【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ方式を採用し、広い占有面積を占めることなく、バンプ等の突起状電極に適した金属めっき膜を自動的に形成できるようにする。
【解決手段】配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するめっき装置であって、基板カセットを置くカセットテーブル１２と、基板に対して濡れ性を良くするためのプリウェット処理を施すプリウェット槽２６と、該プリウェット槽でプリウェット処理を施した基板にめっきを施すめっき槽３４と、めっきされた基板を洗浄する洗浄装置３０ｂと、洗浄された基板を乾燥させる乾燥装置３２と、めっき液の成分を分析し、この分析結果に基づいてめっき液に成分を追加するめっき液管理装置と、基板を搬送する基板搬送装置４０とを備えた。 （もっと読む）

基板に電気化学エッチングまたは電気めっきを施すことにより多層構造を形成する方法。基板上にシード層を形成し、その上に主電極を形成する。主電極は、基板から複数の電気化学セルを形成するためのパターン層を有する。電圧が印加され、シード層がエッチングされて、またはシード層に材料がめっきされて形成された構造（８）の間に誘電体（９）が堆積される。誘電体層は下層構造を露出するために平坦化され、別の構造層が第１の構造層上に形成される。または、誘電体層は２層の厚さで形成され、下層構造の上端部を選択的に露出するために選択的にエッチングされる。また、複数の構造層を１工程で形成しても良い。 （もっと読む）

【解決手段】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の一部にされる金属特徴を定めるための方法およびシステムが提供される。この方法は、ガラス基板に対して施され、ガラス基板は、ガラス基板上にまたはガラス基板の層上に定められたブランケット導電性金属層（例えば障壁層）を有する。ブランケット導電性金属層の上には、反転フォトレジストマスクが塗布される。次いで、反転フォトレジストマスクの上に、めっきメニスカスが形成される。めっきメニスカスは、少なくとも電解液およびめっき化学剤を含み、めっきメニスカスは、ブランケット導電性金属層の上の、反転フォトレジストマスクによって覆われていない領域内に金属特徴を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング用のめっき層形成工程におけるボンディングパッド間のショートを低減させることができるプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基材の上に設けられた給電層と、該給電層上に設けられた銅配線層とを具備すると共に、前記銅配線層にニッケル及び金めっき処理が施されたプリント配線板において、前記銅配線層の上に設けられたニッケルの厚さが、当該銅配線層の側面に設けられているニッケル層より厚いことを特徴とするプリント配線板；絶縁基材の上に設けられた給電層の上にめっきレジストを形成し、次いで、前記給電層の露出面に銅配線層を形成し、次いで、前記銅配線層の表面に第１ニッケルめっき層を形成し、次いで、前記めっきレジストを除去し、次いで、前記給電層の露出している部分を除去し、次いで、前記絶縁基材の上にソルダーレジストを形成し、次いで、前記銅配線層の上に第２ニッケルめっき層を形成し、次いで、前記第２ニッケルめっき層の上に金めっき層を形成するプリント配線板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 開口部が垂直な構造で、かつ膜厚が10μm以上となっても、再配線、引出導体のカバレッジ性および信頼性を向上させるとともに、垂直な開口を形成することによって開口部分のパターンの精度を向上させる。
【解決手段】 回路素子か形成された半導体基板上に絶縁層を介してインダクタを形成し、半導体基板内の回路素子とインダクタを接続する導体パターンを形成する複合電子部品の製造方法において、絶縁層の一部に凹部を形成して回路素子に接続された導体パターンを引き出し、その凹部に薄膜導体による下地電極層を形成し、その下地電極層上に電解めっきによって厚膜導体を形成してインダクタと接続する。 （もっと読む）

本発明は、外面に形成された三次元パターンを有するエンボス加工スリーブ、拡張可能インサート、並びに前記エンボス加工スリーブ及び前記拡張可能インサートを載置したドラムを備えるエンボス加工アセンブリに向けられている。本発明は、エンボス加工スリーブ又はエンボス加工ドラムの製造方法にも向けられている。更に、本発明は、電気メッキ方法において、ドラム又はスリーブの表面のメッキ材料の厚さを制御する方法に向けられている。
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【課題】、無電解めっきを施す際に好適に使用することができる無電解めっき用材料であり、特にはプリント配線板用の製造等に好適に用いることができる微細配線形成が可能な無電解めっき用材料、及び該無電解めっき用材料を用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】表面に無電解めっきを施すための無電解めっき用材料であって、該無電解めっき用材料は、繊維と、特定の構造を有するポリイミド樹脂、特にシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する樹脂組成物との複合体を含むことを特徴とする無電解めっき用材料によって上記課題を解決しうる。 （もっと読む）

【課題】研磨、エッチング等に対する処理耐性に優れ、且つ伝送特性の均一な複数のフィルドビアを有する多層配線基板を提供する。
【解決手段】フィルドビア形成に際して、該フィルドビアの軸に垂直な面内の大きさが変化する領域であって且つ該領域の導体結晶粒の大きさを略均一としたい領域を形成する際に、形成途中における導体表面であってめっき液中に露出する露出面に供給する電流を該露出面面積の拡大に応ずる所定の条件に従って増加させ、露出面に供給される電流の電流密度を一定保つこととする。 （もっと読む）

【課題】導電域上に成膜されるめっき膜同士を確実に絶縁することができる電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっきベース５８ａには、導電域７９と、非導電路７４に基づき区画される孤立導電域７７、７８とが区画される。孤立導電域７７、７８は導電接続パターン８２、８３で導電域７９に接続される。こうしためっきベース５８ａに基づき電解めっきが実施されると、導電域７９や孤立導電域７７、７８上にはめっき膜が形成される。その一方で、めっきベース５８ａでは、非導電路７５、７６は非導電域７４から非導電域７４まで延びる。非導電路７５、７６の先端は非導電域７４に接続される結果、非導電路７５、７６の先端ではめっき膜の成膜は確実に回避される。こうした非導電路７５、７６および非導電域７４に基づき導電域７９や孤立導電域７７、７８上に形成されるめっき膜同士は確実に絶縁されることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上への金属薄膜形成の際に生じるピンホールを効果的に穴埋めできる硫酸銅メッキ浴及びそれを使用したメッキ方法を提供する。
【解決手段】 硫酸銅メッキ浴における組成物の内、硫酸／硫酸銅5水和物の重量比率が０．１以下で、そのメッキ液のＰＨが４．５以下であることを特徴としており、また、その硫酸銅メッキ浴を使用して、絶縁基板上に形成された厚さ１μｍ以下の金属薄膜上又はその金属薄膜上に、感光性樹脂により形成されたパターン状に銅メッキを行うことで前記金属薄膜上に生じるピンホールを効果的に潰す、つまり、穴埋めすることができるメッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 内部に陽極電極５が設けられためっき処理槽１００を備え、めっき処理槽１００内にめっき液及び電解液を流入し、半導体ウェハ１の被めっき面ｗに下方側からめっき液の噴流を当接させる一方、陽極電極５へ電解液を流入させながら、陽極電極５と半導体ウェハ１との間を通電することでめっきを行うめっき装置であって、めっき処理槽１００には、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、半導体ウェハ１と陽極電極５とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】 必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 前記ダミーめっき用電極パターンの電極２２として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与え、ダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜４５を除去し、残留している低融点金属膜及び不要なめっき用電極パターン２０をエッチング、イオンミリング等の手法で除去する。 （もっと読む）

本発明は、ドライ処理およびドライ処理装置なしに、アディティブ法により製造することのできるアンダーカットのない導体回路、およびその製造方法を提供する。本発明のプリント配線板は、アンダーカットを埋めるべく追加めっきを行うことにより製造された、アンダーカットのない導体回路を有する。
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【課題】 微細貫通孔のサイズ、形状、位置、深さ、及び微細貫通孔の単位面積あたりの個数等のパラメータを目的に合わせて設計可能な孔開き電解金属箔の提供を目的とする。
【解決手段】 上記課題を達成するため、当該孔開き電解金属箔の一面側を基準面とし、その基準面に対し略垂直となるよう、他面側に貫通した複数個の微細貫通孔７を備えることを特徴とする孔開き電解金属箔１等を採用する。また、厚さ方向に複数の微細貫通孔を備えた孔開き電解金属箔のハンドリング性を向上させるためキャリア基材と孔開き電解金属箔とが張り合わせられた状態にあることを特徴とするキャリア基材付孔開き電解金属箔を採用する。そして、これらの製造のため、キャリア基材の表面に絶縁性突起部を形成し、前記キャリア基材の絶縁性突起部を形成した面に対し金属メッキを行い、キャリア基材表面に孔開き電解金属箔を形成することを特徴とする製造方法等を採用する。 （もっと読む）

【課題】 基板の熱伝導性を高めながらメッキ工程を最小化した内部ビアホールの充填メッキ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 内部ビアホールの充填メッキ構造は、内部ビアホールを備えた銅張積層板にメッキされた無電解メッキ層６３と、前記銅張積層板の表面の無電解メッキ層及びビアホールの内壁にベリー(belly)状にメッキされた第１次電解銅メッキ層６４と、前記銅張積層板の表面の第１次電解銅メッキ層及びビアホールの内壁の第１次電解メッキ層の上・下部にメッキされてビアホールを埋めた第２次電解銅メッキ層６５とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】水素と酸素を混合することなく生成し、エネルギー効率を向上させる。
【解決手段】チタン薄膜２１表面上に耐エッチングマスクをパターンニングし、耐エッチングマスクを介してチタン薄膜をエッチングすることによりチタン薄膜に貫通孔２２を形成し、貫通孔の内側表面に白金層２３を形成することによりカソード電極６を製造する。このようなカソード電極によれば、カソード電極の面内方向に電子を速やかに行き渡らせることができるのと同時に、発生する水素を貫通孔を通じて排出することができるので、水素と酸素を混合することなく生成し、エネルギー効率を向上させることできる。 （もっと読む）

【課題】操作の複雑性や使用材料による環境上の悪影響が回避でき、所用時間と費用の少ない車両用ホイールの表面処理方法を提供する。
【解決手段】車両のホイール４０を回転させながら、硬いチップを有する切削工具５０が該ホイール４０の表面４２に対して均一な圧力にて押圧され、該表面４２がスムージングされるとともにシールされる。スムージングされるとともにシールされたホイール表面４２は、次に、該スムージングされるとともにシールされたホイール表面４２にニッケル層を直接適用する工程と、該ニッケル層上にクロム層を直接適用する工程とを含む方法を用いてクロムめっきされる。 （もっと読む）

【課題】 低毒性で、シアン系金メッキ液に匹敵する性能を持つ、ヨウ化金錯イオン及び非水溶媒を含有する金メッキ液を用いて、バンプ面内の高さのバラツキや、ウエハ面内のバンプ高さのバラツキ、並びにバンプ表面ラフネスを共に減少させて接続信頼性が高く、かつ、レジストクラックによる電極間ショートの発生もない金バンプ形成を実現する。
【解決手段】 ヨウ化金錯イオン及び非水溶媒を含有する金メッキ液を用い、正電流のみ或いは正負電流のパルス波のメッキ電流を適切なパルス電流波形で印加してフォトレジスト６に形成された開口部６ａに金メッキを施すことで金バンプを形成する。 （もっと読む）

【課題】 動圧溝パターンの形成工程を簡略化して、動圧軸受装置の製造コストの低減を図ることである。
【解決手段】 軸部材の素材２ａ’の外周面２ａ１にインクジェット法によりインク１２を供給してマスキングパターン１を形成した後、非マスク部１ｂの素材表面をエッチングで除去する。さらに溶剤を用いてマスキング１ａを除去することにより動圧溝パターンＡを形成する。 （もっと読む）

本発明は、めっき膜中でのＡｇ濃度を調整したＳｎ−Ａｇ系はんだ合金めっき膜をリフローすることにより得られるボイドの発生が抑制された鉛フリーバンプおよびその形成方法に関する。本発明の鉛フィリーバンプは、Ｓｎ−Ａｇの共晶形成濃度より低いＡｇ含量のＳｎ−Ａｇ系合金膜をめっきにより形成し、当該合金めっき膜をリフローすることにより得られる。
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