【課題】電子部品の目的電極と他電極との良好な電極接続方法を提供する。
【解決手段】電子部品の電極接続方法は、電子部品の目的電極に形成された金属膜１２と他電極１３を接続導体により導通接続させる方法で、前記金属膜を形成する工程は、一般式Ｍ（−Ｃ≡Ｃ−Ｒ）_ｎ（式中のＭは金属原子、ｎは金属原子Ｍの価数、Ｒは酸素原子を含有する又は含有しない炭化水素基）の金属アセチリド化合物を主成分とする金属アセチリドペーストを前記目的電極上に塗着して金属アセチリドペースト膜を形成する工程と、前記金属アセチリドペースト膜を所定加熱温度で焼成又は熱硬化させて純粋金属膜又は熱硬化金属膜として前記金属膜を形成する工程からなり、前記加熱温度は、前記電子部品の耐熱温度以下を条件に、前記金属アセチリド化合物の分解温度以上で前記金属膜の金属原子が前記目的電極に拡散しない不拡散上限温度以下の温度範囲とする。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき時に配線パターン間に発生する金の異常析出を抑制し、所望の配線パターンに損傷を与えない無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の無電解めっき方法は、ガラスセラミックからなる絶縁基材と金属焼結体配線パターンとから構成されるガラスセラミック配線基板において、金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程と、無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する置換型無電解金めっき工程と、置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する還元型無電解金めっき工程とを含む無電解めっき方法であって、上記無電解ニッケルめっき工程と置換型無電解金めっき工程との間、または上記置換型無電解金めっき工程と還元型無電解金めっき工程との間にガラスエッチング処理工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギー消費量及び材料消費量を低減しつつ、種々の基材上へ自在にめっき膜を形成することが可能な製造技術を提供すること。
【解決手段】本発明に係る一態様の銅めっき膜の製造方法は、（ａ）第１基材(2)上に触媒層(6)を形成すること、（ｂ）第１基材をめっき浴に浸漬することにより、前記触媒層上にめっき膜(10)を析出させること、（ｃ）前記第１基材上の前記めっき膜を、接着層(22)を介して第２基材(22)と接合すること、（ｄ）第１基材を第２基材から分離することにより、前記めっき膜を前記第１基材上から前記第２基材上へ転写すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】 環境公害の発生が少なく人体に安全な方法であって、銀ナノ粒子などの金属ナノ粒子の殺菌効果を最大限に引き出すような金属ナノ粒子を用いた表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の金属ナノ粒子を用いた表面処理方法は、球根植物若しくは塊根植物の一部を乾燥して形成される微細多孔質担体に、金属前駆体を反応させて生成される金属ナノ粒子コロイドを用い、前記金属ナノ粒子コロイドから金属ナノ粒子を被処理体の表面に固定させることを特徴とする。本発明によれば薄膜の超微細積層粒子層を形成させて抗菌性に優れた器具を原価も格段に安く提供でき、殺菌消毒をしながら固着している非衛生な異物などを確実に取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】加熱雰囲気温度の均一性の影響を受け易く、基材面に薄膜で且つ均斉な銅膜を形成することが困難であるという、蟻酸銅又はその化合物を熱分解する従来の銅膜の形成方法での課題を解決する。
【解決手段】所定温度に加熱されている基板１０を、前記加熱温度で不活性な不活性ガス雰囲気内に載置して、基板１０の表面に向けて前記加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した蟻酸銅溶液をノズル２０から噴霧し、前記加熱温度下で噴霧された蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発すると共に、前記蟻酸銅を熱分解して、基板１０の一面側に薄膜の銅膜を形成した後、前記銅膜の表面に形成される酸化膜を還元する還元剤を含有する還元剤溶液を、前記不活性ガス雰囲気内で加熱されている基板１０にノズル２０から噴霧することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ニッケル元素の化合物及びモリブデン元素の化合物、第二級及び第三級環式アミノボランから選択される少なくとも１つの第一の還元剤、及び少なくとも１つの錯化剤を含み、ｐＨが８．５〜１２の、金属表面上にバリア層を析出するための溶液に関する。 （もっと読む）

キャリアー上のＨＴＳＬを湿式化学的に製造する方法において、ＨＴＳＬ−前駆体の熱処理時に、ＨＴＳＬ−前駆体溶液の残存する物質が少なくとも部分的な溶融物を形成する温度であってかつＲＥ_２ＢａＣｕＯ_ｘが形成する温度よりも低い温度Ｔ_ｓに該ＨＴＳＬ−前駆体を加熱し、それが包晶の形成のもとで液層から堆積される場合に、トリフルオロ酢酸なしにＨＴＳＬ−前駆体溶液を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 めっき層が形成される面にニッケル下地層が設けられた配線、端子、電極部材等の被めっき素材表面に所望とする金属のめっきを施す場合、得られた該金属めっき層の剥離や該金属めっき層面のふくれ等の欠陥部分が生じないめっき方法、及びそのために使用されるめっき前処理液を提供すること。
【解決手段】 被めっき素材上に形成されたニッケル下地層の表面を、亜硝酸イオンを含有する少なくとも１種類の無機酸または有機酸からなるめっき前処理液に接触させた後に該下地層の上に金属めっきを施す。特に、前記無機酸または有機酸としてその組成中にハロゲン元素を含まない酸を用い、また、該めっき前処理液中には界面活性剤を含有させるのが好ましい。
【効果】 所望とする金属めっき層との密着性が極めて良好で、該金属めっき層の剥離や金属めっき層表面のふくれ等の欠陥の発生頻度が低減される。 （もっと読む）

【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】金属の無電解析出用に、酸化物表面を活性化する溶液を提供する。溶液には、酸化物表面と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、触媒と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、を有する結合剤が含まれる。本発明は、また、電子デバイスの製造方法と、その製造方法を用いて製造した電子デバイスとを提供する。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成されたアルミニウム又は銅からなる導体パターンを被覆するパターンめっきとその形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又はウエハー１上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン３上に形成されたパターンめっき９であって、導体パターン３上に順次形成された無電解ニッケルめっき皮膜５、無電解金-パラジウム合金めっき皮膜７からなるパターンめっき。ニッケルめっき皮膜の膜厚は1〜20μｍ、金-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚は0.01μm以上とすることが好ましい。金-パラジウム合金めっきには、可溶性金塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解金-パラジウム合金めっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっきされたリードフレームへの成形物の密着性を促進させる。
【解決手段】ニッケルおよびニッケル合金層のエッチング方法を開示する。本発明のエッチング組成物は、無機酸と、複素環式窒素化合物とを含む。さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。本発明の方法は、半導体パッケージングの製造において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、無電解銅めっきによる導体回路の線幅の太りが少ない配線パターンを形成することが出来る導電性材料の作製方法を提供する。
【解決手段】支持体上の少なくとも一方の面に銀画像を形成させた後、該銀画像に無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が４ｐｐｍ以上である第一めっき浴にてめっき処理を施し、その後無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が４ｐｐｍ未満である第二めっき浴にてめっき処理を施す。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を有する金属と銅配線部を無電解めっきの触媒作用をする金属との合金からなるスパッタリングターゲットを窒素ガス雰囲気でスパッタ成膜することにより、成膜中のバリア性材料、触媒性材料及び窒素含有量を調整して銅シード層を形成する工程からなり、無電解銅めっき性、銅拡散防止バリア性及びめっき膜の耐酸化性を備えた、銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を形成した半導体ウェハーの提供。
【解決手段】タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。
【採用図面】なし （もっと読む）

有機金属化合物を溶液から基板上に塗布するコーティングステップと、還元剤を含有する酸性溶液を用いて実施することを特徴とする還元ステップとを含む、導電性トラックの製造方法を開示する。
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本発明は、層状フィロケイ酸鉱物粒子が分配された金属マトリックスを含む複合材料であって、層状フィロケイ酸鉱物粒子が、合成フィロケイ酸ナノ粒子（６）と呼ばれる、１０ｎｍ〜１μｍの平均寸法を有する親水性の合成層状鉱物ケイ素／ゲルマニウム金属粒子であることを特徴とする複合材料に関する。本発明は、かかる材料から形成される潤滑コーティングを担持する基板及び電解析出による調製方法に及ぶ。
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【課題】十分な耐圧強度が得られると共により軽量化された熱交換器用チューブを提供する。
【解決手段】アルミニウム製扁平チューブ５０の外面の幅方向における前面側領域に前面側Ｚｎ付着層５３ａが形成され、扁平チューブの外面の幅方向における前面側Ｚｎ付着層５３ａよりも背面側の領域に、背面側Ｚｎ付着層が形成され又はＺｎ付着層が存在せず、前面側Ｚｎ付着層５３ａにおける単位表面積当たりに存在するＺｎの質量を「Ｘ」（ｇ／ｍ²）とし、背面側領域における単位表面積当たりに存在するＺｎの質量を「Ｙ」（ｇ／ｍ²）としたとき、Ｘ−Ｙ≧０．５（但し、Ｙが０ｇ／ｍ²である場合を含む）の関係式が成立する構成とする。 （もっと読む）

【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式で示される化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
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【課題】 従来の貴金属被膜形成方法は、基材表面に直接貴金属をメッキしたり、蒸着する方法が用いられているため、膜の密着性は、主として基材表面のアンカー効果に依存して耐剥離性が悪いという大きな課題があった。
【解決手段】 基材表面に、少なくともアルコキシシリル基含有のトリアジンチオール化合物またはチオール化合物で作成された下層被膜を介して形成されていることを特徴とする貴金属被膜を製造提供する。 （もっと読む）