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Fターム[4K029HA07]の内容

物理蒸着 (93,067) | 部分被覆方法 (1,354) | レジストによるもの (40)

Fターム[4K029HA07]に分類される特許

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【課題】高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする。
【解決手段】基板1上に一定形状の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、前記基板1上に可視光を透過する樹脂製のフィルム4を設置する第1ステップと、前記基板1上の予め定められた部分に対応する前記フィルム4の部分を一定速度で加工して一定深さの穴部5を形成した後、該穴部5の底部を前記速度よりも遅い速度で加工して前記穴部5を貫通させ、一定形状の開口6を有するマスク7を形成する第2ステップと、前記基板1上の前記予め定められた部分に前記マスク7の前記開口6を介して成膜する第3ステップと、前記マスク7を剥離する第4ステップと、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板1を準備する基板準備工程と、基板1の主面上にレジストパターン2aを形成するレジストパターン形成工程と、基板1の主面上のレジストパターン2aが形成されていない部分にIDT電極4を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン2aを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板1を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 (もっと読む)


【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板18上に形成された複数箇所のレジスト19を測定する測定室102と、基板18を1枚ずつ成膜して基板18上に電極21を形成する枚葉式成膜室104と、を有する成膜システム100であって、基板18上にて隣接するレジスト19のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段116を測定室102に有し、測定手段116によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板18から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段114を有し、枚葉式成膜室104は、基板18の電極膜厚が制御手段114で算出された最適な電極膜厚となるように、基板18に電極を形成する成膜手段10を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも,熱安定性と記録性に優れ,ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を,上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域22とし,中心部は再生領域21とする。また,外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域23を設ける。 (もっと読む)


【課題】第1および第2のメタルマスクを含むメタルマスクセットを用いて基板に所定の配線パターンを成膜する際、配線パターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】例えば、半導体基板102に所定の配線パターンを成膜する際に用いられる複数のメタルマスクを含むメタルマスクセット100において、配線パターンの一部領域に対応した形状の開口部340を有する第1のメタルマスク110(チップ用マスク320)と、配線パターンの他の一部領域に対応した形状の開口部350を有し、さらに第1のメタルマスク110の開口部340を覆う形状の空間部360を有する第2のメタルマスク120(チップ用マスク330)とを備え、半導体基板102に順次設置される第1および第2のメタルマスク110、120を介してそれぞれ第1および第2の金属が基板に順次成膜されることにより基板に配線パターンが成膜される。 (もっと読む)


【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層12を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板11をレジストパターン13の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン13のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層12を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン13のアッシング工程において、基板11を保護膜14の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜14の成膜処理を実施する。これにより、保護膜14の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜14の成膜のための処理時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】イオン注入の際にマスクとして用いたレジストを効率よく除去することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。上記フッ素処理によって、イオンの照射により変質したレジストパターンは、上記アッシングによる除去処理に適した物質へ変換される。これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。また、レジストの残渣量が低減されることで、表面平坦度の高い磁気記録媒体を安定して製造することができる。 (もっと読む)


【課題】波長200nm以下の露光光に対する遷移金属及びケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜(光半透過膜、遮光膜)の耐光性を向上させ、転写パターンの線幅の変化(線幅の太り)を防止し、転写用マスク寿命を改善でき、かつパターン形成用薄膜の面内均一性に優れるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】結晶球の周回経路の結晶方位に対応した膜厚の膜を正確に真空成膜する。
【解決手段】真空容器21内で蒸着材料22を加熱気化させる蒸着材料放射ステップ(22,31)と、弾性表面波4を周回させる圧電性結晶球2の周回経路5が前記気化された蒸着材料22の放射ビームの照射方向と対面するように、圧電性結晶球2を回転可能に支持する支持ステップ(32,35)と、周回経路の結晶方位に従って前記回転支持ステップによる圧電性結晶球2の回転速度を変更し、周回経路上に結晶方位に依存した膜厚分布で真空成膜する成膜制御ステップ(1,5,32,34,35)とを有する球状弾性表面波素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成される薄膜の密着性を高くし、剥離を防止することのできる光学素子及び光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板10に光学機能膜13及び光学面11が形成されてなり、基板10の表面のうち光学面11を透過する光が通過する領域をフォトリソグラフィーまたはポッティングにより形成されるマスクまたは予め形成されたマスク部材で覆い、マスクされた領域以外の領域を粗面加工し、粗面加工された領域を含む基板10の表面に光学機能膜13及び光学面11を形成する。 (もっと読む)


【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なGaN基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのGaN基板を用いて製造するLEDやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第1の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第2の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第1の半導体層に形成された空洞と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が2H/m以上、100H/m以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは0.5nm以上2.0nm以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 (もっと読む)


【課題】 リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置10の真空槽12内は、差圧シールド26内の空間24と、それ以外の空間40とに、隔離されている。そして、差圧シールド26内の空間24に、ターゲット14が配置されており、それ以外の空間40に、基板34が配置されている。さらに、高いエネルギを持つプラズマ22は、差圧シールド26内の空間24に閉じ込められる。これにより、基板35上に付着した被膜粒子がプラズマ22の影響を受けて当該基板35上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。この結果、基板34上に形成された逆パターンのアンダーカット部への被膜粒子の回り込みが防止され、ひいてはリフトオフ後にバリが残るという不都合が解消される。 (もっと読む)


【課題】パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する60nm以上150nm未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板1上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜2をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク10を製造する。ここで、透光性基板1が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜2のスパッタリング法による成膜を開始する。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル層の形成中にシリコン基板の表面に設けられた不純物の埋込層からのオートドープを抑制することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン基板の主表面にイオン注入法によって不純物を注入して第1素子分離不純物埋込層を形成する第1素子分離不純物注入工程S2と、前記第1素子分離不純物注入工程S2を経たシリコン基板にエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程S3と、を備え、第1素子分離不純物注入工程S2におけるイオン注入時のエネルギーが100〜200keVであり、かつ第1素子分離不純物注入工程S2とエピタキシャル層形成工程S3との間に実質的に熱処理を行なわないことを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、構造化被覆部を基板上に形成する方法であって、被覆される表面を有する基板を準備するステップと、少なくとも1種類の蒸着被覆物質、具体的には、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化チタンを、熱蒸着法および加法的構造化法によって上記被覆される基板表面上に積層することによって、該表面上に構造化被覆部を形成するステップとを含む、方法に関する。本発明は、さらに、被覆済み基板および被覆済み基板を備えた半完成品にも関する。
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イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第1のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第2のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第1のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第1のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第2のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第2のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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リフトオフ法を用いる蒸着装置は、蒸発源と、蒸発源を通る第1の軸の周りにおける回転のために取り付けられたスペースフレームと、スペースフレームに取り付けられた中央のドーム状ウエハホルダであって、該中央のドーム状ウエハホルダの中心点が第1の軸と整列している、中央のドーム状ウエハホルダと、第1の軸からオフセットする位置にてスペースフレームに取り付けられた周回軌道型ドーム状ウエハホルダであって、該周回軌道型ドーム状ウエハホルダの中心点及び蒸発源を通る第2の軸の周りを回転可能である、周回軌道型ドーム状ウエハホルダと、中央のドーム状ウエハホルダ及び周回軌道型ドーム状ウエハホルダにある複数のウエハ位置であって、該複数のウエハ位置は、それぞれ、第1の軸及び第2の軸からオフセットしている、複数のウエハ位置とを有する。複数のウエハ位置は、それぞれ、第1の軸及び第2の軸の周りを回転中に、ウエハ位置から蒸発源に延びる放射軸と実質的に直交する、該ウエハ位置に取り付けられたウエハの基板表面に配向されている。
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【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層83と磁気記録パターン83aに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板80をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層83のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン83aを形成する工程と、記録磁性層83上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板80を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 (もっと読む)


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