の水晶片が振動を開始し、その後振動する構造となっている。
【００７６】
ここで、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片が所定の周波数で振動する原理について説明する。
水晶振動素子は、前述したように、水晶片と水晶片の両主面に設けられている励振電極とから主に構成されている。
水晶片は、例えば、圧電材料である水晶部材が用いられている。従って、水晶片は、圧電効果及び逆圧電効果の特性を有している。
水晶振動子は、外部接続端子に直流電圧が印加されることで、水晶振動素子の励振電極に電荷が蓄えられる。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が変形する。次に、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、最初に直流電圧が印加されたときに蓄えられた電荷の極性が反転した電荷が励振電極に発生する。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が最初とは別の方向に変形する。また、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、励振電極に更に反転した極性の電荷が発生する。
【００７７】
従って、水晶振動子１１３は、外部接続端子に直流電圧が印加されると、励振電極の電荷が充放電を開始し逆圧電効果及び圧電効果が繰り返されて水晶振動素子の水晶片が所定の周波数で振動する構造となっている。
【００７８】
ここで、水晶振動素子の水晶片が所定の周波数で振動している状態を水晶振動子１１３が振動している状態とする。
【００７９】
発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂは、例えば、図５に示すように、２つ設けられており、水晶振動子１１３の両端部とグランドに接続されている。
【００８０】
一方の発振コンデンサ１１４ａは、一方の端部が水晶振動子１１３の一方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００８１】
他方の発振コンデンサ１１４ｂは、一方の端部が水晶振動子１１３の他方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００８２】
発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂは、水晶振動子１１３の両端部とグランドに接続されているので、水晶振動素子の励振電極に発生した電荷を安定して充放電し、水晶振動子１１３を安定して振動させる役割を果たす。
【００８３】
従って、発振回路部１１０は、直流電圧が水晶振動子１１３に印加されると、信号反転素子１１１及び帰還抵抗３１２がアナログ反転増幅器の機能を果たし、水晶振動子１１３が振動し続ける回路構成となっている。
【００８４】
ここで、発振回路部１１０で用いられる信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子から出力される信号の周波数を、発振周波数とする。
【００８５】
また、信号が１秒間に繰り返される数を信号周波数とし、信号が電圧の場合に信号電圧とする。
【００８６】
ここで、発振回路部１１０は、負性抵抗を有している。
水晶振動子１１３が振動しているときの抵抗値より負性抵抗の値が小さい場合、発振回路部１１０は、発振しない。
従って、発振回路部１１０は、水晶振動子１１３が振動しているときの抵抗値より十分大きな負性抵抗を有していなければならない。
【００８７】
発振回路部用電流制限回路部１４０は、前述したように、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続しており、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧を供給する。
また、発振回路部用電流制限回路部１４０は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に接続に接続されており、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に電圧が印加されて発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１から電流が流入する。
【００８８】
ここで、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１は、例えば、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００とは別の電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
【００８９】
また、発振回路部用電流制限回路部１４０は、例えば、図１に示すように、発振回路部用電流制限抵抗１４１と第一のコンデンサ１４２ａ，１４２ｂとから構成されている。
【００９０】
発振回路部用電流制限抵抗１４１は、図１に示すように、一方の端部が発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に接続され他方の端部が信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている。
【００９１】
従って、電源供給回路から発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に電圧が印加され電流が流入するとき、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１から流入する電流が発振回路部用電流制限抵抗１４１を通過して信号反転素子電源電圧入力端子に流入することとなる。
このため、オームの法則によって、発振回路部用電流制限抵抗１４１が設けられる前より信号反転素子１１１に流入する電流を小さくすることができ、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えることができる。
【００９２】
発振回路部用電流制限抵抗１４１は、その抵抗値が大きくなるに従って信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に流入する電流の値が小さくなり、発振回路部１１０の負性抵抗の値が小さくなる。
このため、発振回路部用電流制限抵抗１４１は、発振回路部１１０の負性抵抗が発振回路部１１０の水晶振動子１１３が振動しているときの抵抗値より大きくなり、かつ、信号反転素子１１１に流入する電流を小さくすることができる抵抗値のものが選択される。
【００９３】
第一のコンデンサ１４２ａ，１４２ｂは、例えば、図１に示すように、発振回路部用電流制限抵抗１４１の両端部とグランドに接続されている。
一方の第一のコンデンサ１４２ａは、一方の端部が発振回路部用電流制限抵抗１４１の一方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、発振回路部用電流制限抵抗１４１に入力される電圧のノイズを除去するとともに平滑化する役割を果たす。
他方の第一のコンデンサ１４２ｂは、一方の端部が発振回路部用電流制限抵抗１４１の他方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、発振回路部用電流制限抵抗１４１から出力される電圧のノイズを除去するともに平滑化する役割を果たす。
【００９４】
従って、発振回路部用電流制限回路部１４０は、発振回路部用電流制限抵抗１４１とこの発振回路部用電流制限抵抗１４１の両端部とグランドに接続されている第一のコンデンサ１４２ａ，１４２ｂとから構成され、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１と信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に設けられている。
このため、発振回路部用電流制限回路部１４０によって、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に電圧が印加され電流が流入するとき、発振回路部用電流制限回路部１４０を設ける前と比較して小さい電流を信号反転素子電源電圧入力端子に流入させることができるので、信号反転素子１１１に流入する電流を小さくすることができる。
ここで、電流の値と電圧の値の積によって電力の値が算出されるので、信号反転素子１１１での消費電流を抑えることで、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えることができるといえる。
【００９５】
インターフェース回路部１２０は、例えば、図１に示すように、発振回路部１１０と被駆動回路部１３０とに接続されている。
【００９６】
ここで、インターフェース回路部１２０とは、２つ以上の電子回路に接続されており、一方の接続されている電子回路から信号が入力されると、他方の接続されている電子回路に適した信号となるように変換し、他方の接続されている電子回路に信号を出力する回路である。
このとき、インターフェース回路部１２０から信号が入力される回路を被駆動回路部１３０とする。
【００９７】
従って、インターフェース回路部１２０は、発振回路部１１０から入力された信号を後述する被駆動回路部１３０に適した信号に変換し出力する機能を有する。
【００９８】
ここで、インターフェース回路部１２０は、例えば、分周機能を有している。
分周機能とは、入力された信号周波数を分周させ出力する機能である。
【００９９】
また、インターフェース回路部１２０は、例えば、図１に示すように、インターフェース集積回路素子１２１を用いて構成されている。
【０１００】
インターフェース集積回路素子１２１は、例えば、分周機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられる。
また、インターフェース集積回路素子１２１は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子グランド端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【０１０１】
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース集積回路素子１２１の分周機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子である。
また、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０に接続されておりインターフェース回路部用電流制限回路部１５０から電圧が供給される端子である。
【０１０２】
インターフェース集積回路素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【０１０３】
インターフェース集積回路素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
また、インターフェース集積回路素子信号入力端子は、例えば、２つ設けられている。
【０１０４】
一方のインターフェース集積回路素子信号入力端子は、信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子に接続されており、信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子から信号が入力される。
他方のインターフェース集積回路素子信号入力端子は、後述するインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されており、インターフェース集積回路素子出力端子から信号が入力される。
【０１０５】
インターフェース集積回路素子信号出力端子は、インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号が変換されて出力される端子である。
インターフェース集積回路素子信号出力端子は、例えば、２つ設けられている。
【０１０６】
一方のインターフェース集積回路素子信号出力端子は、他方のインターフェース集積回路素子信号入力端子に接続されている。
他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子は、後述する被駆動回路部１３０に接続されている。
【０１０７】
従って、インターフェース回路部１２０は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で、信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子から一方のインターフェース集積回路素子信号入力端子に信号が入力されると、一方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から信号が出力され、一方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が他方のインターフェース集積回路素子信号入力端子に入力がされ、他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から被駆動回路部１３０に信号が出力される回路構成となっている。
【０１０８】
また、インターフェース集積回路部１２０は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に印加される電圧の大きさが小さくなると、インターフェース集積回路素子１２１から出力される信号電圧の大きさが小さくなる。
【０１０９】
被駆動回路部１３０は、図１に示すように、インターフェース回路部１２０に接続されており、インターフェース回路部１２０から信号が入力される。
また、被駆動回路部１３０は、被駆動回路部用信号入力端子（図示せず）がインターフェース集積回路素子１２１の他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されている。
【０１１０】
被駆動回路部用信号入力端子は、インターフェース回路部１２０から信号が出力されかつ被駆動回路部１３０に信号が入力される端子である。
また、被駆動回路部用信号入力端子には、被駆動回路部１３０が動作するために最低限必要な電圧より大きな信号電圧が入力される端子である。
ここで、信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きな状態とは、信号電圧の振幅が被駆動回路部１３０を動作せるために必要な電圧の値より大きい状態とする。
【０１１１】
従って、被駆動回路部１３０は、被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きな信号電圧がインターフェース回路部１２０から入力され動作する。
【０１１２】
インターフェース回路部用電流制限回路部１５０は、前述したように、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２とインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されており、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧を供給する回路部である。
【０１１３】
ここで、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２は、例えば、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００とは別の電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
また、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２には、接続されている電源供給回路が発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１にも接続されており、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に印加される電圧と同じ電位の電圧が印加される。
【０１１４】
また、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０は、例えば、図１に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１と第二のコンデンサ１５２ａ，１５２ｂとから構成されている。
【０１１５】
インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１は、図２に示すように、一方の端部がインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に接続され、他方の端部がインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されている。
【０１１６】
従って、電源供給回路からインターフェース集積回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に電圧が印加され電流が流入するとき、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に流入する電流がインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１を通過し、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入することになる。
このため、オームの法則によって、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１が設けられる前よりインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を抑えることができる。
【０１１７】
インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１は、その抵抗値が大きくなるに従ってインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する電流の値が小さくなり、他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子が出力される信号電圧が小さくなる。
このため、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５０は、その抵抗値が、他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きく、かつ、インターフェース集積回路素子１２１
に流入する電流を小さくすることができる値となっている。
つまり、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の抵抗値は、インターフェース集積回路素子１２１から出力される信号電圧の振幅が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きく、かつ、インターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を抑える値となっている。
【０１１８】
第二のコンデンサ１５２ａ，１５２ｂは、例えば、図１に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の両端部とグランドに接続されている。
一方の第二のコンデンサ１５２ａは、一方の端部がインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の一方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１に入力される電圧のノイズを除去するとともに平滑化する役割を果たす。
他方の第二のコンデンサ１５２ｂは、一方の端部がインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の他方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１から出力される電圧のノイズを除去するとともに平滑化する役割を果たす。
【０１１９】
従って、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０は、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１とこのインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の両端部とグランドに接続されている第二のコンデンサ１５２ａ，１５２ｂとから構成され、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２とインターフェース集積回路素子１１１のインターフェース電源電圧入力端子との間に設けられている。
このため、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０によって、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に電圧が印加され電流が流入するとき、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０を設ける前より小さい電流をインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入させることができる。
前述したように、電流の値と電圧の値の積によって電力の値が算出されるので、インターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を抑えることによりインターフェース集積回路素子１２１で消費される電力を抑えることができる。
【０１２０】
従って、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１と信号反転素子１１１との間に発振回路部用電流制限回路部１４０を設けることによって、発振回路部１１０の信号反転素子１１１に適した電圧を印加しつつ信号反転素子１１１に流入する電流を制限することができる。このため、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えることができる。
また、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２とインターフェース集積回路素子１２１との間にインターフェース回路部用電流制限回路部１５０を設けることによって、
インターフェース回路部１２０のインターフェース集積回路素子１２１に適した電圧を印加しつつインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を制限することができる。このため、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、インターフェース集積回路素子１２１で消費される電力を抑えることができる。
【０１２１】
このような本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００によれば、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入される発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１との間に発振回路部用電流制限抵抗１４１が設けられ、インターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入されるインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１が設けられ、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１及びインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に電圧が印加され電流が流入すると、
発振回路部用電流制限抵抗１４１を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に流入し、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗１４１を設ける前の状態と比較して信号反転素子１１１に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００電子回路によれば、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子１２１の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【０１２２】
また、このような本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００電子回路によれば、インターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって被駆動回路部１３０に入力される信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きいので、被駆動回路部１３０を動作させることができ、発振回路部１１０とインターフェース回路部１２０と被駆動回路部１３０とを動作させることができる。
【０１２３】
（第二の実施形態）
本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００は、図２に示すように、電流制限回路部２４０が電源電圧印加端子Ｖ２１と信号反転素子１１１との間及び電源電圧印加端子Ｖ２１とインターフェース集積回路素子１２１との間に設けられている点で第一の実施形態と異なる。
【０１２４】
電流制限回路部２４０は、図２に示すように、発振回路部用電流制限抵抗２４１とインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２と第三のコンデンサ２４３と第四のコンデンサ２４４と第五のコンデンサ２４５とから構成されている。
【０１２５】
発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図２に示すように、一方の端部が電源電圧印加端子Ｖ２１に接続され、他方の端部が信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている。
従って、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図２に示すように、電源電圧印加端子Ｖ２１と信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に設けられている。
【０１２６】
ここで、電源電圧印加端子Ｖ２１は、例えば、電子機器に用いられている電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
また、電源電圧印加端子Ｖ２１は、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００の発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１及びインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２の機能を果たしている。
【０１２７】
インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図２に示すように、一方の端部が電源電圧印加端子Ｖ２１に接続され、他方の端部がインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されている。
従って、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、発振回路部用電流制限抵抗２４１の一方の端部が接続されている電源電圧端子Ｖ２１とインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間に設けられている。
【０１２８】
第三のコンデンサ２４３は、図２に示すように、一方の端部が電源電圧印加端子Ｖ２１に接続され、他方の端部がグランドに接続されている。
従って、電源電圧印加端子Ｖ２１には、第三のコンデンサ２４３の一方の端部と発振回路部用電流制限抵抗２４１の一方の端部とインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の一方の端部が接続されている。
つまり、第三のコンデンサ２４３は、発振回路部用電流制限抵抗２４１の一方の端部及びインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の一方の端部とグランドに接続されている。
【０１２９】
第四のコンデンサ２４４は、図２に示すように、一方の端部が発振回路部用電流制限抵抗２４１の他方の端部、つまり、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子側の端部に接続され、他方の端部がグランドに接続されている。
従って、第四のコンデンサ２４４は、発振回路部用電流制限抵抗２４１の他方の端部とグランドに接続されている。
【０１３０】
第五のコンデンサ２４５は、図２に示すように、一方の端部がインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の他方の端部、つまり、インターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子側の端部に接続され、他方の端部がグランドに接続されている。
従って、第五のコンデンサ２４５は、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の他方の端部からグランドに接続されている。
【０１３１】
従って、電流制限回路部２４０は、電源電圧印加端子Ｖ２１に電圧が印加され電流が流入すると、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子及びインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧を供給する回路構成となっている。
【０１３２】
また、このような本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００によれば、電圧が印加され電流が流入する電源電圧印加端子Ｖ２１と信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗２４１が設けられ、この発振回路部用電流制限抵抗２４１が接続されている電源電圧印加端子Ｖ１１とインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２が設けられ、電源電圧印加端子Ｖ２１に電圧が印加され電流が流入すると、発振回路部用電流制限抵抗２４１を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に入力し、
インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に入力する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗２４１を設ける前の状態と比較して信号反転素子１１１に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００によれば、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子１２１の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【０１３３】
（実施例）
次に、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００における実施例を挙げて、発振回路部用電流制限抵抗２４１及びインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の検討を行う。
【０１３４】
まず、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００の実施例では、インターフェース回路部１２０を動作させない状態で、発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値と負性抵抗の関係及び発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値と信号反転素子１１１に流入する電流との関係を測定し発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値を決定している。
次に、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００の実施例では、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値と信号反転素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流との関係、及びインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値とインターフェース回路部１２０から出力され被駆動回路部１３０に入力される信号電圧の関係を測定しインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値を決定している。
【０１３５】
前述したように、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００は、図２に示すように、発振回路部１１０とインターフェース回路部１２０と被駆動回路部１３０と電流制限回路部２４０とから構成されている。
また、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００は、発振回路部１１０から出力された信号がインターフェース回路部１２０に入力され、インターフェース回路部１２０で変換されインターフェース回路部１２０から出力された信号が被駆動回路部１３０に入力される回路構成となっている。
【０１３６】
発振回路部１１０は、図２に示すように、信号反転素子１１１と帰還抵抗１１２と水晶振動子１１３と発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂとから構成されている。
【０１３７】
信号反転素子１１１は、例えば、信号反転素子電源電圧入力端子に３Ｖの電圧が入力されるときに信号反転機能を果たす。
【０１３８】
帰還抵抗１１２は、信号反転素子１１１をアナログ反転動作させるために用いられており、例えば、抵抗値が１ＭΩのものが用いられている。
【０１３９】
水晶振動子１１３は、例えば、４９１５．２ｋＨｚの周波数で振動し、振動しているときの抵抗値が２０．２４Ωのものが用いられている。
【０１４０】
発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂは、例えば、容量が１０ｐＦのものが用いられる。
【０１４１】
インターフェース回路部１２０は、前述したように、インターフェース集積回路素子１２１が用いられている。
【０１４２】
インターフェース集積回路素子１２１は、例えば、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に３Ｖの電圧が入力されるときに分周機能を果たす。
【０１４３】
電源電圧印加端子Ｖ２１には、電源供給回路から３Ｖの電圧が印加される。
【０１４４】
被駆動回路部１３０は、例えば、入力される信号電圧の振幅が１．５Ｖより大きいときに動作する。
【０１４５】
ここでは、例えば、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００の発振回路部１１０及びインターフェース回路部１２０に流入する電流が４００μＡ以下となるように電流制限回路部２４０を検討する。
【０１４６】
電流制限回路部２４０は、前述したように、発振回路部用電流制限回路部２４１とインターフェース回路部用電流制限回路部２４２と第三のコンデンサ２４３と第四のコンデンサ２４４と第五のコンデンサ２４５とから構成されている。
【０１４７】
一般的に、水晶発振回路においてノイズの除去を目的とするコンデンサは、回路に影響を与えにくい容量のものが用いられ、例えば、０．１μＦのものが用いられる。
【０１４８】
第三のコンデンサ２４３は、例えば、容量が０．１μＦのものが用いられる。
【０１４９】
第四のコンデンサ２４４は、例えば、容量が０．１μＦのものが用いられる。
【０１５０】
第五のコンデンサ２４５は例えば、容量が０．１μＦのものが用いられる。
【０１５１】
発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図３（ａ）に示すように、発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値が大きくなるに従って消費電流が小さくなっている。
ここで、この特性は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧が印加されない状態で測定されている。つまり、インターフェース回路部１２０が動作していない状態で測定されたものである。
【０１５２】
インターフェース回路部１２０が動作していない状態で信号反転素子１１１に流入する電流が４００μＡ以上の場合、インターフェース回路部１２０を動作させたときに反転増幅素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流が４００μＡ以上となってしまい目標を満たすことができない。
このため、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、インターフェース回路部１２０が動作したときにインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を考慮して発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値が選択される。
【０１５３】
また、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図３（ｂ）に示すように、発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値が大きくなるに従って、負性抵抗が小さくなっている。
前述したように、水晶振動素子１１３が振動しているときの抵抗値より負性抵抗が小さい場合、発振回路部１１０が発振しない。
【０１５４】
従って、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、発振回路部１１０が十分な負性抵抗を持ち、かつ、信号反転素子１１１に流入する電流が少ない抵抗値のものが用いられる。
ここでは、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図３（ａ）及び図３（ｂ）から、信号反転素子１１１に流入する電流が小さく、かつ、発振回路部１１０が十分な負性抵抗を備える抵抗値が選択され、例えば、抵抗値が５．６ｋΩのものが用いられる。
【０１５５】
インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図４（ａ）に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値が大きくなるに従って信号反転素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流が小さくなる。
【０１５６】
また、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図４（ｂ）に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値が大きくなるに従ってインターフェース回路部１２０から出力される信号電圧の振幅が小さくなる。
【０１５７】
従って、インターフェース電流制限抵抗２４２は、発振回路部１１０及びインターフェース回路部１２０が動作している状態で、目標の電流よりも小さく、かつ、インターフェース回路部１２０から出力され被駆動回路部１３０に入力される信号電圧の振幅が被駆動回路部１３０を動作させるために最低限必要な電圧より大きくなるように抵抗値が選択される。
【０１５８】
前述したように、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、被駆動回路部１３０に入力される信号電圧の振幅が１．５Ｖより大きいときに被駆動回路部１３０が動作するので、図４（ｂ）から、信号電圧の振幅が１．５Ｖよりも大きくなる抵抗値が選択される。
また、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、信号反転素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流が４００μＡ以下となっていることが目標なので、図４（ａ）から、４００μＡよりも小さくなる抵抗値が選択される。
ここでは、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図４（ａ）及び図４（ｂ）から、消費電流が少なくかつインターフェース回路部１２０から出力され被駆動回路部１３０に入力される信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるための電圧より大きくなる抵抗が選択され、例えば、抵抗値が３．９ｋΩのものが用いられる。
【０１５９】
なお、インターフェース回路部が分周機能を有している場合について説明しているが、入力された信号を被駆動回路部に適した信号となるように変換し出力することができれば、例えば、インバータ機能を備えていてもよい。また、例えば、波形整形回路の機能を備えていてもよい。
【０１６０】
また、発振回路部が信号反転素子と帰還抵抗と水晶振動子と発振コンデンサとから構成されている場合について説明しているが、例えば、他の電子部品素子が接続されていてもよい。
【０１６１】
また、信号反転素子がインバータ集積回路素子を用いた場合について説明しているが、信号反転機能を有していれば、例えば、ＮＡＮＤ回路の機能を有したＣ−ＭＯＳ集積回路素子であってもよい。また、例えば、ＮＯＲ回路の機能を有したＣ−ＭＯＳ集積回路素子であってもよい。
【符号の説明】
【０１６２】
１００，２００，３００ 電子回路
１１０，３１０ 発振回路部
１１１，３１１ 信号反転素子
１１２，３１２ 帰還抵抗
１１３，３１３ 水晶振動子
１１４，３１４ 発振コンデンサ
１２０，３２０ インターフェース回路部
１２１，３２１ インターフェース集積回路素子
１３０，３１０ 被駆動回路部
１４０ 発振回路部用電流制限回路部
１５０ インターフェース回路部用電流制限回路部
２４０ 電流制限回路部
１４１，２４１ 発振回路部用電流制限抵抗
１５１，２４２ インターフェース回路部用電流制限抵抗
１４２ 第一のコンデンサ
１５２ 第二のコンデンサ
２４３ 第三のコンデンサ
２４４ 第四のコンデンサ
２４５ 第五のコンデンサ
３４０ 電圧制限回路部
Ｖ１１，Ｖ３１ 発振回路部用電源電圧印加端子
Ｖ１２，Ｖ３２ インターフェース回路部用電源電圧印加端子
Ｖ２１ 電源電圧印加端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路素子を用いている電子回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路素子の一例であるＣ−ＭＯＳ集積回路素子は、他の集積回路素子と比較して消費電力が少ないことから、電力を消費して動作する電子機器に搭載されている電子回路に非常に多く用いられている。
【０００３】
Ｃ−ＭＯＳ集積回路素子を用いた電子回路は、例えば、発振回路部と、発振回路部に接続され発振回路部から信号が入力されるインターフェース回路部と、インターフェース回路部に接続されインターフェース回路部から信号が入力される被駆動回路部とを含んでいる。このとき、発振回路部及びインターフェース回路部にＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられている。
【０００４】
ここで、インターフェース回路部とは、少なくとも２つの電子回路に接続されており、一方の接続されている電子回路から信号が入力されると、他方の接続されている電子回路に適した信号となるように変換し、他方の接続されている電子回路に信号を出力する回路である。
【０００５】
また、インターフェース回路部から出力された信号が入力される電子回路を被駆動回路部とする。
【０００６】
従って、このような電子回路は、例えば、インターフェース回路部が発振回路部及び被駆動回路部に接続され、発振回路部から出力された信号がインターフェース回路部に入力され、インターフェース回路部に入力された信号がインターフェース回路部で被駆動回路部に適した信号に変換され、インターフェース回路部で変換された信号が被駆動回路部に入力される回路構成となっている。
【０００７】
このような電子回路３００は、例えば、図５に示すように、発振回路部３１０とインターフェース回路部３２０と被駆動回路部３３０と電圧制限回路部３４０とから構成されている。
【０００８】
発振回路部３１０は、例えば、図５に示すように、信号反転素子３１１と帰還抵抗３１２と水晶振動子３１３と発振コンデンサ３１４ａ，３１４ｂとから構成されている。
【０００９】
信号反転素子３１１は、信号反転機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられ、例えば、インバータ集積回路素子が用いられる。
【００１０】
ここで、信号反転機能とは、信号が入力されたときに入力された信号を反転させて出力する機能である。
【００１１】
また、信号反転素子３１１は、信号反転素子電源電圧入力端子（図示せず）と信号反転素子グランド端子（図示せず）と信号反転素子信号入力端子（図示せず）と信号反転素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【００１２】
信号反転素子電源電圧入力端子は、信号反転素子３１１の信号反転機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子である。
また、信号反転素子電源電圧入力端子は、後述する電圧制限回路部３４０に接続され後述する電圧制限回路部から電圧が供給される端子である。
【００１３】
信号反転素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【００１４】
信号反転素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
【００１５】
信号反転素子信号出力端子は、信号が出力される端子である。
【００１６】
従って、信号反転素子３１１は、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で信号反転素子信号入力端子に信号が入力されると、入力された信号が反転されて信号反転素子信号出力端子から出力される機能を備えている。
【００１７】
帰還抵抗３１２は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
また、帰還抵抗３１２は、信号反転素子３１１をアナログ反転動作させるために用いられる。
【００１８】
水晶振動子３１３は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
【００１９】
また、水晶振動子３１３は、例えば、矩形形状の平板状の水晶片の両主面に励振電極が設けられている水晶振動素子と、水晶振動素子が搭載される素子搭載部材と、素子搭載部材と接合され水晶振動素子を気密封止する蓋部材と、から構成されている。
また、水晶振動子３１３は、例えば、水晶振動素子が搭載されている面に対向する素子搭載部材の面に設けられている外部接続端子と水晶振動素子の励振電極とが電気的に接続されている。
また、水晶振動子３１３は、外部接続端子から直流電圧が印加されると、逆圧電効果及び圧電効果によって水晶振動素子の水晶片が振動を開始し、その後振動する構造となっている。
【００２０】
ここで、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片が所定の周波数で振動する原理について説明する。
水晶振動素子は、前述したように、水晶片と水晶片の両主面に設けられている励振電極とから主に構成されている。
水晶片は、例えば、圧電材料である水晶部材が用いられている。従って、水晶片は、圧電効果及び逆圧電効果の特性を有している。
水晶振動子は、外部接続端子に直流電圧が印加されることで、水晶振動素子の励振電極に電荷が蓄えられる。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が変形する。次に、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、最初に直流電圧が印加されたときに蓄えられた電荷の極性が反転した電荷が励振電極に発生する。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が最初とは別の方向に変形する。また、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、励振電極に更に反転した極性の電荷が発生する。
【００２１】
従って、水晶振動子３１３は、外部接続端子に直流電圧が印加されると、励振電極の電荷が充放電を開始し逆圧電効果及び圧電効果が繰り返されて水晶振動素子の水晶片が所定の周波数で振動する構造となっている。
【００２２】
ここで、水晶振動素子の水晶片の一部が所定の周波数で振動している状態を水晶振動子３１３が振動している状態とする。
【００２３】
発振コンデンサ３１４ａ，３１４ｂは、例えば、図５に示すように、２つ設けられており、水晶振動子３１３の両端部とグランドに接続されている。
【００２４】
一方の発振コンデンサ３１４ａは、一方の端部が水晶振動子３１３の一方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００２５】
他方の発振コンデンサ３１４ｂは、一方の端部が水晶振動子３１３の他方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００２６】
発振コンデンサ３１４ａ，３１４ｂは、水晶振動子３１３の両端部とグランドに接続されているので、水晶振動素子の励振電極に発生した電荷を安定して充放電し、水晶振動子３１３を安定して振動させる役割を果たす。
【００２７】
従って、発振回路部３１０は、直流電圧が水晶振動子３１３に印加されると、信号反転素子３１１及び帰還抵抗３１２がアナログ反転増幅器の機能を果たし、水晶振動子３１３が振動し続ける回路構成となっている。
【００２８】
ここで、発振回路部３１０で用いられる信号反転素子３１１の信号反転素子信号出力端子から出力される信号の周波数を、発振周波数とする。
【００２９】
また、信号が１秒間に繰り返される数を信号周波数とし、信号が電圧の場合に信号電圧とする。
【００３０】
電圧制限回路部３４０は、前述したように、信号反転素子３１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続しており、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧を供給する。
また、電圧制限回路部３４０は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１に接続されている。
【００３１】
発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１は、電子回路とは別の電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加されて電流が流入する端子である。
【００３２】
また、電圧制限回路部３４０は、信号反転素子で消費される電力を抑えるために発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１に印加された電圧より低い電圧を信号反転素子電源電圧入力端子に印加させている。
【００３３】
インターフェース回路部３２０は、例えば、図５に示すように、発振回路部３１０と被駆動回路部３３０とに接続されている。
また、インターフェース回路部３２０は、発振回路部３１０から出力された信号を被駆動回路部３３０に適した信号になるように変換している。
【００３４】
ここで、インターフェース回路部３２０は、例えば、波形整形回路機能を有している。
波形整形回路機能とは、位相の異なる２つの正弦波の信号を入力したときに変換され、波形整形された矩形波の信号を出力する機能である。
【００３５】
また、インターフェース回路部３２０は、例えば、図５に示すように、インターフェース集積回路素子３２１を用いて構成されている。
【００３６】
インターフェース集積回路素子３２１は、例えば、波形整形回路の機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられる。
また、インターフェース集積回路素子３２１は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子グランド端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【００３７】
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース集積回路素子３２１の波形整形回路の機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子であり、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２に接続されている。
【００３８】
インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２は、前述した発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１と同じ電源供給回路に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
従って、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２には、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１と同じ電位の電圧が印加される。
【００３９】
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２に電圧が印加され電流が流入すると、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２に流入した電流がそのまま流入する。
【００４０】
インターフェース集積回路素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【００４１】
インターフェース集積回路素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
また、インターフェース集積回路素子信号入力端子は、例えば、２つ設けられており、それぞれ発振回路部３１０に接続されている。
一方のインターフェース集積回路素子信号入力端子は、例えば、図５に示すように、信号反転素子３１１の信号反転素子信号入力端子に接続されている。
他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子は、例えば、図５に示すように、信号反転素子３１１の信号反転素子信号出力端子に接続されている。
従って、インターフェース集積回路素子信号入力端子には、位相が１８０度異なる信号が入力される。
【００４２】
インターフェース集積回路素子信号出力端子は、インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号が変換されて出力される端子である。
【００４３】
従って、インターフェース集積回路部３２０は、インターフェース集積回路電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で発振回路部３１０からインターフェース集積回路素子信号入力端子に信号が入力されると、被駆動回路部３３０に適した信号となるように変換されてインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力する回路構成となっている。
【００４４】
また、インターフェース集積回路部３２０は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に印加される電圧の大きさによって、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧の大きさが小さくなる。
【００４５】
被駆動回路部３３０は、図５に示すように、インターフェース回路部３２０に接続されており、インターフェース回路部３２０から出力された信号が入力される。
ここで、被駆動回路部３３０は、例えば、インターフェース集積回路素子３２１のインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されており、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される。
このとき、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号電圧は、被駆動回路部３３０が動作するために必要な電圧より大きくなっている。
【００４６】
被駆動回路部３３０は、インターフェース集積回路素子３２１のインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されており、このインターフェース集積回路素子３２１から信号が入力される回路構成となっている。
また、被駆動回路部３３０は、被駆動回路部３３０を動作させるために必要な電圧より大きな信号電圧がインターフェース集積回路素子３２１から入力されて、動作する回路構成となっている。
【００４７】
従って、このような電子回路３００は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ３１と信号反転素子３１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に電圧制限回路部３４０が設けられており、信号反転素子３１１で消費される電力を抑えることができる回路構成となっている。
【００４８】
また、このような電子回路３００は、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ３２とインターフェース集積回路素子３２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子が接続されており、インターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加され電流が流入すると、インターフェース回路部用電源電圧印加端子に流入する電流がそのままインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する回路構成となっている。
【００４９】
また、このような電子回路３００は、インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって被駆動回路部３３０に入力される信号電圧が被駆動回路部３３０を動作させるために必要な電圧より大きくなっている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５０】
【特許文献１】特開平７−０４６０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００５１】
しかしながら、従来の電子回路は、信号反転素子で消費される電力を減少させるために発振回路部用電源電圧印加端子と信号反転素子の信号反転素子電源電圧入力端子との間に電圧制限回路部が設けられているが、インターフェース回路部用電源電圧印加端子とインターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とが直接接続されているので、インターフェース集積回路素子で電力が消費される。
【００５２】
また、インターフェース回路部用電源電圧端子とインターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間に電圧制限回路部を設けた場合、従来の電子回路は、電圧制限回路部を設ける前と比較してインターフェース集積回路素子で消費される電力を抑えることができるが、電圧制限回路部を設ける前と比較してインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧が小さくなる。
このため、従来の電子回路は、インターフェース回路部から出力される信号電圧であって被駆動回路部に入力される信号電圧が被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より小さくなる恐れがあり、被駆動回路部が動作せず従来の電子回路が動作しない恐れがある。
【００５３】
そこで、本発明では、信号反転素子及びインターフェース集積回路素子で消費される電力を抑えた状態で発振回路部とインターフェース回路部と被駆動回路部とを動作させることができる電子回路を供給することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００５４】
前記課題を解決するため、信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている発振回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、
前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部に接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、
前記インターフェース集積回路素子用電源電圧入力端子に接続されている前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、を含んでいる電子回路であって、前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記発振回路部用電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、前記発振回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接続されている第一のコンデンサが設けられ、前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接地されている第二のコンデンサが設けられ、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きいことを特徴とする。
【００５５】
また、前記課題を解決するため、信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧印加端子に電圧が入力されると、
前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部が接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、
前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されかつ前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、を含んでいる電子回路であって、前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、前記電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、前記電源電圧印加端子とグランドに接続されている第三のコンデンサが設けられ、前記発振回路部用電流制限抵抗の前記信号反転素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第四のコンデンサが設けられ、前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第五のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００５６】
このような電子回路によれば、信号反転素子の信号反転素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入される発振回路部用電源電圧印加端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、インターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入されるインターフェース回路部用電源電圧印加端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、発振回路部用電源電圧印加端子及びインターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加され電流が流入すると、発振回路部用電流制限抵抗を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に流入し、
インターフェース回路部用電流制限抵抗を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較して信号反転素子に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような電子回路によれば、信号反転素子で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【００５７】
また、このような電子回路によれば、インターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって被駆動回路部に入力される信号電圧が被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きいので、被駆動回路部を動作させることができ、発振回路部とインターフェース回路部と被駆動回路部とを動作させることができる。
【００５８】
また、このような電子回路によれば、電圧が印加され電流が流入する電源電圧印加端子と信号反転素子の信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、この発振回路部用電流制限抵抗が接続されている電源電圧印加端子と、インターフェース集積回路素子のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、電源電圧印加端子に電圧が印加され電流が流入すると、発振回路部用電流制限抵抗を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に入力し、
インターフェース回路部用電流制限抵抗を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に入力する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較して信号反転素子に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような電子回路によれば、信号反転素子で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る電子回路の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の第二の実施形態に係る電子回路の一例を示す回路図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第二の実施形態に係る電子回路の実施例において発振回路部のみを動作させた状態で信号反転素子に流入する電流と発振回路部用電流制限抵抗の抵抗値との関係を示す関係図であり、（ｂ）は、第二の実施形態に係る電子回路の実施例において発振回路部のみを動作させた状態で発振回路部の負性抵抗と発振回路部用電流制限抵抗の抵抗値との関係を示す関係図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第二の実施形態に係る電子回路の実施例において信号反転増幅素子及びインターフェース集積回路素子に流入する電流値とインターフェース回路部電流制限抵抗の抵抗値との関係を示す関係図であり、（ｂ）は、本発明の第二の実施形態に係る電子回路の実施例においてインターフェース回路部から出力される信号電圧の振幅とインターフェース回路部用電流制限抵抗との関係を示す関係図である。
【図５】従来の電子回路の一例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、各図面において、各構成要素の状態をわかりやすくするために誇張して図示している。
【００６１】
（第一の実施形態）
本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、例えば、図１に示すように、発振回路部１１０とインターフェース回路部１２０と被駆動回路部１３０と発振回路部用電流制限回路部１４０とインターフェース回路部用電流制限回路部１５０とから主に構成されている。
【００６２】
また、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、例えば、インターフェース回路部１２０が発振回路部１１０及び被駆動回路部１３０に接続され、発振回路部１１０から出力された信号がインターフェース回路部１２０に入力され、インターフェース回路部１２０に入力された信号がインターフェース回路部１２０で変換されて出力され、インターフェース回路部１２０から出力された信号が被駆動回路部に入力されるように接続されている。
【００６３】
また、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、発振回路部用電流制限回路１４０から発振回路部１１０に電圧が供給され、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０からインターフェース回路部１２０に電圧が供給される回路構成となっている。
【００６４】
発振回路部１１０は、例えば、図１に示すように、信号反転素子１１１と帰還抵抗１１２と水晶振動子１１３と発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂとから構成されている。
【００６５】
信号反転素子１１１は、信号反転機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられており、例えば、インバータ集積回路素子が用いられる。
【００６６】
ここで、信号反転機能とは、信号が入力されたときに入力された信号を反転させて出力する機能である。
【００６７】
また、信号反転素子１１１は、信号反転素子電源電圧入力端子（図示せず）と信号反転素子グランド端子（図示せず）と信号反転素子信号入力端子（図示せず）と信号反転素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【００６８】
信号反転素子電源電圧入力端子は、信号反転素子１１１の反転増幅機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子である。
また、信号反転素子電源電圧入力端子は、後述する発振回路部用電流制限回路部１４０に接続され後述する電圧制限回路部から電圧が供給される端子である。
【００６９】
信号反転素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【００７０】
信号反転素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
【００７１】
信号反転素子信号出力端子は、信号が出力される端子である。
【００７２】
従って、信号反転素子１１１は、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で信号反転素子信号入力端子に信号が入力されると、入力された信号が反転されて信号反転素子信号出力端子から出力される機能を備えている。
【００７３】
帰還抵抗１１２は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
また、帰還抵抗１１２は、信号反転素子１１１をアナログ反転動作させるために用いられる。
【００７４】
水晶振動子１１３は、一方の端部が信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が信号反転素子信号出力端子に接続されている。
【００７５】
また、水晶振動子１１３は、例えば、矩形形状の平板状の水晶片の両主面に励振電極が設けられている水晶振動素子と、水晶振動素子が搭載される素子搭載部材と、素子搭載部材と接合され水晶振動素子を気密封止する蓋部材と、から構成されている。
また、水晶振動子１１３は、例えば、水晶振動素子が搭載されている面に対向する素子搭載部材の面に設けられている外部接続端子と水晶振動素子の励振電極とが電気的に接続されている。
また、水晶振動子１１３は、外部接続端子から直流電圧が印加されると、逆圧電効果及び圧電効果によって水晶振動素子の水晶片が振動を開始し、その後振動する構造となっている。
【００７６】
ここで、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片が所定の周波数で振動する原理について説明する。
水晶振動素子は、前述したように、水晶片と水晶片の両主面に設けられている励振電極とから主に構成されている。
水晶片は、例えば、圧電材料である水晶部材が用いられている。従って、水晶片は、圧電効果及び逆圧電効果の特性を有している。
水晶振動子は、外部接続端子に直流電圧が印加されることで、水晶振動素子の励振電極に電荷が蓄えられる。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が変形する。次に、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、最初に直流電圧が印加されたときに蓄えられた電荷の極性が反転した電荷が励振電極に発生する。その結果、逆圧電効果によって、水晶振動素子の励振電極に挟まれた水晶片の一部が最初とは別の方向に変形する。また、変形した水晶片が元の状態に戻ろうとするため、圧電効果によって、励振電極に更に反転した極性の電荷が発生する。
【００７７】
従って、水晶振動子１１３は、外部接続端子に直流電圧が印加されると、励振電極の電荷が充放電を開始し逆圧電効果及び圧電効果が繰り返されて水晶振動素子の水晶片が所定の周波数で振動する構造となっている。
【００７８】
ここで、水晶振動素子の水晶片が所定の周波数で振動している状態を水晶振動子１１３が振動している状態とする。
【００７９】
発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂは、例えば、図５に示すように、２つ設けられており、水晶振動子１１３の両端部とグランドに接続されている。
【００８０】
一方の発振コンデンサ１１４ａは、一方の端部が水晶振動子１１３の一方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００８１】
他方の発振コンデンサ１１４ｂは、一方の端部が水晶振動子１１３の他方の端部に接続されており、他方の端部がグランドに接続されている。
【００８２】
発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂは、水晶振動子１１３の両端部とグランドに接続されているので、水晶振動素子の励振電極に発生した電荷を安定して充放電し、水晶振動子１１３を安定して振動させる役割を果たす。
【００８３】
従って、発振回路部１１０は、直流電圧が水晶振動子１１３に印加されると、信号反転素子１１１及び帰還抵抗３１２がアナログ反転増幅器の機能を果たし、水晶振動子１１３が振動し続ける回路構成となっている。
【００８４】
ここで、発振回路部１１０で用いられる信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子から出力される信号の周波数を、発振周波数とする。
【００８５】
また、信号が１秒間に繰り返される数を信号周波数とし、信号が電圧の場合に信号電圧とする。
【００８６】
ここで、発振回路部１１０は、負性抵抗を有している。
水晶振動子１１３が振動しているときの抵抗値より負性抵抗の値が小さい場合、発振回路部１１０は、発振しない。
従って、発振回路部１１０は、水晶振動子１１３が振動しているときの抵抗値より十分大きな負性抵抗を有していなければならない。
【００８７】
発振回路部用電流制限回路部１４０は、前述したように、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続しており、信号反転素子電源電圧入力端子に電圧を供給する。
また、発振回路部用電流制限回路部１４０は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に接続に接続されており、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に電圧が印加されて発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１から電流が流入する。
【００８８】
ここで、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１は、例えば、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００とは別の電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
【００８９】
また、発振回路部用電流制限回路部１４０は、例えば、図１に示すように、発振回路部用電流制限抵抗１４１と第一のコンデンサ１４２ａ，１４２ｂとから構成されている。
【００９０】
発振回路部用電流制限抵抗１４１は、図１に示すように、一方の端部が発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に接続され他方の端部が信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている。
【００９１】
従って、電源供給回路から発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に電圧が印加され電流が流入するとき、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１から流入する電流が発振回路部用電流制限抵抗１４１を通過して信号反転素子電源電圧入力端子に流入することとなる。
このため、オームの法則によって、発振回路部用電流制限抵抗１４１が設けられる前より信号反転素子１１１に流入する電流を小さくすることができ、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えることができる。
【００９２】
発振回路部用電流制限抵抗１４１は、その抵抗値が大きくなるに従って信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に流入する電流の値が小さくなり、発振回路部１１０の負性抵抗の値が小さくなる。
このため、発振回路部用電流制限抵抗１４１は、発振回路部１１０の負性抵抗が発振回路部１１０の水晶振動子１１３が振動しているときの抵抗値より大きくなり、かつ、信号反転素子１１１に流入する電流を小さくすることができる抵抗値のものが選択される。
【００９３】
第一のコンデンサ１４２ａ，１４２ｂは、例えば、図１に示すように、発振回路部用電流制限抵抗１４１の両端部とグランドに接続されている。
一方の第一のコンデンサ１４２ａは、一方の端部が発振回路部用電流制限抵抗１４１の一方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、発振回路部用電流制限抵抗１４１に入力される電圧のノイズを除去するとともに平滑化する役割を果たす。
他方の第一のコンデンサ１４２ｂは、一方の端部が発振回路部用電流制限抵抗１４１の他方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、発振回路部用電流制限抵抗１４１から出力される電圧のノイズを除去するともに平滑化する役割を果たす。
【００９４】
従って、発振回路部用電流制限回路部１４０は、発振回路部用電流制限抵抗１４１とこの発振回路部用電流制限抵抗１４１の両端部とグランドに接続されている第一のコンデンサ１４２ａ，１４２ｂとから構成され、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１と信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に設けられている。
このため、発振回路部用電流制限回路部１４０によって、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に電圧が印加され電流が流入するとき、発振回路部用電流制限回路部１４０を設ける前と比較して小さい電流を信号反転素子電源電圧入力端子に流入させることができるので、信号反転素子１１１に流入する電流を小さくすることができる。
ここで、電流の値と電圧の値の積によって電力の値が算出されるので、信号反転素子１１１での消費電流を抑えることで、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えることができるといえる。
【００９５】
インターフェース回路部１２０は、例えば、図１に示すように、発振回路部１１０と被駆動回路部１３０とに接続されている。
【００９６】
ここで、インターフェース回路部１２０とは、２つ以上の電子回路に接続されており、一方の接続されている電子回路から信号が入力されると、他方の接続されている電子回路に適した信号となるように変換し、他方の接続されている電子回路に信号を出力する回路である。
このとき、インターフェース回路部１２０から信号が入力される回路を被駆動回路部１３０とする。
【００９７】
従って、インターフェース回路部１２０は、発振回路部１１０から入力された信号を後述する被駆動回路部１３０に適した信号に変換し出力する機能を有する。
【００９８】
ここで、インターフェース回路部１２０は、例えば、分周機能を有している。
分周機能とは、入力された信号周波数を分周させ出力する機能である。
【００９９】
また、インターフェース回路部１２０は、例えば、図１に示すように、インターフェース集積回路素子１２１を用いて構成されている。
【０１００】
インターフェース集積回路素子１２１は、例えば、分周機能を備えたＣ−ＭＯＳ集積回路素子が用いられる。
また、インターフェース集積回路素子１２１は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子グランド端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号入力端子（図示せず）とインターフェース集積回路素子信号出力端子（図示せず）とを有している。
【０１０１】
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース集積回路素子１２１の分周機能を動作させるための電源電圧となる電圧が印加される端子である。
また、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子は、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０に接続されておりインターフェース回路部用電流制限回路部１５０から電圧が供給される端子である。
【０１０２】
インターフェース集積回路素子グランド端子は、グランドに接続される端子である。
【０１０３】
インターフェース集積回路素子信号入力端子は、信号が入力される端子である。
また、インターフェース集積回路素子信号入力端子は、例えば、２つ設けられている。
【０１０４】
一方のインターフェース集積回路素子信号入力端子は、信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子に接続されており、信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子から信号が入力される。
他方のインターフェース集積回路素子信号入力端子は、後述するインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されており、インターフェース集積回路素子出力端子から信号が入力される。
【０１０５】
インターフェース集積回路素子信号出力端子は、インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号が変換されて出力される端子である。
インターフェース集積回路素子信号出力端子は、例えば、２つ設けられている。
【０１０６】
一方のインターフェース集積回路素子信号出力端子は、他方のインターフェース集積回路素子信号入力端子に接続されている。
他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子は、後述する被駆動回路部１３０に接続されている。
【０１０７】
従って、インターフェース回路部１２０は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧が印加された状態で、信号反転素子１１１の信号反転素子信号出力端子から一方のインターフェース集積回路素子信号入力端子に信号が入力されると、一方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から信号が出力され、一方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が他方のインターフェース集積回路素子信号入力端子に入力がされ、他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から被駆動回路部１３０に信号が出力される回路構成となっている。
【０１０８】
また、インターフェース集積回路部１２０は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に印加される電圧の大きさが小さくなると、インターフェース集積回路素子１２１から出力される信号電圧の大きさが小さくなる。
【０１０９】
被駆動回路部１３０は、図１に示すように、インターフェース回路部１２０に接続されており、インターフェース回路部１２０から信号が入力される。
また、被駆動回路部１３０は、被駆動回路部用信号入力端子（図示せず）がインターフェース集積回路素子１２１の他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子に接続されている。
【０１１０】
被駆動回路部用信号入力端子は、インターフェース回路部１２０から信号が出力されかつ被駆動回路部１３０に信号が入力される端子である。
また、被駆動回路部用信号入力端子には、被駆動回路部１３０が動作するために最低限必要な電圧より大きな信号電圧が入力される端子である。
ここで、信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きな状態とは、信号電圧の振幅が被駆動回路部１３０を動作せるために必要な電圧の値より大きい状態とする。
【０１１１】
従って、被駆動回路部１３０は、被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きな信号電圧がインターフェース回路部１２０から入力され動作する。
【０１１２】
インターフェース回路部用電流制限回路部１５０は、前述したように、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２とインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されており、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧を供給する回路部である。
【０１１３】
ここで、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２は、例えば、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００とは別の電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
また、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２には、接続されている電源供給回路が発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１にも接続されており、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１に印加される電圧と同じ電位の電圧が印加される。
【０１１４】
また、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０は、例えば、図１に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１と第二のコンデンサ１５２ａ，１５２ｂとから構成されている。
【０１１５】
インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１は、図２に示すように、一方の端部がインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に接続され、他方の端部がインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されている。
【０１１６】
従って、電源供給回路からインターフェース集積回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に電圧が印加され電流が流入するとき、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に流入する電流がインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１を通過し、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入することになる。
このため、オームの法則によって、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１が設けられる前よりインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を抑えることができる。
【０１１７】
インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１は、その抵抗値が大きくなるに従ってインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する電流の値が小さくなり、他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子が出力される信号電圧が小さくなる。
このため、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５０は、その抵抗値が、他方のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きく、かつ、インターフェース集積回路素子１２１
に流入する電流を小さくすることができる値となっている。
つまり、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の抵抗値は、インターフェース集積回路素子１２１から出力される信号電圧の振幅が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きく、かつ、インターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を抑える値となっている。
【０１１８】
第二のコンデンサ１５２ａ，１５２ｂは、例えば、図１に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の両端部とグランドに接続されている。
一方の第二のコンデンサ１５２ａは、一方の端部がインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の一方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１に入力される電圧のノイズを除去するとともに平滑化する役割を果たす。
他方の第二のコンデンサ１５２ｂは、一方の端部がインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の他方の端部に接続されており他方の端部がグランドに接続され、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１から出力される電圧のノイズを除去するとともに平滑化する役割を果たす。
【０１１９】
従って、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０は、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１とこのインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１の両端部とグランドに接続されている第二のコンデンサ１５２ａ，１５２ｂとから構成され、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２とインターフェース集積回路素子１１１のインターフェース電源電圧入力端子との間に設けられている。
このため、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０によって、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に電圧が印加され電流が流入するとき、インターフェース回路部用電流制限回路部１５０を設ける前より小さい電流をインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入させることができる。
前述したように、電流の値と電圧の値の積によって電力の値が算出されるので、インターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を抑えることによりインターフェース集積回路素子１２１で消費される電力を抑えることができる。
【０１２０】
従って、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１と信号反転素子１１１との間に発振回路部用電流制限回路部１４０を設けることによって、発振回路部１１０の信号反転素子１１１に適した電圧を印加しつつ信号反転素子１１１に流入する電流を制限することができる。このため、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えることができる。
また、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、インターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２とインターフェース集積回路素子１２１との間にインターフェース回路部用電流制限回路部１５０を設けることによって、
インターフェース回路部１２０のインターフェース集積回路素子１２１に適した電圧を印加しつつインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を制限することができる。このため、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００は、インターフェース集積回路素子１２１で消費される電力を抑えることができる。
【０１２１】
このような本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００によれば、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入される発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１との間に発振回路部用電流制限抵抗１４１が設けられ、インターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子と電圧が印加され電流が流入されるインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗１５１が設けられ、発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１及びインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２に電圧が印加され電流が流入すると、
発振回路部用電流制限抵抗１４１を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に流入し、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に流入する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗１４１を設ける前の状態と比較して信号反転素子１１１に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗１５１を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００電子回路によれば、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子１２１の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【０１２２】
また、このような本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００電子回路によれば、インターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって被駆動回路部１３０に入力される信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるために必要な電圧より大きいので、被駆動回路部１３０を動作させることができ、発振回路部１１０とインターフェース回路部１２０と被駆動回路部１３０とを動作させることができる。
【０１２３】
（第二の実施形態）
本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００は、図２に示すように、電流制限回路部２４０が電源電圧印加端子Ｖ２１と信号反転素子１１１との間及び電源電圧印加端子Ｖ２１とインターフェース集積回路素子１２１との間に設けられている点で第一の実施形態と異なる。
【０１２４】
電流制限回路部２４０は、図２に示すように、発振回路部用電流制限抵抗２４１とインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２と第三のコンデンサ２４３と第四のコンデンサ２４４と第五のコンデンサ２４５とから構成されている。
【０１２５】
発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図２に示すように、一方の端部が電源電圧印加端子Ｖ２１に接続され、他方の端部が信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている。
従って、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図２に示すように、電源電圧印加端子Ｖ２１と信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に設けられている。
【０１２６】
ここで、電源電圧印加端子Ｖ２１は、例えば、電子機器に用いられている電源供給回路（図示せず）に接続されており、電源供給回路から電圧が印加され電流が流入する端子である。
また、電源電圧印加端子Ｖ２１は、本発明の第一の実施形態に係る電子回路１００の発振回路部用電源電圧印加端子Ｖ１１及びインターフェース回路部用電源電圧印加端子Ｖ１２の機能を果たしている。
【０１２７】
インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図２に示すように、一方の端部が電源電圧印加端子Ｖ２１に接続され、他方の端部がインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されている。
従って、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、発振回路部用電流制限抵抗２４１の一方の端部が接続されている電源電圧端子Ｖ２１とインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間に設けられている。
【０１２８】
第三のコンデンサ２４３は、図２に示すように、一方の端部が電源電圧印加端子Ｖ２１に接続され、他方の端部がグランドに接続されている。
従って、電源電圧印加端子Ｖ２１には、第三のコンデンサ２４３の一方の端部と発振回路部用電流制限抵抗２４１の一方の端部とインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の一方の端部が接続されている。
つまり、第三のコンデンサ２４３は、発振回路部用電流制限抵抗２４１の一方の端部及びインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の一方の端部とグランドに接続されている。
【０１２９】
第四のコンデンサ２４４は、図２に示すように、一方の端部が発振回路部用電流制限抵抗２４１の他方の端部、つまり、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子側の端部に接続され、他方の端部がグランドに接続されている。
従って、第四のコンデンサ２４４は、発振回路部用電流制限抵抗２４１の他方の端部とグランドに接続されている。
【０１３０】
第五のコンデンサ２４５は、図２に示すように、一方の端部がインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の他方の端部、つまり、インターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子側の端部に接続され、他方の端部がグランドに接続されている。
従って、第五のコンデンサ２４５は、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の他方の端部からグランドに接続されている。
【０１３１】
従って、電流制限回路部２４０は、電源電圧印加端子Ｖ２１に電圧が印加され電流が流入すると、信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子及びインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧を供給する回路構成となっている。
【０１３２】
また、このような本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００によれば、電圧が印加され電流が流入する電源電圧印加端子Ｖ２１と信号反転素子１１１の信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗２４１が設けられ、この発振回路部用電流制限抵抗２４１が接続されている電源電圧印加端子Ｖ１１とインターフェース集積回路素子１２１のインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２が設けられ、電源電圧印加端子Ｖ２１に電圧が印加され電流が流入すると、発振回路部用電流制限抵抗２４１を通過した電流が信号反転素子電源電圧入力端子に入力し、
インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２を通過した電流がインターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に入力する回路構成となっているので、オームの法則により、発振回路部用電流制限抵抗２４１を設ける前の状態と比較して信号反転素子１１１に流入する電流を小さくことができ、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２を設ける前の状態と比較してインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を小さくすることができる。
このため、このような本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００によれば、信号反転素子１１１で消費される電力を抑えつつインターフェース集積回路素子１２１の消費される電力を抑えることができ、従来の電子回路と比較して消費される電力を抑えることができる。
【０１３３】
（実施例）
次に、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００における実施例を挙げて、発振回路部用電流制限抵抗２４１及びインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の検討を行う。
【０１３４】
まず、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００の実施例では、インターフェース回路部１２０を動作させない状態で、発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値と負性抵抗の関係及び発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値と信号反転素子１１１に流入する電流との関係を測定し発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値を決定している。
次に、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００の実施例では、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値と信号反転素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流との関係、及びインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値とインターフェース回路部１２０から出力され被駆動回路部１３０に入力される信号電圧の関係を測定しインターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値を決定している。
【０１３５】
前述したように、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００は、図２に示すように、発振回路部１１０とインターフェース回路部１２０と被駆動回路部１３０と電流制限回路部２４０とから構成されている。
また、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００は、発振回路部１１０から出力された信号がインターフェース回路部１２０に入力され、インターフェース回路部１２０で変換されインターフェース回路部１２０から出力された信号が被駆動回路部１３０に入力される回路構成となっている。
【０１３６】
発振回路部１１０は、図２に示すように、信号反転素子１１１と帰還抵抗１１２と水晶振動子１１３と発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂとから構成されている。
【０１３７】
信号反転素子１１１は、例えば、信号反転素子電源電圧入力端子に３Ｖの電圧が入力されるときに信号反転機能を果たす。
【０１３８】
帰還抵抗１１２は、信号反転素子１１１をアナログ反転動作させるために用いられており、例えば、抵抗値が１ＭΩのものが用いられている。
【０１３９】
水晶振動子１１３は、例えば、４９１５．２ｋＨｚの周波数で振動し、振動しているときの抵抗値が２０．２４Ωのものが用いられている。
【０１４０】
発振コンデンサ１１４ａ，１１４ｂは、例えば、容量が１０ｐＦのものが用いられる。
【０１４１】
インターフェース回路部１２０は、前述したように、インターフェース集積回路素子１２１が用いられている。
【０１４２】
インターフェース集積回路素子１２１は、例えば、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に３Ｖの電圧が入力されるときに分周機能を果たす。
【０１４３】
電源電圧印加端子Ｖ２１には、電源供給回路から３Ｖの電圧が印加される。
【０１４４】
被駆動回路部１３０は、例えば、入力される信号電圧の振幅が１．５Ｖより大きいときに動作する。
【０１４５】
ここでは、例えば、本発明の第二の実施形態に係る電子回路２００の発振回路部１１０及びインターフェース回路部１２０に流入する電流が４００μＡ以下となるように電流制限回路部２４０を検討する。
【０１４６】
電流制限回路部２４０は、前述したように、発振回路部用電流制限回路部２４１とインターフェース回路部用電流制限回路部２４２と第三のコンデンサ２４３と第四のコンデンサ２４４と第五のコンデンサ２４５とから構成されている。
【０１４７】
一般的に、水晶発振回路においてノイズの除去を目的とするコンデンサは、回路に影響を与えにくい容量のものが用いられ、例えば、０．１μＦのものが用いられる。
【０１４８】
第三のコンデンサ２４３は、例えば、容量が０．１μＦのものが用いられる。
【０１４９】
第四のコンデンサ２４４は、例えば、容量が０．１μＦのものが用いられる。
【０１５０】
第五のコンデンサ２４５は例えば、容量が０．１μＦのものが用いられる。
【０１５１】
発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図３（ａ）に示すように、発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値が大きくなるに従って消費電流が小さくなっている。
ここで、この特性は、インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に電圧が印加されない状態で測定されている。つまり、インターフェース回路部１２０が動作していない状態で測定されたものである。
【０１５２】
インターフェース回路部１２０が動作していない状態で信号反転素子１１１に流入する電流が４００μＡ以上の場合、インターフェース回路部１２０を動作させたときに反転増幅素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流が４００μＡ以上となってしまい目標を満たすことができない。
このため、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、インターフェース回路部１２０が動作したときにインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流を考慮して発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値が選択される。
【０１５３】
また、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図３（ｂ）に示すように、発振回路部用電流制限抵抗２４１の抵抗値が大きくなるに従って、負性抵抗が小さくなっている。
前述したように、水晶振動素子１１３が振動しているときの抵抗値より負性抵抗が小さい場合、発振回路部１１０が発振しない。
【０１５４】
従って、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、発振回路部１１０が十分な負性抵抗を持ち、かつ、信号反転素子１１１に流入する電流が少ない抵抗値のものが用いられる。
ここでは、発振回路部用電流制限抵抗２４１は、図３（ａ）及び図３（ｂ）から、信号反転素子１１１に流入する電流が小さく、かつ、発振回路部１１０が十分な負性抵抗を備える抵抗値が選択され、例えば、抵抗値が５．６ｋΩのものが用いられる。
【０１５５】
インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図４（ａ）に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値が大きくなるに従って信号反転素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流が小さくなる。
【０１５６】
また、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図４（ｂ）に示すように、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２の抵抗値が大きくなるに従ってインターフェース回路部１２０から出力される信号電圧の振幅が小さくなる。
【０１５７】
従って、インターフェース電流制限抵抗２４２は、発振回路部１１０及びインターフェース回路部１２０が動作している状態で、目標の電流よりも小さく、かつ、インターフェース回路部１２０から出力され被駆動回路部１３０に入力される信号電圧の振幅が被駆動回路部１３０を動作させるために最低限必要な電圧より大きくなるように抵抗値が選択される。
【０１５８】
前述したように、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、被駆動回路部１３０に入力される信号電圧の振幅が１．５Ｖより大きいときに被駆動回路部１３０が動作するので、図４（ｂ）から、信号電圧の振幅が１．５Ｖよりも大きくなる抵抗値が選択される。
また、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、信号反転素子１１１及びインターフェース集積回路素子１２１に流入する電流が４００μＡ以下となっていることが目標なので、図４（ａ）から、４００μＡよりも小さくなる抵抗値が選択される。
ここでは、インターフェース回路部用電流制限抵抗２４２は、図４（ａ）及び図４（ｂ）から、消費電流が少なくかつインターフェース回路部１２０から出力され被駆動回路部１３０に入力される信号電圧が被駆動回路部１３０を動作させるための電圧より大きくなる抵抗が選択され、例えば、抵抗値が３．９ｋΩのものが用いられる。
【０１５９】
なお、インターフェース回路部が分周機能を有している場合について説明しているが、入力された信号を被駆動回路部に適した信号となるように変換し出力することができれば、例えば、インバータ機能を備えていてもよい。また、例えば、波形整形回路の機能を備えていてもよい。
【０１６０】
また、発振回路部が信号反転素子と帰還抵抗と水晶振動子と発振コンデンサとから構成されている場合について説明しているが、例えば、他の電子部品素子が接続されていてもよい。
【０１６１】
また、信号反転素子がインバータ集積回路素子を用いた場合について説明しているが、信号反転機能を有していれば、例えば、ＮＡＮＤ回路の機能を有したＣ−ＭＯＳ集積回路素子であってもよい。また、例えば、ＮＯＲ回路の機能を有したＣ−ＭＯＳ集積回路素子であってもよい。
【符号の説明】
【０１６２】
１００，２００，３００ 電子回路
１１０，３１０ 発振回路部
１１１，３１１ 信号反転素子
１１２，３１２ 帰還抵抗
１１３，３１３ 水晶振動子
１１４，３１４ 発振コンデンサ
１２０，３２０ インターフェース回路部
１２１，３２１ インターフェース集積回路素子
１３０，３１０ 被駆動回路部
１４０ 発振回路部用電流制限回路部
１５０ インターフェース回路部用電流制限回路部
２４０ 電流制限回路部
１４１，２４１ 発振回路部用電流制限抵抗
１５１，２４２ インターフェース回路部用電流制限抵抗
１４２ 第一のコンデンサ
１５２ 第二のコンデンサ
２４３ 第三のコンデンサ
２４４ 第四のコンデンサ
２４５ 第五のコンデンサ
３４０ 電圧制限回路部
Ｖ１１，Ｖ３１ 発振回路部用電源電圧印加端子
Ｖ１２，Ｖ３２ インターフェース回路部用電源電圧印加端子
Ｖ２１ 電源電圧印加端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている発振回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部に接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、前記インターフェース集積回路素子用電源電圧入力端子に接続されている前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、
を含んでいる電子回路であって、
前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記発振回路部用電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記発振回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接続されている第一のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接地されている第二のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きい
ことを特徴とする電子回路。
【請求項２】
信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧印加端子に電圧が入力されると、前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部が接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されかつ前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、
を含んでいる電子回路であって、
前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記電源電圧印加端子とグランドに接続されている第三のコンデンサが設けられ、
前記発振回路部用電流制限抵抗の前記信号反転素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第四のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第五のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きい
ことを特徴とする電子回路。
【請求項１】
信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている発振回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部に接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、前記インターフェース集積回路素子用電源電圧入力端子に接続されている前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、
を含んでいる電子回路であって、
前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記発振回路部用電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記発振回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接続されている第一のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース回路部用電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の両端部とグランドに接地されている第二のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きい
ことを特徴とする電子回路。
【請求項２】
信号反転素子電源電圧入力端子と信号反転素子グランド端子と信号反転素子信号入力端子と信号反転素子信号出力端子とを有している信号反転素子と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている帰還抵抗と、一方の端部が前記信号反転素子信号入力端子に接続され他方の端部が前記信号反転素子信号出力端子に接続されている水晶振動子と、前記水晶振動子の両端部とグランドに接続されている発振コンデンサと、を少なくとも備え、前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧印加端子に電圧が入力されると、前記水晶振動子が所定の周波数で振動する発振回路部と、
インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子とインターフェース集積回路素子グランド端子とインターフェース集積回路素子信号出力端子と前記発振回路部が接続されているインターフェース集積回路素子信号入力端子とを有しているインターフェース集積回路素子が用いられ、前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子に接続されかつ前記信号反転素子電源電圧入力端子に接続されている電源電圧端子に電圧が印加されると、前記インターフェース集積回路素子信号入力端子に入力された信号を変換し前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力するインターフェース回路部と、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子に接続され、前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力された信号が入力される被駆動回路部と、
を含んでいる電子回路であって、
前記信号反転素子信号出力端子が前記インターフェース信号入力端子に接続され、
前記電源電圧印加端子と前記信号反転素子電源電圧入力端子との間に発振回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記電源電圧印加端子と前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子との間にインターフェース回路部用電流制限抵抗が設けられ、
前記電源電圧印加端子とグランドに接続されている第三のコンデンサが設けられ、
前記発振回路部用電流制限抵抗の前記信号反転素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第四のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース回路部用電流制限抵抗の前記インターフェース集積回路素子電源電圧入力端子側の端部とグランドに接続されている第五のコンデンサが設けられ、
前記インターフェース集積回路素子信号出力端子から出力される信号電圧であって前記被駆動回路部に入力される信号電圧が、前記被駆動回路部を動作させるために必要な電圧より大きい
ことを特徴とする電子回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−１７５２３８（Ｐ２０１２−１７５２３８Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３３１１８（Ｐ２０１１−３３１１８）
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラクリスタルデバイス株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラクリスタルデバイス株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
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