【解決手段】ＥＵＶ光の反射面において、反射面の中心に位置する原点（Ｏ）及び複屈折測定点（Ａ）を結ぶ直線と、測定点（Ａ）における複屈折の進相軸とによりなす角度（θ）の平均値が４５°より大きいチタニアドープ石英ガラス。
【効果】複屈折の進相軸が同心円状に分布しており、高い平坦性を有し、ＥＵＶリソグラフィ用、特にＥＵＶリソグラフィフォトマスク用として有用なチタニアドープ石英ガラスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】圧縮層測定の容易化を図るとともに、短時間の処理でもイオン交換性能を十分に発揮させることによって効率的に製造することができ、機械的強度を向上させることができるカバーガラス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】主表面に圧縮応力層を有し、ガラス組成として、ＳｉＯ₂：５０〜７０モル％、Ａｌ₂Ｏ₃：３〜２０モル％、Ｎａ₂Ｏ：５〜２５モル％、Ｌｉ₂Ｏ：０モル％より多く、２．５モル％以下、Ｋ₂Ｏ：０〜５．５モル％及びＢ₂Ｏ₃：０〜３モル％未満が含有されてなるカバーガラス及び（１）ガラス原料を熔融して熔融ガラスを得、（２）得られた熔融ガラスを、ダウンドロー法により板状に成形してガラス基板を得、（３）得られたガラス基板表面に圧縮応力層を形成する工程を含むカバーガラスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】６００℃〜９００℃の中間温度範囲にある封止温度で水素ガス透過に対して耐性がある封止材料を提供する。
【解決手段】モル％で、２０〜３０％のＳｉＯ₂、０〜１５％のＳｒＯ、０〜８％のＫ₂Ｏ、０〜６％のＭｇＯ、２０〜３０％のＣａＯ、０〜１０％のＡｌ₂Ｏ₃、３５〜４５％のＢ₂Ｏ₃の組成を有し、アルカリの総量が１０モル％未満であるガラスフリットを含む封止材料。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、盗撮防止対象物上の画像の盗撮を防止することができる盗撮防止シートを提供する。
【解決手段】赤外蛍光体粒子１４Ｂを含む赤外発光層１４を備えた盗撮防止シート１０を、表示装置等の表示画面等の盗撮防止対象物上に設置すると、表示画面から放射された可視光や自然光に含まれる可視光によって赤外発光層１４中の赤外蛍光体粒子１４Ｂが赤外光を発光する。このため、表示画面上に表示された画像を、この盗撮防止シート１０を介して撮像装置によって撮像すると、ＣＣＤは赤外波長領域にも感度を有するため、赤外蛍光体粒子１４Ｂによる赤外光が撮像されることとなる。このため、赤外蛍光体粒子１４Ｂの発光による赤外光によって、表示画面に表示された画像が撮像装置によって撮像されることが阻害され、盗撮を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス表面の強度を十分に強化することができ、しかも高い製造効率で安定した品位の強化板ガラスを製造するための強化板ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミノシリケートガラスである板ガラスの表面に対して、化学強化による圧縮応力層を形成する圧縮強化処理工程と、該圧縮強化処理工程により化学強化された板ガラスをスクライブ割断して、強化板ガラスを得る分割加工工程とを有すると共に、前記スクライブ割断の際に形成される切り傷の深さが、圧縮応力層厚さより大きく、且つ前記該圧縮強化処理工程により化学強化された板ガラスが内部の引っ張り応力により破壊しないように、前記スクライブ割断を行う。 （もっと読む）

【課題】カレットとしてＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板が使用可能であると共に、高い機械的強度を有する強化ガラスを創案する。
【解決手段】本発明の強化ガラスは、表面に圧縮応力層を有する強化ガラスであって、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ５〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜８％、Ｎａ_２Ｏ ５〜２０％、Ｋ_２Ｏ ０．１〜１０％、ＭｇＯ ０．１〜１５％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ０．００１〜５％を含有し、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＭｇＯ＋ＺｒＯ_２）が０．３〜１．５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温で半導体素子を封入可能であり、しかも耐酸性に優れた半導体封入用外套管を製造する方法を提供する。
【解決手段】１０^６ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が６５０℃以下であり、Ｂ_２Ｏ_３が１５．５モル％以上の組成を有するＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ｒ_２Ｏ系無鉛ガラスにてガラス管を作製する工程と、前記ガラス管をｐＨ３〜６の酸性溶液又はｐＨ８〜１２のアルカリ性溶液で表面処理する工程とを含む半導体封入用外套管を製造方法を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】自発的に破壊しにくいフラットパネルディスプレイ用カバーガラスの提供。
【解決手段】フュージョン法により得られたガラスを化学強化して得られるフラットパネルディスプレイ用カバーガラスであって、化学強化前のガラスにおける粒子径が４０μｍ以上の欠点を含まず、内部引張り応力が３０ＭＰａ以上、且つ厚さが１．５ｍｍ以下であるフラットパネルディスプレイ用カバーガラス。 （もっと読む）

【課題】
硼素をベースにしたガスの放出を起こさず、粒子および／またはオイルを保持し且つ湿った環境に耐え、折り目強さを著しく失うことなく長期間に亙って増加した耐湿性を有するガラス繊維の不織布ウエッブ、例えば複合体を提供する。
【解決手段】
本発明によれば実質的に硼素を含まないガラスウールと補強材料として使用される実質的に硼素を含まない切断ガラス繊維から成る不織布ガラス複合体が提供される。本発明の不織布ガラス複合体は空気濾過装置に適しており、クリーンルームから硼素を除去することが重要な半導体工業において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】豊富なナトリウム資源を背景に低コストで提供可能なイオン伝導性ガラスセラミックスを提供することを課題とする。
【解決手段】一般式（Ｉ）：Ｎａ₂Ｓ−Ｍ_xＳ_y（ＭはＰ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂ、Ａｌから選択され、ｘ及びｙは、Ｍの種類に応じて、化学量論比を与える整数であり、Ｎａ₂Ｓが６７モル％より大きく、８０モル％未満含まれる）で示されるイオン伝導性ガラスセラミックスにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光反射材料、特に、白色ＬＥＤ用リフレクターとして有用な、可視光全域で高反射率を有し、且つ耐熱性、耐湿性に優れた光反射層を形成できる新規な材料を提供する。
【解決手段】アルミナ、ジルコニア及びマグネシアからなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、並びに低融点ガラス粉末を含有することを特徴とする、白色セラミックカラー組成物。 （もっと読む）

【課題】配線のダメージあるいは真空度劣化を回避し、高信頼性、かつ長寿命の平面型ディスプレイ装置を構成するのに好適な接合用ガラスを提供する。
【解決手段】酸化物換算で、Ｖ₂Ｏ₅：２５〜５０ｗｔ％、ＢａＯ：５〜３０ｗｔ％、ＴｅＯ₂：２０〜４０ｗｔ％、ＷＯ₃：１〜２５ｗｔ％、Ｐ₂Ｏ₅：０〜２０ｗｔ％を含有する。 （もっと読む）

【課題】加湿しなくても、２００〜５００℃の中温域で良好なイオン伝導性を有し、成形性や長期安定性に優れたイオン伝導性薄膜材料、特にプロトン伝導性薄膜材料を創案すること。
【解決手段】本発明のイオン伝導性薄膜材料は、組成として、モル％表示で、Ｐ₂Ｏ₅ １５〜８０％、ＳｉＯ₂ ０〜７０％、Ｒ₂Ｏ（Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｒｂ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、及びＡｇ₂Ｏの合量） ５〜３５％を含有すると共に、薄板形状を有し、その厚みが１〜５００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、加湿しなくても、２００〜５００℃の中温域で良好なイオン伝導性を有し、成形性や長期安定性に優れたイオン伝導性材料、特にプロトン伝導性材料を創案することである。
【解決手段】本発明のイオン伝導性材料は、組成として、モル％表示で、Ｐ₂Ｏ₅ １５〜８０％、ＳｉＯ₂ ０〜７０％、Ｒ₂Ｏ（Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｒｂ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、及びＡｇ₂Ｏの合量） ５〜３５％を含有すると共に、Ｒ₂Ｏ成分（Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｒｂ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、Ａｇ₂Ｏ）の内、少なくとも２種以上を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
従来、半導体熱処理治具に一般に使用されてきた天然シリカ熔融石英ガラスは金属不純物、特に銅の拡散阻止能を持たない。金属不純物阻止能を有し、高温粘性の高い石英ガラスを提供する。
【解決手段】
高純度の合成シリカ粉を中性不活性雰囲気中結晶化した後に電気炉中溶解やプラズマ溶解することにより、酸素欠乏欠陥ＯＤＣＩＩ含有量を１０×１０^１５個／ｃｍ^３以下にし、かつＳｉ孤立電子対含有量を２×１０^１５個／ｃｍ^３以下にし、さらに含有Ｎａ濃度を０．０３ｗｔ．ｐｐｍ以下に抑えことにより、金属不純物拡散阻止能を有し、半導体熱処理時に粘性率の高い石英ガラスが得られる。 （もっと読む）

【課題】分相性を適正に制御し得る抵抗体形成用ガラスを創案することにより、（１）ホットプレス工程で、緻密に焼結すること、（２）ホットプレス工程で、容易に変形すること、（３）ホットプレス工程後に、抵抗体の抵抗値がばらつく不具合を防止できること等の要求特性を満たすこと。
【解決手段】本発明の抵抗体形成用ガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４９．０〜５７．９％、Ｂ_２Ｏ_３ ２６．８〜４０．６％、ＢａＯ ２．８〜７．５％、Ｌｉ_２Ｏ ７．６〜１２．３％、ＢａＯ＋Ｌｉ_２Ｏ（ＢａＯ、Ｌｉ_２Ｏの合量） １０．４〜１５．２％（但し、１５．２％は含まず）を含有し、且つモル比ＳｉＯ_２／Ｂ_２Ｏ_３の値が１．８３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一段階の簡略な工程で加熱することなく結晶化ガラス状の硫化物固体電解質材料を得ることが可能な硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明においては、少なくとも硫黄（Ｓ）元素および第１３族〜第１５族の元素を含有する原料組成物を用い、室温での高エネルギーメカノケミカル処理を行う合成工程のみにより、結晶化ガラス状の硫化物固体電解質材料を得ることを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】原料を微粒子化するために用いるニトリル溶媒と同一の溶媒中で固体電解質ガラスを製造できる方法を提供する。
【解決手段】リチウム（Ｌｉ）元素、リン（Ｐ）元素及び硫黄（Ｓ）元素を含む固体電解質ガラスであって、ニトリル化合物を含み、熱量計測定装置の１５０℃までの重量減少量が５重量％以下である固体電解質ガラス。 （もっと読む）

【課題】 Ａｓ_２Ｏ_３やＳｂ_２Ｏ_３を清澄剤として使用しなくても、泡品位に優れたＬｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系結晶化ガラスとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３を実質的に含有しないＬｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系結晶化ガラスであって、Ｃｌを含有するとともに、Ｓ含有量がＳＯ_３換算で１０ｐｐｍ以下、β−ＯＨ値が０．２／ｍｍ以上であることを特徴とする。なおＣｌの含有量は５０〜１５００ｐｐｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】封着材料層のコーナー部へのレーザ照射に起因するガラス基板や封着層のクラックや割れ、また封着ガラスの発泡による気密性の低下等を抑制することを可能にした封着材料層付きガラス部材およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ガラス基板３は封止領域５を備える。ガラス基板３の封止領域７上には、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着材料からなる封着材料層７が設けられている。枠状の封着材料層７は直線部７ａとコーナー部７ｂとで構成されている。封着材料層７はコーナー部７ｂの幅Ｌ₁₂が直線部７ａの幅Ｌ₁₁より広い。 （もっと読む）