【課題】 マッハツェンダ干渉計のバイアス制御電圧が誤ったバイアス点に収束することなく、また信号品質の劣化を抑制することを目的とする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉計の光透過特性が所望の値となるようにバイアス制御電圧を算出する光透過特性制御手段と、前記算出されたバイアス制御電圧を固定する固定手段と、前記バイアス制御電圧を固定した状態で、受信した光信号の分散を補償する分散補償量を決定する分散補償量決定手段とを備え、前記分散補償量が決定された後に、前記固定されたバイアス制御電圧を可変にして、同期検波手段の出力に基づきバイアス制御電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】複数チャンネルのＷＤＭ光から所望のチャンネルの所望の波長を選択することができる光可変フィルタアレイ装置を提供すること。
【解決手段】光ファイバ１１−１〜１１−ｍからの波長λ１〜λｎから成るｍチャンネルのＷＤＭ信号光を凹面鏡１６を介して波長分散素子１７に入射する。波長分散素子１７は入射光をその波長に応じて異なった方向に分散させ凹面鏡１８に加える。凹面鏡１８では光の各チャンネルの光を帯状に平行とすることによりチャンネルと波長に応じてｘｙ平面に展開する。波長選択素子１９は格子状に形成された画素構造であり、選択すべき各チャンネルと波長に応じた位置の画素を反射状態とする。波長選択素子１９で反射した光は同一の経路を介して光ファイバ１５−１〜１５−ｍより出射される。波長選択素子１９の反射特性を各画素毎に変化させることによって、任意のＷＤＭ光の任意の波長を選択することができる。 （もっと読む）

【課題】制御光パワーをできる限り低くし、信号光の光路切替速度をできるだけ速くし、更に、直進信号光および隣接する別方向への信号光光路とのクロストークをできる限り小さくし、光路変更信号光の検出効率を上げる。
【解決手段】本発明に係る光路切替装置は、信号光と制御光とを入射面が重力の方向に対して垂直に設置された熱レンズ形成光素子へ縮小光学系にて重力方向に入射させ、各々収束点を光軸に対して垂直方向で異ならせて収束させ、前記制御光が照射されない場合の直進信号光と、前記制御光が照射され光路切替された信号光とが、同一の光学系手段によって収束または集光される受光手段を備え、更に、光路切替された前記信号光の通過位置にくさび型プリズムを設けて光路変更信号光と直進信号光の光軸間距離を広げる。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ干渉部を有する導波路型光素子をパッケージに収納した光変調器において、導波路型光素子の設計位置からの位置ずれを低減すること。
【解決手段】光変調器４００は、マッハツェンダ干渉部４４０を有する導波路型光素子４１０がパッケージ４２０に収納されており、マッハツェンダ干渉部４４０は、第１の方向性結合器４４５により分波を行い、第２の方向性結合器４４６により合波を行う。第１の方向性結合器４４５の一方のアームは第１の受光素子４５０Ａへの出射に使用されるモニタ用であり、同様に、第２の方向性結合器４４６の一方のアームは第２の受光素子４５０Ｂへの出射に使用されるモニタ用である。光変調器４００は、動作時には干渉光のモニタに使用する、予めパッケージ４２０に固定された第１及び第２の受光素子４５０Ａ、４５０Ｂを、導波路型素子４１０のパッケージ４２０への精確な搭載のために利用する。 （もっと読む）

【課題】 従来の光電気発振器と同等の位相雑音性能であって、かつ小型な光電気発振器を提供する。
【解決手段】 レーザ光源１と、光変調器２と、光変調器２の出力を遅延する光ファイバ３と、光ファイバの通過信号を高周波の電気信号に変換する光電変換器４とを含んだ光伝送系９と、光電変換器４から出力されバンドパスフィルタ５を通過した電気信号を増幅するアンプ６と、出力信号の一方を光変調器２に入力するカプラ７と、カプラ７の他方の出力信号を分周する分周器８とを含んだ電気伝送系１０より、高周波信号を発振する光電気発振器を構成し、光ファイバ３と、分周器８を用いて、所望の位相雑音性能を決定する。 （もっと読む）

【課題】高感度で広帯域特性を有する電界センシング装置を提供する。
【解決手段】電界センシング装置は、無変調光を出射する第１の半導体レーザ光源１６と、前記無変調光を伝送する光ファイバ１５ａと、電気信号によって変調する光変調器１４と、電波を受信するアンテナ１１と、受信された電気信号を光の進行方向に対し、同一方向と逆方向で前記光変調器１４に印加する分配器１２と、前記光変調器１４で変調された変調光を伝送する光ファイバ１５ｂと、伝送された前記変調光を電気信号に変換するＯ／Ｅ変換器１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＮ導波路およびＰＬＣ導波路を有する光変調器において、熱応力による機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＬＮ導波路１１１及びＰＬＣ導波路１１２で構成されたＰＬＣ−ＬＮチップ１１０と、ＰＬＣ−ＬＮチップ１１０を収納するパッケージ１４０と、パッケージ１４０のパイプ部１４０Ａを通るファイバ１３０と、ファイバ１３３０をＰＬＣ１１２に接続するファイバブロック１２０とを備える。ＬＮ導波路１１１がパッケージ１４０に固定されている。パイプ部１４０Ａ内にはフェルール１５０が挿入されており、その端面１５０Ａで、ファイバ１３０の一端が固定されている。ファイバ１３０の他端はファイバブロック１２０との接点で固定されている。この二点の間のファイバ１３０の長さΔＬ_max（以下「ファイバ自由長」と言う。）が式（２）の関係ΔＬ_max／Ｌ_fiber＜０．０１２５を満たす。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出射光路を制御可能な新たな構成の光源装置を提供する。
【解決手段】光源装置１は、各々レーザ光を出射する第１，第２レーザ出力部II,IIIと、第１のウォークオフ角で配置され第１，第２レーザ出力部II,IIIから出射されたレーザ光が入射する第１非線形光学結晶３５と、第１のウォークオフ角と直交する第２のウォークオフ角で配置され第１波長変換光学素子３５から出射したレーザ光が入射する第２非線形光学結晶３６と、ビーム制御装置８０とを備える。ビーム制御装置８０は、第１非線形光学結晶３５における位相整合条件及び第２非線形光学結晶３６における位相整合条件の少なくともいずれかを変化させ、ビームポインティングを変化させることにより、第２非線形光学結晶３６から出射されるレーザ光の出射光路を変化させる。 （もっと読む）

【課題】波長を時間的に変化させたレーザ光を用い、スペックルを除去できるスペックル除去光源を得る。
【解決手段】縦モードがシングルモードであるレーザ光を出力する光源と、レーザ光の波長を変化させる光周波数変調手段と、長手方向に長尺で屈曲されている多モード光ファイバと、レーザ光を光ファイバへ導く少なくとも１つ以上の集光レンズとを備え、集光レンズは、レーザ光の集光サイズを光ファイバのコア径とほぼ同等に変換し、かつレーザ光の開口数を光ファイバを伝送可能な開口数とほぼ同等に変換し、光ファイバは、光のモードが少なくとも２つ以上であり、光ファイバ内での反射回数で増幅された伝搬時間の異なる基本モードの光から最高次モードまでの光が、出射端面において空間分布で重ね合わせられ、かつ光ファイバの少なくとも光を出力する端面を含む一部、横断面のコア外径形状が略多角形である。 （もっと読む）

【課題】 広い周波数帯域を持ち、かつ超電導デバイスが置かれる低温域への熱流入を抑制できる、超電導デバイスからの光出力方法を提供する。
【解決手段】 第一、第二の低温度領域１１、１２を近接して設け、第一の低温度領域に、超電導デバイス１４及び該超電導デバイスの出力を増幅する超電導ドライバ１５を配置して、該第一の低温度領域を、超電導デバイスが機能する温度域に冷却する。一方、第二の低温度領域には、超電導ドライバと電気的に接続した半導体アンプ１６及び入力電圧に応じて位相が回転する光変調器１７を配置し、該第二の低温度領域を、半導体アンプが機能する温度域に冷却する。これにより、超電導デバイスの微小信号を光信号２０として出力する。 （もっと読む）

【課題】相互位相変調を低減する。
【解決手段】システムは、チャネルの位相を変調するチャネルの画素のセットを有する位相変調アレイに命令を送出することを含む。チャネルの画素のセットは、第一のチャネルの第一の位相を変調する第一のチャネルの画素のセットと、位相変調フォーマットを使用する第二のチャネルの第二の位相を変調する第二のチャネルの画素のセットとを有する。第一のチャネルの画素のセットは、第一の一定の位相で第一の位相を変調するように指示される。第二のチャネルの画素のセットは、第一のチャネルと第二のチャネルとの間で群遅延を形成するため、第一の一定の位相とは異なる第二の一定の位相で第二の位相を変調するように指示される。 （もっと読む）

【課題】光導波路基板を安定かつ均一に温度調節すると共に、サブマウントに接着搭載したり、ペルチェモジュールを駆動した際にも、偏波依存周波数劣化量を最小限に留めることが可能な導波路型光遅延干渉計を提供する。
【解決手段】サブマウント５と光導波路基板２、サブマウント５とペルチェモジュール４を接着固定する接着剤の弾性率（ヤング率）が１０⁴Ｐａ以下であり、ペルチェモジュール４は、そのサブマウント５に接着される面４ａが平面視で矩形状に形成されると共に、前記サブマウントに接着される面４ａの対角長さＬ_pが、下式（１）
Ｅ_sub×ｔ³／Ｌ_p≧３２（ＧＰａ・ｍｍ²） ・・・（１）
但し、Ｅ_sub：サブマウントの弾性率（ヤング率）（ＧＰａ）
ｔ：サブマウントの高さ（ｍｍ）
Ｌ_p：ペルチェモジュールのサブマウントに接着される面の対角長さ（ｍｍ）
を満たす。 （もっと読む）

【課題】高い消光比及び高いQ値が得られるマッハツェンダ干渉型光変調器の駆動方法を提供する。
【解決手段】MZ変調器10の駆動方法は、第1及び第2変調信号が、電圧振幅が第1レベルにある第１時間Toff1、Toff2と、第1レベルから第2レベルへ移行する第1移行時間Tr1、Tr2と、第2レベルにある第2時間Ton1、Ton2と、第2レベルから第1レベルへ移行する第2移行時間Tf1、Tf2とを有し、Tr1とTr2とは時間軸上で重なっており、且つTf1とTf2とは時間軸上で重なっており、第１及び前記第２変調信号が共に第２レベルにあるときに出力光がオンとなり、第2変調信号の第1レベルと第2レベルとの電圧振幅の差を、第1変調信号の第1レベルと第2レベルとの電圧振幅の差よりも小さくし、且つTr2<Tr1、且つ、Tf2<Tf1、且つ、Toff2がToff1+(Tr1-Tr2)+(Tf1-Tf2)>=Toff2>Toff1+(Tr1-Tr2)×0.5+(Tf1-Tf2)×0.5なる関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】コアを光の導波方向に分割してそれぞれ独立に屈折率を調整しようとした場合に、分割されたコア間に発生する光の導波方向のリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】半導体のコア１をブロッキング領域１３，１４，１７，１８によって複数の領域に分離する。光の導波方向において対向配置された導電性コア１１，１２をそれぞれＰ型、Ｎ型とし、それとブロッキング領域を挟んで対向する導電性コア１５，１６をそれぞれＰ型、Ｎ型とする。導電性コア１１と導電性コア１５との間に配置するブロッキング領域１３をＮ型とし、導電性コア１２と導電性コア１６との間に配置するブロッキング領域１４をＰ型とする。 （もっと読む）

【課題】
信号光と放射光とを確実に分離することが可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板上に形成された光導波路（２〜４）と、該光導波路を伝播する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該光導波路は、複数の光導波路２を伝播する光波を合波するための合波部３と、該合波部から基板端部まで導出される出力用導波路４とを少なくとも有し、該合波部から放出される２つの放射光５はスラブ導波路又は三次元導波路により該基板端部１０まで導出され、該出力用導波路４は、該合波部から放出される放射光が該基板端部１０に至るまでの光路を横切り、該基板端部における前記２つの放射光の外側に該出力用導波路の端部が配置され、該出力用導波路と該放射光との交差角度の小さい方の角度が３度以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力の大幅な増加や装置の大型化を招くことなく、入力光について外部変調による高速変調を実現することができる網膜走査型画像表示装置を提供する。
【解決手段】画像情報に応じた駆動信号を生成する駆動信号生成部と、前記駆動信号に応じた強度のレーザ光を出射する光源部１１０と、光源部１１０から出射されたレーザ光を２次元方向に走査する走査部と、この走査部によって走査されたレーザ光を観察者の眼の網膜へ投射して、画像を投影する投射部とを備え、光源部１１０は、光源１２０と、光源１２０から出射したレーザ光の強度を前記駆動信号に基づいて変調する磁気光学変調器１４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】厳しい温度制御が必要なＥＡ／ＬＤを使うことなく、簡便な温度制御でＧＥ−ＰＯＮと１０ＧＥ−ＰＯＮとにおいて高速光信号を送受信可能な、小型で低消費電力の双方向光通信モジュールを提供する。
【解決手段】双方向光通信モジュール１は、波長λ１の信号光を送信する第１ＬＤ素子３と、波長λ１の信号光より伝送速度が高い波長λ２の信号光を送信する第２ＬＤ素子４と、波長λ３の信号光を受信するＰＤ素子２を備えるものであって、第１ＬＤ素子３の信号光の光強度をモニタする第１モニタＰＤ素子５と、第２ＬＤ素子４の信号光の光強度をモニタする第２モニタＰＤ素子６と、第２ＬＤ素子４の信号光を「１」レベルの波長光と「０」レベルの波長光とに分波する分波フィルタ１１と、「０」レベルの波長光の光強度をモニタする第３モニタＰＤ素子７と、を備え、分波フィルタ１１の分波特性が調整可能とされている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤを用いた基板間の接続による高周波電気信号の伝達ロスを低減する。
【解決手段】ケース本体２２の側面に固定された同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと、中継基板５０の伝送線路５１の中心ピン側である一方の端部５１ｂとの間が電気的に接続固定されている。中継基板５０の変調回路基板３０側の側部は、ケース本体２２の突出部２２ｂの上に固定された変調回路基板３０に重なり合い、その重なり合った部分で、伝送線路５１の他方の端部５１ａと変調回路基板３０の変調信号入力端子３１とが半田バンプ７５によって接続されている。中継基板５０は、同軸コネクタ４１の中心ピン４１ａと変調回路基板３０とによって支持されている。 （もっと読む）

【課題】複数の光変調器を備える光デバイスにおいて、変調信号の品質を劣化させることなく小型化を図る。
【解決手段】基板１０の表面領域に第１および第２の光変調器が形成される。第１の光変調器は、光導波路１１ａ、１１ｂと、光導波路１１ｂにデータ信号を与える信号電極１２と、信号電極１２の出力側に設けられ光導波路１１ｂにＤＣバイアス電圧を与えるＤＣ電極１３を備える。第２の光変調器は、光導波路２１ａ、２１ｂと、光導波路２１ｂにデータ信号を与える信号電極２２と、信号電極２２の入力側に設けられ光導波路２１ｂにＤＣバイアス電圧を与えるＤＣ電極２３を備える。信号電極１２、２２の入力部は、基板１０の同じ側面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高いスイッチング効率で且つ十分に広い波長範囲に渡って高速スイッチングを実現する技術を提供する。
【解決手段】信号光の偏光方向は、偏光制御器１１により、偏光子１５の偏光主軸と直交するように制御される。制御光パルス生成部１２は、信号光と異なる波長を持った制御光で制御光パルスを生成する。非線形光ファイバ１４には、信号光および制御光パルスが入力される。非線形光ファイバ１４において、制御光パルスと時間的に重複する領域の信号光は、ほぼその制御光パルスの偏光方向に光パラメトリック増幅される。制御光パルスと時間的に重複する領域の信号光が偏光子１５を通過する。 （もっと読む）