【課題】彫刻時に発生する版上のカスを容易に除去可能であり、レリーフ印刷版への影響が小さいレリーフ印刷版製版用リンス液、及び、レリーフ印刷版の製版方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される化合物及び／又は式（２）で表される化合物を含むことを特徴とするレリーフ印刷版製版用リンス液、及び、レリーフ印刷版の製版方法。Ｒ¹〜Ｒ³及びＲ⁶〜Ｒ⁸はそれぞれ独立に、一価の有機基を表し、Ｒ⁴及びＲ⁹は、単結合、又は、二価の連結基を表し、Ａ及びＢはＰＯ（ＯＲ⁵）Ｏ^-、ＯＰＯ（ＯＲ⁵）Ｏ^-、Ｏ^-、ＣＯＯ^-、又は、ＳＯ₃^-を表し、Ｒ⁵は、水素原子、又は、一価の有機基を表し、Ｒ¹〜Ｒ³のうち２つ以上の基が互いに結合し環を形成してもよく、Ｒ⁶〜Ｒ⁸のうち２つ以上の基が互いに結合し環を形成してもよい。
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【課題】レジストパターンの倒壊を抑制する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、レジスト膜を露光する露光工程と、露光工程の後、基板を処理室２０内に収容し、処理室２０の外部で生成したイオンを含むガスを処理室２０内に導入し、イオンを含む雰囲気中でレジスト膜に現像液を供給しレジスト膜を現像する現像工程と、現像工程の後、イオンを含む雰囲気に維持された処理室２０内でレジスト膜にリンス液を供給しレジスト膜を洗浄するリンス工程と、リンス工程の後、レジスト膜を乾燥する乾燥工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】透明性及び耐熱透明性に優れ、高い絶縁破壊電圧を有する硬化膜を与える感光性樹脂組成物を提供すること、透明性及び耐熱透明性に優れ、高い絶縁破壊電圧を有する硬化膜及びその形成方法を提供すること、並びに、透明性及び耐熱透明性に優れ、高い絶縁破壊電圧を有する硬化膜を具備する有機ＥＬ表示装置、及び、液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシ基を有する樹脂と、（Ｂ）感光剤と、（Ｃ）エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する樹脂、並びに／又は、エチレン性不飽和基及びオキセタニル基を有する樹脂と、を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物により形成された硬化膜及びその形成方法、並びに、前記硬化膜を備えた有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】１ｍｍ未満の版厚の樹脂凸版印刷版でも印刷時の耐刷力、耐圧力が大きく、画像形成性およびその再現性に優れた軽量な樹脂凸版印刷版およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の樹脂凸版印刷版１７は、フィルムベース１５上に層厚４５０μｍ〜７８０μｍの感光性樹脂層を形成した感光性樹脂凸版の版材１０を備え、版材１０の表側に密着固定されたネガフィルム１８を通して入射される紫外線のレリーフ露光と、版材１０の裏側に密着されたポジフィルムを通して入射されるバック露光とにより、感光性樹脂層１３にレリーフ像２２とバック析出層２３とを凝固させ、感光性樹脂層の非凝固部を水洗浄で除去して乾燥・後露光を行ない、版厚１ｍｍ未満の可撓性の樹脂凸版印刷版１７が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上、ひいてはコスト低減を図ることのできるフォトレジストのパターン形成方法及び同方法を用いたプローブの製造方法、並びに電子デバイス検査用プローブを提供する。
【解決手段】基板上に第１のレジスト材料を積層する下部レジスト層積層工程と、前記下部レジスト層を第１のパターンで露光する第１の露光工程と、第１の露光工程に引き続き、前記下部レジスト層上に、第２のレジスト材料を積層する上部レジスト層積層工程と、前記下部レジスト層を露光するために用いた前記第１のパターンと少なくとも一部が重合する第２のパターンで前記上部レジスト層を露光する第２の露光工程と、不要なレジストを除去して開口部が形成されたレジスト層を形成する現像工程と、を有するフォトレジストのパターン形成方法とした。 （もっと読む）

処理液を用いて、フレキソグラフレリーフ印刷版を提供する。この溶液は、ジイソプロピルベンゼン、及び、少なくとも1種は脂肪族二塩基酸エステルである、1種又は複数の有機共溶媒を含む。処理液はまた、共溶媒として1種以上のアルコールを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】一般印刷分野で使用される酢酸エチルなどの有機溶剤、及び電子材料分野で使用されるアニソールや安息香酸メチルなど有機溶剤に対する耐溶剤性に優れ、樹脂印刷に好適な印刷版又は印刷原版、また、それらの製造に適したポリカーボネートジオール組成物及びポリマーを提供する。
【解決手段】ポリカーボネートジオール（ａ１）を含むポリカーボネートジオール組成物であって、前記ポリカーボネートジオール（ａ１）が、下記式（１）で表され、かつ数平均分子量が１００〜５０，０００であるポリカーボネートジオールであるポリカーボネートジオール組成物。式（１）：


（式中、Ｒ_１は、各々独立して、炭素骨格中に窒素、硫黄、及び酸素からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含んでいてもよい、炭素数３〜５０の直鎖、分岐鎖、及び／又は環式の炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン６のエッジ部が位置するウエハ基板１の表面内に、溝２を形成する。次に、溝２が露出する開口部３ａを有するレジスト３を、ウエハ基板１上に形成する。次に、開口部３ａから露出するウエハ基板１上とレジスト３上とに、導電性膜５を形成する。そして、レジスト３を除去することにより、ウエハ基板１上に導電性パターン６を形成する。 （もっと読む）

【課題】一般印刷分野で使用される酢酸エチルなどの有機溶剤、及び電子材料分野で使用されるアニソールや安息香酸メチルなど有機溶剤に対する耐溶剤性に優れ、樹脂印刷に好適な印刷版又は印刷原版を提供し得る印刷原版用ポリマーの製造方法を提供すること。
【解決手段】（１）数平均分子量が１，０００以上５０，０００以下のポリカーボネートジオール（ａ）を解重合する工程、（２）前記工程（１）により得られるポリカーボネートジオール（ａ′）と、ポリイソシアネート化合物（ｂ）と、を反応させる工程、を含む、印刷原版用ポリマーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気透析、又は電気分解を行わなくとも、効率よく水酸化テトラアルキルアンモニウム(ＴＡＡＨ）を製造することができ、特に、例えば、フォトレジスト現像廃液を原料として、簡易的な設備で容易に製造できる方法の提供。
【解決手段】安定な物質で、入手も容易である塩化テトラアルキルアンモニウム、特に、ＴＡＡＨを含む廃液から回収した該塩化テトラアルキルアンモニウムと、対イオンとして水酸化物イオンを有する陰イオン交換樹脂とを接触させることでＴＡＡＨを製造する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを高精度で形成することのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に第１パターンを形成する工程と、第１パターンの状態を計測する計測工程と、第１パターンを化学的に処理してリソグラフィーに対する耐性を付与するフリージング工程であって、計測工程の計測結果に基づいて処理条件を変更するフリージング工程と、基板に第２パターンを形成する工程とを具備し、フリージング工程は、処理液を塗布する工程と、第１加熱工程と、不要な処理液を除去するストリッピング工程と、第２加熱工程と、を具備し、変更する処理条件は、第１加熱工程の加熱温度、ストリッピング工程の処理時間、第２加熱工程の加熱温度のうちの少なくともいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】良好に所望のパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】上層ハードマスク層１０３上に下層レジスト層１０４を形成する工程と、下層レジスト層上に下層レジスト層と露光感度の異なる上層レジスト層１０５を形成する工程と、互いの透過光に１８０度の位相差が生じる第１及び第２の透過領域を有し、第１及び第２の透過領域が照射領域内に互いに隣接して設けられたフォトマスク１０を介して下層レジスト層及び上層レジスト層に露光光を照射する工程と、露光光が照射された下層レジスト層及び上層レジスト層の現像を行うことで、上層ハードマスク層が露出した第１の領域と、下層レジスト層が露出した第２の領域と、下層レジスト層及び上層レジスト層が残った第３の領域とを有する構造を形成する工程とを備えることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法及びこの方法の使用の提供。
【解決手段】ベース層３上に、第１処理ステップにてフォトレジストを適用。第２処理ステップにて、予め定められたマスキング露光１３をフォトレジスト層９に施す。第３処理ステップにて、フォトレジスト層９の一部を現像除去し、犠牲層領域２５を有する初期表面パターンを得る。第４処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング２９、３１を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。第５処理ステップにて、犠牲層領域２５を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。第６処理ステップにて、初期表面パターンに予め定められた処理温度にて高圧液体ジェット３３を作用させ、それにて犠牲層領域２５を覆うコーティング２９の少なくとも一部を最終表面パターンを得るために機械的に除去、又は少なくともこじ開ける。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料の種類によらず、一定のスリム量を得ることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板上に酸を含む溶液を塗布し、次に熱処理し、次に現像処理することによって、レジストパターンにスリミング処理を行うスリミング処理工程Ｓ１６〜Ｓ１８を含む。レジストパターンのレジスト材料の種類と、レジストパターンが形成された基板上に塗布する溶液に含まれる酸の濃度と、レジスト材料の種類及び酸の濃度に対応するレジストパターンの線幅とを格納したデータベースを予め準備しておき、スリミング処理工程Ｓ１６〜Ｓ１８で用いる溶液は、溶液に含まれる酸の濃度が、レジスト材料の種類と、レジストパターンの線幅の目標値とを検索キーとしてデータベースにより求められた酸の濃度に基づく。 （もっと読む）

【課題】 エッチング耐性および解像性に優れ、基板界面においても良好なパターン形状を与えるネガ型レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調整方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベース樹脂、及び／又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベース樹脂と架橋剤の組み合わせ、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有し、５０〜１００ｎｍの膜厚Ｘ（ｎｍ）を有するレジスト膜を成膜するためのネガ型レジスト組成物であって、アルカリ現像液に対する溶解速度が、０．０３３３Ｘ−１．０（ｎｍ／ｓｅｃ）以上０．０６６７Ｘ−１．６（ｎｍ／ｓｅｃ）以下の値となるものであることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜が可能で簡便なフィルムの転写により導電性を容易に安価に得ることのできる導電性転写フィルム及びそれを用いた導電性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 仮支持体上に、導電性層、及びネガ型感光性樹脂層を順次積層してなる導電性転写フィルム。仮支持体上に、ポジ型感光性樹脂層、導電性層、及びネガ型感光性樹脂層を順次積層してなる導電性転写フィルム。導電性層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化すず、金、銀、銅、アルミニウムのいずれかを主成分とする導電性膜であると好ましい。前記の導電性転写フィルムを用いて、ネガ型感光性樹脂層側を支持体に貼りつける工程、所定部を露光する工程と、を含む導電性パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】水溶液による現像が可能で、且つ、めっき触媒又はその前駆体に対する吸着性に優れた被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供すること。また、基板との密着性に優れた金属パターンを、水溶液による現像を用いて簡易に形成しうる金属パターン材料の作製方法、及び、被めっき組成物に有用な新規ポリマーを提供する。
【解決手段】めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基、ラジカル重合性基、及びイオン性極性基を有するポリマーを含有する被めっき層形成用組成物、及び、これを用いた金属パターン材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】微細化され、かつドライエッチング耐性の高い微細パターンを形成させるための方法の提供。
【解決手段】基板上に形成されたパターンの表面に、シラザン結合を有する微細パターン形成用組成物を塗布し、硬化させることを含む、パターン形成方法。微細パターン形成用組成物の塗布の前に塩基性化合物を含む前処理組成物を塗布することもできる。この方法により形成された、微細パターン形成用組成物の硬化層を利用することで、別の微細化されたパターンを形成させることもできる。 （もっと読む）

【課題】プリベーク工程時の温度ムラに起因するレジストパターン寸法のばらつきを抑制する。
【解決手段】ポジ型又はネガ型のレジストを半導体ウェーハ３に塗布するレジスト塗布工程（ステップＳ１）と、プリベーク工程（ステップＳ３又はＳ４）と、露光工程（ステップＳ５）と、ポストエクスポージャーベーク工程（ステップＳ６）と、を備える。レジストを現像することにより、該レジストを所定のパターン形状に形成する現像工程（ステップＳ７）を備える。プリベーク工程では、レジストがポジ型の場合には、該レジストに含まれるベース樹脂の保護基の脱離開始温度以上でプリベークを行う（ステップＳ３）。レジストがネガ型の場合には、該レジストに含まれるベース樹脂の架橋剤の架橋開始温度以上でプリベークを行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）