【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像しつつ、当該レジスト膜にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】現像処理装置３０は、ウェハＷを収容して処理する処理容器１１０と、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１４０と、ウェハＷ上に有機溶剤を含有する現像液を供給する現像液ノズル１６０と、ウェハＷ上にリンス液を供給するリンス液ノズル１６４と、処理容器１１０内に酢酸ブチルガスを供給する処理ガス供給部１２２と、処理容器１１０内に窒素ガスを供給するパージガス供給部１２６と、処理容器１１０内の酢酸ブチルガスの濃度を測定する濃度測定器１３０と、処理容器１１０内のガス濃度を所定の濃度に制御する濃度制御部１３１と、処理容器１１０から流出した酢酸ブチルガスを再度処理容器１１０内に供給して循環させるガス循環部１５１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ネガ型レジストのパターン形成に際し、ラフネスが小さく、レジストパターンの倒壊やブリッジ形成を招くことなく安定的に微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
（ア）架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、および
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
（Ａ）分子量５００〜５０００の低分子量化合物、
（Ｂ）可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的または間接的に酸を発生する酸発生剤、
（Ｃ）酸架橋剤、および
（Ｄ）溶剤
を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減でき、露光余裕度（ＥＬ）、焦点深度（ＤＯＦ）等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、（２）上記レジスト膜を露光する工程、及び（３）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、［Ａ］酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】省エネルギーで効率的に廃液中の目的物質を分離濃縮することのできる濃縮方法および濃縮装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、目的物質を含有する廃液中から、上記廃液よりも高い濃度の上記目的物質を含有する液体を分離する、目的物質の濃縮方法であって、上記廃液を霧化する霧化工程と、上記霧化工程により上記廃液から生じた霧粒子を分級する分級工程とを含むことを特徴とする、目的物質の濃縮方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法の微細化を達成でき、且つ、パターン均一性を向上できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程、前記レジストパターンの軟化点よりも低い温度で熱処理を行い、被覆膜を熱収縮させて前記レジストパターン間の間隔を狭める工程、及び前記被腹膜を除去する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像を用いて形成されるネガ型レジストパターンの形成方法として最適なパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、ケイ素含有膜形成用組成物を用いて被加工体上にケイ素含有膜を形成する工程(Ｂ)と、該ケイ素含有膜上に化学増幅型レジスト組成物を用いてフォトレジスト膜を形成する工程(Ｃ)と、加熱処理後に高エネルギー線で前記フォトレジスト膜を露光する工程(Ｄ)と、有機溶剤の現像液を用いて前記フォトレジスト膜の未露光部を溶解させることによりネガ型のパターンを得る工程(Ｆ)を含むパターン形成方法において、前記ケイ素含有膜形成用組成物として、前記フォトレジスト膜が露光された時に、該露光部に対応する前記ケイ素含有膜の露光後の純水に対する接触角が３５度以上７０度未満となるものを用いる。 （もっと読む）

【解決手段】ベース樹脂として、特定の開環メタセシス重合体水素添加物［Ａ］と、特定の（メタ）アクリル酸エステル樹脂［Ｂ］とを含有するレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、また、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことにより、微細トレンチパターンやホールパターンのマスク寸法忠実性や露光ショット内寸法均一性を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｔ−ゲート構造物の改良された形成法の提供。
【解決手段】ａ）基板を提供する工程、ｂ）基板上に平坦化層を配置する工程、ｃ）ＵＶ感受性第一フォトレジストの層を配置する工程、ｄ）マスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第一フォトレジストをパターン化して、Ｔ−ゲートの底部用の第一開口を規定する工程、ｅ）パターンを平坦化層に転写する工程、ｆ）このパターンをＵＶ放射線に対して非感受性にする工程、ｇ）ＵＶ感受性第二フォトレジストの層を配置する工程、ｈ）第二フォトレジストをマスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第二フォトレジストをパターン化して、第一開口の上のＴ−ゲートのキャップ用の第二開口を規定する工程、ｉ）第一開口および第二開口内に導電性材料を堆積してＴ−ゲートを形成する工程、を含む方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された部分構造を有する繰り返し単位とラクトン構造を有する繰り返し単位とから構成される開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有するレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤含有現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の開環メタセシス重合体水素添加物を含むレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことで、微細トレンチパターンやホールパターンの解像性能を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】洗浄水中の多価金属イオン濃度を一定の濃度に保持することで現像残渣のない優れた現像性を常に安定して保つことができる感光性樹脂の現像方法を提供すること。
【解決手段】基板１表面に感光性樹脂２を被着する第１の工程と、次に被着された前記感光性樹脂２を所定のパターンに露光する第２の工程と、次に露光された前記感光性樹脂２を所定のパターンに現像液で現像する第３の工程と、次に現像された前記感光性樹脂２を純水で洗浄する第４の工程と、次に純水で洗浄された前記感光性樹脂２を所定の化合物が飽和状態で溶解し該化合物から溶出した多価金属イオンが一定の濃度に保持された洗浄水で洗浄する第５の工程とを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】黒色のソルダレジストや膜厚が厚いソルダレジストの仕様に対しても、アンダーカットが生じることのないソルダレジストを形成し、高い解像性を有するプリント配線板を提供することを目的とする。
【解決手段】導体パターン３が形成された絶縁基板２上にソルダレジスト４ａを塗布、仮硬化し、露光用マスクフィルム５を介しソルダレジスト４ａを紫外線で露光する工程において、紫外光を選択的に拡散させてソルダレジスト４を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理において、処理時間の短縮化を可能にして、処理能力を向上させることができる現像処理方法及び現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板に有機溶剤を含有する現像液を供給して現像を行う現像処理方法において、基板を回転させながら（ステップＳ１）、現像液供給ノズルから基板の中心部に現像液を供給して液膜を形成する液膜形成工程（ステップＡ）と、現像液供給ノズルから基板への現像液の供給を停止すると共に、現像液の液膜を乾燥させない状態で基板を回転させながら、基板上のレジスト膜を現像する現像工程（ステップＢ）と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数１〜２０の１〜４価のカルボン酸塩と、水、アルコール類、エステル類、エーテル類等から選ばれる１種以上を溶剤として含むレジスト材料。
【効果】解像性とエッジラフネスが良好な特性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＢ、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料とすることができる。 （もっと読む）

【解決手段】マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドミウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属とβジケトン類との錯体と、水、アルコール類、エステル類、エーテル類等から選ばれる１種以上を溶剤として含むレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料は、解像性とエッジラフネスが良好な特性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＢ、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料とすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒の混合物を含むフォトレジスト現像剤組成物の提供。
【解決手段】特定の組み合わせの有機現像剤のネガティブトーン現像を用いたフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、個々の現像剤の良くない特性を回避するかもしくは最小限にしつつ、優れたリソグラフィ性能を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果により現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのズレを軽減すること。
【解決手段】現像液により溶解される前記レジスト膜の反応表面に形成された複数の凹上のパターン形状における単位面積当たりの現像液の浸透流を示すフラックスを、前記パターン形状のサイズに応じて前記レジスト膜の反応表面の前記フラックスが変わることを示す関係式に従って、前記パターン形状の前記基板の面方向の長さ、および前記パターン形状の前記基板の厚さ方向の長さに基づき求め、前記フラックスに基づき、前記レジスト膜の反応表面の現像液の濃度を求め、前記複数のパターン形状が形成されている前記レジスト膜に対して前記マスクパターンが描画されて現像された場合、前記レジストに形成されるレジストパターンの形状を前記現像液の濃度に基づき求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体１上にレジスト膜２を形成する工程、レジスト膜２をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜２上に被加工薄膜４を形成する工程、レジスト膜２の非露光部２ｂとその上の被加工薄膜４とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜４ａと基板１との間に、露光されたレジストパターン２ａが介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供する。
【解決手段】ウェハ１００に積層されたレジスト１０２に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト１０２に転写し、レジスト１０２に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６の現像液に浸漬する。 （もっと読む）

【課題】現像処理を行うことなくパターン形成ができ、また、ラビング処理等による問題も改善され、液晶配向膜等に最適なパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、ポリイミド膜によるレリーフパターンを形成するに際し、３５０℃以上の耐熱性を保持した上で、現像処理を施すことなく、添加する光酸発生剤または光塩基発生剤の選択により、露光部が未露光部に対して断面視で凹になるレリーフパターンや露光部が未露光部に対して断面視で凸となるレリーフパターンを形成することができる。また、本発明で得られたパターン（ポリイミド膜）は、レリーフパターンとされた状態で分子配向しているので、液晶を配向させるためのラビング処理を施すことなく、液晶配向膜等として最適なレリーフパターンを提供することができる。 （もっと読む）