【課題】研磨布のドレッシング状態の変化によって生じる研磨速度の変化による研磨代のばらつきを抑制し、仕上がり厚さを高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて設定した研磨時間で研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながらシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返すシリコンウェーハの研磨方法において、研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、所定の研磨代となるように研磨時間を設定する際に、データベースに記録された研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて研磨時間を設定する工程とを有するシリコンウェーハの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを高速かつ高い面精度で研磨することができるダイヤモンド用研磨盤を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドの研磨に用いられる研磨盤であって、ダイヤモンドと当接する研磨盤の研磨面が、酸化物を５０体積％以上含み、押し込み硬度が５００Ｋｇｆ／ｃｍ^２以上である材料からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤であり、酸化物としてはＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ及び、Ｚｒからなる群より選ばれた１つ以上の元素の酸化物を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ホーニング加工でもって孔の内周面をテーパ形状に精度良く仕上げる。
【解決手段】砥石１４の外周面２６を、ホーニングヘッド１１の直線移動方向に対してテーパ状に傾斜させると共に、孔２の内周に配置したホーニングヘッド１１を孔２の小径側から大径側に向けて移動させるときのみ、砥石１４を外径側に移動させつつ孔２の内周面３に押し当てることでホーニング加工を行う。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤの張力を下げても、軌跡不良を低減して半導体基板をスライスすることが可能な固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤ芯線表面に砥粒を固定した固定砥粒ワイヤであって、ワイヤ芯線径は８０μｍ以下で、ワイヤ芯線の単位表面積当たりの砥粒の個数は４００個／ｍｍ^２以上である固定砥粒ワイヤ。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面を平坦度３０ｎｍ以下に研磨することができる、ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０のガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法であって、前記研磨パッド２４が、微多孔が形成された表面層を有し、圧縮率が２０％以上である第１の軟質プラスチックシートと、前記第１の軟質プラスチックシートの前記研磨面の背面側に接合された、圧縮率が２０％未満である第２の軟質プラスチックシートと、を備えており、前記第２の軟質プラスチックシートの前記第１の軟質プラスチックシートが接合された反対面側をバフ処理した後、前記第２の軟質プラスチックシートのバフ処理された面を前記両面研磨装置の上下定盤の側にして、前記研磨パッドを該上下定盤に取り付けた状態で、前記研磨面側をドレス処理してから、前記ガラス基板の両主表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上に、被処理膜１３，１６，２１を形成する工程と、前記被処理膜の表面をＣＭＰ法により研磨する工程と、を具備し、前記ＣＭＰ法は、回転する研磨パッド３１を第１温度から前記第１温度よりも高い第２温度に上昇させる工程と、前記被処理膜の表面を前記第２温度に上昇した前記研磨パッドに当接させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ベルト研削機を大型化又は小型化に適したものにすると共に、被研削物の外周面にあるバリや凹凸等の被研削箇所に対し、大きな研削力を連続的に発揮させて研削時間を短縮し、研削効率を向上させて、被研削物の平滑化に必要な作業時間を短くする。
【解決手段】固定定盤１７と研削ベルト１８との間に多数突部付きベルト２３を介在して、それ等を３層状に重ね、その多数突部付きベルト２３として、多数突部付きにする際に、そのベルト本体２４の研削ベルト受け面形成側に、多数本の直線状突部２２をベルト本体２４の走行方向に対し傾斜する方向に延ばして設け、それ等の突部２２を研削ベルト受け面形成側に分散して配置し、それ等の突部２２の頂面により研削ベルト受け面を形成して用い、その両ベルト１８、２３の走行方向を同一にし、走行速度をほぼ同一にする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨ムラの少ない高精度のレンズ研磨を効率的に行うことが可能なレンズ研磨方法およびレンズ研磨装置を提供する。
【解決手段】レンズ研磨方法は、研磨装置の回転軸に保持され該回転軸を中心に回転駆動するレンズに対し、研磨ツールが回転軸の軸線と直交する方向及び軸線方向から、レンズの光学面に回転軸を中心に同心円状又は螺旋状のいずれかの研磨軌跡を描くように光学面を非球面形状に研磨するレンズ研磨方法であって、レンズを、研磨軌跡の旋回中心から離間した位置に配置する工程と、研磨ツールが光学面を研磨する時に、研磨ツールと光学面との間に所定の圧力を付与する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦洗したガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な機構で加工部の加工直径を調節することができる加工装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ドローバー引張機構９０は、一端が主軸台２０に揺動自在に係止されるレバー９２と、このレバー９２の他端と主軸台２０の間に渡されピストンロッド９４がほぼドローバー６１に平行に延ばされレバー９２を揺動させるレバー揺動シリンダ９５と、レバー９２の途中に揺動可能に止められドローバー６１へ延ばされ軸受９８を介してドローバー６１の一端に連結される連結部材９９とからなり、てこの原理でレバー９２でドローバー６１を軸方向へ移動させるようにした。
【効果】連結部材をレバーの途中に揺動可能に止め、レバー揺動シリンダでレバーを移動させるだけであるので、ドローバー引張機構を簡易且つ安価な機構にでき、装置全体としても簡易な機構で加工部の加工直径を調節することができる加工装置となる。 （もっと読む）

【課題】マルチ・ワイヤーソーにおいて、多溝ローラの長寿命化を図り、多溝ローラのＶ溝からワイヤーが脱線することを防止することを目的とする。
【解決手段】回転自在に設けられた複数の多溝ローラ１ａ，１ｂ間に巻き付けられたワイヤー２を備え、ワイヤー２を被加工物３に相対的に押し付けて被加工物３をスライスするワイヤーソーにおいて、多溝ローラ１ａ，１ｂからワイヤー２が離れる出口近傍とワイヤー２が多溝ローラ１ａ，１ｂに接触を始める入口近傍とに、ワイヤー２を多溝ローラ１ａ，１ｂに押し付ける回転自在な押さえローラ１１ａ，１１ｂを設け、多溝ローラ１の長寿命化を図り、ワイヤー２のＶ溝からの脱線を防止する。 （もっと読む）

【課題】狭隘な場所に狭い間隔で並設状態に配設している電線管や鋼管などの管材でも容易に素地調整作業を行うことができる素地調整工具を提供することを目的とする。
【解決手段】長尺体１に沿って移動自在に取り付ける移動基体２に、長尺体１に被嵌する被嵌体３を移動基体２に対して往復スライド移動自在に設け、この被嵌体３を移動基体２に対して往復スライド移動する駆動装置４を移動基体に設け、被嵌体３は、一対の被嵌半体３ａ，３ｂからなり一方の被嵌半体３ａに対して他方の被嵌半体３ｂを半割自在に設けた構成とし、この被嵌体３の内側に長尺体１の外周面を包囲して当接する研磨体５を設け、この研磨体５は、被嵌体３が長尺体１を被嵌した際に、この長尺体１の外周面に押圧状態で密着するシート状研磨体５に構成した素地調整工具。 （もっと読む）

【課題】電極板の一部を構成するハンガーバーの下面のブスバーと接触するコンタクト部とその近傍に付着した酸化皮膜、電解液の結晶などの付着物を簡単かつ確実に除去でき、メンテナンスも容易な電極板のハンガーバー研磨装置を提供する。
【解決手段】金属の電解精錬に用いられる電極板のハンガーバーの下面に付着した酸化皮謨、電解液の結晶などの付着物を除去するための電極板のハンガーバー研磨装置であって、コンベアにより搬送されてくる電極板のハンガーバーの下面に対して下方向から押し付けるように、付勢機構によって上方向に付勢された回転ブラシを備える。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックと摺動部材における正常な摺動状態を実現すると共に、安定的な摺動状態を維持できる液圧回転機のシリンダブロック製造方法及び液圧回転機の提供。
【解決手段】回転軸９と、この回転軸９の回転に伴って回転し、球状黒鉛鋳鉄によって形成されるシリンダブロック１と、このシリンダブロック１のシリンダ３の摺動面に摺接するピストン２とを備えた液圧回転機のシリンダブロック１の製造に際し、シリンダブロック素材１Ａの所定部位に施す所定の表面処理加工は、シリンダブロック素材１Ａの所定部位に対してバニシング加工を行い、塑性変形域層３０を形成する強ひずみ加工工程と、この強ひずみ加工工程におけるバニシング加工によって形成された塑性変形域層３０に対して窒化系熱処理を行い、窒素化合物層２７を形成する熱処理工程と、この熱処理工程における窒化系熱処理によって形成された窒素化合物層２７を除去する除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】球体の加工品質を向上させるとともに、研磨加工効率を高めることができる球体研磨装置を提供する。
【解決手段】軸方向に圧力を加えながら回転盤体３を固定盤体２に対して回転させることにより球体を研磨加工する球体研磨装置１において、加工中の球体５の直径を測定する球径測定器６と、球径測定器６の測定値により球体５を研磨する研磨加工能率を制御するＰＬＣ７と、を備え、球径測定器６は、被測定球体５の姿勢を変更する姿勢変更機構６４を有し、ＰＬＣ７は、加工完了寸法を設定する設定手段７１と、測定値Ｄｍより平均直径を算出する加工能率演算部７２と、設定手段７１により設定された設定値及び平均直径に応じて加工能率の目標値を設定する加工能率演算部７２と、測定値Ｄｍと加工完了寸法とを比較して加工を停止させる加工能率演算部７２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が７〜１１μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、３〜７ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、この半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する半導体基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】所望の傾斜角度に高精度に対応する切断面をもち、表面の平坦度が高い単結晶ウエハを得ることができる。
【解決手段】単結晶体２０ａ、２０ｂの中心軸に沿った結晶方位を、複数の単結晶体２０ａ、２０ｂ同士でいずれも平行な結晶方位とし、複数の該単結晶体２０ａ、２０ｂを、中心軸を走行方向に対して直交させて配置し、中心軸に垂直な単結晶体２０ａ、２０ｂにおける中心を通る仮想面を、押圧方向に対して所定角度傾けるとともに、隣り合う２つの単結晶体２０ａ、２０ｂ同士で押圧方向に対する仮想面の傾斜の向きを異ならせて、ワイヤソー１９に対して押圧し、仮想面に対して所定角度傾いた切断面を有する単結晶切断体を得る。 （もっと読む）

【課題】研磨時間全体を短縮することができ、研磨テープを容易に交換できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置は、基板Ｗのノッチ部を研磨する研磨装置において、基板Ｗを水平に保持し、回転させる回転保持機構３と、研磨テープを用いて基板Ｗを研磨する複数の研磨ヘッドモジュール７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄと、複数の研磨ヘッドモジュールを互いに独立して移動させる移動機構とを備える。複数の研磨ヘッドモジュールは、研磨テープを基板Ｗのノッチ部に摺接させる研磨ヘッド３０と、研磨ヘッドに研磨テープを供給し、回収するテープ供給回収機構２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄとをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンベアウエハ、ガラス、化合物半導体基板およびハードディスク基板等の高精度研磨特性が得られる仕上げ研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨シートａとクッションシートｂを有する研磨パッドであって、研磨シートａは湿式凝固法で得られるポリウレタンを主成分とする多孔質ポリウレタンシートまたは不織布内部にポリウレタンを主成分とした溶液を含浸させ後に湿式凝固法でポリウレタンを凝固させた状態で不織布内部に含有させたポリウレタン含浸不織布であり、クッションシートｂは多孔質架橋ポリウレタンシートであり、その多孔質架橋ポリウレタンシートの圧縮弾性率が０．０５ＭＰa以上０．２０ＭＰａ以下で、かつ５分後回復率と１分後回復率の比率が１．０４以上であり、研磨シートａとクッションシートｂとの間にプラスチックフィルムｃが介在されてなる研磨パッド。 （もっと読む）