ガラス基板の製造方法
【課題】表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦洗したガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦洗したガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば磁気ディスク等の情報記録媒体に用いられるガラス基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の記憶装置において、ガラス基板は、その表面に情報記録膜を形成することにより、情報記録媒体として供される。情報記録の高密度化のためには、たとえばハードディスクドライブでは、磁気ヘッドと情報記録媒体との間隔を小さくする必要がある。この間隔は、磁気ヘッド浮上高さ（フライングハイト：frying height）と呼ばれる。フライングハイトを低減するためには、表面に突起が存在せず、平滑性の高いガラス基板が必要とされる。すなわち、表面に存在する突起は、フライングハイトを小さくした場合に、磁気ヘッドと情報記録媒体との衝突の原因の１つとなる。このような衝突はハードディスクドライブの不具合の原因となり好ましくない。
【０００３】
ガラス基板の表面の突起は、たとえば表面に付着した異物が原因で形成される。表面の異物として、研磨砥粒を含む研磨剤残渣、ガラス研磨屑等の残留物がある。このような研磨剤残渣、ガラス研磨屑等が付着したガラス基板上に、磁性膜等からなる情報記録膜を形成すると、突起が形成されてしまい、情報記録媒体の欠陥の原因となる。
【０００４】
ガラス基板の研磨工程においてガラス基板に付着した研磨砥粒の除去のために、洗浄液による表面洗浄が行われている。一般的に、ガラス基板の表面の洗浄には、酸やアルカリ溶液に界面活性剤を添加した洗浄液が用いられる。また、洗浄作用を促進させるため、スクラブや超音波の併用も行われている。
【０００５】
ここで、コロイダルシリカ研磨砥粒を含む研磨液を用いた研磨工程後のガラス基板におけるコロイダルシリカ研磨砥粒の残留状態や、研磨時に発生したガラス研磨屑の付着状態は、研磨工程の後、洗浄を行うまでの管理状態に大きく影響を受けることがわかっている。たとえば、研磨工程から洗浄工程に移行する間の搬送工程において、ガラス基板が乾燥した場合には、コロイダルシリカ研磨砥粒やガラス研磨屑が強固にガラス基板表面に固着してしまう。
【０００６】
特許文献１には、ガラス基板の乾燥を防ぐため、搬送工程においてガラス基板を水中に浸漬させる方法が開示されている。しかしながら、水中では、研磨砥粒やガラス研磨屑の組成が変化して凝集作用が変化し、ガラス基板に対する吸着カが高まることがある。このようにしてガラス基板に固着、吸着した研磨砥粒、ガラス研磨屑などの残留物は、除去することが困難であり、結果として最終洗浄の負担が大きくなるうえ、残留物を十分に除去する事ができない場合があるという問題が生じる。
【０００７】
これに対して、特許文献２には、研磨後のガラス基板の保管液を研磨砥粒の凝集を抑制する液性にする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１４１７１７号公報
【特許文献２】特開２００７−２９４０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２の方法を用いても、研磨後のガラス基板表面に研磨砥粒、ガラス研磨屑が残留している点は同じである。したがって、近年の情報記録の高密度化に対応するために必要とされる良好な表面状態を実現するためには、依然として最終洗浄の負担が大きくなるうえ、残留物を十分に除去する事ができない場合があるという問題が生じる。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るガラス基板の製造方法は、ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦り洗いしたガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。
【００１２】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦洗したガラス基板に前記最終洗浄を行う前に当該ガラス基板を保管液に浸漬して保管する保管工程をさらに含む。
【００１３】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記保管液はｐＨ４．０以下である。
【００１４】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦り洗いを０．５分以上行う。
【００１５】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦り洗いにおいて、前記最終研磨よりも低い押圧力で前記研磨パットを前記ガラス基板に押圧して前記擦り洗いを行う。
【００１６】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦り洗いにおける押圧力は４０ｇ／ｃｍ２以下である。
【００１７】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記研磨液はｐＨ２．０以下である。
【００１８】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記酸性洗浄液はｐＨ２．０以下である。
【００１９】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記最終洗浄はスクラブ洗浄を含む。
【００２０】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記最終研磨の後から前記スクラブ洗浄までに前記ガラス基板に供給または当該ガラス基板を浸漬する液体はｐＨ４．０以下である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、研磨後のガラス基板表面の残留物を効果的に除去できるので、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るガラス基板の製造方法のフロー図である。
【図２】図２は、ガラス基板の模式的な平面図である。
【図３】図３は、実施例、比較例の実施条件およびパーティクルカウント数を示す図である。
【図４】図４は、擦り洗い時間とパーティクルカウント数との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、図面を参照して本発明に係るガラス基板の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００２４】
図１は、本発明の実施の形態に係るガラス基板の製造方法のフロー図である。本実施の形態に係るガラス基板の製造方法は、磁気ディスク基板等に用いられるドーナツ状のガラス基板の製造方法であって、図１に示すように、はじめに、ガラス基板を準備する（ステップＳ１０１）。つぎに、ガラス基板の第１研磨工程を行う（ステップＳ１０２）。つぎに、ガラス基板の最終研磨工程を行う（ステップＳ１０３）。最終研磨とは、ガラス基板を製品とする前に最後に行う研磨のことである。つぎに、最終研磨工程に続けて、ガラス基板の擦洗工程を行う（ステップＳ１０４）。つぎに、ガラス基板を保管し（ステップＳ１０５）、その後に最終洗浄工程を行う（ステップＳ１０６）。最終洗浄とは、ガラス基板を製品とする前に最後に行う洗浄のことである。これらの工程によって、最終製品となるガラス基板を製造する。
【００２５】
本実施の形態によれば、ｐＨ４．０以下の研磨液を用いて最終研磨を行い、この最終研磨に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を用いて研磨パッドにてガラス基板の表面を擦り洗いし、その後擦り洗したガラス基板を最終洗浄している。このように最終研磨に続けてガラス基板の表面を擦り洗いすることによって、ガラス基板の表面の残留物が最終洗浄工程に持ち込まれることが大幅に抑制される。これによって、従来必要であった最終洗浄の工程段数を大幅に減少しながら、最終製品となるガラス基板の表面の残留物を大幅に減少させることができる。その結果、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できる。
【００２６】
以下、各工程について具体的に説明する。まず、ステップＳ１０１のガラス基板の準備については、たとえば以下のように行うことができる。すなわち、はじめにたとえば公知のフロート法等を用いて製造した母材ガラス板をリドロー法によって加熱延伸し、所定の厚さおよび面精度のガラス板を準備する。
【００２７】
ガラス板の材料としては、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどのガラスセラミックスを用いることができる。なお、成形性や加工性の観点からアモルファスガラスを用いることが好ましく、たとえば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、風冷または液冷等の処理を施した物理強化ガラス、化学強化ガラスなどを用いることが好ましい。
【００２８】
その後、公知のコアリング工程、エッジ加工工程、端面ポリッシュ加工工程によって、図２に示すような、主表面１ａの中央部に孔１ｂが形成され、主表面１ａの内外縁であるエッジ１ｃに面取り加工が施されたドーナツ状のガラス基板１を成型する。これによってガラス基板１が準備される。
【００２９】
ステップＳ１０２の第１研磨工程は、ガラス基板１のエッジ１ｃの形状を悪化させずに、主表面１ａの微小うねりを改善し、かつ傷を除去するためのものである。第１研磨工程は市販の両面研磨装置を用いて実施することができる。両面研磨装置は、研磨パッドを介して上定盤および下定盤によってガラス基板１を所定の押圧力で挟圧し、研磨パッドとガラス基板１との間（すなわち主表面１ａ）に研磨液を所定の供給量で供給しながら、上定盤と下定盤とを互いに異なる向きに回転させて、ガラス基板１の両主表面１ａを研磨する。
【００３０】
第１研磨の研磨液としては、たとえば酸化セリウムを用いることができる。研磨パッドとしてはスウェードパッドを用いることができる。スウェードパッドは、所望の微小うねりを実現するために、その硬度等の特性を選択して用いることができる。
【００３１】
つぎに、第１研磨工程を終えたガラス基板１を、酸性洗剤、酸性洗剤、純水をそれぞれ満たし、かつ周波数４０ｋＨｚの超音波を印加した各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄する。
【００３２】
つぎに、ステップＳ１０３の最終研磨工程を行う。最終研磨工程は、ガラス基板１の主表面１ａを鏡面に研磨するためのものである。最終研磨工程は第１研磨工程と同様に市販の両面研磨装置を用いて実施することができる。
【００３３】
最終研磨の研磨液としては、研磨砥粒を含み、かつｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下のものを用いる。研磨砥粒はたとえばコロイダルシリカである。研磨液はたとえばクエン酸および硫酸を含むものである。研磨パッドとしては第１研磨工程と同様にスウェードパッドを用いることができる。スウェードパッドは、所望の鏡面研磨を実現するために、その硬度等の特性を選択して用いることができる。
【００３４】
最終研磨工程が終了したら、研磨液の供給を停止し、続けて酸性洗浄液を供給し、研磨パッドを用いてガラス基板１の主表面１ａを擦り洗いする（ステップＳ１０４）。これによって、ガラス基板１の主表面１ａの残留物が大幅に減少する。なお、このように、最終研磨工程が終了した後、ガラス基板１を両面研磨装置から取り出さずに擦り洗いすることが好ましい。
【００３５】
擦り洗いのための酸性洗浄液としては、ｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下のものを用いる。酸性洗浄液はたとえば硫酸、塩酸、硝酸、またはりん酸を少なくとも一種含むものである。
【００３６】
擦り洗いは、実施時間が長ければ長いほど効果があるが、０．５分以上行えば残留物の減少の効果があるので好ましく、さらには１分以上行うことがより好ましい。ただし、実施時間が長いと生産性が低下することから２．０分以内とすることが好ましい。
【００３７】
また、擦り洗いの際は、ガラス基板１と研磨パッドとの間に研磨剤が介在していない状態で主表面１ａを擦る事になる。したがって、擦り洗いの際の押圧力が高いと、研磨パッドと主表面１ａとの間の摩擦抵抗が高くなり、主表面１ａを傷つけたり両面研磨装置に負荷が掛かったりする原因となる場合がある。したがって、擦り洗いの際の研磨パッドの押圧力は、最終研磨の際の研磨パッドの押圧力（加工圧力）よりも低いことが好ましい。たとえば、最終研磨の際の研磨パッドの加工圧力を５０ｇ／ｃｍ２以上とし、擦り洗いの際押圧力を４０ｇ／ｃｍ２以下にすることが好ましい。
【００３８】
つぎに、擦り洗いしたガラス基板１を両面研磨装置から取り出し、ガラス基板１を保管液に浸漬して保管する（ステップＳ１０４）。なお、この保管とは、擦り洗いの後から最終洗浄の前にガラス基板１が乾燥しないように行われるものである。たとえば、この保管は、ガラス基板１を両面研磨装置から最終洗浄を行うための洗浄機に搬送する際にも行われる。
【００３９】
保管液は、ｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下のものを用いることが好ましい。保管液はたとえば硫酸、塩酸、硝酸、またはりん酸を少なくとも一種含むものである。
【００４０】
このように、ｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下の酸性保管液を用いることによって、擦り洗いによって大幅に減少したものの、ガラス基板１の主表面１ａに残留している残留物が、保管時に固着することが抑制されるため、さらに好ましい。
【００４１】
つぎに、保管したガラス基板１を最終洗浄機まで搬送し、最終洗浄機によって最終洗浄を行う。擦り洗いによってガラス基板１の主表面１ａの残留物が大幅に減少しているので、最終洗浄は洗浄段数が大幅に少なくてよい。これによって最終工程がより簡易かつ少数段の工程なる。その結果、最終洗浄工程数および時間が大幅に削減されるので、ガラス基板１の生産性が高くなる。
【００４２】
最終洗浄工程は、たとえば以下のようにして行うことができる。まず、ガラス基板１を、例えばｐＨ１．８の酸性洗剤を満たしかつ周波数８０ｋＨｚの超音波を印加した洗浄槽に浸漬して洗浄する。つぎに、ガラス基板１にロール式で４段工程のスクラブ洗浄を行う。このとき、たとえば４段工程の、１、２段目で酸性洗剤＋純水を用いて洗浄を行い、その後の３、４段目では純水のみの洗浄を行うことができる。その後、ガラス基板１を、純水、酸性洗剤、純水、超純水をそれぞれ満たした各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄する。これによって、表面１ａの残留物が従来よりも大幅に削減されたガラス基板１が製造される。
【００４３】
なお、最終研磨工程の後から、最終洗浄工程における少なくとも最初のスクラブ洗浄までは、ガラス基板１に供給またはガラス基板１を浸漬する液体はｐＨ４．０以下であることが好ましい。たとえば、上記実施形態では、擦洗工程、保管工程、最終洗浄工程における超音波を印加した洗浄、および１段目のスクラブ洗浄までである。この一連の工程において使用する液体がｐＨ４．０以下に保たれることによって、ガラス基板１の主表面１ａの残留物を安定して減少させることができる。
【００４４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できる。
【００４５】
以下に、本発明の実施例及び比較例を示す。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
外径が６５ｍｍ、孔の内径が２０ｍｍの内外周端面がエッジ加工され、さらに端面ポリッシュされたドーナツ状のガラス基板を準備した。なお、このガラス基板は、ＳｉＯ２：６０ｗｔ％〜７５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３：１２ｗｔ％〜２２ｗｔ％、ＬｉＯ２：２ｗｔ％〜９ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ：１ｗｔ％〜５ｗｔ％を主成分として含有するアルミノシリケートガラスであった。
【００４７】
このガラス基板に対して、実施の形態に示す各工程を行った。
第１研磨工程については、研磨パッドとしてスウェードパッドを用いて、両面研磨装置によって以下の研磨条件で実施した。
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：０．７μｍ 研磨剤濃度１０ｗｔ％）＋純水
加工圧力：８０ｇ／ｃｍ２〜１５０ｇ／ｃｍ２
研磨時間：２０分
研磨によるガラス除去量：片面あたり厚さ１０μｍ
第１研磨工程を終えたガラス基板１を、酸性洗剤、酸性洗剤、純水をそれぞれ満たし、かつ周波数４０ｋＨｚの超音波を印加した各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００４８】
最終研磨工程については、第１研磨工程で使用したタイプと同じ両面研磨装置によって、研磨パッドとしてフジボウ社のノンバフタイプのスウェードパッドを用いて、以下の研磨条件で実施した。
研磨液：コロイダルシリカ（平均粒径：２０ｎｍ、研磨剤濃度：１８ｗｔ％）＋クエン酸＋硫酸＋純水
研磨液のｐＨ：１．８
加工圧力：５０ｇ／ｃｍ２〜１４０ｇ／ｃｍ２
研磨時間：８分
研磨によるガラス除去量：片面あたり厚さ０．５μｍ
【００４９】
最終研磨工程に続いて、以下の条件で擦り洗いを行った。
酸性洗浄液：硫酸＋純水
酸性洗浄液のｐＨ：１．８
押圧力：２０ｇ／ｃｍ２
洗浄時間：１．５分
【００５０】
つぎに、擦り洗いしたガラス基板を両面研磨装置から取り出した後、保管液に浸漬して保管しながら洗浄機に搬送した。保管液としてｐＨ１．８に調整した硫酸水溶液を用いた。
【００５１】
つぎに、以下のようにして最終洗浄をおこなった。すなわち、保管液から取り出したガラス基板を、ｐＨ１．８の酸性洗剤を満たしかつ周波数８０ｋＨｚを印加した洗浄槽に浸漬して洗浄した。つぎに、ガラス基板にロール式で４段工程のスクラブ洗浄を行った。このとき、４段工程の、１、２段目で酸性洗剤＋純水を用いて洗浄を行い、その後の３、４段目では純水のみの洗浄を行った。その後、ガラス基板を、純水、酸性洗剤、純水、超純水をそれぞれ満たした各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００５２】
（実施例２）
実施例２として、準備したガラス基板に対して、最終研磨における研磨液、酸性洗浄液、および保管液のｐＨを１．０とした以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５３】
（実施例３）
実施例３として、準備したガラス基板に対して、最終研磨における研磨液、酸性洗浄液、および保管液のｐＨを３．９とした以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５４】
（実施例４）
実施例４として、準備したガラス基板に対して、保管液を純水とした以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５５】
（比較例１）
比較例１として、準備したガラス基板に対して、擦り洗いを行わない以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５６】
（比較例２）
比較例２として、酸性洗浄液に代えて純水を用いて擦り洗いを行った以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５７】
（比較例３）
比較例３として、準備したガラス基板に対して、最終研磨における研磨液および保管液をアルカリ性とし、かつ擦り洗いの際の酸性洗浄液をアルカリ性の洗浄液に変更した以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５８】
つぎに、実施例１〜４、比較例１〜３の工程で得られた各ガラス基板の表面のパーティクルをパーティクルカウンタ（KLA-Tencor社製ＯＳＡ-６３００）で測定した。なお、パーティクルカウンタにおけるカウントの閾値は、ベースノイズレベルからわずかに０．５％の位置という厳しい条件に設定した。また、測定のサンプル数は各実施例、比較例について３０とした。
【００５９】
図３は、実施例、比較例の実施条件およびパーティクルカウント数を示す図である。図３に示すように、測定閾値条件が厳しいにもかかわらず、実施例１〜３はパーティクルカウント数の平均、標準偏差（σ）が小さく、表面状態が良好であった。特に、最終研磨における研磨液、擦り洗いの洗浄液、および保管液のｐＨが２．０以下である実施例１、２はパーティクルカウント数平均、標準偏差がいずれも非常に小さかった。一方、比較例１〜３はパーティクルカウント数の平均、標準偏差がいずれも大きかった。
【００６０】
つぎに、実施例１と同様の工程を、擦り洗いの時間を代えて行った。その後、得られた各ガラス基板の表面のパーティクルを実施例１と同様に測定した。
【００６１】
図４は、擦り洗い時間とパーティクルカウント数との関係を示す図である。なお、擦り洗い時間が０分のデータは、比較例１のものである。図４に示すように、擦り洗いを０．２５分行うだけで、パーティクルカウント数は、擦り洗いしない場合の約１／２となった。さらに、擦り洗いを０．５分行うとパーティクルカウント数はさらに約１／２となり、１分以上行うとパーティクルカウント数は十分に低減された。
【００６２】
以上、本発明の実施の形態および実施例により本発明を説明したが、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。たとえば、上記実施の形態では、研磨工程は第１研磨工程と最終研磨工程との２工程であるが、平坦度等の必要なガラス基板の表面特性に応じて研磨工程数を増減させてもよい。その他、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００６３】
１ ガラス基板
１ａ 主表面
１ｂ 孔
１ｃ エッジ
Ｓ１０１〜Ｓ１０６ ステップ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば磁気ディスク等の情報記録媒体に用いられるガラス基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の記憶装置において、ガラス基板は、その表面に情報記録膜を形成することにより、情報記録媒体として供される。情報記録の高密度化のためには、たとえばハードディスクドライブでは、磁気ヘッドと情報記録媒体との間隔を小さくする必要がある。この間隔は、磁気ヘッド浮上高さ（フライングハイト：frying height）と呼ばれる。フライングハイトを低減するためには、表面に突起が存在せず、平滑性の高いガラス基板が必要とされる。すなわち、表面に存在する突起は、フライングハイトを小さくした場合に、磁気ヘッドと情報記録媒体との衝突の原因の１つとなる。このような衝突はハードディスクドライブの不具合の原因となり好ましくない。
【０００３】
ガラス基板の表面の突起は、たとえば表面に付着した異物が原因で形成される。表面の異物として、研磨砥粒を含む研磨剤残渣、ガラス研磨屑等の残留物がある。このような研磨剤残渣、ガラス研磨屑等が付着したガラス基板上に、磁性膜等からなる情報記録膜を形成すると、突起が形成されてしまい、情報記録媒体の欠陥の原因となる。
【０００４】
ガラス基板の研磨工程においてガラス基板に付着した研磨砥粒の除去のために、洗浄液による表面洗浄が行われている。一般的に、ガラス基板の表面の洗浄には、酸やアルカリ溶液に界面活性剤を添加した洗浄液が用いられる。また、洗浄作用を促進させるため、スクラブや超音波の併用も行われている。
【０００５】
ここで、コロイダルシリカ研磨砥粒を含む研磨液を用いた研磨工程後のガラス基板におけるコロイダルシリカ研磨砥粒の残留状態や、研磨時に発生したガラス研磨屑の付着状態は、研磨工程の後、洗浄を行うまでの管理状態に大きく影響を受けることがわかっている。たとえば、研磨工程から洗浄工程に移行する間の搬送工程において、ガラス基板が乾燥した場合には、コロイダルシリカ研磨砥粒やガラス研磨屑が強固にガラス基板表面に固着してしまう。
【０００６】
特許文献１には、ガラス基板の乾燥を防ぐため、搬送工程においてガラス基板を水中に浸漬させる方法が開示されている。しかしながら、水中では、研磨砥粒やガラス研磨屑の組成が変化して凝集作用が変化し、ガラス基板に対する吸着カが高まることがある。このようにしてガラス基板に固着、吸着した研磨砥粒、ガラス研磨屑などの残留物は、除去することが困難であり、結果として最終洗浄の負担が大きくなるうえ、残留物を十分に除去する事ができない場合があるという問題が生じる。
【０００７】
これに対して、特許文献２には、研磨後のガラス基板の保管液を研磨砥粒の凝集を抑制する液性にする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１４１７１７号公報
【特許文献２】特開２００７−２９４０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２の方法を用いても、研磨後のガラス基板表面に研磨砥粒、ガラス研磨屑が残留している点は同じである。したがって、近年の情報記録の高密度化に対応するために必要とされる良好な表面状態を実現するためには、依然として最終洗浄の負担が大きくなるうえ、残留物を十分に除去する事ができない場合があるという問題が生じる。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るガラス基板の製造方法は、ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦り洗いしたガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。
【００１２】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦洗したガラス基板に前記最終洗浄を行う前に当該ガラス基板を保管液に浸漬して保管する保管工程をさらに含む。
【００１３】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記保管液はｐＨ４．０以下である。
【００１４】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦り洗いを０．５分以上行う。
【００１５】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦り洗いにおいて、前記最終研磨よりも低い押圧力で前記研磨パットを前記ガラス基板に押圧して前記擦り洗いを行う。
【００１６】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記擦り洗いにおける押圧力は４０ｇ／ｃｍ２以下である。
【００１７】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記研磨液はｐＨ２．０以下である。
【００１８】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記酸性洗浄液はｐＨ２．０以下である。
【００１９】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記最終洗浄はスクラブ洗浄を含む。
【００２０】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の発明において、前記最終研磨の後から前記スクラブ洗浄までに前記ガラス基板に供給または当該ガラス基板を浸漬する液体はｐＨ４．０以下である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、研磨後のガラス基板表面の残留物を効果的に除去できるので、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るガラス基板の製造方法のフロー図である。
【図２】図２は、ガラス基板の模式的な平面図である。
【図３】図３は、実施例、比較例の実施条件およびパーティクルカウント数を示す図である。
【図４】図４は、擦り洗い時間とパーティクルカウント数との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、図面を参照して本発明に係るガラス基板の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００２４】
図１は、本発明の実施の形態に係るガラス基板の製造方法のフロー図である。本実施の形態に係るガラス基板の製造方法は、磁気ディスク基板等に用いられるドーナツ状のガラス基板の製造方法であって、図１に示すように、はじめに、ガラス基板を準備する（ステップＳ１０１）。つぎに、ガラス基板の第１研磨工程を行う（ステップＳ１０２）。つぎに、ガラス基板の最終研磨工程を行う（ステップＳ１０３）。最終研磨とは、ガラス基板を製品とする前に最後に行う研磨のことである。つぎに、最終研磨工程に続けて、ガラス基板の擦洗工程を行う（ステップＳ１０４）。つぎに、ガラス基板を保管し（ステップＳ１０５）、その後に最終洗浄工程を行う（ステップＳ１０６）。最終洗浄とは、ガラス基板を製品とする前に最後に行う洗浄のことである。これらの工程によって、最終製品となるガラス基板を製造する。
【００２５】
本実施の形態によれば、ｐＨ４．０以下の研磨液を用いて最終研磨を行い、この最終研磨に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を用いて研磨パッドにてガラス基板の表面を擦り洗いし、その後擦り洗したガラス基板を最終洗浄している。このように最終研磨に続けてガラス基板の表面を擦り洗いすることによって、ガラス基板の表面の残留物が最終洗浄工程に持ち込まれることが大幅に抑制される。これによって、従来必要であった最終洗浄の工程段数を大幅に減少しながら、最終製品となるガラス基板の表面の残留物を大幅に減少させることができる。その結果、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できる。
【００２６】
以下、各工程について具体的に説明する。まず、ステップＳ１０１のガラス基板の準備については、たとえば以下のように行うことができる。すなわち、はじめにたとえば公知のフロート法等を用いて製造した母材ガラス板をリドロー法によって加熱延伸し、所定の厚さおよび面精度のガラス板を準備する。
【００２７】
ガラス板の材料としては、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどのガラスセラミックスを用いることができる。なお、成形性や加工性の観点からアモルファスガラスを用いることが好ましく、たとえば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、風冷または液冷等の処理を施した物理強化ガラス、化学強化ガラスなどを用いることが好ましい。
【００２８】
その後、公知のコアリング工程、エッジ加工工程、端面ポリッシュ加工工程によって、図２に示すような、主表面１ａの中央部に孔１ｂが形成され、主表面１ａの内外縁であるエッジ１ｃに面取り加工が施されたドーナツ状のガラス基板１を成型する。これによってガラス基板１が準備される。
【００２９】
ステップＳ１０２の第１研磨工程は、ガラス基板１のエッジ１ｃの形状を悪化させずに、主表面１ａの微小うねりを改善し、かつ傷を除去するためのものである。第１研磨工程は市販の両面研磨装置を用いて実施することができる。両面研磨装置は、研磨パッドを介して上定盤および下定盤によってガラス基板１を所定の押圧力で挟圧し、研磨パッドとガラス基板１との間（すなわち主表面１ａ）に研磨液を所定の供給量で供給しながら、上定盤と下定盤とを互いに異なる向きに回転させて、ガラス基板１の両主表面１ａを研磨する。
【００３０】
第１研磨の研磨液としては、たとえば酸化セリウムを用いることができる。研磨パッドとしてはスウェードパッドを用いることができる。スウェードパッドは、所望の微小うねりを実現するために、その硬度等の特性を選択して用いることができる。
【００３１】
つぎに、第１研磨工程を終えたガラス基板１を、酸性洗剤、酸性洗剤、純水をそれぞれ満たし、かつ周波数４０ｋＨｚの超音波を印加した各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄する。
【００３２】
つぎに、ステップＳ１０３の最終研磨工程を行う。最終研磨工程は、ガラス基板１の主表面１ａを鏡面に研磨するためのものである。最終研磨工程は第１研磨工程と同様に市販の両面研磨装置を用いて実施することができる。
【００３３】
最終研磨の研磨液としては、研磨砥粒を含み、かつｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下のものを用いる。研磨砥粒はたとえばコロイダルシリカである。研磨液はたとえばクエン酸および硫酸を含むものである。研磨パッドとしては第１研磨工程と同様にスウェードパッドを用いることができる。スウェードパッドは、所望の鏡面研磨を実現するために、その硬度等の特性を選択して用いることができる。
【００３４】
最終研磨工程が終了したら、研磨液の供給を停止し、続けて酸性洗浄液を供給し、研磨パッドを用いてガラス基板１の主表面１ａを擦り洗いする（ステップＳ１０４）。これによって、ガラス基板１の主表面１ａの残留物が大幅に減少する。なお、このように、最終研磨工程が終了した後、ガラス基板１を両面研磨装置から取り出さずに擦り洗いすることが好ましい。
【００３５】
擦り洗いのための酸性洗浄液としては、ｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下のものを用いる。酸性洗浄液はたとえば硫酸、塩酸、硝酸、またはりん酸を少なくとも一種含むものである。
【００３６】
擦り洗いは、実施時間が長ければ長いほど効果があるが、０．５分以上行えば残留物の減少の効果があるので好ましく、さらには１分以上行うことがより好ましい。ただし、実施時間が長いと生産性が低下することから２．０分以内とすることが好ましい。
【００３７】
また、擦り洗いの際は、ガラス基板１と研磨パッドとの間に研磨剤が介在していない状態で主表面１ａを擦る事になる。したがって、擦り洗いの際の押圧力が高いと、研磨パッドと主表面１ａとの間の摩擦抵抗が高くなり、主表面１ａを傷つけたり両面研磨装置に負荷が掛かったりする原因となる場合がある。したがって、擦り洗いの際の研磨パッドの押圧力は、最終研磨の際の研磨パッドの押圧力（加工圧力）よりも低いことが好ましい。たとえば、最終研磨の際の研磨パッドの加工圧力を５０ｇ／ｃｍ２以上とし、擦り洗いの際押圧力を４０ｇ／ｃｍ２以下にすることが好ましい。
【００３８】
つぎに、擦り洗いしたガラス基板１を両面研磨装置から取り出し、ガラス基板１を保管液に浸漬して保管する（ステップＳ１０４）。なお、この保管とは、擦り洗いの後から最終洗浄の前にガラス基板１が乾燥しないように行われるものである。たとえば、この保管は、ガラス基板１を両面研磨装置から最終洗浄を行うための洗浄機に搬送する際にも行われる。
【００３９】
保管液は、ｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下のものを用いることが好ましい。保管液はたとえば硫酸、塩酸、硝酸、またはりん酸を少なくとも一種含むものである。
【００４０】
このように、ｐＨが４．０以下、好ましくは２．０以下の酸性保管液を用いることによって、擦り洗いによって大幅に減少したものの、ガラス基板１の主表面１ａに残留している残留物が、保管時に固着することが抑制されるため、さらに好ましい。
【００４１】
つぎに、保管したガラス基板１を最終洗浄機まで搬送し、最終洗浄機によって最終洗浄を行う。擦り洗いによってガラス基板１の主表面１ａの残留物が大幅に減少しているので、最終洗浄は洗浄段数が大幅に少なくてよい。これによって最終工程がより簡易かつ少数段の工程なる。その結果、最終洗浄工程数および時間が大幅に削減されるので、ガラス基板１の生産性が高くなる。
【００４２】
最終洗浄工程は、たとえば以下のようにして行うことができる。まず、ガラス基板１を、例えばｐＨ１．８の酸性洗剤を満たしかつ周波数８０ｋＨｚの超音波を印加した洗浄槽に浸漬して洗浄する。つぎに、ガラス基板１にロール式で４段工程のスクラブ洗浄を行う。このとき、たとえば４段工程の、１、２段目で酸性洗剤＋純水を用いて洗浄を行い、その後の３、４段目では純水のみの洗浄を行うことができる。その後、ガラス基板１を、純水、酸性洗剤、純水、超純水をそれぞれ満たした各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄する。これによって、表面１ａの残留物が従来よりも大幅に削減されたガラス基板１が製造される。
【００４３】
なお、最終研磨工程の後から、最終洗浄工程における少なくとも最初のスクラブ洗浄までは、ガラス基板１に供給またはガラス基板１を浸漬する液体はｐＨ４．０以下であることが好ましい。たとえば、上記実施形態では、擦洗工程、保管工程、最終洗浄工程における超音波を印加した洗浄、および１段目のスクラブ洗浄までである。この一連の工程において使用する液体がｐＨ４．０以下に保たれることによって、ガラス基板１の主表面１ａの残留物を安定して減少させることができる。
【００４４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できる。
【００４５】
以下に、本発明の実施例及び比較例を示す。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
外径が６５ｍｍ、孔の内径が２０ｍｍの内外周端面がエッジ加工され、さらに端面ポリッシュされたドーナツ状のガラス基板を準備した。なお、このガラス基板は、ＳｉＯ２：６０ｗｔ％〜７５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３：１２ｗｔ％〜２２ｗｔ％、ＬｉＯ２：２ｗｔ％〜９ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ：１ｗｔ％〜５ｗｔ％を主成分として含有するアルミノシリケートガラスであった。
【００４７】
このガラス基板に対して、実施の形態に示す各工程を行った。
第１研磨工程については、研磨パッドとしてスウェードパッドを用いて、両面研磨装置によって以下の研磨条件で実施した。
研磨液：酸化セリウム（平均粒径：０．７μｍ 研磨剤濃度１０ｗｔ％）＋純水
加工圧力：８０ｇ／ｃｍ２〜１５０ｇ／ｃｍ２
研磨時間：２０分
研磨によるガラス除去量：片面あたり厚さ１０μｍ
第１研磨工程を終えたガラス基板１を、酸性洗剤、酸性洗剤、純水をそれぞれ満たし、かつ周波数４０ｋＨｚの超音波を印加した各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００４８】
最終研磨工程については、第１研磨工程で使用したタイプと同じ両面研磨装置によって、研磨パッドとしてフジボウ社のノンバフタイプのスウェードパッドを用いて、以下の研磨条件で実施した。
研磨液：コロイダルシリカ（平均粒径：２０ｎｍ、研磨剤濃度：１８ｗｔ％）＋クエン酸＋硫酸＋純水
研磨液のｐＨ：１．８
加工圧力：５０ｇ／ｃｍ２〜１４０ｇ／ｃｍ２
研磨時間：８分
研磨によるガラス除去量：片面あたり厚さ０．５μｍ
【００４９】
最終研磨工程に続いて、以下の条件で擦り洗いを行った。
酸性洗浄液：硫酸＋純水
酸性洗浄液のｐＨ：１．８
押圧力：２０ｇ／ｃｍ２
洗浄時間：１．５分
【００５０】
つぎに、擦り洗いしたガラス基板を両面研磨装置から取り出した後、保管液に浸漬して保管しながら洗浄機に搬送した。保管液としてｐＨ１．８に調整した硫酸水溶液を用いた。
【００５１】
つぎに、以下のようにして最終洗浄をおこなった。すなわち、保管液から取り出したガラス基板を、ｐＨ１．８の酸性洗剤を満たしかつ周波数８０ｋＨｚを印加した洗浄槽に浸漬して洗浄した。つぎに、ガラス基板にロール式で４段工程のスクラブ洗浄を行った。このとき、４段工程の、１、２段目で酸性洗剤＋純水を用いて洗浄を行い、その後の３、４段目では純水のみの洗浄を行った。その後、ガラス基板を、純水、酸性洗剤、純水、超純水をそれぞれ満たした各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００５２】
（実施例２）
実施例２として、準備したガラス基板に対して、最終研磨における研磨液、酸性洗浄液、および保管液のｐＨを１．０とした以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５３】
（実施例３）
実施例３として、準備したガラス基板に対して、最終研磨における研磨液、酸性洗浄液、および保管液のｐＨを３．９とした以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５４】
（実施例４）
実施例４として、準備したガラス基板に対して、保管液を純水とした以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５５】
（比較例１）
比較例１として、準備したガラス基板に対して、擦り洗いを行わない以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５６】
（比較例２）
比較例２として、酸性洗浄液に代えて純水を用いて擦り洗いを行った以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５７】
（比較例３）
比較例３として、準備したガラス基板に対して、最終研磨における研磨液および保管液をアルカリ性とし、かつ擦り洗いの際の酸性洗浄液をアルカリ性の洗浄液に変更した以外は実施例１と同様の工程を行った。
【００５８】
つぎに、実施例１〜４、比較例１〜３の工程で得られた各ガラス基板の表面のパーティクルをパーティクルカウンタ（KLA-Tencor社製ＯＳＡ-６３００）で測定した。なお、パーティクルカウンタにおけるカウントの閾値は、ベースノイズレベルからわずかに０．５％の位置という厳しい条件に設定した。また、測定のサンプル数は各実施例、比較例について３０とした。
【００５９】
図３は、実施例、比較例の実施条件およびパーティクルカウント数を示す図である。図３に示すように、測定閾値条件が厳しいにもかかわらず、実施例１〜３はパーティクルカウント数の平均、標準偏差（σ）が小さく、表面状態が良好であった。特に、最終研磨における研磨液、擦り洗いの洗浄液、および保管液のｐＨが２．０以下である実施例１、２はパーティクルカウント数平均、標準偏差がいずれも非常に小さかった。一方、比較例１〜３はパーティクルカウント数の平均、標準偏差がいずれも大きかった。
【００６０】
つぎに、実施例１と同様の工程を、擦り洗いの時間を代えて行った。その後、得られた各ガラス基板の表面のパーティクルを実施例１と同様に測定した。
【００６１】
図４は、擦り洗い時間とパーティクルカウント数との関係を示す図である。なお、擦り洗い時間が０分のデータは、比較例１のものである。図４に示すように、擦り洗いを０．２５分行うだけで、パーティクルカウント数は、擦り洗いしない場合の約１／２となった。さらに、擦り洗いを０．５分行うとパーティクルカウント数はさらに約１／２となり、１分以上行うとパーティクルカウント数は十分に低減された。
【００６２】
以上、本発明の実施の形態および実施例により本発明を説明したが、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。たとえば、上記実施の形態では、研磨工程は第１研磨工程と最終研磨工程との２工程であるが、平坦度等の必要なガラス基板の表面特性に応じて研磨工程数を増減させてもよい。その他、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００６３】
１ ガラス基板
１ａ 主表面
１ｂ 孔
１ｃ エッジ
Ｓ１０１〜Ｓ１０６ ステップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、
前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、
前記擦り洗いしたガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、
を含むことを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記擦洗したガラス基板に前記最終洗浄を行う前に当該ガラス基板を保管液に浸漬して保管する保管工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記保管液はｐＨ４．０以下であることを特徴とする請求項２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記擦り洗いを０．５分以上行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記擦り洗いにおいて、前記最終研磨よりも低い押圧力で前記研磨パットを前記ガラス基板に押圧して前記擦り洗いを行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記擦り洗いにおける押圧力は４０ｇ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項５に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記研磨液はｐＨ２．０以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記酸性洗浄液はｐＨ２．０以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項９】
前記最終洗浄はスクラブ洗浄を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
前記最終研磨の後から前記スクラブ洗浄までに前記ガラス基板に供給または当該ガラス基板を浸漬する液体はｐＨ４．０以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１】
ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、
前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、
前記擦り洗いしたガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、
を含むことを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記擦洗したガラス基板に前記最終洗浄を行う前に当該ガラス基板を保管液に浸漬して保管する保管工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記保管液はｐＨ４．０以下であることを特徴とする請求項２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記擦り洗いを０．５分以上行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記擦り洗いにおいて、前記最終研磨よりも低い押圧力で前記研磨パットを前記ガラス基板に押圧して前記擦り洗いを行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記擦り洗いにおける押圧力は４０ｇ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項５に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記研磨液はｐＨ２．０以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項８】
前記酸性洗浄液はｐＨ２．０以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項９】
前記最終洗浄はスクラブ洗浄を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
前記最終研磨の後から前記スクラブ洗浄までに前記ガラス基板に供給または当該ガラス基板を浸漬する液体はｐＨ４．０以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載のガラス基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−２５８４１（Ｐ２０１３−２５８４１Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５９２５６（Ｐ２０１１−１５９２５６）
【出願日】平成２３年７月２０日（２０１１．７．２０）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２０日（２０１１．７．２０）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
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