【課題】ＣＮＴ膜の破損や異物混入等の発生を抑え、センサ機能の持続性を高めることができる歪みセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、柔軟性を有する基板と、この基板の表面側に設けられ、一方向に配向する複数のＣＮＴ繊維からなるＣＮＴ膜と、このＣＮＴ膜の、上記ＣＮＴ繊維の配向とは異なる方向の両端に配設される一対の電極とを備えた歪みセンサであって、上記ＣＮＴ繊維表面の少なくとも一部と接触し、上記ＣＮＴ膜を保護する樹脂製の保護部をさらに備えることを特徴とする。上記保護部がＣＮＴ膜の表面に積層されていることが好ましい。上記ＣＮＴ膜を構成するＣＮＴ繊維の少なくとも一部に保護部が存在することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】 燃焼効率を十分に改善可能な内燃機関の冷却装置を提供すること。
【解決手段】 エンジンブロックを備えた内燃機関と、前記エンジンブロックの歪みを検出する歪みセンサと、前記歪みセンサにより検出された歪み量が所定値以下となるように、前記エンジンブロック内の冷却通路内に冷却水を循環制御する冷却手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】柔軟に屈曲あるいは変形可能でありつつ、曲げあるいは引っ張りによる断線が発生しにくく、断線が発生したとしても応力が解除されることにより導電性を復元させることが可能な配線構造体、センサ、及び前記当該配線構造体の製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】センサ１０が備えている配線構造体２０は、ベース層２２、導電層２４、及びカバー層２６を積層させたものである。ベース層２２及びカバー層２６は、柔軟性を有する樹脂素材によって形成されている。また、ベース層２２の表面には、断面形状が波形の凹凸部２８が形成されており、この凹凸部２８の上に導電層２４が積層されている。 （もっと読む）

【課題】破壊に至らない検出対象物の変形を検出可能で、検出感度を容易に調整することが可能な被破壊センサを提供することを課題とする。
【解決手段】被破壊センサ１は、脆性材料製の基材２０と、基材２０に積層され導電性を有するセンサ膜２１と、を有する被破壊部材２と、被破壊部材２の一方に配置され、荷重伝達時に被破壊部材２に部分的に当接する第一当接部３０を有する第一当接部材３と、被破壊部材２の他方に配置され、荷重伝達時に被破壊部材２に部分的に当接する第二当接部４０Ｌ、４０Ｒを有する第二当接部材４と、を備える。荷重伝達方向から見て、第一当接部３０と第二当接部と４０Ｌ、４０Ｒとは、ずれて配置される。被破壊部材２の破壊前後において、センサ膜２１の電気抵抗が変化することを基に、検出対象物８０の変形を検出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を制御されたナノチューブを含み、物理または化学量を検出するためのセンサの提供することにある。
【解決手段】典型的なナノチューブ・センサ１９は、信号処理回路２１と接続して使用され、この信号処理回路２１は、電力を供給し、そしてセンサからの信号を処理して、検出された量に比例した出力を生成する。ナノチューブは、シリコン酸化物などからなるベース・フィルム２３上に配置され、ナノチューブの各端に電極２５を含む。信号処理回路２１は、限定されるものではないがひずみ、圧力、湿度および光などの検出された量を示す出力信号２７を供給する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、感度よく検知できる歪検知素子、および圧力セン
サを提供することができる。
【解決手段】 磁化方向が変化可能で外部歪が印加されていない状態では磁化が膜面垂
直方向を向いている磁化自由層と、磁化を有する参照層と、前記磁化自由層と前記参照層
との間に設けられたスペーサー層と、を備えた積層膜と、前記積層膜の積層面に対して垂
直方向に通電する一対の電極と、前記一対の電極の何れか一方に設けられた基板と、前記
基板が歪むと、前記磁化自由層の磁化の回転角度と前記参照層の磁化の回転角度が異なる
ことを特徴とする歪検知素子。 （もっと読む）

【課題】航空機、宇宙構造物、高速車両、船舶、ビル、橋梁、高架道路、トンネル、ダムなどの構造物の安全監視、及び材料特性試験の計測、精密機器、圧力センサなどの工業汎用センサに使うひずみセンサを得る。
【解決手段】金属表面処理を施した導電性ナノフィラーを高分子ポリマー、ゴム、セラミックスなどの母材に分散させ、ナノフィラー同士の接触による導電性回路を形成した系を用い、系が外力により引張を受けたとき、この回路も引張を受け、変化することにより、系全体の電気抵抗が増加し、この増加分を測定することによりひずみを計測するセンサとした。特に、本発明では、ナノフィラーに金属表面処理を施した後、希硝酸中での処理を加えることにより、ナノフィラー自身の電気伝導率の向上とナノフィラーの軽微な凝集の導入により、超高感度のひずみセンサの開発を実現した。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により、小型化や薄型化を図ることができると共に、製造コストを節減することができる溶接型ひずみゲージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶接型ひずみゲージは、表面に受感部３１を有すると共に裏面に接着剤４が塗布されたゲージベース３を加熱し、接着剤４を半硬化状態とする半硬化工程と、ゲージベース３を金属パイプ１に挿入し、接着剤４を介してゲージベース３の裏面を金属パイプ１の内側面に当てる当接工程と、金属パイプ１の内側面に配置されたゲージベース３の面に向かって金属パイプ１を押し潰す押圧工程と、押し潰された金属パイプ１を再加熱して、接着剤４を硬化させる再硬化工程とにより、溶接型ひずみゲージが製造される。 （もっと読む）

【課題】 空気中で安定的に高い応答感度で機能する軽量で可撓性を有する繊維状あるいは布帛状の変形センサを提供する。
【解決手段】 繊維状変形センサ１０は、ヘテロ原子を有する単量体単位を含む重合体または該重合体のブロックを含むブロック共重合体から選ばれる高分子成分と、イオン液体とを含有する非水系高分子固体電解質１２の変形により、非水系高分子固体電解質１２に接し、互いに絶縁された少なくとも一対の電極１１・１３に電位差を発生する変形センサであって、非水系高分子固体電解質１２と電極１１・１３とが繊維断面を構成して繊維長方向に連続する複合繊維である。布帛状の変形センサはこの複合繊維１０を織布、不織布、編成物にしたものである。 （もっと読む）

【課題】 耐久性に優れ、応答性の良好なセンサ用複合材料、および変形センサを提供する。
【解決手段】 変形センサ２を、センサ用複合材料からなるセンサ本体２１と、センサ本体２１に接続され、電気抵抗を出力可能な電極２２Ａ、２２Ｂと、を備えて構成する。センサ本体２１は、エラストマーと該エラストマー中に配合されている導電性フィラーとを有する導電性エラストマー層２１０と、導電性エラストマー層２１０に積層して配置され面展開方向に伸縮可能な伸縮性シート２１１と、を備える。導電性エラストマー層２１０と伸縮性シート２１１とは一体的に弾性変形可能である。センサ本体２１の電気抵抗は、弾性変形に伴い変化する。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪
センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因す
る熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。
【解決手段】 歪センサーチップをベース板に接合し、ベース板の歪センサーチップを挟
んだ両側２箇所の接続エリアでベース板を測定対象物に接続する。歪センサーチップの歪
検出部はｐ型シリコンの＜１１０＞方向、およびそれに垂直な方向を電流方向とするピエ
ゾ抵抗素子でブリッジ回路を構成し、＜１１０＞方向を、前記２箇所の接続エリアを結ぶ
方向（Ｘ方向）と一致させる。歪センサーチップとベース板の熱膨張差による熱歪をブリ
ッジ回路でキャンセルでき、ベース板に選択的に伝えられるＸ方向の歪に対して高い感度
で検出できる。 （もっと読む）

【課題】高熱部分に容易に取り付けられるひずみゲージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ひずみゲージ１ａは、ゲージベース２の一表面に薄膜状のひずみ受感部３を備え、同一表面上に、ひずみ検知用延長リード部４を備える。ひずみ検知用延長リード４は、ひずみ受感部３の設置部の外部でひずみ検知用ゲージリードに接続可能な長さを有する。ひずみ受感部３と同一表面上に、温度検知手段２１を備える。ゲージベース２は、ポリイミドフィルムからなる。ひずみゲージ１ａは、ポリイミドよりも熱伝導率の大きなベース材料を備える。製造方法は、支持体１１上にポリイミド樹脂溶液層１２を形成し、その上に金属箔１３を接着する。ポリイミド樹脂溶液層１２を硬化させてポリイミドフィルム１４を形成した後、金属箔１３をエッチングしてひずみ受感部３とひずみ検知用延長リード部４とを形成し、ポリイミドフィルム１４から支持体１１を剥離する。 （もっと読む）

【課題】生体内の蠕動運動を直接的に測定する際に適用可能とすることができる歪センサを提供する。
【解決手段】絶縁性ゴム材料からなるベース２と、ベース２の一面に設けられた電極３及び配線４と、電極３の上方を主としてベース１に分散・塗布された多数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）５と、カーボンナノチューブ５を覆う絶縁性ゴム材料からなるカバー６と、を備えている。カーボンナノチューブ５自体又は互に接触しあうカーボンナノチューブ５の抵抗変化で微小変動等を捉える。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）の機械的強度を向上させ、歩留まり及び信頼性を向上させる。
【解決手段】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）において、従来では中空部であった部分に充填用材料を充填する。充填用材料としては、弾性を有する絶縁性材料を用いる。弾性を有する絶縁性材料は、例えばエラストマーが挙げられる。中空部が充填されることで、機械的強度が向上する。更には、作製工程中における構造体上部の反りを防止し、歩留まりが向上する。このようにして作製された微小電気機械式装置は、信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡易で、かつ、弾性板の厚さが薄くて疲労寿命が大幅に延長された曲げセンサを提供する。
【解決手段】長手方向と直交する方向の断面において、厚さ方向に平行な中心線に関して対称なＭ個の凹部及び凸部が交互に形成されたベース部材１０と、ベース部材１０のＭ個の凹部及び凸部のうち両端を除くＮ個の凹部又は凸部に形成されたＮ個のひずみ受感素子ＲＡ、ＲＢ、ＲＣと、両端の凹部又は凸部に形成され上記Ｎ個のひずみ受感素子のうちの１個分に相当する２分割ひずみ受感素子ＲＤ１、ＲＤ２と、上記ひずみ受感素子が形成された凹部にそれぞれ嵌合して形成されたコア部材ＣＡ、ＣＢ、ＣＤ、ＣＤ１、ＣＤ２と、上記ひずみ受感素子がベース部材１０の同じ側の面上でブリッジ回路を構成するように相互接続する接続配線と、凸部に形成された上記ひずみ受感素子を被覆して形成されたカバー部材２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、センサーチップからの放
熱を良くし、温度上昇や熱変形によるセンサー特性の変化を抑制する。
【解決手段】 半導体にピエゾ抵抗素子を形成した歪センサーチップと金属性のベース板
、センサーチップの電極から外部に配線を引き出す配線を有し、歪センサーチップはベー
ス板に金属材料により接合され、ベース板にはセンサーチップの接合部を挟む少なくとも
２箇所に、測定対象物に接続するための接続エリアを有する半導体歪センサーを構成する
。センサーチップが金属性のベース板に金属材料で接合されていることから、センサーチ
ップで発生した熱が、センサーチップ裏面からベース板に逃げやすく、センサーチップの
温度上昇、およびセンサーチップとベース板の温度不均一による熱変形を防げる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、密封箇所への設置が容易であり、設置のための施工工数を削減し得て、誤配線も効果的に防止し得る。
【解決手段】 センサ部１には、金属被覆ケーブル２が結合され、金属被覆ケーブル２はケーブル接続部機能を有するブリッジアダプタ３によってフレキシブルケーブル４に接続されている。耐熱ケーブルとしての金属被覆ケーブル２は、ＭＩケーブルのように耐熱性のある管状の金属被覆内に信号線を封入するとともに金属被覆内に無機絶縁物を充填して信号線を金属被覆から絶縁するようにしたものである。極性の異なる一対のリード線温度補償抵抗が、平行並列的に且つゲージ温度補償抵抗と、ブリッジバランス補償抵抗と、ホイートストンブリッジ構成用抵抗との縦列方向に対して傾斜して配置されており、ブリッジアダプタ基板の幅方向の実装寸法を小さくする。 （もっと読む）

【課題】
ｐ型不純物層とｎ型不純物層との組み合わせより構成される多軸ひずみ計測が可能な半導体チップにおいて、製造時における感度ばらつきが大きいため、計測精度が低下する。
【解決手段】
ｐ型不純物層４ｂ，４ｄのシート抵抗値を１２０Ω以上、ｎ型不純物層４ａ，４ｃのシート抵抗値を１００Ω以下とする。さらにｐ型不純物層４ｂ，４ｄから構成されるひずみ検知部の折り返し回数を、ｎ型不純物層４ａ，４ｃより少なくする
【効果】
ｐ型不純物層の感度ばらつきを減少できるとともに、ｐ型不純物層とｎ型不純物層のひずみ感度の温度依存性を揃えることができ、多軸ひずみ計測精度の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】特定方向のひずみ成分を精度良く測定することができる力学量測定装置を提供する。
【解決手段】半導体単結晶基板，半導体チップ内に少なくとも二組以上のブリッジ回路を形成し、前記ブリッジ回路のうち、ひとつのブリッジ回路が、電流を流して抵抗値の変動を測定する方向（長手方向）が該半導体単結晶基板の＜１００＞方向と平行であるｎ型拡散抵抗を形成し、もう一つのブリッジ回路は＜１１０＞方向と平行であるｐ型拡散抵抗を組み合わせて形成する。 （もっと読む）