システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

キャリア銅箔層と、キャリア銅箔層の一表面に形成されたバリヤー層と、バリヤー層の表面に形成されたシード層と、からなり、バリヤー層は、ニッケルまたはニッケル合金層であり、シード層は、銅層であり、シード層の表面の平均粗度は、Ｒｚ：１．５μｍ未満、Ｒｍａｘ：２．５μｍ未満であるエンベデッドパターン用銅箔を提供する。 （もっと読む）

【課題】電解めっき処理法に用いられるアノード電極の乾燥を抑制する技術を提供する。
【解決手段】めっき浴槽に設けられた開口部を覆ってめっき処理対象物を配置する段階、当該めっき浴槽の前記開口部に於ける前記めっき処理対象物の表出部ならびに当該めっき浴槽内に配置されためっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階、前記めっき電極を用いて前記めっき処理対象物にめっき処理を施す段階、前記めっき浴槽内の前記めっき液を排除する段階、前記めっき浴槽の前記開口部を覆ってめっき処理非対象物を配置する段階、前記めっき浴槽内に配置された前記めっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階を備える。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止でき、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる防眩フィルムの製造方法、ならびに、当該製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上のセグメントからなるブロック共重合体をモデルとして、計算機シミュレーションによりブロック共重合体のミクロ相分離構造を計算する工程と、該ミクロ相分離構造に基づいて、エネルギースペクトルが空間周波数０．０２５〜０．１２５μｍ^-1の範囲内において極大値を示すミクロ相分離パターンを作成する工程と、該ミクロ相分離パターンを用いて、透明基材上に凹凸表面を形成する工程とを含む防眩フィルムの製造方法、および当該製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】めっき法を用いて放熱板を製造する優れた製造方法を提供する。
【解決手段】銅基板をクロムめっき浴に浸漬してクロム層を形成した後に、クロム層に付着したクロムめっき液を洗浄する工程を行う。次に銅めっき浴に浸漬してクロム層上に銅層を形成する工程を行う。この工程を繰り返す結果、銅基板上にクロム層が積層され、さらにクロム層上に銅層が積層され、放熱板が製造される。その製造方法で製造された放熱板は、高密度・微細化が進む電子部品に適切に対応しえるものになりえて、安価で且つ工業的に優れたものになる。 （もっと読む）

【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１内に貯留したＳｎ合金のめっき液に被処理基板Ｓを接触させた状態とし、被処理基板Ｓと電極１４との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク２３と、タンク２３内のめっき液をポンプ２５で圧送しながらめっき槽１に供給するめっき液供給手段４とを有するとともに、めっき液供給手段４のポンプ２５よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段６を設けた。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＮｉＸ層を有する電気接点において、膜厚方向に異なる膜特性を有する電気接点及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 電気接点１は、ＮｉＰ層２と、ＮｉＰ層２の表面に貴金属層３を備えて構成される。ＮｉＰ層２は、主層２ａと、その上面２ｃに形成された表面層２ｂとの積層メッキ構造である。前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。これにより、耐摩耗性を良好にできるとともに、ＡｕやＡｇ等の貴金属層３をＮｉＰ層２に重ねてメッキするときの密着性を良好にできる。あるいは、図１に示すＮｉＰ層２を用いた電気接点であれば、結晶で形成された表面層２ｂの半田付け性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗の小さい多孔質チタンの製造方法を提供する。
【解決手段】発泡チタン板の骨格の全表面に撥水剤を塗布して発泡チタン板の骨格全表面に撥水剤層を形成し、この撥水剤層を形成した発泡チタン板の骨格の外表面における少なくとも凸部先端に形成された撥水剤層を拭取ったのち残った撥水剤層を乾燥し固化させるか、または撥水剤層が乾燥し固化したのち少なくとも凸部先端に形成された撥水剤層のみを削り取ることにより少なくとも凸部先端に形成された撥水剤層を除去して骨格の外表面における少なくとも凸部先端に露出部分を形成し、この発泡チタン板の骨格の外表面における露出した少なくとも凸部先端にＡｕ層を形成し、前記少なくとも凸部先端にＡｕ層を形成した発泡チタン板を真空中、不活性ガス雰囲気中または大気中、温度：３００℃以上で加熱する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換効率が高く高温高湿環境下でも太陽電池特性の劣化が抑制された太陽電池および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、ｐｎ接合を有する基板上の線状の受光面電極が、下地電極層および前記下地電極層上のメッキ電極層を備え、前記メッキ電極層が、前記下地電極層の線幅と同じ線幅、又は前記下地電極層の線幅より狭い線幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 外枠部をもつフレキシブルプリント配線板シートの製造工程のめっき処理において、製品領域の電流調整がしやすい、フレキシブルプリント配線板シートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法において、フレキシブルプリント配線板シート５０は、導体層を含む外枠部５と、該外枠部に取り囲まれて配線板が形成される製品領域７とを有し、フレキシブルプリント配線板シートの中間製品の基材シート５０ｂに金属層を形成するめっき処理のとき、基材シートの外枠部の導体層へ流れる電流を減少させるために、外枠部電流減少手段（欠落部５ｈ、外枠部マスク８１）を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】導電材と樹脂との間の良好な密着性を有する樹脂成形工程及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気泡１００を含む気泡層１０ａと、前記気泡層の表面に選択的に設けられ前記気泡層より高い密度を有するスキン層１０ｂと、を有する樹脂部１０と、前記気泡層に接して設けられた導電体２０と、を備えたことを特徴とする樹脂成形体１であり、気泡を含む気泡層と、その表面１０Ｓの少なくとも一部を被覆し前記気泡層より高い密度を有するスキン層とを有する樹脂部を成形する樹脂成形工程と、前記スキン層を選択的に除去して前記気泡層を露出させるスキン層除去工程と、前記選択的に露出した気泡層の表面に導電体を形成する導電体形成工程と、を備えたことを特徴とする樹脂成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】凹部の側壁部側からのめっきの成長を抑制して、ボイドの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有するウェハＷの少なくとも凹部１ａの底部１ｂおよび側壁部１ｃに、シード膜３を形成する工程と、シード膜３上に、少なくとも凹部１ａの底部１ｂに位置するシード膜３の部分３ａが露出しかつ凹部１ａの側壁部１ｃに位置するシード膜３の部分３ｂを覆うようにめっき抑制膜４を形成する工程と、シード膜３に電流を供給して、めっき抑制膜４の形成された凹部１ａに埋め込まれるように電解めっき法によりめっき膜５を形成する工程と、めっき膜５に熱処理を施す工程とを備え、めっき抑制膜４が、シード膜３の構成材料より抵抗率が高くかつめっき膜５の構成材料と異なる材料から構成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ミクロンオーダー面積のバンプを電気めっき法により安定して形成する金属構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面に、それぞれの面積がミクロンオーダーの複数の開口部３Ａを有し、全ての開口部３Ａの合計面積が基板１の面積の０．０１％以下の、めっきマクス膜３を形成するマスク膜形成ステップと、基板１の外周部に、開口部３Ａの合計面積の３０００倍以上の面積を有する外部電極６を形成する外部電極形成ステップと、基板１の開口部３Ａおよび外部電極６を陰極として電気めっき法によりバンプを成膜する電気めっきステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部１２を形成した基板Ｗの表面の該凹部１２表面を含む全表面に導電膜１４を形成し、基板Ｗ表面の所定位置にレジストパターン３０を形成し、導電膜１４を給電層とした第１めっき条件で第１電解めっきを行って貫通電極用凹部１２内に第１めっき膜３６を埋込み、貫通電極用凹１２部内への第１めっき膜３６の埋込みが終了した後に、導電膜１４及び第１めっき膜３６を給電層とした第２めっき条件で第２電解めっきを行って、レジストパターン３０のレジスト開口部３２に露出した導電膜１４及び第１めっき膜３６上に第２めっき膜３８を成長させる。 （もっと読む）