【課題】高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする。
【解決手段】基板１上に一定形状の薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、前記基板１上に可視光を透過する樹脂製のフィルム４を設置する第１ステップと、前記基板１上の予め定められた部分に対応する前記フィルム４の部分を一定速度で加工して一定深さの穴部５を形成した後、該穴部５の底部を前記速度よりも遅い速度で加工して前記穴部５を貫通させ、一定形状の開口６を有するマスク７を形成する第２ステップと、前記基板１上の前記予め定められた部分に前記マスク７の前記開口６を介して成膜する第３ステップと、前記マスク７を剥離する第４ステップと、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に形成された複数箇所のレジスト１９を測定する測定室１０２と、基板１８を１枚ずつ成膜して基板１８上に電極２１を形成する枚葉式成膜室１０４と、を有する成膜システム１００であって、基板１８上にて隣接するレジスト１９のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段１１６を測定室１０２に有し、測定手段１１６によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板１８から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段１１４を有し、枚葉式成膜室１０４は、基板１８の電極膜厚が制御手段１１４で算出された最適な電極膜厚となるように、基板１８に電極を形成する成膜手段１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも，熱安定性と記録性に優れ，ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を，上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域２２とし，中心部は再生領域２１とする。また，外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】第１および第２のメタルマスクを含むメタルマスクセットを用いて基板に所定の配線パターンを成膜する際、配線パターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】例えば、半導体基板１０２に所定の配線パターンを成膜する際に用いられる複数のメタルマスクを含むメタルマスクセット１００において、配線パターンの一部領域に対応した形状の開口部３４０を有する第１のメタルマスク１１０（チップ用マスク３２０）と、配線パターンの他の一部領域に対応した形状の開口部３５０を有し、さらに第１のメタルマスク１１０の開口部３４０を覆う形状の空間部３６０を有する第２のメタルマスク１２０（チップ用マスク３３０）とを備え、半導体基板１０２に順次設置される第１および第２のメタルマスク１１０、１２０を介してそれぞれ第１および第２の金属が基板に順次成膜されることにより基板に配線パターンが成膜される。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン１３のアッシング工程において、基板１１を保護膜１４の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜１４の成膜処理を実施する。これにより、保護膜１４の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜１４の成膜のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の際にマスクとして用いたレジストを効率よく除去することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。上記フッ素処理によって、イオンの照射により変質したレジストパターンは、上記アッシングによる除去処理に適した物質へ変換される。これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。また、レジストの残渣量が低減されることで、表面平坦度の高い磁気記録媒体を安定して製造することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する遷移金属及びケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜（光半透過膜、遮光膜）の耐光性を向上させ、転写パターンの線幅の変化（線幅の太り）を防止し、転写用マスク寿命を改善でき、かつパターン形成用薄膜の面内均一性に優れるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶球の周回経路の結晶方位に対応した膜厚の膜を正確に真空成膜する。
【解決手段】真空容器２１内で蒸着材料２２を加熱気化させる蒸着材料放射ステップ（２２，３１）と、弾性表面波４を周回させる圧電性結晶球２の周回経路５が前記気化された蒸着材料２２の放射ビームの照射方向と対面するように、圧電性結晶球２を回転可能に支持する支持ステップ（３２，３５）と、周回経路の結晶方位に従って前記回転支持ステップによる圧電性結晶球２の回転速度を変更し、周回経路上に結晶方位に依存した膜厚分布で真空成膜する成膜制御ステップ（１，５，３２，３４，３５）とを有する球状弾性表面波素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される薄膜の密着性を高くし、剥離を防止することのできる光学素子及び光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板１０に光学機能膜１３及び光学面１１が形成されてなり、基板１０の表面のうち光学面１１を透過する光が通過する領域をフォトリソグラフィーまたはポッティングにより形成されるマスクまたは予め形成されたマスク部材で覆い、マスクされた領域以外の領域を粗面加工し、粗面加工された領域を含む基板１０の表面に光学機能膜１３及び光学面１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が２Ｈ／ｍ以上、１００Ｈ／ｍ以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置１０の真空槽１２内は、差圧シールド２６内の空間２４と、それ以外の空間４０とに、隔離されている。そして、差圧シールド２６内の空間２４に、ターゲット１４が配置されており、それ以外の空間４０に、基板３４が配置されている。さらに、高いエネルギを持つプラズマ２２は、差圧シールド２６内の空間２４に閉じ込められる。これにより、基板３５上に付着した被膜粒子がプラズマ２２の影響を受けて当該基板３５上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。この結果、基板３４上に形成された逆パターンのアンダーカット部への被膜粒子の回り込みが防止され、ひいてはリフトオフ後にバリが残るという不都合が解消される。 （もっと読む）

【課題】パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク１０を製造する。ここで、透光性基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の形成中にシリコン基板の表面に設けられた不純物の埋込層からのオートドープを抑制することのできるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、シリコン基板の主表面にイオン注入法によって不純物を注入して第１素子分離不純物埋込層を形成する第１素子分離不純物注入工程Ｓ２と、前記第１素子分離不純物注入工程Ｓ２を経たシリコン基板にエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ３と、を備え、第１素子分離不純物注入工程Ｓ２におけるイオン注入時のエネルギーが１００〜２００ｋｅＶであり、かつ第１素子分離不純物注入工程Ｓ２とエピタキシャル層形成工程Ｓ３との間に実質的に熱処理を行なわないことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、構造化被覆部を基板上に形成する方法であって、被覆される表面を有する基板を準備するステップと、少なくとも１種類の蒸着被覆物質、具体的には、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化チタンを、熱蒸着法および加法的構造化法によって上記被覆される基板表面上に積層することによって、該表面上に構造化被覆部を形成するステップとを含む、方法に関する。本発明は、さらに、被覆済み基板および被覆済み基板を備えた半完成品にも関する。
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イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第１のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第２のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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リフトオフ法を用いる蒸着装置は、蒸発源と、蒸発源を通る第１の軸の周りにおける回転のために取り付けられたスペースフレームと、スペースフレームに取り付けられた中央のドーム状ウエハホルダであって、該中央のドーム状ウエハホルダの中心点が第１の軸と整列している、中央のドーム状ウエハホルダと、第１の軸からオフセットする位置にてスペースフレームに取り付けられた周回軌道型ドーム状ウエハホルダであって、該周回軌道型ドーム状ウエハホルダの中心点及び蒸発源を通る第２の軸の周りを回転可能である、周回軌道型ドーム状ウエハホルダと、中央のドーム状ウエハホルダ及び周回軌道型ドーム状ウエハホルダにある複数のウエハ位置であって、該複数のウエハ位置は、それぞれ、第１の軸及び第２の軸からオフセットしている、複数のウエハ位置とを有する。複数のウエハ位置は、それぞれ、第１の軸及び第２の軸の周りを回転中に、ウエハ位置から蒸発源に延びる放射軸と実質的に直交する、該ウエハ位置に取り付けられたウエハの基板表面に配向されている。
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【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層８３と磁気記録パターン８３ａに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板８０をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層８３のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン８３ａを形成する工程と、記録磁性層８３上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板８０を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 （もっと読む）