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Fターム[2G001CA01]の内容

Fターム[2G001CA01]に分類される特許

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【課題】試料に対するX線の入射角度θが変更されたとき、入射X線の幅の変化に合わせて試料のX線入射面とX線遮蔽部材との間の隙間を調整できるようにする。
【解決手段】試料SのX線入射面Soと対向する位置にX線遮蔽部材20を設け、当該X線遮蔽部材20と試料SのX線入射面Soとの間に、X線源1から放射され試料SのX線入射面Soに照射される入射X線が通過できる隙間を形成する。さらに、X線遮蔽部材20を移動させる隙間調整機構21を設け、ゴニオメータによる試料SへのX線入射角度の変更に対応して、X線遮蔽部材20を移動させ、当該X線遮蔽部材20と試料SのX線入射面との間に形成される隙間の広さを調整できるようにした。 (もっと読む)


【課題】 蛍光X 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光X線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光X線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 (もっと読む)


【課題】連続的に流れてくるシート等の被検査物の内部検査を行うことができ、しかも、搬送中にシートが上下しても、あるいはX線透過方向への厚みが大きな被検査物でも、解像度が低下することがなく、高い感度でのX線検出が可能で、更には装置の取扱いが容易で安定した運用を実現できるX線ラインセンサを提供する。
【解決手段】X線の入射により蛍光を発生する材料からなる光変換部材2と、各一端部がそれぞれ光変換部材2に臨むように直線状に配列され、他端部は2次元状に束ねられた光ファイバ束3と、その光ファイバ束の他端部からの出射光を増強する光増強手段4と、その光増強手段4からの出射光を撮像する撮像手段6を備えた構成とすることで、単純に1ライン状に光ファイバを並べても光増強手段4の作用によって十分な光量を得ることを可能とし、撮像感度を高いものとする。 (もっと読む)


【課題】車両を持ち上げた際に枠体構造物が浮き上がることを防止し、かつ、安定的な走行を行うことができる搬送装置を提供する。
【解決手段】車両100が内部を通過できる金属製の枠体構造物2と、枠体構造物2に軸支されて地面に敷設される2本の軌条上を走行するための車輪100aと、車輪100aに回転駆動力を付与する走行モータ22と、枠体構造物2において、互いに対向して装着された一対の昇降部材7と、昇降部材7にそれぞれ設置されており、互いに対向する側に張り出す車両把持部材5とを備え、車両把持部材5で車両100の車輪3を保持しつつ昇降部材7を上昇させて車両100の車輪100aを持ち上げた状態で車両100を搬送する搬送装置1であって、枠体構造物2に軸支されて車輪100aに従動する補助輪6と、枠体構造物2における補助輪6を軸支する部分の上部において、昇降部材7の上下動を行う昇降用アクチュエータ8とを備える。 (もっと読む)


【課題】微粒子を三次元配向させる際の配向精度を高めることができる微粒子配向装置及び微粒子配向方法を提供する。
【解決手段】微粒子配向装置1は、磁場発生部12と、微粒子を懸濁させた試料容器2を、回転磁場を形成するのに必要な速度で前記磁場発生部12に対して相対回転させる駆動部13と、前記試料容器2が180度回転するたびに、静磁場を形成するのに必要な所定時間tの間、前記相対回転を一時的に略停止させるように前記駆動部13を駆動制御する制御部14とを備える。 (もっと読む)


【課題】シースの除去を伴う超電導フィラメントの検査を迅速かつ精度よく行うことができる超電導線材の検査方法を提供する。
【解決手段】超電導線材50は、超電導フィラメント10と、銀または銀合金から作られ超電導フィラメント10を被覆するシース20とを有する。硝酸を含有する第1のエッチング液により、シース20が厚さ方向に途中まで除去される。アンモニアおよび過酸化水素を含有する第2のエッチング液により、厚さ方向に途中まで除去されたシース20を除去することで、超電導フィラメント10が露出させられる。露出させられた超電導フィラメント10が検査される。 (もっと読む)


【課題】位相イメージングにより被検体の位相像を取得するに当たり、被検体における吸収情報に対する位相情報の割合が最大限取得可能となるX線撮像装置を提供する。
【解決手段】X線撮像装置であって、X線源と、
前記X線源から照射された発散X線を複数のX線に分割するための複数の開口を具備する、前記X線源と被検体との間に配置された分割素子と、
前記被検体を透過し屈折した前記発散X線によるX線ビームを検出するため、該X線ビームの照射方向の被検体よりも下流に配置された検出器と、
前記検出器により検出されたX線ビームの強度変化の情報を演算処理する演算処理手段と、を備え、
前記X線源と前記分割素子の距離をL1、前記分割素子と前記検出器の距離をL2とするとき、L2/L1の値が1.0より大きく2.4未満の範囲となるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】センサーパネルとシンチレータ層の周囲の筐体の端部からセンサーの光電変換素子端までの距離が短い放射線検出装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子を含むセンサーパネル101およびセンサーパネル101上のシンチレータ層103の側面を、放射線検出装置の筐体106内に設けられた封止部105に封止樹脂203を介して接続することで、光電変換素子と筐体106外側との距離を短くすることができ、かつ、シンチレータ層103側面における耐湿性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】X線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。
【解決手段】本発明では、微小ビームを作製してXYスキャンを行う方法によらず、通常のX線反射率法および中性子反射率法において用いられるものと同じサイズのビームを用い、数学的な画像再構成のアルゴリズムによって、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布および核散乱長密度分布の画像が得られる装置を開発した。 (もっと読む)


【課題】ピッチズレが抑制された狭ピッチで高アスペクト比な微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンをエッチングして形成された凸部の少なくとも頂上部に第1の絶縁層が設けられ、基板凹部に、下記の化学式(1)および化学式(2)(R、R、Rは、アルキル基)で表される基を含むオルガノポリシロキサンを有する第2の絶縁層を形成して凹部の底部に金属を有するシード層を形成し、前記凹部に電気めっきにより金属を充填してめっき層を形成する微細構造体の製造方法。
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【課題】粗大粒を有した材料の内部応力を短時間かつ高精度に測定可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の内部応力の測定方法は、被測定物に放射光X線を照射する照射工程(S1)と、被測定物から透過したX線回折のゲージ体積を2次元スリットにより制限する制限工程(S2)と、制限されたゲージ体積中の回折スポットを2次元X線検出器により検出する検出工程(S3)と、被測定物を移動させて照射工程から検出工程までを繰り返す工程(S4)と、検出された回折スポットに基づいてゲージ体積中心に相当する位置の回折角を決定する解析工程(S5)と、を備える。解析工程では、回折スポットの位置と回折強度とを関係を放物線近似し、かつ、放物線の頂点に対応する位置の回折角の値をゲージ体積中心に相当する位置の回折角に設定することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】第1の格子と第2の格子の2つの格子を平行に配列し、この格子を用いて位相コントラスト画像を取得する放射線画像撮影装置において、2次元位相情報を有する高画質な位相コントラスト画像を取得する。
【解決手段】第1の格子および第2の格子のいずれか一方の格子を、位相コントラスト画像を構成する1つの画素に対応する所定の範囲内に複数の単位格子UG1,UG2が配列されたものとするとともに、その各単位格子UG1,UG2を構成する単位格子部材22が互いに異なる方向に延びるものとし、その所定の範囲内の複数の単位格子UG1,UG2に対応する画素部によって検出された複数の検出信号に基づいて、位相コントラスト画像の1つの画素の画素信号を生成する。 (もっと読む)


【課題】加速器施設を用いることなく材料内部の非破壊成分分析を行うことを可能とする、非破壊成分分析装置を提供する。
【解決手段】宇宙線ミュー粒子Mが入射して停止したことを検出するための入射検出手段1と停止検出手段2と、特性X線Xのエネルギーを測定するX線エネルギー測定手段3とを備えた。入射検出手段1と停止検出手段2により宇宙線ミュー粒子Mが試料Sの内部に入射して停止したことを検出し、X線エネルギー測定手段3により試料Sの内部から出てくる特性X線Xのエネルギーを測定することにより、加速器施設を用いることなく、宇宙線ミュー粒子を用いて材料内部の非破壊成分分析を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】製品基板毎に態様の異なる被爆量を好適に管理すること。
【解決手段】電子部品が実装された基板の撮像要部をX線で撮像するX線撮像装置に用いられるX線被爆量管理システムにおいて、前記基板Wを製品毎に特定する基板特定手段と、特定された製品基板に係る累積被爆量Hを演算する累積被爆量積算手段とを備えている。X線撮像を実施する際の累積被爆量Hが個々の製品基板毎に演算されるので、例えば、再検査や、抜き打ち検査が生じて、被爆量が製品基板毎に異なるような事態が生じても、各製品基板が上限値を超えて被爆しないように管理することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、1回のX線の照射で測定試料SMのより広い面積を分析し得るX線分析装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のX線分析装置は、電子ビームEBを生成する電子ビーム生成部1と、電子ビーム生成部1によって生成された電子ビームEBの進行方向に沿って配置された複数の4重極レンズ2と、複数の4重極レンズ2を通過して射出された電子ビームEBと衝突することによってX線を生成するX線ターゲット3と、X線ターゲット3によって生成されたX線から所定のエネルギーを持つX線を抽出して測定試料SMに照射するX線分光結晶4と、X線分光結晶4によって抽出され測定試料SMを透過した透過X線を検出するX線検出部5とを備え、複数の4重極レンズ2は、電子ビームEBを互いに同じ第1方向に発散するとともに互いに同じ第2方向に収束する。 (もっと読む)


【課題】衝撃ノイズによる誤動作を防止しつつ、X線の照射開始を自己検出する。
【解決手段】画素37を制御するための走査線47が行毎に、信号電荷を読み出すための信号線48が列毎に配設された撮像領域51を有するFPD25と、蓄積動作と読み出し動作とを行わせるゲートドライバ52と、X線の照射開始を検出する制御部54と、制御部54がX線の照射開始を検出したときに、蓄積動作が開始するようにゲートドライバ52を制御する制御部54と、画素37から選択された検出画素61を有し、制御部54は、検出画素61が接続された信号線48から少なくとも2回連続して第1の電圧信号Vout1及び第2の電圧信号Vout2を取得し、これらの差に基づいて、照射開始の検出を検出する。 (もっと読む)


【課題】短時間で容易に試料の薄片部を形成することができる加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の加工方法は、平坦化工程(ステップS1)および薄片部形成工程(ステップS2)を順に行うことで、試料1Bの薄片部13を形成することができる。薄片部形成工程(ステップS2)では、試料の平坦面11の下部に対して、集束イオンビーム装置から出力された集束イオンビームが平坦面11に平行な方向に照射される。集束イオンビームの照射により試料がスパッタエッチングされて、平坦面11に対向する対向面12が形成される。これにより、平坦面11と対向面12とに挟まれた薄片部13を有する試料1Bが作成される。 (もっと読む)


【課題】管端溶接部における亀裂状欠陥を非破壊検査で検出するための非破壊検査用標準供試体を提供する。
【解決手段】管端溶接部における亀裂状欠陥を非破壊検査で検出するための非破壊検査用標準供試体10であって、炭素鋼で形成され、貫通孔15を有する供試体本体12と、貫通孔15に挿入され、CrーMo鋼で形成された管体14とを備え、管体14の外周面と、供試体本体12における貫通孔15の内周面との間に隙間17が設けられ、管体14の長手方向における一端側の外周面と、供試体本体12の貫通孔の長手方向における一端側の内周面との間を全周に亘って溶接した溶接部18を有し、溶接部18は、隙間17に重量比で50%NaNOと50%KNOとを混合した腐食液を注入し、応力腐食割れにより導入された亀裂状欠陥を有している。 (もっと読む)


【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてX線に対して回折ピークを持つ金属層にX線を照射して得られる回折ピークを入手するステップA、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップB、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップCを具備する。 (もっと読む)


【課題】A/D変換後の画像補正を複雑にすることなく、適切な濃度階調が描出された高画質なX線画像を得る。
【解決手段】放射線の照射終了後、FPDの撮像領域における一次元の入射線量の分布である線量プロファイルを測定する。線量プロファイルの最大値と最小値の差Δdであるコントラストに基づいて、信号電荷を読み出す際のゲインの値を決定する。ゲインは、コントラストが大きい場合には小さい値に、コントラストが小さい場合には大きい値に決定される。コントラストが小さい場合にゲインを大きくすることで、A/D変換器のダイナミックレンジを有効利用できる。 (もっと読む)


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