【課題】本発明は、高電界での耐圧を確保でき、かつ絶縁破壊を抑制できる終端構造を有する半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、ドリフト領域２表面において、平面視でＳＢＤ電極５を囲むように形成された、リセス構造３と、リセス構造３底面内に形成され、ＳＢＤ電極５と接続された、ガードリング注入層４と、リセス構造３に沿って、少なくともリセス構造３を覆って形成された、保護膜７と、保護膜７に沿って、保護膜７上に形成された、半絶縁膜２０とを備え、半絶縁膜２０は、リセス構造３が囲む領域の内側においてＳＢＤ電極５と接続される接続部２１と、リセス構造３が囲む領域の外側においてドリフト領域２と接続される接続部２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層１４にドーパントを導入するドーパント導入工程と、ＰＬＤ、ＦＣＶＡ法又はＥＣＲスパッタ法を利用してエピタキシャル層１４の表面にカーボン膜２４を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜２４が残存した状態でエピタキシャル層１４をアニール処理するアニール処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いゲート絶縁膜を備えたＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】８度以下のオフ角度を有する炭化珪素基板（１）と、この基板上に形成された第１導電型の第１炭化珪素領域（２）と、この領域の表面に形成された第２導電型の第２炭化珪素領域（３）と、この領域の表面に形成され、不純物濃度が第２の炭化珪素領域と同程度に調整された第１導電型の第３炭化珪素領域（４）と、この領域の表面に選択的に形成された第１導電型の第４炭化珪素領域（５）と、第２炭化珪素領域の表面に形成された第２導電型の第５炭化珪素領域（６）と、第１炭化珪素領域から第３炭化珪素領域の少なくとも端部までを覆うように形成されたゲート絶縁膜（７）と、この上に形成されたゲート電極（８）とを具備し、第３炭化珪素領域の表面における、第３と第４炭化珪素領域の境界面は、オフ角度方向と９０°以外の角度で交差するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法は、炭化珪素基板１を準備する工程と、炭化珪素基板１上に活性層７を形成する工程と、活性層７上にゲート酸化膜９１を形成する工程と、ゲート酸化膜９１上にゲート電極９３を形成する工程と、活性層７上にソースコンタクト電極９２を形成する工程と、ソースコンタクト電極９２上にソース配線９５を形成する工程とを備える。ソース配線９５を形成する工程は、ソースコンタクト電極９２上に導電体膜を形成する工程と、導電体膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより導電体膜を加工する工程とを含む。そして、ＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法は、導電体膜を加工する工程よりも後に、炭化珪素基板１を５０℃以上の温度に加熱するアニールを実施する工程をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】バックゲート電極、しきい値電圧を制御するための回路、および不純物添加法を用いずにしきい値電圧が制御されたトランジスタを作製する。該トランジスタを用いて、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製する。
【解決手段】組成の制御された酸化タングステン膜を有するゲート電極を用いる。酸化タングステン膜の成膜方法によって組成などを調整され、仕事関数を制御することができる。仕事関数の制御された酸化タングステン膜をゲート電極の一部に用いることでトランジスタのしきい値を制御できる。しきい値電圧が制御されたトランジスタを用いることで、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸窒化物膜を作製する成膜技術を提供する。また、その酸窒化物膜を用いて信頼性の高い半導体素子を作製する。
【解決手段】窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも１つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも１つと混合して窒素雰囲気中で焼結したインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットを用いて酸窒化物膜を作製することにより、必要な濃度の窒素を含んだ酸窒化物膜が得られる。得られた酸窒化物膜はトランジスタのゲートやソース電極、ドレイン電極等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体層を有し、逆方向バイアス電圧印加時のリーク電流を低減させ、順方向バイアス電圧印加時の電圧降下を小さくすることができるショットキーダイオードを提供する。
【解決手段】 ショットキーダイオード１は、支持基板１１を備え、さらに、支持基板１１の表面上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成された密着層１３と、密着層１３上に形成されたショットキー金属層１４と、ショットキー金属層１４の表面上に、ショットキー金属層１４とショットキー接触されるように形成され、Ｍｎが添加された第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成され、Ｍｎなどの添加物が添加されていない第二の誘電体層１６と、第二の誘電体層１６上に、第二の誘電体層１６とオーミック接触するように形成されたオーミック金属層１７を備えている。 （もっと読む）

【課題】電流電圧特性を維持しつつ、アノード電極６の剥離に対する機械的強度を向上させる。
【解決手段】異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。ドリフト領域２とアノード電極６との接合によりダイオードが形成されている。アノード電極６の主表面のうち、ドリフト領域２に接している側の主表面に、嵌合構造（３、Ｇ１）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフのトランジスタ、或いは当該トランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域として機能する第１の酸化物半導体層と、当該第１の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、当該第１の酸化物半導体層、当該ソース電極層、及び当該ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接して当該第１の酸化物半導体層と重なる第２の酸化物半導体層と、当該第２の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層とを有する半導体装置及びその作製に関する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層と銅層とが共存する被処理物のエッチングに用いられ、前記銅層を選択的にエッチングできるエッチング剤と、これを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａから選ばれる１種以上の金属の酸化物を含む金属酸化物層と銅層とが共存する被処理物のエッチングに用いられ、前記銅層を選択的にエッチングするエッチング剤において、第二銅イオン源を銅イオンとして０．１〜３．０重量％、炭素数が６以下の有機酸を０．１〜３０．０重量％、並びに、環内に窒素原子を２つ以上有する複素環式化合物、及び炭素数が８以下のアミノ基含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の窒素含有化合物を０．１〜３０．０重量％含有する水溶液からなり、ｐＨが５．０〜１０．５であることを特徴とするエッチング剤とする。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の経時的な低下を抑制でき、またアルミ配線による絶縁膜の腐食やＡｌスパイクに起因するゲート・ソース間の短絡を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置のＭＯＳＦＥＴセルは、ポリシリコンのゲート電極６およびｎ^-ドリフト層２の上部に形成されたｎ⁺ソース領域４を備える。ゲート電極６上は層間絶縁膜７によって覆われており、Ａｌのソース電極１０１は、層間絶縁膜７上に延在する。またゲート電極６にはＡｌのゲートパッド１０２が接続される。ソース電極１０１と層間絶縁膜７との間、並びにゲートパッド１０２とゲート電極６との間のそれぞれに、Ａｌの拡散を抑制するバリアメタル層９９が配設される。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を低コストかつ高効率で作製することができ、基板の大面積化への対応も容易な透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の形成方法は、酸化インジウム錫化合物からなるＩＴＯ粒子を含有する導電性インク（Ｉｎｋ）を、その表面に所定のパターンのインク保持部が形成されたフレキソ印刷版１１に保持させる工程と、このフレキソ印刷版１１に、絶縁透光性基板１０を密着させ、上記インク保持部に保持された導電性インクを基板１０の所定位置に転写する工程と、この転写後に上記転写された導電性インクを加熱して、絶縁透光性基板１０上に、所定パターンの透明導電膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エ
ピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、
及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長
炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積
層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の劣化及び素子のばらつきを抑制しつつ、所望の閾値電圧を実現する。
【解決手段】実施形態による複数の閾値電圧を有する半導体装置５００は、基板５０２と、第１の閾値電圧を有する基板上の第１のトランジスタ５１０と、第２の閾値電圧を有する基板上の第２のトランジスタ５３０とを具備する。第１のトランジスタは、基板の第１のチャネル領域上に形成された第１の界面層５１６と、第１の界面層上に形成された第１のゲート誘電体層５１８と、第１のゲート誘電体層上に形成された第１のゲート電極５２０，５２２とを具備する。第２のトランジスタは、基板の第２のチャネル領域上に形成された第２の界面層５３６と、第２の界面層上に形成された第２のゲート誘電体層５３８と、第２のゲート誘電体層上に形成された第２のゲート電極５４０，５４２とを具備する。第２の界面層は第１の界面層内になくかつＳｉ、Ｏ及びＮと異なる添加元素を有する。第１及び第２の閾値電圧は異なる。第１及び第２のトランジスタは同一の導電型である。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高い性能を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側に形成された第１のゲート側壁と、半導体基板上に形成され、ゲート電極との間に第１のゲート側壁を挟むソース・ドレイン半導体層と、を備える。さらに、ゲート電極の両側に、第１のゲート側壁上およびソース・ドレイン半導体層上に形成され、第１のゲート側壁との境界がゲート電極の側面で終端し、第１のゲート側壁よりもヤング率が小さく、かつ、低誘電率の第２のゲート側壁、を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性のばらつきを抑制しつつ、耐久性を向上可能なＳｉＣ系酸化膜電界効果トランジスタ、およびデバイス特性のばらつきを抑制することが可能なＳｉＣ系酸化膜電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ⁻ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。一方のｐウェル２１１および他方のｐウェル２１２においては、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在する第２ｎ^＋ソース領域２２２とが、チャネル領域２９を挟んで互いに対向するように配置されている。絶縁層３５の厚みは、ｐウェル２１の内部に位置するチャネル領域２９上よりも、ウインドウ領域２８上において大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物と、同ゲート構造物を製造する方法と、を提供する。
【解決手段】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を提供する。詳しくは、広義に、第一の厚さを有する第一のシリサイド金属のシリサイド化金属ゲートと、隣接する第二の厚さを有する第二の金属のシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを含み、第二の厚さは第一の厚さより薄く、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域は少なくともシリサイド化金属ゲートを含むゲート領域の端に位置合わせした半導体構造物を提供する。さらに、シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】アバランシェ降伏時の電流集中を緩和することができ、耐圧およびアバランシェ耐量をともに向上させることができる、ＳｉＣ半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｎ^＋型のＳｉＣ基板２上に、ｎ⁻型のＳｉＣエピタキシャル層４を形成し、ＳｉＣエピタキシャル層４上に、フィールド絶縁膜５を形成する。このフィールド絶縁膜５を貫通して、ＳｉＣエピタキシャル層４の表面に、アノード電極７をショットキー接合させる。一方、ＳｉＣ基板２の裏面には、カソード電極３をオーミック接触させる。これにより、ショットキーバリアダイオード１を形成する。このショットキーバリアダイオード１において、ＳｉＣエピタキシャル層４の表層部に、アノード電極７のショットキーメタル９に接するガードリング１３を形成する。そして、このガードリング１３の表層部１７におけるｐ型不純物濃度を、ｎ型不純物濃度よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】隣接する浮遊ゲート電極間の間隔を増大させることなく、隣接する浮遊ゲート電極間の寄生容量を低減する。
【解決手段】電極間絶縁膜７下において、埋め込み絶縁膜９が上下に分離されることで、ワード線方向ＤＷに隣接する浮遊ゲート電極６間に空隙ＡＧ１が形成され、空隙ＡＧ１にて分離された上側の埋め込み絶縁膜９は電極間絶縁膜７下に積層し、下側の埋め込み絶縁膜９はトレンチ２内に配置する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、エッチストッパー層を設けなくてもウェットエッチング時の加工性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層は、高融点金属系薄膜とＳｉ薄膜の積層構造を有し、Ｓｉ薄膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）