ホスホリルクロライドと、少なくとも１つのモノ（アルキレングリコール）モノエーテル若しくはポリ（アルキレングリコール）モノエーテルとを、又は少なくとも１つのモノ（アルキレングリコール）モノエーテル若しくはポリ（アルキレングリコール）モノエーテルと少なくとも１つのアルキレングリコール若しくはポリアルキレングリコールの混合物とを、１モルのホスホリルクロライドにつき少なくとも３モルの、脂肪族窒素原子がない、ピリジニル化合物の存在下で反応させることにより、リン酸エステル化合物を調製する。
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【課題】
非水電解液として用いられる含フッ素リン酸エステルに関して、不純物含量を特定量未満とすることによりサイクル特性を制御可能な高純度の含フッ素リン酸エステル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
一般式（１）
【化1】


（１）
（式中、Ｒｆ^１、Ｒｆ^２及びＲｆ³は同一または非同一の炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数1〜１０の含フッ素アルキル基または水素原子であり、Ｒｆ¹〜Ｒｆ^３の少なくとも一つが含フッ素アルキル基である。）
で表される非水電解液用の含フッ素リン酸エステルであって、
含フッ素リン酸エステル中に含まれるハロゲンイオンの含量が重量比で１０ｐｐｍ未満であり、且つ、含フッ素ホスファイトの含有量が重量比で０．１％未満であることを特徴とする非水電解液用の高純度含フッ素リン酸エステル。 （もっと読む）

【課題】電解溶質として有用な新規な物質を得ること。
【解決手段】本発明は、オニウム系陽イオンが正電荷をもつN、O、S又はPのようなヘテロ原子の少なくとも1種を有し、陰イオンが全部又は一部に式(FX¹O)N^-(OX²F)(式中、X¹及びX²は同じか又は異なり、SO又はPFである。)を有するイミダイドイオンの少なくとも1種を含む、融点の低い新規なイオン化合物、及び電気化学装置における溶媒としてのその使用に関する。前記化合物は、アニオン電荷が非局在性である塩を含み、特に、電解質として用いられる。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体の耐熱性および高温信頼性を損なわずに難燃性を高める。
【解決手段】ホスファゼン環を有する不飽和カルボキシレート化合物と樹脂成分とを含む樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を成形する。


ｎは１〜６の整数を示し、Ａは、少なくとも一つが不飽和カルボニルオキシ−２−ヒドロキシプロポキシ基含有アリールオキシ基であり、他が炭素数が１〜８のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリールオキシ基である。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池や燃料電池用電解質又はレアメタル回収用溶媒に用いられるイオン液体を合成するのに有用な、スルホン酸基やホスホン酸基の結合したカチオン原料を提供する。
【解決手段】化学構造が（Ｘ）_ｍ−Ｙ−ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−（Ｚ）_ｎであるイオン液体用カチオン原料（ここで、Ｘはイミダゾール基又はベンズイミダゾール基； ＹはＳ又はＳＯ_２； Ｚはスルホン酸基，ホスホン酸基又はその前駆体； ｍは１〜４の整数； ｎは１〜１０の整数； ｍ＋ｎ＝２〜１２）、及び、（工程１）イミダゾール基又はベンズイミダゾール基をフラーレンに結合する工程と、（工程２）スルホン酸基，ホスホン酸基又はその前駆体をフラーレンに結合する工程とを含み、必要により（工程３）スルフィド結合をスルホン結合に酸化する工程を含む該イオン液体用カチオン原料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】広い領域の光を吸収でき、光電流発生の量子効率が極めて高い化合物、および、変換効率の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるフラーレン化合物、および、該フラーレン化合物を含む光電変換材料。


（式中、Ｆはそれぞれ独立してフラーレンまたはフラーレン誘導体であり；Ｍはそれぞれ独立してＣｏ、ＲｈまたはＩｒであり；Ｗはそれぞれ独立してＳまたはＳｅであり；Ａは４価の電子供与基である。） （もっと読む）

ホウ素−窒素ヘテロ環を含む配位子を含む新規な有機化合物を提供する。本化合物は式Ｉの構造を有する配位子Ｌを含み、式中Ａ及びＢは５員又は６員の炭素環又は複素環を表し；Ｘ_ｉは炭素及び窒素からなる群から選択され；Ｘ_２及びＸ_３は独立に、炭素、窒素、及びホウ素からなる群から選択され；Ｂはホウ素−窒素複素環であり；Ｒ_１及びＲ_２は、モノ、ジ、トリ、又はテトラ置換を表し；Ｒ_１及びＲ_２は独立に、水素、アルキル、アルコキシ、アミノ、アルケニル、アルキニル、アリールキル、アリール、及びヘテロアリールからなる群から選択され；且つ、配位子Ｌは４０より大きな原子番号をもつ金属Ｍに配位している。特に、本化合物は、アザボリンを含む配位子を含む金属錯体である。本化合物は、向上した光物理特性及び電気特性を有するデバイスを提供するために有機発光デバイスに用いることができる。
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【課題】 従来のアルコキシアルキル基を導入した第四級ホスホニウム塩と比べて低融点であって、電解質として有用な新規第四級ホスホニウム塩、及びその第四級ホスホニウム塩を用いてなる電解質を提供することを課題とする。
【解決手段】 式（１）：
【化１】


［式中、Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ^４はメチル基又はエチル基を示す。ｍ及びｎは１〜３の整数を示す。Ａ⁻はアニオン（但し、ハロゲンイオンを除く。）を示す。］で表される第四級ホスホニウム塩、及び該ホスホニウム塩を含有してなる電解質。 （もっと読む）

【課題】融点の高い（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを用いたルテニウム含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムの有機溶媒溶液を原料として用いて、ルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】銅、銀、金、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、パラジウム、ニッケル、オスミウム又はインジウムを含有する金属ケトイミナート又はジイミナート錯体と、その製造及び使用方法の提供。
【解決手段】Ｃｕ（Ｉ）ケトイミナート錯体、例えばＣｕ（ＭｅＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＮＣＨ2ＣＨ2ＯＳｉＭｅ2（Ｃ2Ｈ3））Ｍｅ）の合成は、１種以上の塩基を用いて、アミンとβ−ジケトン化合物との反応由来のβ−ケトイミン中間生成物を脱プロトン化するか、又はβ−ケトイミン中間生成物とアミンもしくはアンモニアとの反応由来のβ−ジイミン中間生成物を脱プロトン化して、その後Ｃｕ（Ｉ）に対しキレート化してそれぞれβ−ケトイミン又はβ−ジイミン錯体のいずれかを生じさせることによって、Ｃｕ（Ｉ）錯体を調製することで得られる。 （もっと読む）

本発明は、白金錯体、白金錯体を製造する方法、及び金属白金の化学蒸着のための白金錯体の使用に関する。基板上への白金の化学蒸着は、少なくとも２つの非隣接のＣ＝Ｃ二重結合を含む環状構造を有するリガンドを含む有機金属白金化合物により為され、有機金属白金化合物が、白金がリガンドのそれぞれのＣ＝Ｃ二重結合と結合することにより６０°〜７０°の（Ｃ＝Ｃ）−Ｐｔ−（Ｃ＝Ｃ）を形成する四角平面構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ナノ結晶と併用される新規な導電組成物、及びこの新規導電組成物の製造及び使用方法、また導電組成物を入れた装置を提供する。
【解決手段】ａ）導電分子の“本体構造”、又は芯部としての共役有機部分、ｂ）この共役有機部分上の第一位置で本体構造に連結したナノ構造結合性“頭部基”、及びｃ）共役有機部分上の第二位置で本体構造に連結した“尾部基”を含有する。このナノ構造含有母材中に励起子を形成後、導電組成物は、この結着したナノ構造に対して、電荷の注入及び／又は抽出を容易にし、これによりナノ構造含有母材を横断する電荷輸送を改良する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^４は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数６〜２０のアルキル基、を示し、Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、リン、ホウ素を示し、ｌ及びｍは、各々０又は１の整数） （もっと読む）

本発明は、ａ）ホスフィン酸ソース物質（Ｉ）を、オレフィン（ＩＶ）を用いて触媒Ａの存在下でアルキル亜ホスホン酸、その塩またはそのエステル（ＩＩ）に変換するステップ、および、ｂ）それにより生じたアルキル亜ホスホン酸、その塩またはそのエステル（ＩＩ）を、オレフィン（ＩＶ）を用いて、触媒Ｂの存在下で、混合置換ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）に変換するステップからなることを特徴とする、混合置換ジアルキルホスフィン酸、混合置換ジアルキルホスフィン酸エステル、および混合置換ジアルキルホスフィン酸塩を調製する方法に関し、式（ＩＩＩ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４は、同じであるか、または異なっており、相互に独立して、何よりも特にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アルキルアリールであり、Ｘは、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、および／またはプロトン化窒素塩基を表わしており、また触媒Ａは、各種遷移金属および／または各種遷移金属化合物、および／または、いずれか一つの遷移金属および／またはいずれか一つの遷移金属化合物に、少なくとも一つのリガンドを結合した触媒系であり、また触媒Ｂは、過酸化物を生成する化合物および／またはペルオキソ化合物および／またはアゾ化合物である。
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【課題】双連続キュービック構造等の液晶構造を自己組織的に形成できる材料であって、しかも、イオン伝導体として用いる場合に優れた形状保持性を示す材料を提供する。
【解決手段】特定の（ベンゼン環に結合する３，４，５位の３つの置換オキシ基の少なくとも一つがアルカジエニルオキシ基又はアルカジイニルオキシ基であるトリ置換オキシ基ベンゼンアルキル）トリアルキルアンモニウム化合物又はその対応するホスホニウム化合物。これらの化合物又はその塩が、その構成要素である重合性基により重合したものであり、かつ双連続キュービック液晶構造を有するポリマー及び電解質材料にも関する。そこでマイクロメートルオーダーで連続的なイオン性のナノチャンネルを有するポリマーフィルム材料の提供が可能となり、高いイオン伝導性を有する固体電解質の開発やサイズ選択的イオン透過膜などへの応用が期待できる。 （もっと読む）

本発明は、特に有機エレクトロルミネセント素子における発光分子としての、一般式Ｉ又はIIの遷移金属錯体、本発明の化合物を含む層並びに電子デバイス、及び本発明の化合物の製造方法に関する。
【化１】


【化２】
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【課題】簡易な方法でシアノ架橋金属錯体の微細加工を行うこと。
【解決手段】基板表面に形成されたシアノ架橋金属錯体製の試料（４）と、前記試料（４）を支持して移動させる試料移動装置（２ｂ）と、前記試料（４）に対して、パルス幅がフェムト秒のレーザー光であるフェムト秒レーザ光を、予め設定された閾値以上のエネルギー強度で照射するレーザー光源（２ｃ）と、前記試料移動装置（２ｂ）を制御して、前記試料（４）の被加工位置（６）を、前記フェムト秒レーザー光照射位置（６）に移動させる加工位置制御手段（Ｃ２）、を有する制御装置（３）と、を備えたシアノ架橋金属錯体の微細加工装置（１）。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける複錯塩の使用、および帯電した金属錯体から形成されたオリゴマーに関する。 （もっと読む）

【課題】 残留不純物の少ない良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相成長材料及びその化学的気相成長材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含む化学気相成長材料、および該化学気相成長材料を用いた化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】リン含有ジフェノールから誘導されるポリアミド合成原料となる新規リン含有化合物とそれを用いたリン含有ポリアミドの提供。
【解決手段】下記式の一連の新規なリン含有化合物を合成し、さらに、これを用いてポリアミドも合成する。


（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル、Ｃ３〜Ｃ７シクロアルキル、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３、及びハロゲン原子から成る群よりそれぞれ選択され、Ａは、−Ｏ−又は−ＯＯＣ−であり、Ｑは、−ＮＯ２、−ＮＨ２などから成る群より選択され、ｍは、１〜４の整数である）。 （もっと読む）